JP2010074000A - 気相成長装置及び気相成長方法 - Google Patents
気相成長装置及び気相成長方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010074000A JP2010074000A JP2008241561A JP2008241561A JP2010074000A JP 2010074000 A JP2010074000 A JP 2010074000A JP 2008241561 A JP2008241561 A JP 2008241561A JP 2008241561 A JP2008241561 A JP 2008241561A JP 2010074000 A JP2010074000 A JP 2010074000A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- disk member
- silicon wafer
- holder
- silicon substrate
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【構成】本発明の一態様のエピタキシャル成長装置100は、シリコンウェハ101を載置する円盤部材112と、円盤部材112表面にシリコンウェハ101を密着させた状態で、シリコンウェハ101が載置された円盤部材112を搬入し、シリコンウェハ101にシリコン(Si)含有膜を成膜するチャンバ120と、チャンバ120内で、シリコンウェハ101が載置された円盤部材112の裏面外周部を支持するホルダ110と、シリコンウェハ101を回転させる回転部材170と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、シリコンウェハとホルダとの貼り付きを防止することができる。
【選択図】図1
Description
シリコン基板が載置される円盤部材と、
円盤部材表面にシリコン基板を密着させた状態で、シリコン基板が載置される円盤部材を搬入し、シリコン基板上にシリコン(Si)含有膜を成膜するチャンバと、
チャンバ内で、シリコン基板が載置される円盤部材の裏面外周部を支持するホルダと、
ホルダを回転させる回転部材と、
を備えたことを特徴とする。
大気圧下でシリコン基板を円盤部材表面に載置し、円盤部材表面にシリコン基板が載置された状態で、大気圧から真空雰囲気に晒す工程と、
真空雰囲気下で、シリコン基板が載置された円盤部材をチャンバ内に搬入し、ホルダ上に支持する工程と、
シリコン基板を回転させながら、シリコン基板にシリコン(Si)含有膜を成膜する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1におけるエピタキシャル成長装置の構成を示す概念図である。図1において、気相成長装置の一例となるエピタキシャル成長装置100は、ホルダ(サセプタとも言う。)110、円盤部材112、チャンバ120、シャワーヘッド130、真空ポンプ140、圧力制御弁142、アウトヒータ150、インヒータ160、及び回転部材170を備えている。チャンバ120には、ガスを供給する流路122とガスを排気する流路124が接続されている。そして、流路122は、シャワーヘッド130に接続されている。図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成について説明している。ただし、縮尺等は、実物とは一致させていない(以下、各図面において同様である)。
図3は、実施の形態1におけるエピタキシャル成長装置システムのユニット構成の一例を示す図である。エピタキシャル成長装置システム300内では、カセットが、カセットステージ(C/S)310或いはカセットステージ(C/S)312に配置される。
100 エピタキシャル成長装置
101 シリコンウェハ
110 ホルダ
112 円盤部材
120 チャンバ
122,124 流路
130 シャワーヘッド
140 真空ポンプ
142 圧力制御弁
150 アウトヒータ
160 インヒータ
170 回転部材
300 エピタキシャル成長装置システム
310,312 C/S
332,350 搬送ロボット
320 L/Lチャンバ
330 トランスファーチャンバ
Claims (5)
- シリコン基板が載置される円盤部材と、
前記円盤部材表面に前記シリコン基板を密着させた状態で、前記シリコン基板が載置される前記円盤部材を搬入し、前記シリコン基板上にシリコン(Si)含有膜を成膜するチャンバと、
前記チャンバ内で、前記シリコン基板が載置される前記円盤部材の裏面外周部を支持するホルダと、
前記ホルダを回転させる回転部材と、
を備えたことを特徴とする気相成長装置。 - 前記円盤部材の裏面側から前記円盤部材を介して前記シリコン基板が加熱されるように、熱源をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。
- 前記円盤部材は、直径が前記シリコン基板以上であることを特徴とする請求項1又は2記載の気相成長装置。
- 前記円盤部材は、厚さが前記シリコン基板より薄いことを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の気相成長装置。
- 大気圧下でシリコン基板を円盤部材表面に載置し、前記円盤部材表面に前記シリコン基板が載置された状態で、大気圧から真空雰囲気に晒す工程と、
真空雰囲気下で、前記シリコン基板が載置された前記円盤部材をチャンバ内に搬入し、ホルダ上に支持する工程と、
前記シリコン基板を回転させながら、前記シリコン基板にシリコン(Si)含有膜を成膜する工程と、
を備えたことを特徴とする気相成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008241561A JP5264384B2 (ja) | 2008-09-19 | 2008-09-19 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008241561A JP5264384B2 (ja) | 2008-09-19 | 2008-09-19 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010074000A true JP2010074000A (ja) | 2010-04-02 |
JP5264384B2 JP5264384B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=42205498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008241561A Expired - Fee Related JP5264384B2 (ja) | 2008-09-19 | 2008-09-19 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5264384B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012119422A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Toyota Central R&D Labs Inc | シリコン膜の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01152275A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-14 | Toshiba Mach Co Ltd | 常圧cvd装置 |
JPH01283815A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ気相成長方法及びその装置 |
JPH02189920A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Nec Corp | 酸化膜の形成方法及び酸化装置 |
JP2008034780A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-02-14 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | エピタキシャルSiC膜付き半導体SiC基板の製造方法およびそのエピタキシャルSiC成膜装置 |
-
2008
- 2008-09-19 JP JP2008241561A patent/JP5264384B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01152275A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-14 | Toshiba Mach Co Ltd | 常圧cvd装置 |
JPH01283815A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ気相成長方法及びその装置 |
JPH02189920A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Nec Corp | 酸化膜の形成方法及び酸化装置 |
JP2008034780A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-02-14 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | エピタキシャルSiC膜付き半導体SiC基板の製造方法およびそのエピタキシャルSiC成膜装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012119422A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Toyota Central R&D Labs Inc | シリコン膜の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5264384B2 (ja) | 2013-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5133298B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2007251078A (ja) | 気相成長装置 | |
JP2011109035A (ja) | サセプタ、成膜装置および成膜方法 | |
US11482416B2 (en) | Vapor phase growth method | |
JP2009283904A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
US20130104800A1 (en) | Film-forming method and film-forming apparatus | |
JP5479260B2 (ja) | サセプタの処理方法および半導体製造装置の処理方法 | |
CN112201568A (zh) | 一种用于硅片的外延生长的方法和设备 | |
JP2007210875A (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP4451455B2 (ja) | 気相成長装置及び支持台 | |
JP5032828B2 (ja) | 気相成長装置 | |
JP4377396B2 (ja) | 気相成長装置 | |
JP7190894B2 (ja) | SiC化学気相成長装置 | |
JP2007224375A (ja) | 気相成長装置 | |
JP5306432B2 (ja) | 気相成長方法 | |
JP5264384B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2008211109A (ja) | 気相成長装置および気相成長方法 | |
JP5107685B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2011151118A (ja) | 半導体製造装置および半導体製造方法 | |
JP5252896B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2013016562A (ja) | 気相成長方法 | |
JP2009135157A (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
KR102492343B1 (ko) | 성막 장치 및 성막 방법 | |
WO2020158657A1 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP2004281642A (ja) | エピタキシャル成長装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110511 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130108 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130307 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130423 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130430 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5264384 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |