JPH06333833A - 半導体製造装置及び半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造装置及び半導体製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板支持体の下面への不要物の侵入を抑制す
る。 【構成】 真空ポケット１３を減圧することにより、半
導体基板８がステージ１０の下面に吸引保持された状態
で、半導体基板８の被処理主面１４に化学気相成長によ
る処理が行われる。このとき、不活性ガス供給装置２４
から供給される不活性ガスが、管流路４３、不活性ガス
導入孔５２を経て、基板保持面１１の外側部分である最
外円周端面３１と半導体基板８の被保持主面１２との間
隙である不活性ガス噴出すき間３２に導入される。この
不活性ガスは不活性ガス噴出すき間３２から更に、反応
室６へ噴出する。不要物である反応副生成物３４は、こ
の噴出する不活性ガスの流れに阻まれて、基板保持面１
１の内側には侵入しにくい。 【効果】 反応副生成物の堆積による半導体基板の吸引
保持力の低下が抑えられるので、製造装置の稼働率およ
び製品の歩留まりが向上する。
る。 【構成】 真空ポケット１３を減圧することにより、半
導体基板８がステージ１０の下面に吸引保持された状態
で、半導体基板８の被処理主面１４に化学気相成長によ
る処理が行われる。このとき、不活性ガス供給装置２４
から供給される不活性ガスが、管流路４３、不活性ガス
導入孔５２を経て、基板保持面１１の外側部分である最
外円周端面３１と半導体基板８の被保持主面１２との間
隙である不活性ガス噴出すき間３２に導入される。この
不活性ガスは不活性ガス噴出すき間３２から更に、反応
室６へ噴出する。不要物である反応副生成物３４は、こ
の噴出する不活性ガスの流れに阻まれて、基板保持面１
１の内側には侵入しにくい。 【効果】 反応副生成物の堆積による半導体基板の吸引
保持力の低下が抑えられるので、製造装置の稼働率およ
び製品の歩留まりが向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば化学気相成長
（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition ）により、半導
体基板の表面に所定の組成を有した層を形成させるな
ど、半導体基板に所定の処理を施す半導体製造技術に関
する。
（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition ）により、半導
体基板の表面に所定の組成を有した層を形成させるな
ど、半導体基板に所定の処理を施す半導体製造技術に関
する。
【０００２】
【従来の技術】＜従来の半導体製造装置の構成＞図１６
は、従来の半導体製造装置の１例としてのフェイスダウ
ン方式の常圧ＣＶＤ装置の正面断面図である。反応容器
１は反応容器本体２と円盤形状の回転台３とを有し、こ
の回転台３はその主面が水平になるように回転軸受４を
介して反応容器本体２に回転自在に支持されている。回
転台３はその中心で円筒形状の真空配管５の一端と固定
され、他端は基板支持体７と固定されているので、基板
支持体７は真空配管５を介して回転台３によって反応容
器１内の反応室６に吊下げられている。この回転台３は
図示しない駆動装置により回転され、その回転に連れて
基板支持体７も回転させられる。この基板支持体７はス
テージ１０及びこのステージ１０と接触面を介して互い
に固定されたヒータ９とを備えている。ステージ１０の
下面には、半導体基板８を真空吸引するための真空ポケ
ット１３が設けられ、ステージ１０の下面が半導体基板
保持面１１となる。この真空ポケット１３は真空ポンプ
１５の吸入口と接続された真空配管５を介して真空引き
され、半導体基板８が被処理主面を下に向けて基板保持
面１１に吸引保持される。この被処理主面と向き合って
反応ガス導入板１６が設置され、この反応ガス導入板１
６には反応ガス導入孔が設けられている。反応ガス導入
板１６を挟んで反応室６の反対側に、反応ガス混合室１
９が設けられている。この反応ガス混合室１９には、反
応ガス供給装置２１と供給配管で接続された反応ガス供
給孔２０が設けられている。反応容器本体２には、反応
室６から外部への排気通路１８、そして反応容器本体２
の上部、すなわち基板支持体７のステージ１０より上方
に窒素ガスなどの不活性ガス供給孔２２が設けられ、こ
の不活性ガス供給孔２２は供給配管を介して不活性ガス
供給装置２３に接続されている。
は、従来の半導体製造装置の１例としてのフェイスダウ
ン方式の常圧ＣＶＤ装置の正面断面図である。反応容器
１は反応容器本体２と円盤形状の回転台３とを有し、こ
の回転台３はその主面が水平になるように回転軸受４を
介して反応容器本体２に回転自在に支持されている。回
転台３はその中心で円筒形状の真空配管５の一端と固定
され、他端は基板支持体７と固定されているので、基板
支持体７は真空配管５を介して回転台３によって反応容
器１内の反応室６に吊下げられている。この回転台３は
図示しない駆動装置により回転され、その回転に連れて
基板支持体７も回転させられる。この基板支持体７はス
テージ１０及びこのステージ１０と接触面を介して互い
に固定されたヒータ９とを備えている。ステージ１０の
下面には、半導体基板８を真空吸引するための真空ポケ
ット１３が設けられ、ステージ１０の下面が半導体基板
保持面１１となる。この真空ポケット１３は真空ポンプ
１５の吸入口と接続された真空配管５を介して真空引き
され、半導体基板８が被処理主面を下に向けて基板保持
面１１に吸引保持される。この被処理主面と向き合って
反応ガス導入板１６が設置され、この反応ガス導入板１
６には反応ガス導入孔が設けられている。反応ガス導入
板１６を挟んで反応室６の反対側に、反応ガス混合室１
９が設けられている。この反応ガス混合室１９には、反
応ガス供給装置２１と供給配管で接続された反応ガス供
給孔２０が設けられている。反応容器本体２には、反応
室６から外部への排気通路１８、そして反応容器本体２
の上部、すなわち基板支持体７のステージ１０より上方
に窒素ガスなどの不活性ガス供給孔２２が設けられ、こ
の不活性ガス供給孔２２は供給配管を介して不活性ガス
供給装置２３に接続されている。
【０００３】＜従来の半導体製造装置の動作＞つぎに、
この従来の装置の動作について説明する。まず、処理す
べき半導体基板８が装置の外部から、図示しない搬送通
路を経由して反応室６へ挿入される。つぎに、真空ポン
プ１５が作動することにより、半導体基板８が基板保持
面１１に吸引保持される。この状態において、反応ガス
供給装置２１から反応ガス供給孔２０を経由して反応ガ
ス混合室１９の中に、反応ガスが供給される。反応ガス
混合室１９の中で混合された反応ガス３１は、反応ガス
導入孔を通過して反応室６へ導入される。ヒータ９で発
生した熱がステージ１０により均熱化され、半導体基板
８の全体に一様に伝達される。この熱により、反応ガス
３１が熱化学反応を引き起こし、所定の組成を有する生
成膜が半導体基板８の被処理主面上に形成される。反応
残ガスなどを含む排ガスは、排気通路１８を通して連続
的に反応室６の外部へ排気される。
この従来の装置の動作について説明する。まず、処理す
べき半導体基板８が装置の外部から、図示しない搬送通
路を経由して反応室６へ挿入される。つぎに、真空ポン
プ１５が作動することにより、半導体基板８が基板保持
面１１に吸引保持される。この状態において、反応ガス
供給装置２１から反応ガス供給孔２０を経由して反応ガ
ス混合室１９の中に、反応ガスが供給される。反応ガス
混合室１９の中で混合された反応ガス３１は、反応ガス
導入孔を通過して反応室６へ導入される。ヒータ９で発
生した熱がステージ１０により均熱化され、半導体基板
８の全体に一様に伝達される。この熱により、反応ガス
３１が熱化学反応を引き起こし、所定の組成を有する生
成膜が半導体基板８の被処理主面上に形成される。反応
残ガスなどを含む排ガスは、排気通路１８を通して連続
的に反応室６の外部へ排気される。
【０００４】生成膜が形成される間、回転台３は所定の
回転速度をもって回転する。これによって、生成膜が半
導体基板８の被処理主面上に均一に成長する。また、生
成膜が形成される間、例えば窒素ガスなどの不活性ガス
が、不活性ガス供給装置２３から不活性ガス供給孔２２
を経由して、反応室６の中に供給される。この不活性ガ
スは、ヒータ９の周囲から半導体基板８の周囲を通過し
て排気通路１８へと向かう。この不活性ガスの流れは、
反応副生成物が反応容器１および基板支持体７などの壁
面に付着することを抑制する。
回転速度をもって回転する。これによって、生成膜が半
導体基板８の被処理主面上に均一に成長する。また、生
成膜が形成される間、例えば窒素ガスなどの不活性ガス
が、不活性ガス供給装置２３から不活性ガス供給孔２２
を経由して、反応室６の中に供給される。この不活性ガ
スは、ヒータ９の周囲から半導体基板８の周囲を通過し
て排気通路１８へと向かう。この不活性ガスの流れは、
反応副生成物が反応容器１および基板支持体７などの壁
面に付着することを抑制する。
【０００５】被処理主面上に所定の厚さの生成膜が形成
されると、真空ポンプ１５の作動を停止させ、半導体基
板８をステージ１０から離す。そして半導体基板８が前
述の搬送通路を経由して反応室６の外部へ搬出される。
以上の動作を反復することにより、多数の半導体基板に
対して同様の処理が施される。
されると、真空ポンプ１５の作動を停止させ、半導体基
板８をステージ１０から離す。そして半導体基板８が前
述の搬送通路を経由して反応室６の外部へ搬出される。
以上の動作を反復することにより、多数の半導体基板に
対して同様の処理が施される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】＜従来の装置の問題点
＞従来の装置は、上述のように不活性ガスの働きによ
り、成膜にあづからない反応副生成物を排気通路１８へ
送るとしても完全には除去されず、ステージ１０の外周
付近にはなお反応副生成物が浮遊し、真空ポケット１３
が反応室６よりも低い圧力に保たれていることとあいま
って基板保持面１１と半導体基板８との間へ侵入する。
図１７は、この侵入の様子を模式的に表現する、ステー
ジ１０の外周近傍の拡大断面図である。真空吸引によっ
て、真空ポケット１３は反応室６よりも低い圧力に保た
れている。この差圧のために、ステージ１０の外周に浮
遊する反応副生成物は、基板保持面１１と半導体基板８
との間に侵入し易い。また不活性ガスの働きによりステ
ージ１０の外周への反応副生成物の附着が低減されると
は言え、多数の半導体基板８への処理が継続して行なわ
れるに伴って推積した反応副生成物も、基板保持面１１
と半導体基板８との間へ侵入する。更に加えて図１７に
誇張して描かれるように、半導体基板８が加熱されるこ
とによって、半導体基板８に熱歪が生じることが少なく
ない。この熱歪は、基板保持面１１と半導体基板８の裏
側主面１２との間に隙間を作り出す。したがって熱歪が
生じると、更に多量の反応副生成物が侵入する。
＞従来の装置は、上述のように不活性ガスの働きによ
り、成膜にあづからない反応副生成物を排気通路１８へ
送るとしても完全には除去されず、ステージ１０の外周
付近にはなお反応副生成物が浮遊し、真空ポケット１３
が反応室６よりも低い圧力に保たれていることとあいま
って基板保持面１１と半導体基板８との間へ侵入する。
図１７は、この侵入の様子を模式的に表現する、ステー
ジ１０の外周近傍の拡大断面図である。真空吸引によっ
て、真空ポケット１３は反応室６よりも低い圧力に保た
れている。この差圧のために、ステージ１０の外周に浮
遊する反応副生成物は、基板保持面１１と半導体基板８
との間に侵入し易い。また不活性ガスの働きによりステ
ージ１０の外周への反応副生成物の附着が低減されると
は言え、多数の半導体基板８への処理が継続して行なわ
れるに伴って推積した反応副生成物も、基板保持面１１
と半導体基板８との間へ侵入する。更に加えて図１７に
誇張して描かれるように、半導体基板８が加熱されるこ
とによって、半導体基板８に熱歪が生じることが少なく
ない。この熱歪は、基板保持面１１と半導体基板８の裏
側主面１２との間に隙間を作り出す。したがって熱歪が
生じると、更に多量の反応副生成物が侵入する。
【０００７】新たな半導体基板８の処理が反復されるの
に伴って、侵入した反応副生成物は基板保持面１１に徐
々に蓄積する。その結果、基板保持面１１と半導体基板
８との間の密着性が劣化し、半導体基板８に対する保持
力が低下する。また侵入した反応副生成物は、基板保持
面１１を超えて真空配管５の内壁にも蓄積する。その結
果、真空配管５の内部において目詰まりが生じ、半導体
基板８の保持力が更に低下する。
に伴って、侵入した反応副生成物は基板保持面１１に徐
々に蓄積する。その結果、基板保持面１１と半導体基板
８との間の密着性が劣化し、半導体基板８に対する保持
力が低下する。また侵入した反応副生成物は、基板保持
面１１を超えて真空配管５の内壁にも蓄積する。その結
果、真空配管５の内部において目詰まりが生じ、半導体
基板８の保持力が更に低下する。
【０００８】このため従来の装置では、一定限度を超え
て保持力が低下することを防ぐために、一定の頻度で装
置を停止させて、装置の清掃作業を行う必要があり、装
置の稼働効率が悪いという問題点があった。また、保持
された半導体基板８が、保持力の低下のために、処理の
過程で基板保持面１１を離れて落下して破損し、製品の
歩留まりの低下をもたらすという問題もあった。
て保持力が低下することを防ぐために、一定の頻度で装
置を停止させて、装置の清掃作業を行う必要があり、装
置の稼働効率が悪いという問題点があった。また、保持
された半導体基板８が、保持力の低下のために、処理の
過程で基板保持面１１を離れて落下して破損し、製品の
歩留まりの低下をもたらすという問題もあった。
【０００９】＜この発明の目的＞この発明は上記のよう
な問題点を解消するためになされたもので、反応副生成
物のような不要物が、基板保持面および真空配管へ侵入
することを防止して、半導体基板への吸着力の低下を防
ぐことにより、装置の稼働効率を高めるとともに、製品
の歩留まりを向上させることができる半導体製造技術を
提供することを目的とする。
な問題点を解消するためになされたもので、反応副生成
物のような不要物が、基板保持面および真空配管へ侵入
することを防止して、半導体基板への吸着力の低下を防
ぐことにより、装置の稼働効率を高めるとともに、製品
の歩留まりを向上させることができる半導体製造技術を
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
記載の半導体製造装置は、所定の反応ガスが供給される
供給孔と反応に使用されたガスが排気される排気孔とを
有する反応室と、この反応室に配設され、半導体基板を
保持する基板保持面とこの基板保持面に囲まれ外部の減
圧手段に連通されたポケットとを有する基板保持手段
と、この基板保持手段の前記ポケットの周囲領域に配設
された不活性ガス流出孔と、を備える。
記載の半導体製造装置は、所定の反応ガスが供給される
供給孔と反応に使用されたガスが排気される排気孔とを
