JPH02240923A - 真空処理方法及び装置 - Google Patents
真空処理方法及び装置Info
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- JPH02240923A JPH02240923A JP6100689A JP6100689A JPH02240923A JP H02240923 A JPH02240923 A JP H02240923A JP 6100689 A JP6100689 A JP 6100689A JP 6100689 A JP6100689 A JP 6100689A JP H02240923 A JPH02240923 A JP H02240923A
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- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 title 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 37
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 7
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空処理方法及び装装置に係り、特１こ半導
体素子基板等の試料を真空下で温度制御して処理するの
に好適な真空処理方法及び装置に関するものである。
体素子基板等の試料を真空下で温度制御して処理するの
に好適な真空処理方法及び装置に関するものである。
試料を真空下で温度制御して処理する技術としては、試
料と冷却若しくは加温された試料台との間にヘリウムガ
ス等の熱伝導性ガスを導入し、これにより、試料の温度
を所定温度に制御して処理する技術が知られている。
料と冷却若しくは加温された試料台との間にヘリウムガ
ス等の熱伝導性ガスを導入し、これにより、試料の温度
を所定温度に制御して処理する技術が知られている。
なお、この種の技術−二関連するものとして、例えば、
特開昭５６−４８１３２号、特開昭５９−１９７１４５
号、特公昭５５−９０５８号等が挙げられる。
特開昭５６−４８１３２号、特開昭５９−１９７１４５
号、特公昭５５−９０５８号等が挙げられる。
上記従来技術は処理中の試料温度、例えば、昇温を押え
るために一定の冷却効果を得ること１こより試料の温度
を一定に保つことは可能であるが、しかし、試料の温度
を広範囲に制御する点については配慮されていなかった
。
るために一定の冷却効果を得ること１こより試料の温度
を一定に保つことは可能であるが、しかし、試料の温度
を広範囲に制御する点については配慮されていなかった
。
本発明の目的は、真空下で処理される試料の温度を広範
囲に制御できる真空処理方法及び装置を提供することに
ある。
囲に制御できる真空処理方法及び装置を提供することに
ある。
上記目的を達成するために、試料と試料台との間１こ導
入され゛る熱伝導性ガスの熱伝導率を変化させることに
より試料と試料台間の熱伝導率を変化せしめ、真空下で
処理される試料の温度を広範囲に制御するものである。
入され゛る熱伝導性ガスの熱伝導率を変化させることに
より試料と試料台間の熱伝導率を変化せしめ、真空下で
処理される試料の温度を広範囲に制御するものである。
試料と試料台の熱伝導率はその間に導入されるガスの熱
伝導率によって変化する。従９て、該ガスの熱伝導率を
変化させることにより試料台の温度を変化させることな
く試料の濃度を変化、っま１ハ広範囲に制御することが
できる。
伝導率によって変化する。従９て、該ガスの熱伝導率を
変化させることにより試料台の温度を変化させることな
く試料の濃度を変化、っま１ハ広範囲に制御することが
できる。
以下本発明の一実施例をｍｘ図により説明する。
試料ｌを載置する試料台２は温度調節装！１３により一
定の温度に保たれている。この試料ｌと試料台２間に熱
伝導率の異なるＡガス４とＢガス５がそれぞれ流量制御
装置ｆ６． ７を介して導入する構造とし、制御装ｒ１
８により任意の流量制御を可能とする。本実施例によれ
ばＡガス４とＢガス５との比率を変化させることが可能
なため、ガス比に応した熱伝導率が得られ、この場合、
プラズマ９を利用した処理による入熱量とバランスする
温度が広範囲に制御できる。
定の温度に保たれている。この試料ｌと試料台２間に熱
伝導率の異なるＡガス４とＢガス５がそれぞれ流量制御
装置ｆ６． ７を介して導入する構造とし、制御装ｒ１
８により任意の流量制御を可能とする。本実施例によれ
ばＡガス４とＢガス５との比率を変化させることが可能
なため、ガス比に応した熱伝導率が得られ、この場合、
プラズマ９を利用した処理による入熱量とバランスする
温度が広範囲に制御できる。
本装置を用いてＡＪ−８４とＷの積層膜エツチングを行
なう場合を例にとり説明する。試料台２の濃度は一８０
℃に保ちＣ１２ガスによりエツチングを行なう場合はＡ
ガス４としてＡｒ、 ２ＣＣ／ｍｉｎ を流す。この
時、試料ｌの温度は約４０℃であり異方性のエツチング
が可能であった。次にＷのエツチングとしてＳＦ６ガス
のみでエツチングを行なったところサイドエッチが発生
した。そこでＷをエツチング時にＢガス５としてＨｅ、
７ｃｃ／ｍｉｎ を流したところウェハ温度が一１
０℃となりほぼ異方性感こ加工できた。これはＷを異方
性に加工できる温度がＭ−８ｉ膜に比べ低いためであり
これを達成するためには試料の冷却効率を向上させるこ
とが必要であり、この方法として試料１と試料台２との
間に導入するガスを熱伝導率の高いガスに変えることで
可能であることが判った。逆にＡｌ−８７膜エツチング
中にＨｅガスを流すと試料温度が低いためＡｌ１−８ｉ
膜のエツチング速度が極端に低下してしまう。従っ゛で
、それぞれの膜種に応じた試料温度に制御する必要があ
り、そのためには、本発明が極めて有効であることが確
認できた。
なう場合を例にとり説明する。試料台２の濃度は一８０
℃に保ちＣ１２ガスによりエツチングを行なう場合はＡ
ガス４としてＡｒ、 ２ＣＣ／ｍｉｎ を流す。この
時、試料ｌの温度は約４０℃であり異方性のエツチング
が可能であった。次にＷのエツチングとしてＳＦ６ガス
のみでエツチングを行なったところサイドエッチが発生
した。そこでＷをエツチング時にＢガス５としてＨｅ、
７ｃｃ／ｍｉｎ を流したところウェハ温度が一１
０℃となりほぼ異方性感こ加工できた。これはＷを異方
性に加工できる温度がＭ−８ｉ膜に比べ低いためであり
これを達成するためには試料の冷却効率を向上させるこ
とが必要であり、この方法として試料１と試料台２との
間に導入するガスを熱伝導率の高いガスに変えることで
可能であることが判った。逆にＡｌ−８７膜エツチング
中にＨｅガスを流すと試料温度が低いためＡｌ１−８ｉ
膜のエツチング速度が極端に低下してしまう。従っ゛で
、それぞれの膜種に応じた試料温度に制御する必要があ
り、そのためには、本発明が極めて有効であることが確
認できた。
上記実施例では、熱伝導率のそれぞれ異なるガスを混合
し、該混合ガスを試料と試料台との間に導入しているが
、これに曽えて、熱伝導率のそれぞれ異なるガスを試料
と試料台との間に切換え導入するようにしても良い。
し、該混合ガスを試料と試料台との間に導入しているが
、これに曽えて、熱伝導率のそれぞれ異なるガスを試料
と試料台との間に切換え導入するようにしても良い。
また、本発明は、上記実施例でのプラズマエツチング処
理以外の他の真空処理、例えば、プラズマＣＶＤ、スパ
ッタまたはイオン打込みやＭＢＢ等のプラズマを利用し
ない真空処理においても適用できる。
理以外の他の真空処理、例えば、プラズマＣＶＤ、スパ
ッタまたはイオン打込みやＭＢＢ等のプラズマを利用し
ない真空処理においても適用できる。
本発明によれば、熱伝導性ガスの熱伝導率を変化させる
ことで、真空下で処理される試料の温度を広範囲に制御
できる効果がある。
ことで、真空下で処理される試料の温度を広範囲に制御
できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のプラズマエツチング装置の
要部装置構成図である。 １・・・・・・試料′、２・・・・・・試料台、３・・
・・・・温度調節装置、４・・・・・・Ａガス、５・・
曲Ｂガス、６．７・・曲流量制御装置、８・・・・・・
制御装置
要部装置構成図である。 １・・・・・・試料′、２・・・・・・試料台、３・・
・・・・温度調節装置、４・・・・・・Ａガス、５・・
曲Ｂガス、６．７・・曲流量制御装置、８・・・・・・
制御装置
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、試料を試料台に設置する工程と、前記試料台を冷却
若しくは加温する工程と、前記試料と試料台との間に熱
伝導性ガスを導入する工程と、前記ガスの熱伝導率を変
化させる工程とを有することを特徴とする真空処理方法
。 ２、前記ガスに、熱伝導率がそれぞれ異なるガスを用い
、前記試料と試料台との間に切換え導入する第１請求項
に記載の真空処理方法。 ３、前記ガスに、熱伝導率がそれぞれ異なるガスの混合
ガスを用い、該混合ガスの混合比率を変えて前記試料と
試料台との間に導入する第１請求項に記載の真空処理方
法。 ４、真空室と、該真空室内で試料が設置される試料台と
、該試料台を冷却若しくは加温する手段と、前記試料と
試料台との間に導入される熱伝導性ガスの熱伝導率を変
化させる手段とを具備したことを特徴とする真空処理装
置。 ５、前記熱伝導率変化手段として、熱伝導率がそれぞれ
異なるガスを前記試料と試料台との間に切換え導入する
手段を用いた第４請求項に記載の真空処理装置。 ６、前記熱伝導率変化手段として、熱伝導率がそれぞれ
異なるガスを混合比率を変えて混合し、該混合ガスを前
記試料と試料台との間に導入する手段を用いた第４請求
項に記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1061006A JP2635153B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 真空処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1061006A JP2635153B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 真空処理方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02240923A true JPH02240923A (ja) | 1990-09-25 |
| JP2635153B2 JP2635153B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=13158825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1061006A Expired - Lifetime JP2635153B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 真空処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2635153B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991009148A1 (en) * | 1989-12-11 | 1991-06-27 | Hitachi, Ltd. | Device for vacuum treatment and device for and method of film formation using said device |
