JPH03136231A

JPH03136231A - 熱処理方法および熱処理装置、ならびに加熱体の制御方法

Info

Publication number: JPH03136231A
Application number: JP15714390A
Authority: JP
Inventors: Kimiharu Matsumura; 松村　公治; Hiroyuki Sakai; 宏之境
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1989-06-16
Filing date: 1990-06-15
Publication date: 1991-06-11
Anticipated expiration: 2014-07-26
Also published as: JP2923332B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明はベーキング方法に関する。

〔従来の技術〕

一般に半導体集積回路の製造工程のフォトリソグラフィ
ー工程では、フォトレジストを塗布した後や、フォトレ
ジスト膜の霧光、現像後等に、フォトレジスト中の溶剤
を除去するとともに、レジストに耐熱性を付与しつつレ
ジストの物性（感光性や解像度等）をコントロールする
ためベーキング工程として半導体ウェハ等の被処理体の
加熱処理が行われる。

このベーキング工程は、従来、例えば特開昭６１−２０
１４２６号公報に開示されるように、半導体゛ウェハ等
を予め設定した所望のベーキング温度で、所定時間、加
熱するというものである。

従来、この加熱手段としては、例えば枚葉式のものの場
合には、例えばＳＵＳやアルミニュームからなり、ニク
ロム線などの発熱抵抗体を内蔵した比較的熱容量の大き
い加熱板を用い、この加熱板上に被処理基板を載置して
加熱処理を行なっている、すなわち、例えば第祷図に示
すように、熱板により基板を予め定められた温度Ｔ、に
設定し、この温度Ｔ、を保持した状態で予め定められた
設定時間Ｄ１だけ加熱を行なう、または、前記公報に示
されるように、第Ｈ図の如く段階的に予め設定された複
数の設定温度Ｔ２．Ｔ３にそれぞれ加熱された複数の加
熱板を用意し、これら複数の加熱板上に半導体ウェハな
どの被処理基板を順次に搬送して載置して、各加熱板上
で設定温度Ｔ、、Ｔ３を保持して、それぞれ設定時間Ｄ
２．　Ｄ、の間、加熱を行なう。

このように、順次段階的に設定温度を上げて加熱するこ
とによりフォトレジストの耐熱性が向上する。

〔発明が解決しようとする課題〕

以上のように、従来は予め定められた設定温度で設定時
間、被処理基板を加熱することが目的であるため、設定
温度で安定に温度コントロールできるように、熱板は、
例えばその厚さを厚くして熱容量を大きくし、外乱に影
響されに＜＜シている。

そして、このように従来の加熱板は熱容量を大きくして
いるため、温度制御感度が低く、高速の温度コントロー
ルはできない。また、前記のように段階的に設定温度を
高くする場合には、スループットが悪化するので、従来
は、前述のように複数の加熱板を用意する必要があった
。

のように設定温度Ｔ８．Ｔ、、Ｔ、の期間は、これ（ら
の温度を一定にする温度管理は行なっていたが、昇温期
間り、、Ｄ、、Ｄ、及び冷却期間り、、Ｄ、における温
度変化勾配やその期間の長さ等の履歴（温度変化パター
ン）は全く管理されていなかった。

ところで、最近は、半導体デバイスの高密度化。

高デバイス化に伴い、レジストパターンが微細化してき
ている。このため、従来、ベーキング工程において無視
されていた昇温期間や降温期間の温度変化パターンがフ
ォトレジストの解像度や感光性等の物性に与える影響が
無視できなくなってきており、これら昇温変化パターン
や降温変化パターン等の履歴を所定のものにコントロー
ルして、より良いレジスト物性を得ることが必要となっ
ている。

また、このように昇温変化パターンや降温変化パターン
は、温度管理されていないため、同じ種類の半導体ウェ
ハ等の被処理基板であっても、これらのパターンが被処
理基板毎に区々となり、基板毎にレジストの物性が異な
ってしまい、信頼性に欠けるという問題もあった。

そこで昇温期間、降温期間においても、加熱板により温
度コントロールを行なうことが考えられるが、従来の加
熱板は、前述したように熱容量が大きいため、制御感度
が悪く、所望の昇温変化パターンや降温変化パターンを
得るようにする温度制御が困難である。

この発明は１以上の点を改善したベーキング方法を提供
することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明によるベーキング方法においては。

熱容量の小さい加熱手段を用い、上記加熱手段を制御して所定の設定温度で予め設定され
た所定時間、被処理体を加熱処理するとともに、上記設
定温度までの昇温時及び上記設定温度から次の設定温度
までの昇温または降温時、」二記加熱手段を制御して予
め設定された昇温履歴または降温履歴を呈するようにし
たことを特徴とする。

〔作　用〕

熱容量の小さい加熱手段により、設定温度の定温管理だ
けでなく、昇温変化パターンや降温変化パターン等の履
歴が管理されるから、フォトレジストの物性の所望のコ
ントロールができる。

〔実施例〕

以下、この発明の種々の実施例について、添付の図面を
参照しながら説明する。

第１図に示すように、レジスト処理システム４０内には
各種処理用のユニット４１〜４５が収納され、半導体ウ
ェハＷが順々に処理されるようになっている。システム
４０の入口側にはセンダ４１が設けられる一方、システ
ム４０の出口側にはレシーバ４５が設けられている。カ
セット搬送用ロボット（図示せず）がクリーントラック
上を走行可能に設けられ、クリーントラックはセンダ４
１の前面側に設けられたカセットステージまで延びてい
る。センダ４１は、半導体ウェハＷをカセットから一枚
ずつ取り出し１次のアドヒージョンユニット４２にウェ
ハＷを受は渡す機能を有している。アドヒージョンユニ
ット４２には、ウェハＷを加熱し、これにＨＭＤＳを塗
布するための機能が備え付けられている。

コーティングユニット４３がアドヒージョンユニット４
２の次に設けられ、半導体ウェハＷの表面に所定厚さの
レジスト膜が形成されるようになっている。ベーキング
ユニット４４がコーティングユニット４３の次に設けら
れ、半導体ウェハＷが所定温度でベーキングされるよう
になっている。

レシーバ４５がベーキングユニット４４の次に設けられ
、レジスト処理済みの半導体ウェハＷがレシーバ４５に
受は入れられるようになっている。

レジスト処理システム４０の外部には露光ユニット（図
示せず）が設けられている。露光ユニットとレシーバ４
５との間にはインターフェイス（図示せず）が設けられ
ており、このインターフェイスを介して半導体ウェハＷ
が露光ユニットに送られるようになっている。

次に、第２図を参照しながらアドヒージョンユニット４
２について説明する。なお、ここでは、加熱冷却機能を
有するウェハ載置台１２をアドヒージョンユニット４２
に用いる場合について説明するが、同様のものをベーキ
ングユニット４４に用いてもよい。

アドヒージョンユニット４２のチャンバー１１内に、半
導体ウェハＷを載置するための載置台１２が設けられて
いる。ＨＭＤＳ供給管３３がチャンバー１１の上部を貫
通している。供給管３３の先端部には拡散板３４が取り
付けられている。拡散板３４の下面は、載置台１２上の
ウェハＷに対面している。この拡散板３４の下面には多
数の孔が開口している。これら多数の孔は、供給管３３
を介してボトル３１の内部に連通している。ボトル３１
内のＨＭＤＳ液中にバプラ３２が浸漬されている。バプ
ラ３２は管３２ａを介して窒素ガス供給源（図示せず）
に連結されている。

排気管３５がチャンバー１１の下部を貫通している。

排気管３５の一端は真空ポンプ（図示せず）の吸引口に
接続されている。

ウェハ載置台１２は、８インチサイズの半導体ウェハＷ
を載置するためのものである。拡散板３４は。

載置台１２の全面に覆い被さるように設けられている。

載置台１２の上板１３は、アルミナプレートでつくられ
ている。この場合に、上板１３は、電気絶縁性および熱
伝導性を有するセラミック材料であればアルミナ以外の
セラミックであってもよい。

なお、上板１３のサイズは、縦および横がそれぞれ１６
０〜１８０■の範囲で、厚さが１〜２０■の範囲で適宜
選択され得る。上板１３の厚さは５〜１０■程度である
ことが好ましい。

導電性薄膜１４が上板１３の下面の全面にわたって形成
されている。導電性薄膜１４は、上板１３の表面に金属
クロムを単独で蒸着させて形成したものである。薄膜１
４の厚さは、０．１〜ｔｏｏＩ３の範囲で適宜選択され
得るが、０．５〜２−の範囲であることが好ましい。

なお、載置台１２には、半導体ウェハＷを上板１３から
持ち上げるためのピン（図示せず）が取り付けられてい
る。このピンによって半導体ウェハＷがピックアップさ
れ、載置台１２からアンロードされる。

銅製の電極１５．１６が導電性薄膜１４の周縁部近傍に
それぞれ設けられている。電極１５．１６は、帯状をな
し、導電性薄膜１４の下面に被着されている。

電極１５．１６は電源回路１９に接続されている。電源
回路１９には商用交流電源１７とＳ　Ｓ　Ｒ（Ｓｏｆｉ
ｉｄ　５ｔａｔｅＲｅｌａｙ）　１ｇとが含まれている
。５ＳＲ１８は、スイッチング素子としての機能を有す
る。

コントロールシステム２０は、ＣＰＵ２０１やＰＩＤコ
ントローラ２０３を内蔵しており、入力されたレシピ及
び温度検出信号に応じて、５ＳＲ１８や冷却装置２３へ
各種の信号ＳＭ、ＳＣを送る機能を有している。

第２図（８）に示すように、５ＳＲ１８にはコントロー
ルシステム２０のＰＩＤコントローラ２０３が接続され
ており、ＰＩＤコントローラ２０３から５ＳＲ１８にＰ
ＷＭ信号ＳＭが入力されるようになっている。また、ク
ーリングシステム２３にもＰＩＤコントローラ２０３が
接続され、システム２３に信号ＳＣが入力されるように
なっている。コントロールシステム２０のデジタル加算
器２０２には、センサ２５を有する温度計２４が接続さ
れている。温度センサ２５は、導電性薄膜１４の下面の
適所に被着されている。また、ＣＰＵ２０の入力部には
、キイボード２０ａが接続されている。このキイボード
２０ａによって所定のアドヒージョン処理条件（加熱条
件等を含むレシピ）がキイボード入力されるようになっ
ている。

パルスゼネレータ２０４からＣＰＵ２０１、デジタル加
算器２０２、並びにＰＩＤ制御演算器２０３のそれぞれ
に１秒間隔のタイミングでパルス信号が出されている。

なお、ＣＰＵ２０１とパルスゼネレータ２０４との間に
アドレスカウンタ２０５が設けられている。

電極１５．１６及び温度センサ２５と共に導電性薄膜１
４は、保護膜２１で覆われている。この保護膜２１は、
例えばテトラフルオロエチレン（商標テフロン）からな
り、導電性薄膜１４等を保護する役割を有する。

載置台１２の下部にクーリングジャケット２２が設けら
れている。ジャケット２２は、保護膜２１を介して導電
性薄膜１４と熱交換し得るように設けられている。ジャ
ケット２２には、冷却システム２３の冷媒供給源に連通
ずる内部通路２２ａが形成されている。

冷却システム２３は、圧縮機および蒸発器を有し、冷媒
をジャケット２２との間で循環するようなシステムであ
る。なお、冷却システム２３の入力部にはコントローラ
２０の出力部が接続されている。すなわち、コントロー
ラ２０は、入力されたレシピ及び温度検出信号に応じて
、冷却システム２３がらジャケット２２への冷媒供給量
を制御するための制御信号ＳＣを冷却システム２３へ送
る機能を有する。

次に第３図（Ａ）乃至（Ｃ）並びに第４図を参照しなが
ら、半導体ウェハＷの表面をアドヒージョン処理する場
合について説明する。

（Ｉ）キイボード２０ａによって所定のレシピをＣＰＵ
２０１に入力する。ここで、レシピは、昇温速度および
降温速度が毎分５０〜２００℃を越えない範囲で温度・
時間ポイントデータを指令温度テーブルとして入力する
。加熱保持温度が１００〜１５０℃、加熱保持時間が０
．１〜１分間である。

ＣＰＵ２０１によって入カポインドデータの相互間を補
完して、マスターカーブを作成する。

（ＩＩ）−枚の半導体ウェハＷをハンドリング装置（図
示せず）によりセンダ４１からアドヒージョンユニット
４２に搬入し、載置台１２上に載置する。チャンバー１
１のウェハ搬入口を閉じて、排気管３５を介してチャン
バー１１内のｂガスを排気する。

（ＩＩＩ）ＰＩＤコントローラ２０３からＰＷＭ信号Ｓ
Ｍを５ＳＲ１８に送る。これにより回路１９の電源１７
から電極１５．１６を介して導電性薄膜１４に所定の電
流が流れ、導電性薄膜１４が発熱する。この発熱により
上板１３上の半導体ウェハＷが加熱される。このとき、
ＰＷＭ信号ＳＭを変化させることにより導電性薄膜１４
への供給電流量をスイッチング制御し、所望の昇温速度
とする。

第３図（Ａ）乃至（Ｃ）および第４図を参照しながら、
ＰＷＭ信号ＳＭ及び冷却制御信号ＳＣについて説明する
。

第３図（Ａ）に示すように、信号ＳＭ及び信号ＳＣの１
周期Ｔにおけるパルス幅Ｗ、、Ｗ２が１／２　Ｔである
とき、すなわち、デユーティ比が５０％のときは、第４
図中のラインＬ１で示すように、上板１３の温度は実質
的には変わらない。なお、１周期Ｔは１秒間であり、　
これはパルスゼネレータ２０４からのパルス信号によっ
て定められている。

第３図（Ｂ）に示すように、信号ＳＭの１周期Ｔにおけ
るパルス幅Ｗ１が１／２Ｔより大きいとき、すなわち、
デユーティ比が５０％を越えるときは、第４図中のライ
ンＬ２で示すように、上板１３の温度は上昇する。

第３図（Ｃ）に示すように、信号ＳＭの１周期Ｔにおけ
るパルス幅Ｗ１が１７２Ｔより小さいとき、すなわち、
デユーティ比が５０％を下回るときは、第４図中のライ
ンＬ３で示すように、上板１３の温度は下降する。

このように信号ＳＭ及び信号Ｓｃのパルス幅を種々変え
ることにより、導電性薄膜１４による上板１３の加熱量
を所望のものに自由に変えることができ、ウェハＷの昇
温速度を所望のものにすることができる。

（ＩＶ）温度計２４のセンサ２５により薄膜１４の温度
を検出し、　この検出信号をデジタル加算器２０２に入
力する。デジタル加算器２０２では検出信号に基づき測
定温度を決定し、この測定温度に基づき導電性薄膜１４
への給電量をフィードバックコントロールする。検出信
号に基づき決定される測定温度が、所定の保持温度に一
致すると、信号ＳＭのデユーティ比を５０％にして、上
板１３の温度を１００〜１５０℃の範囲で０．５〜１分
間保持する。

（Ｖ）加熱保持中の半導体ウェハＷに、ヘキサメチルジ
シラザン（ＨＭＤＳ）をスプレィし、ウェハ表面にＨＭ
ＤＳを付着させる。

（ＶＩ）加熱保持後、信号ＳＭのデユーティ比を５０％
以下に変えて上板１３を降温させる。このとき同時にＰ
ＩＤコントローラ２０３からクーリングシステム２３に
デユーティ比５０％以上の信号ＳＣを送り、ジャケット
２２に冷媒を供給して上板１３を強制冷却する。このと
き、センサ２５の温度検出結果に基づきＰＩＤコントロ
ーラ２０３により信号ＳＭおよび信号ＳＣを決定する。

（■）冷却後、ピンを突出させ、半導体ウェハＷを上板
１３から持ち上げ、これをチャンバー１１から搬出する
。

上記実施例によれば、昇温速度および降温速度の両者を
それぞれコントロールすることができるので、スループ
ットを向上させることができる。

次に、第５図乃至第７図を参照しながら、レジスト塗布
後に半導体ウェハＷをベーキング処理する場合について
説明する。なお、上述のアドヒージョン処理の説明とベ
ーキング処理の説明とが共通する部分については説明を
省略する。

第７図に、ベーキングユニット４４に用いるウェハ載置
台１２ａを示す、このウェハ載置台１２ａでは、導電性
薄膜１４と上板１３ａとの間にセラミック薄膜１３ｂを
介在させている。　この場合に、アルミニウム合金製の
上板１３ａの表面にセラミックを溶射して薄膜１３ｂを
形成する。上板１３ａは、セラミック薄１１１３ｂによ
って導電性薄膜１４から絶縁される。

次に、このような載置台１２ａを有するベーキングユニ
ット４４を用いて半導体ウェハＷをベーキングする場合
について説明する。

（１）第５図に示すレシピをＣＰＵ２０１にキイボード
入力する。レシピには、熱履歴の再現を確実なものとす
るためにポイントＰＯ−Ｐ８が設定されている。これら
各ポイントＰＯ−Ｐ８の温度および時間の情報を指令温
度テーブルとしてＣＰＵ２０１に入力する１本レシピの
概要は、昇温速度および降温速度がそれぞれ毎分１００
℃、加熱保持温度が１２０℃、加熱保持時間が６０秒間
である。ＣＰＵ２０１では入カポインドデータの相互間
を補完して、マスターカーブを作成する。

（■）レジストが塗布された半導体ウェハＷを、コーテ
ィングユニット４３からベーキングユニット４４に搬入
し、載置台１２ａ上に載置する。

（ｍ）ＰＩＤコントローラ２０３からＰＷＭ信号ＳＭを
５ＳＲ１８に送り、導電性薄膜１４に通電する。

導電性薄膜１４が発熱し、上板１３ａ上の半導体ウェハ
Ｗが加熱される。このとき、ＰＷＭ信号ＳＭを変化させ
、導電性薄膜１４への供給電流量をスイッチング制御す
る。

（ＴＶ）温度計２４のセンサ２５により薄膜１４の温度
を検出し、　この検出信号をデジタル加算器２０２に入
力する。デジタル加算器２０２では検出信号に基づき測
定温度を決定する。この測定温度に基づき導電性薄膜１
４人の給電量をフィードバック制御する。

この昇温中のフィードバック制御においては、ウェハＷ
の熱履歴がポイントＰＬ、Ｐ２を通過し。

ポイントＰ３に到達するようにする。

（Ｖ）ポイントＰ３に到達したときに、ＰＩＤコントロ
ーラ２０３からの信号ＳＭのデユーティ比を５０％とし
、温度を一定に保持する。この一定温度で６０分間保持
する。温度保持中においては、ポイントＰ４にてウェハ
Ｗの熱履歴をチエツクする。

ポイントＰ５に到達したときに、ＰＩＤコントローラ２
０３からのＳＭ倍信号デユーティ比が５０％を下回るよ
うに変え、上板１３ａ上のウェハＷの温度を下げる。

（ＶＩ）この結果、半導体ウェハＷに塗布されたレジス
トが所望の特性を有するレジスト膜となる。

ベーキング後、ピンを突出させ、半導体ウェハＷを上板
１３から持ち上げ、これをペーキングユニツト４４から
レシーバ４５へ搬出する。

次に、別のレシピに従って半導体ウェハＷをベーキング
する場合について説明する。なお、上記実施例と重複す
る説明は省略する。

（Ｉ）第６図に示すレシピをキイボード２０ａによって
コントローラ２０にキイボード入力する。レシピには、
熱履歴の再現を確実なものとするためにポイントＰＩＯ
〜Ｐ１９が設定されている。これら各ポイントＰＩＯ〜
Ｐ１９の温度および時間の情報を指令温度テーブルとし
てＣＰＵ２０１に入力する。レシピの概要は、第１段階
の昇温速度が毎分７０℃、第１段階の加熱保持温度が９
０℃、第２段階の昇温速度が毎分１５０℃、第２段階の
加熱保持時間が１４０℃、降温速度が２℃である。また
、第１段階および第２段階の加熱保持時間がそれぞれ３
０秒間である。

（ＩＩ）　レジストを塗布した後に、半導体ウェハＷを
ベーキングユニット４４の載置台１２ａ上に載置する。

（ｍ）ＰＩＤコントローラ２０３からＰＷＭ信号Ｓ！ｖ
ｌｓｓＲ１８に送り、導電性薄膜１４に通電し、半導体
ウェハＷを加熱する。このとき、ＰＷＭ信号ＳＭを変化
させ、導電性薄膜１４への給電量をスイッチング制御す
る。

（ＩＶ）センサ２５により薄［１４の温度を検出し、検
出温度に基づき導電性薄膜１４への給電量をフィードバ
ック制御する。この昇温中のフィードバック制御におい
ては、ウェハＷの熱履歴がポイントＰ１１を通過し、ポ
イントＰ１２に到達するようにする。

（Ｖ）ポイントＰ１２に到達したときに、ＰＩＤコント
ローラ２０３からの信号ＳＭのデユーティ比を５０％と
し、温度を一定に保持する。この一定温度で３０秒間保
持する。ポイントＰ１３に到達したときに、ＰＩＤコン
トローラ２０３からのＳＭ倍信号デユーティ比が５０％
を上回るように変え、上板１３ａ上のウェハＷの温度を
上げる。このようにして半導体ウェハをステップヒーテ
ィングすることにより、半導体ウェハＷに塗布されたレ
ジストが、耐熱性に優れたレジスト膜となる。

上記実施例のようなコンポジットタイプのウェハ載置台
１２ａは、大型のベーキングユニットに用いるのに適し
ている。この理由は、大型の上板１３ａをセラミックで
つくる場合に、これを無欠陥でつくることが焼結炉の能
力する困難であるからである。

このような加熱装置では、熱板１２ａの側壁の表面積を
小さくすることができるため、熱量のロスを５％以下に
抑制することができる。このため、いわゆる末端効果と
称せられる加熱時の熱損失を無視することができ、熱板
上板１３ａの表面の温度分布を均一化することができる
。すなわち、上板１３ａ上に載置した半導体ウェハＷを
１００℃に加熱する場合に、上板１３ａの表面の温度を
１００℃プラスマイナス０．５℃の範囲にすることがで
きる。このような温度制御を従来の装置で達成しようと
すると。

アルミニウム類の上板の厚さを５０ｍｍ程度以上にする
必要があるが、これでは熱容量が大きくなり。

昇降温の応答が遅くなる。

また、上記実施例では１枚葉処理用のレジスト処理シス
テムの場合について説明したが、本発明はこれのみに限
られない。例えば、第８図、％。

尋に示すようにウェハボートを用いて多数の半導体ウェ
ハＷをバッチ処理するためのシステムにも本発明を適用
することができる。

ところで、第８図に示すように、円筒形状の導電性薄膜
１３２を反応管１３１の外壁面または内壁面に設け、薄
膜１３２上の適所に帯状の電極１３３．１３４を形成す
る。これら１対の電極１３３．１３４間に通電すると、
ウェハボート１３５に収容された多数の半導体ウェハＷ
を同時に加熱することができる。

このようなバッチ処理システムを行なう場合であっても
、高周波誘導加熱及び高周波誘電加熱の方法を用いて加
熱することも勿論できる。

また、加熱手段には、上記の導電性薄膜に限られること
なく、この他に熱容量が小さく、温度制御性が良好なも
のであれば採用することができる。

さらに、上記実施例では、この発明を半導体ウェハのア
ドヒージョン処理またはベーキング処理に適用した場合
について説明したが、これのみに限られることなく、こ
の発明をイオン注入、ＣｖＤ、エツチング、アッシング
等の各処理にも適用することができる。

また、さらに、上記実施例では、半導体ウェハを加熱冷
却処理する場合について説明したが、これのみに限られ
ることなく、この発明をＬＣＤのような他の半導体デバ
イスに適用してもよい。

以下に、この発明の効果を総括的に述べる。

この発明によれば、加熱保持時の他に、昇温時および降
温時の熱履歴をも積極的にコントロールすることができ
る。このため、高集積化・高密度化した半導体デバイス
をレジスト処理する場合に、その微細パターンに応じて
フォトレジストの特性管理を厳密に行なうことができる
。

また、同種類の半導体デバイスを加熱冷却処理する場合
に、昇降温を含む熱履歴を同じにコントロールすること
ができるので、製品の信頼性を向上させることができる
。特に、熱履歴を厳密に同じにすることができるので、
各半導体デバイスごとにレジストの物性にばらつきが生
じることなく。

品質を均一にすることが可能となる。

さらに、クーリングユニットを省略することができるの
で、レジスト処理装置の全体を小型化することができる
。

〔発明の効果〕

この発明によるベーキング方法によれば、以上の説明か
ら明らかなように、設定温度での定温制御だけでなく昇
温変化パターン及び降温変化パターンを含めた熱履歴を
コントロールするものであるから、半導体基板の高集積
化、高密度化等に伴う微細パターンに応じてフォトレジ
ストの物性が所望のものとなるよう管理をすることが可
能になる。

また、同じ種類の被処理基板は熱履歴が同じようにコン
トロールされるものであるから、同じ種類の被処理基板
のフォトレジストの物性は同一のものとなり、信頼性が
向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明によるベーキング方法の一実施例説明
図、第２！！ｌは第１図に使用する加熱冷却処理装置の
一実施例を示す図、第３図及び第４図は第２図を説明す
るための図、第５図及び第６図はこの発明の方法の一例
に使用する熱履歴のτ仕ｅ神誇は従来のベーキング方法
による温度コントロールを説明するための図である。１・・・発熱板　　　　　２・・・導電性薄膜３．４・
・・電極　　　　７・・・電源装置２０・・・温度制御
回路

Claims

【特許請求の範囲】　熱容量の小さい加熱手段を用い、上記加熱手段を制御して所定の設定温度で予め設定され
た所定時間、被処理体を加熱処理するとともに、上記設
定温度までの昇温時及び上記設定温度から次の設定温度
までの昇温または降温時、上記加熱手段を制御して予め
設定された昇温履歴または降温履歴を呈するようにした
ことを特徴とするベーキング方法。