JP2015032630A - エピタキシャルウェハの製造装置および製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャンバ内において、一面4aに凹部が設けられた搭載プレート4と、凹部の内壁面との間に、回転可能なように隙間Lを有するように、凹部に収容されたウェハ支持台3と、を少なくとも有し、搭載プレート4は、凹部の内壁面に一方の端部10aを有し、隙間Lを通じてチャンバ内の反応空間に接続され、パーティクルPがウェハの被処理面Waに接近するのを妨げる第1ガスG1を流す第1流路10と、凹部の内壁面に一方の端部11aを有し、隙間Lに接続され、ウェハ支持台3とともにウェハWを回転させる第2ガスG2を流す第2流路11と、を備えている。
【選択図】図2
Description
(1)チャンバ内に原料ガスを供給しながら、加熱されたウェハの面上にエピタキシャル層を堆積成長させるエピタキシャルウェハの製造装置であって、
前記チャンバ内において、
一面に凹部が設けられた搭載プレートと、
前記凹部の内壁面との間に、回転可能なように隙間を有して、前記凹部に収容されたウェハ支持台と、を少なくとも有し、
前記搭載プレートは、
前記凹部の内壁面に一方の端部を有し、前記隙間を通じて前記チャンバ内の反応空間に接続され、パーティクルが前記ウェハの被処理面に接近するのを妨げる第1ガスを流す第1流路と、
前記凹部の内壁面に一方の端部を有し、前記隙間に接続され、前記ウェハ支持台とともに前記ウェハを回転させる第2ガスを流す第2流路と、を備えていることを特徴とするエピタキシャルウェハの製造装置。
(2)前記第1流路の一方の端部は、前記凹部の内壁面のうち内底面に接続されていることを特徴とする前項(1)に記載のエピタキシャルウェハの製造装置。
(3)前記第1流路の一方の端部は、少なくとも、前記凹部の内壁面のうち内底面において、前記チャンバ内に前記原料ガスを流す際の上流側および/または下流側の位置に設けられていることを特徴とする前項(1)または(2)に記載のエピタキシャルウェハの製造装置。
(4)前記凹部の内壁面において、前記第1流路の一方の端部と前記第2流路の一方の端部との間の位置から、前記搭載プレートの内部を貫通する回転ガス排出孔が設けられていることを特徴とする前項(1)〜(3)のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェハの製造装置。
(5)チャンバ内に原料ガスを供給しながら、加熱されたウェハの面上にエピタキシャル層を堆積成長させるエピタキシャルウェハの製造方法であって、
前記ウェハ支持台及びその上に載置されたウェハを、第2ガスを用いて回転させながら、前記ウェハの面上に前記エピタキシャル層を堆積成長させる成長工程を少なくとも備え、
前記成長工程の前に、前記第2ガスが流れる流路とは別個に設けた流路を用いて、前記ウェハの側面を上方に抜ける第1ガスを流しておくことを特徴とするエピタキシャルウェハの製造方法。
(6)前記第1ガスとして、アルゴンが含まれたガスを用いることを特徴とする前項(5)に記載のエピタキシャルウェハの製造方法。
(7)前記第2ガスとして、水素元素からなるガスを用いることを特徴とする前項(5)または(6)に記載のエピタキシャルウェハの製造方法。
(8)前記第1ガスとして、水素元素からなるガスを用い、前記第2ガスとして、アルゴン元素が含まれたガスを用いることを特徴とする前項(5)に記載のエピタキシャルウェハの製造方法。
あるいは、回転ガスを流すことによってウェハ支持台が回転するように構成されていても、パージ効果又はブロック効果を高めるために、回転ガスの流量を結晶成長時の流量より増加させる必要がないため、ウェハ支持台と搭載プレートとが擦れ合うことによるパーティクルの発生の増大やSiCウェハの位置ずれの発生の増大を伴うことなく、第1ガスを流してパージ効果又はブロッキング効果を高めることが可能になる。
また、昇温時にパージ効果又はブロッキング効果を高めるために、回転ガスの流量を結晶成長時の流量より増加させる必要がないため、結晶成長直前で回転ガスの流量を結晶成長時の流量に戻す必要がなく、結晶成長の前後でSiCウェハの温度が大きく変化することがない。
あるいは、回転ガスを流すことによってウェハ支持台を回転させるにしても、パージ効果又はブロッキング効果を高めるために、回転ガスの流量を結晶成長時の流量より増加させる必要がないため、ウェハ支持台と搭載プレートとが擦れ合うことによるパーティクルの発生の増大やSiCウェハの位置ずれの発生の増大を伴うことなく、第1ガスを流してパージ効果又はブロッキング効果を高めることが可能になる。
また、昇温時にパージ効果又はブロッキング効果を高めるために、回転ガスの流量を結晶成長時の流量より増加させる必要がないため、SiCウェハの温度が大きく変化することがない。
(エピタキシャルウェハの製造装置)
図1は、本発明を適用したエピタキシャルウェハの製造装置の第1の実施形態を示す断面模式図である。本発明を適用したエピタキシャルウェハの製造装置1は、例えば、図1に示すようなCVD装置であり、減圧排気可能なチャンバ(成膜室)2内において、SiCウェハWを加熱し、SiCの原料ガスGを供給しながら、加熱されたSiCウェハWの面上にSiCエピタキシャル層(不図示)を堆積成長させるものである。なお、原料ガスGには、例えば、シリコン(Si)源にシラン(SiH4)、炭素(C)源にプロパン(C3H8)を含むものを用いることができ、さらに、キャリアガスとして水素(H2)を含むものを用いることができる。エピタキシャルウェハの製造装置1の中央部から供給されたガスGは、SiCウェハの上方を経由して流れ、反応空間Kの外周部分からチャンバ2の外部に排気される(排気口は不図示)。
隙間Lは、凹部8の内底面8aとウェハ支持台3の外底面3bとの間の隙間L1と、凹部8の内側面8cとウェハ支持台3の外側面3cとの間の隙間L2とを含む。図1に示す構成では、隙間L1は、小突起12によって、ウェハ支持台3が支持されていることで形成されているが、隙間L1の構成はこれに限定されない。小突起12を備えずに、例えば、凹部8の内底面8aに、ウェハ支持台3を支持する複数の凸部が設けられ、凸部間の隙間によって、隙間L1が設けられていてもよい。
アルゴン(Ar)などの重い元素のガスほど、SiCウェハの被処理面Waに接近するパーティクルを、パージ又はブロックする効果(パージ効果又はブロック効果)が大きい。但し、Arガスは、キャリヤガスである水素ガスに混入することによってSiドロプレットを形成し、このSiドロプレットはエピタキシャル層内でシャローピットとなる。従って、結晶成長(エピタキシャル層形成)前にSiドロプレット形成のおそれがない状況では、パージガスとして重い元素であるArガス(又はArガスを含有するガス)を用いることが好ましいが、Siドロプレット形成のおそれがある状況では、パージガスとしてキャリヤガスである水素ガスを用いることが好ましい。
原料ガスGは、チャンバ2内に流す際の上流側と下流側により多く堆積するため、第1流路の一方の端部10aは、少なくとも、上流側および/または下流側の位置において、反応空間Kと連通していることが好ましい。すなわち、第1流路の一方の端部10aは、凹部8の内壁面において、チャンバ2内に原料ガスGを流す際の上流側および/または下流側の位置に設けられているのが好ましい。なお、図1では第1ガス供給手段13が搭載プレートの下面4bと対向する位置に配されている例を示しているが、第1ガス供給手段13の位置はこの位置に限定されない。
なお、成膜がウェハWの面内で均一となるように、ウェハ支持台3およびウェハWの回転軸の方向を一定に保つため、溝8bは2箇所以上に設けられていることが好ましく、3箇所以上に設けられていればより好ましい。
本発明を適用したエピタキシャルウェハの製造方法の第1の実施形態は、上記の製造装置1を用いて、SiCウェハWの面上にエピタキシャル層を堆積成長させる工程を含む方法である。
4a・・・一面(上面)、8・・・凹部、10・・・第1流路、
10a、11a・・・一方の端部、10b、11b・・・他方の端部、
11・・・第2流路、15・・・回転ガス排気孔、G・・・原料ガス、
G1・・・第1ガス、G2・・・第2ガス、L・・・隙間、P・・・パーティクル、
W・・・ウェハ(SiCウェハ)、Wa・・・被処理面。
Claims (8)
- チャンバ内に原料ガスを供給しながら、加熱されたウェハの面上にエピタキシャル層を堆積成長させるエピタキシャルウェハの製造装置であって、
前記チャンバ内において、
一面に凹部が設けられた搭載プレートと、
前記凹部の内壁面との間に、回転可能なように隙間を有して、前記凹部に収容されたウェハ支持台と、を少なくとも有し、
前記搭載プレートは、
前記凹部の内壁面に一方の端部を有し、前記隙間を通じて前記チャンバ内の反応空間に接続され、パーティクルが前記ウェハの被処理面に接近するのを妨げる第1ガスを流す第1流路と、
前記凹部の内壁面に一方の端部を有し、前記隙間に接続され、前記ウェハ支持台とともに前記ウェハを回転させる第2ガスを流す第2流路と、を備えていることを特徴とするエピタキシャルウェハの製造装置。 - 前記第1流路の一方の端部は、前記凹部の内壁面のうち内底面に接続されていることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウェハの製造装置。
- 前記第1流路の一方の端部は、少なくとも、前記凹部の内壁面において、前記チャンバ内に前記原料ガスを流す際の上流側および/または下流側の位置に設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載のエピタキシャルウェハの製造装置。
- 前記凹部の内壁面において、前記第1流路の一方の端部と前記第2流路の一方の端部との間の位置から、前記搭載プレートの内部を貫通する回転ガス排出孔が設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェハの製造装置。
- チャンバ内に原料ガスを供給しながら、加熱されたウェハの面上にエピタキシャル層を堆積成長させるエピタキシャルウェハの製造方法であって、
前記ウェハ支持台及びその上に載置されたウェハを、第2ガスを用いて回転させながら、前記ウェハの面上に前記エピタキシャル層を堆積成長させる成長工程を少なくとも備え、
前記成長工程の前に、前記第2ガスが流れる流路とは別個に設けた流路を用いて、前記ウェハの側面を上方に抜ける第1ガスを流しておくことを特徴とするエピタキシャルウェハの製造方法。 - 前記第1ガスとして、アルゴン元素が含まれたガスを用いることを特徴とする請求項5に記載のエピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記第2ガスとして、水素元素からなるガスを用いることを特徴とする請求項5または6に記載のエピタキシャルウェハの製造方法。
- 前記第1ガスとして、水素元素からなるガスを用い、前記第2ガスとして、アルゴン元素が含まれたガスを用いることを特徴とする請求項5に記載のエピタキシャルウェハの製造方法。
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