| US5814186A (en) * | 1995-08-28 | 1998-09-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | SOG etchant gas and method for using same |
| US6080676A (en) * | 1998-09-17 | 2000-06-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Device and method for etching spacers formed upon an integrated circuit gate conductor |
| JP2001196324A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-07-19 | Applied Materials Inc | 基板の熱処理 |
| US6281132B1 (en) | 1998-10-06 | 2001-08-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Device and method for etching nitride spacers formed upon an integrated circuit gate conductor |
| JP2004503108A (ja) * | 2000-07-06 | 2004-01-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体基板の熱処理 |
| JP2009534824A (ja) * | 2006-04-21 | 2009-09-24 | アイクストロン、アーゲー | プロセスチャンバ内の基板表面温度制御装置及び方法 |
| GB2478269A (en) * | 2009-12-18 | 2011-09-07 | Surrey Nanosystems Ltd | Nanomaterials growth system and method |
| JP2013021113A (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置および気相成長方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63229716A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Fujitsu Ltd | ドライエツチング方法 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1061006A patent/JP2635153B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63229716A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Fujitsu Ltd | ドライエツチング方法 |
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| WO1991009148A1 (en) * | 1989-12-11 | 1991-06-27 | Hitachi, Ltd. | Device for vacuum treatment and device for and method of film formation using said device |
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| US6281132B1 (en) | 1998-10-06 | 2001-08-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Device and method for etching nitride spacers formed upon an integrated circuit gate conductor |
| JP2001196324A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-07-19 | Applied Materials Inc | 基板の熱処理 |
| JP2004503108A (ja) * | 2000-07-06 | 2004-01-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体基板の熱処理 |
| JP2009534824A (ja) * | 2006-04-21 | 2009-09-24 | アイクストロン、アーゲー | プロセスチャンバ内の基板表面温度制御装置及び方法 |
| GB2478269A (en) * | 2009-12-18 | 2011-09-07 | Surrey Nanosystems Ltd | Nanomaterials growth system and method |
| JP2013021113A (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置および気相成長方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2635153B2 (ja) | 1997-07-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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