有する反応室と、この反応室に配設され、半導体基板を
保持する基板保持面とこの基板保持面に囲まれ外部の減
圧手段に連通されたポケットとを有する基板保持手段
と、この基板保持手段の前記ポケットの周囲領域に配設
された不活性ガス流出孔と、を備える。
【００１１】この発明に係る請求項２記載の半導体製造
装置は、請求項１記載の半導体製造装置において、前記
基板保持手段の前記ポケットの周囲領域に、このポケッ
トを囲む前記基板保持面を残してこの基板保持面より後
退してなる段差面が配設されると共に、この段差面に前
記不活性ガス流出孔が配設されている。
装置は、請求項１記載の半導体製造装置において、前記
基板保持手段の前記ポケットの周囲領域に、このポケッ
トを囲む前記基板保持面を残してこの基板保持面より後
退してなる段差面が配設されると共に、この段差面に前
記不活性ガス流出孔が配設されている。
【００１２】この発明に係る請求項３記載の半導体製造
装置は、請求項２記載の半導体製造装置において、前記
段差面に前記ポケットを囲む溝が配設され、この溝に前
記不活性ガス流出孔が配設されている。
装置は、請求項２記載の半導体製造装置において、前記
段差面に前記ポケットを囲む溝が配設され、この溝に前
記不活性ガス流出孔が配設されている。
【００１３】この発明に係る請求項４記載の半導体製造
装置は、請求項１記載の半導体製造装置において、前記
基板保持手段に結合して前記基板保持手段を加熱する加
熱手段、をさらに備え、前記不活性ガス流出孔に連通す
る不活性ガス流出経路が、前記基板保持手段の中に配設
されている。
装置は、請求項１記載の半導体製造装置において、前記
基板保持手段に結合して前記基板保持手段を加熱する加
熱手段、をさらに備え、前記不活性ガス流出孔に連通す
る不活性ガス流出経路が、前記基板保持手段の中に配設
されている。
【００１４】この発明に係る請求項５記載の半導体製造
装置は、請求項４記載の半導体製造装置において、前記
基板保持手段と前記加熱手段とは、それぞれの接触面に
おいて互いに接触しており、前記不活性ガス流出経路
が、これらの接触面間にも更に配設されている。
装置は、請求項４記載の半導体製造装置において、前記
基板保持手段と前記加熱手段とは、それぞれの接触面に
おいて互いに接触しており、前記不活性ガス流出経路
が、これらの接触面間にも更に配設されている。
【００１５】この発明に係る請求項６記載の半導体製造
装置は、請求項５記載の半導体製造装置において、前記
接触面間に配設された前記不活性ガス流出経路が、前記
それぞれの接触面のうちの少なくとも一方の所定の領域
に形成された凹部とされている。
装置は、請求項５記載の半導体製造装置において、前記
接触面間に配設された前記不活性ガス流出経路が、前記
それぞれの接触面のうちの少なくとも一方の所定の領域
に形成された凹部とされている。
【００１６】この発明に係る請求項７記載の半導体製造
装置は、請求項５記載の半導体製造装置において、前記
接触面間に配設された前記不活性ガス流出経路が、前記
それぞれの接触面のうちの少なくとも一方に形成された
溝とされている。
装置は、請求項５記載の半導体製造装置において、前記
接触面間に配設された前記不活性ガス流出経路が、前記
それぞれの接触面のうちの少なくとも一方に形成された
溝とされている。
【００１７】この発明に係る請求項８記載の半導体製造
装置は、請求項５記載の半導体製造装置において、前記
接触面間に配設された前記不活性ガス流出経路の周囲領
域に設けられ、当該不活性ガス流出経路の気密を保持す
る遮蔽手段、を更に備える。
装置は、請求項５記載の半導体製造装置において、前記
接触面間に配設された前記不活性ガス流出経路の周囲領
域に設けられ、当該不活性ガス流出経路の気密を保持す
る遮蔽手段、を更に備える。
【００１８】この発明に係る請求項９記載の半導体製造
装置は、請求項１に記載の半導体製造装置において、前
記基板保持面の外周が前記半導体基板の外周よりも内側
に後退して位置する。
装置は、請求項１に記載の半導体製造装置において、前
記基板保持面の外周が前記半導体基板の外周よりも内側
に後退して位置する。
【００１９】この発明に係る請求項１０記載の半導体製
造方法は、所定の反応ガスが供給される反応室内で半導
体基板に所定の処理を施す半導体製造方法であって、
（ａ）前記半導体基板の被保持主面を、基板保持手段の
基板保持面に囲まれて配設されるとともに外部の減圧手
段に連通されたポケットの真空吸着によって前記基板保
持面に保持する工程と、（ｂ）前記ポケットの周囲領域
に配設された不活性ガス流出孔から不活性ガスを流出さ
せる工程と、を備える。
造方法は、所定の反応ガスが供給される反応室内で半導
体基板に所定の処理を施す半導体製造方法であって、
（ａ）前記半導体基板の被保持主面を、基板保持手段の
基板保持面に囲まれて配設されるとともに外部の減圧手
段に連通されたポケットの真空吸着によって前記基板保
持面に保持する工程と、（ｂ）前記ポケットの周囲領域
に配設された不活性ガス流出孔から不活性ガスを流出さ
せる工程と、を備える。
【００２０】この発明に係る請求項１１記載の半導体製
造方法は、請求項１０記載の半導体装置の製造方法にお
いて、（ｃ）前記工程（ｂ）に先だって、前記不活性ガ
スを加熱する工程、を更に備える。
造方法は、請求項１０記載の半導体装置の製造方法にお
いて、（ｃ）前記工程（ｂ）に先だって、前記不活性ガ
スを加熱する工程、を更に備える。
【００２１】この発明に係る請求項１２記載の半導体製
造方法は、請求項１１記載の半導体装置の製造方法にお
いて、前記工程（ｃ）が、（ｃ−１）前記不活性ガスを
前記基板保持手段の中を通過させる工程と、（ｃ−２）
前記基板保持手段を加熱し、それによって前記不活性ガ
スを加熱する工程と、を備えている。
造方法は、請求項１１記載の半導体装置の製造方法にお
いて、前記工程（ｃ）が、（ｃ−１）前記不活性ガスを
前記基板保持手段の中を通過させる工程と、（ｃ−２）
前記基板保持手段を加熱し、それによって前記不活性ガ
スを加熱する工程と、を備えている。
【００２２】
【作用】＜請求項１の製造装置の作用＞減圧手段によっ
てポケット内が減圧され、半導体基板の被保持主面が基
板保持面に吸引されることにより、半導体基板が基板保
持手段へ保持される。半導体の被処理主面には、反応ガ
スによって所定の処理が施される。このとき、ポケット
の周囲領域に配設された不活性ガス流出孔から不活性ガ
スが流出する。このため、被保持主面と基板保持面との
間への不要物の侵入が不活性ガスの流れによって効果的
に阻止される。その結果、ポケットへの不要物の侵入も
防止される。
てポケット内が減圧され、半導体基板の被保持主面が基
板保持面に吸引されることにより、半導体基板が基板保
持手段へ保持される。半導体の被処理主面には、反応ガ
スによって所定の処理が施される。このとき、ポケット
の周囲領域に配設された不活性ガス流出孔から不活性ガ
スが流出する。このため、被保持主面と基板保持面との
間への不要物の侵入が不活性ガスの流れによって効果的
に阻止される。その結果、ポケットへの不要物の侵入も
防止される。
【００２３】＜請求項２の製造装置の作用＞基板保持手
段における基板保持面より後退した段差面と、半導体基
板の被保持主面との間に間隙が生じる。この間隙部分に
不活性ガスが流出するので、ポケットの周囲が偏りなく
均一に不活性ガスの流れで満たされる。
段における基板保持面より後退した段差面と、半導体基
板の被保持主面との間に間隙が生じる。この間隙部分に
不活性ガスが流出するので、ポケットの周囲が偏りなく
均一に不活性ガスの流れで満たされる。
【００２４】＜請求項３の製造装置の作用＞段差面にポ
ケットを囲むように配設された溝に不活性ガスが流出す
る。このため、ポケットの周囲が更に偏りなく均一に不
活性ガスの流れで満たされる。
ケットを囲むように配設された溝に不活性ガスが流出す
る。このため、ポケットの周囲が更に偏りなく均一に不
活性ガスの流れで満たされる。
【００２５】＜請求項４の製造装置の作用＞基板保持手
段が加熱されることによって、その中に配設された不活
性ガス流出経路を通過する不活性ガスが加熱される。こ
のため、不活性ガスの温度と半導体基板の温度との差が
低く抑えられ、半導体基板における均熱性を高くするこ
とができる。
段が加熱されることによって、その中に配設された不活
性ガス流出経路を通過する不活性ガスが加熱される。こ
のため、不活性ガスの温度と半導体基板の温度との差が
低く抑えられ、半導体基板における均熱性を高くするこ
とができる。
【００２６】＜請求項５の製造装置の作用＞不活性ガス
流出経路は、加熱手段と基板保持手段との接触面間にも
配設されている。したがって、不活性ガスは加熱手段と
基板保持手段との間の熱伝導路を通過することになるの
で、不活性ガスの加熱をさらに確実に行うことができ
る。
流出経路は、加熱手段と基板保持手段との接触面間にも
配設されている。したがって、不活性ガスは加熱手段と
基板保持手段との間の熱伝導路を通過することになるの
で、不活性ガスの加熱をさらに確実に行うことができ
る。
【００２７】＜請求項６の製造装置の作用＞接触面間の
不活性ガス流出経路が、基板保持手段と加熱手段とのそ
れぞれの接触面のうちの少なくとも一方の一定領域に形
成された凹部によって規定されるので、加工が容易であ
り、不活性ガスの経路を簡単に設けることができる。
不活性ガス流出経路が、基板保持手段と加熱手段とのそ
れぞれの接触面のうちの少なくとも一方の一定領域に形
成された凹部によって規定されるので、加工が容易であ
り、不活性ガスの経路を簡単に設けることができる。
【００２８】＜請求項７の製造装置の作用＞接触面間の
不活性ガス流出経路が、それぞれの接触面のうちの少な
くとも一方に形成された溝によって規定されるので、加
工が容易であり、不活性ガスの経路を簡単に設けること
ができる。
不活性ガス流出経路が、それぞれの接触面のうちの少な
くとも一方に形成された溝によって規定されるので、加
工が容易であり、不活性ガスの経路を簡単に設けること
ができる。
【００２９】＜請求項８の製造装置の作用＞接触面間の
不活性ガス流出経路の周囲に遮蔽手段が設けられるの
で、不活性ガス流出経路を通過する不活性ガスの反応室
内への漏出が防止される。
不活性ガス流出経路の周囲に遮蔽手段が設けられるの
で、不活性ガス流出経路を通過する不活性ガスの反応室
内への漏出が防止される。
【００３０】＜請求項９の製造装置の作用＞基板保持面
の外周が半導体基板の外周よりも内側に後退して位置す
るので、基板保持面の全体が半導体基板に覆われて露出
しない。このため、反応副生成物等の不要物による基板
保持面の汚染が、一層効果的に防止される。
の外周が半導体基板の外周よりも内側に後退して位置す
るので、基板保持面の全体が半導体基板に覆われて露出
しない。このため、反応副生成物等の不要物による基板
保持面の汚染が、一層効果的に防止される。
【００３１】＜請求項１０の製造方法の作用＞減圧手段
によってポケット内が減圧され、半導体基板の被保持主
面が基板保持面に吸引されることにより、半導体基板が
基板保持手段へ保持される。半導体の被処理主面には、
反応ガスによって所定の処理が施される。このとき、ポ
ケットの周囲領域に配設された不活性ガス流出孔から不
活性ガスが流出する。このため、被保持主面と基板保持
面との間への不要物の侵入が不活性ガスの流れによって
効果的に阻止される。その結果、ポケットへの不要物の
侵入も防止される。
によってポケット内が減圧され、半導体基板の被保持主
面が基板保持面に吸引されることにより、半導体基板が
基板保持手段へ保持される。半導体の被処理主面には、
反応ガスによって所定の処理が施される。このとき、ポ
ケットの周囲領域に配設された不活性ガス流出孔から不
活性ガスが流出する。このため、被保持主面と基板保持
面との間への不要物の侵入が不活性ガスの流れによって
効果的に阻止される。その結果、ポケットへの不要物の
侵入も防止される。
【００３２】＜請求項１１の製造方法の作用＞不活性ガ
ス流出孔から流出する前に不活性ガスが加熱される。こ
のため、不活性ガスの温度と半導体基板の温度との差が
低く抑えられ、半導体基板における均熱性を高くするこ
とができる。
ス流出孔から流出する前に不活性ガスが加熱される。こ
のため、不活性ガスの温度と半導体基板の温度との差が
低く抑えられ、半導体基板における均熱性を高くするこ
とができる。
【００３３】＜請求項１２の製造方法の作用＞基板保持
手段が加熱されることによって、その中に配設された不
活性ガス流出経路を通過する不活性ガスが加熱される。
すなわち、基板処理手段の加熱と不活性ガスの加熱とを
別個に行うことなく、不活性ガスを加熱することができ
る。
手段が加熱されることによって、その中に配設された不
活性ガス流出経路を通過する不活性ガスが加熱される。
すなわち、基板処理手段の加熱と不活性ガスの加熱とを
別個に行うことなく、不活性ガスを加熱することができ
る。
【００３４】
【実施例】＜１．第１実施例＞図１は、この発明の第１
の実施例である半導体製造装置の正面断面図であり、フ
ェイスダウン方式の常圧ＣＶＤ装置である。
の実施例である半導体製造装置の正面断面図であり、フ
ェイスダウン方式の常圧ＣＶＤ装置である。
【００３５】反応容器１は反応容器本体２と円盤形状の
回転台３とを有し、この回転台３はその主面が水平にな
るように回転軸受４を介して反応容器本体２に回転自在
に支持されている。回転台３はその中心に貫通孔を有
し、この貫通孔に円筒形状の二重管４０の外管４１の一
端が接続固定されている。この外管４１が接続固定され
ている一端と、同じ端部にある二重管４０の内管４２の
一端とは各々の端部と摺動部を有する継手４４を介し
て、内管４２の一端は真空配管を介して真空ポンプ１５
に、また外管４１と内管４２との間の管流路４３は配管
を介して不活性ガス供給装置２４に接続されている。
回転台３とを有し、この回転台３はその主面が水平にな
るように回転軸受４を介して反応容器本体２に回転自在
に支持されている。回転台３はその中心に貫通孔を有
し、この貫通孔に円筒形状の二重管４０の外管４１の一
端が接続固定されている。この外管４１が接続固定され
ている一端と、同じ端部にある二重管４０の内管４２の
一端とは各々の端部と摺動部を有する継手４４を介し
て、内管４２の一端は真空配管を介して真空ポンプ１５
に、また外管４１と内管４２との間の管流路４３は配管
を介して不活性ガス供給装置２４に接続されている。
【００３６】二重管４０の外管４１の他端は、基板支持
体７を構成する円盤形状のヒータ９の中心に配設された
貫通孔と接続固定されている。また二重管４０の内管４
２の他端は、円盤形状のステージ１０の中心に配設され
た貫通孔に接続固定されている。ヒータ９はその下面を
介してステージ１０とボルト締結され基板支持体７を構
成している。従って、基板支持体７は二重管４０を介し
て回転台３によって反応容器１内の反応室６に吊下げら
れている。この回転台３は図示しない駆動装置により回
転され、その回転に連れて基板支持体７も回転させられ
るとともに、二重管４０と継手４４を介して真空経路と
不活性ガス経路とが形成される。
体７を構成する円盤形状のヒータ９の中心に配設された
貫通孔と接続固定されている。また二重管４０の内管４
２の他端は、円盤形状のステージ１０の中心に配設され
た貫通孔に接続固定されている。ヒータ９はその下面を
介してステージ１０とボルト締結され基板支持体７を構
成している。従って、基板支持体７は二重管４０を介し
て回転台３によって反応容器１内の反応室６に吊下げら
れている。この回転台３は図示しない駆動装置により回
転され、その回転に連れて基板支持体７も回転させられ
るとともに、二重管４０と継手４４を介して真空経路と
不活性ガス経路とが形成される。
【００３７】このヒータ９の下面と接触するステージ１
０の上面には、管流路４３と連通する放射溝流路５０と
この放射溝流路５０に交叉する円形溝流路５１とが設け
られている。ステージ１０の下面には、半導体基板８を
真空吸引するための真空ポケット１３が設けられ、ステ
ージ１０の下面が基板保持面１１となる。この真空ポケ
ット１３は真空ポンプ１５の吸入口と接続された内管４
２を介して真空引きされ、半導体基板８が被処理主面１
４を下に向けて基板保持面１１に吸引保持される。
０の上面には、管流路４３と連通する放射溝流路５０と
この放射溝流路５０に交叉する円形溝流路５１とが設け
られている。ステージ１０の下面には、半導体基板８を
真空吸引するための真空ポケット１３が設けられ、ステ
ージ１０の下面が基板保持面１１となる。この真空ポケ
ット１３は真空ポンプ１５の吸入口と接続された内管４
２を介して真空引きされ、半導体基板８が被処理主面１
４を下に向けて基板保持面１１に吸引保持される。
【００３８】真空ポケット１３の外側に設けられた、ス
テージ１０の下面にある最外円周端面３１は、半導体基
板保持面１１より僅かに後退している。この最外円周端
面３１にはその円周に沿って設けられた、ステージ１０
をその軸方向に貫通する縦孔が設けられ、この縦孔はス
テージ１０の上面の円形溝流路５１と連通しており不活
性ガス導入孔５２となっている。そして半導体基板８が
基板保持面１１に吸引保持されると、半導体基板８の被
保持主面１２外周とステージ１０の下面の最外円周端面
３１とで構成される、微少間隔の円環状をした不活性ガ
ス噴出すき間３２が形成される。この不活性ガス噴出す
き間３２から、二重管４０及び不活性ガス導入孔５２を
経由して送られた不活性ガスが反応室６へ噴出される。
テージ１０の下面にある最外円周端面３１は、半導体基
板保持面１１より僅かに後退している。この最外円周端
面３１にはその円周に沿って設けられた、ステージ１０
をその軸方向に貫通する縦孔が設けられ、この縦孔はス
テージ１０の上面の円形溝流路５１と連通しており不活
性ガス導入孔５２となっている。そして半導体基板８が
基板保持面１１に吸引保持されると、半導体基板８の被
保持主面１２外周とステージ１０の下面の最外円周端面
３１とで構成される、微少間隔の円環状をした不活性ガ
ス噴出すき間３２が形成される。この不活性ガス噴出す
き間３２から、二重管４０及び不活性ガス導入孔５２を
経由して送られた不活性ガスが反応室６へ噴出される。
【００３９】ステージ１０に吸引保持された半導体基板
８の被処理主面１４と向き合って反応ガス導入板１６が
設置され、この反応ガス導入板１６には反応ガス導入孔
が設けられている。反応ガス導入板１６を挟んで反応室
６の反対側に、反応ガス混合室１９が設けられている。
この反応ガス混合室１９には、反応ガス供給装置２１と
供給配管で接続された反応ガス供給孔２０が設けられて
いる。反応容器本体２には、反応室６から外部への排気
通路１８、そして反応容器本体２の上部、すなわち基板
支持体７のステージ１０より上方に、窒素ガスなどの不
活性ガスを供給する不活性ガス供給孔２２が設けられ、
この不活性ガス供給孔２２は供給配管を介して不活性ガ
ス供給装置２３に接続されている。
８の被処理主面１４と向き合って反応ガス導入板１６が
設置され、この反応ガス導入板１６には反応ガス導入孔
が設けられている。反応ガス導入板１６を挟んで反応室
６の反対側に、反応ガス混合室１９が設けられている。
この反応ガス混合室１９には、反応ガス供給装置２１と
供給配管で接続された反応ガス供給孔２０が設けられて
いる。反応容器本体２には、反応室６から外部への排気
通路１８、そして反応容器本体２の上部、すなわち基板
支持体７のステージ１０より上方に、窒素ガスなどの不
活性ガスを供給する不活性ガス供給孔２２が設けられ、
この不活性ガス供給孔２２は供給配管を介して不活性ガ
ス供給装置２３に接続されている。
【００４０】図２はステージ１０の斜め下方から見た、
この装置の回転部分の外観斜視図である。ステージ１０
の下面には放射溝６１とこの放射溝６１に交叉する複数
の円形溝から構成された真空ポケット１３が設けられて
いる。この真空ポケット１３の領域を限っている最外円
形溝６２の外側は基板保持面１１の最外周円環部６３で
ある。この最外周円環部６３の外側は、既に述べたステ
ージ１０の下面の最外周円端面３１であり、基板保持面
１１の最外周円環部６３からこの最外円周端面３１への
後退距離は好ましくは５〜５０μｍ程度である。またス
テージ１０の下面の最外円周端面３１に設けられている
不活性ガス導入孔５２は、基板保持面１１の最外周円環
部６３に近接して設けるのが好ましい。
この装置の回転部分の外観斜視図である。ステージ１０
の下面には放射溝６１とこの放射溝６１に交叉する複数
の円形溝から構成された真空ポケット１３が設けられて
いる。この真空ポケット１３の領域を限っている最外円
形溝６２の外側は基板保持面１１の最外周円環部６３で
ある。この最外周円環部６３の外側は、既に述べたステ
ージ１０の下面の最外周円端面３１であり、基板保持面
１１の最外周円環部６３からこの最外円周端面３１への
後退距離は好ましくは５〜５０μｍ程度である。またス
テージ１０の下面の最外円周端面３１に設けられている
不活性ガス導入孔５２は、基板保持面１１の最外周円環
部６３に近接して設けるのが好ましい。
【００４１】図３は斜め上方から見たステージ１０の外
観斜視図である。円形溝流路５１は同心円状に複数本配
設してもよい。円形溝流路５１に間隔を設けて配置され
ている孔はステージ１０の下面の最外円周端面３１に、
その円周に沿って設けられた不活性ガス導入孔５２であ
る。ステージ１０の上面の放射溝流路５０や円形溝流路
５１の深さは、好ましくは０．５〜１．０ｍｍ程度であ
る。ステージ１０の上面に盲ねじ穴６４が、放射溝流路
５１や円形溝流路５１を避けて設けられており、ボルト
とこの盲ねじ穴６４により、ステージ１０とヒータ９と
が締結される。
観斜視図である。円形溝流路５１は同心円状に複数本配
設してもよい。円形溝流路５１に間隔を設けて配置され
ている孔はステージ１０の下面の最外円周端面３１に、
その円周に沿って設けられた不活性ガス導入孔５２であ
る。ステージ１０の上面の放射溝流路５０や円形溝流路
５１の深さは、好ましくは０．５〜１．０ｍｍ程度であ
る。ステージ１０の上面に盲ねじ穴６４が、放射溝流路
５１や円形溝流路５１を避けて設けられており、ボルト
とこの盲ねじ穴６４により、ステージ１０とヒータ９と
が締結される。
【００４２】図４はステージ１０との半導体基板８とで
構成される不活性ガス噴出すき間３２の拡大図である。
ステージ１０の外周側面は半導体基板８の外周側面より
幾分後退した位置になるように配設される。この後退量
ｄは、好ましくは０．５ｍｍ程度である。
構成される不活性ガス噴出すき間３２の拡大図である。
ステージ１０の外周側面は半導体基板８の外周側面より
幾分後退した位置になるように配設される。この後退量
ｄは、好ましくは０．５ｍｍ程度である。
【００４３】つぎに、図１に戻ってこの製造装置の動作
について説明する。半導体基板８は装置の外部から図示
しない搬送通路を経由して反応室６へ挿入される。真空
ポンプ１５が動作し、半導体基板８は基板保持面１１へ
吸引保持される。つぎに、不活性ガス供給装置２４が作
動し、不活性ガス噴出すき間３２から不活性ガスが反応
室６へ向かって噴出する。更に、不活性ガス供給装置２
３が動作し、不活性ガスが不活性ガス供給孔２２から反
応室６へ供給される。
について説明する。半導体基板８は装置の外部から図示
しない搬送通路を経由して反応室６へ挿入される。真空
ポンプ１５が動作し、半導体基板８は基板保持面１１へ
吸引保持される。つぎに、不活性ガス供給装置２４が作
動し、不活性ガス噴出すき間３２から不活性ガスが反応
室６へ向かって噴出する。更に、不活性ガス供給装置２
３が動作し、不活性ガスが不活性ガス供給孔２２から反
応室６へ供給される。
【００４４】この状態において、例えばシランガス（Ｓ
ｉＨ4 ）と酸素ガス（Ｏ2 ）などの反応ガスが、反応ガ
ス供給装置２１から反応ガス供給孔２０を経由して反応
ガス混合室１９の中に供給される。反応ガス混合室１９
の中では、これらの複数種類の反応ガスが混合される。
混合された反応ガスは、反応ガス導入板１６の反応ガス
導入孔を通過して反応室６へ噴出される。ヒータ９で発
生した熱が、ステージ１０により均熱化されることによ
り、半導体基板８の全体に一様に伝わる。この熱によ
り、反応ガスが、例えば酸化反応などの熱化学反応を引
き起こし、反応生成物である２酸化珪素（ＳｉＯ2 ）が
被処理主面１４上に堆積し、生成膜が形成される。
ｉＨ4 ）と酸素ガス（Ｏ2 ）などの反応ガスが、反応ガ
ス供給装置２１から反応ガス供給孔２０を経由して反応
ガス混合室１９の中に供給される。反応ガス混合室１９
の中では、これらの複数種類の反応ガスが混合される。
混合された反応ガスは、反応ガス導入板１６の反応ガス
導入孔を通過して反応室６へ噴出される。ヒータ９で発
生した熱が、ステージ１０により均熱化されることによ
り、半導体基板８の全体に一様に伝わる。この熱によ
り、反応ガスが、例えば酸化反応などの熱化学反応を引
き起こし、反応生成物である２酸化珪素（ＳｉＯ2 ）が
被処理主面１４上に堆積し、生成膜が形成される。
【００４５】生成膜が形成される間、回転台３は１〜２
ｒｐｍの回転速度をもって回転する。これによって、被
処理主面１４には均一に生成膜が成長する。不活性ガス
供給孔２２から反応室６へ供給される不活性ガスは、ヒ
ータ９の周囲から半導体基板８の周囲を通過して排気通
路１８へと向かう。そして反応残ガス及び成膜にあづか
らなかった反応副生成物などを含む排ガスは、連続的に
排気通路１８を通して反応室６の外に排気される。
ｒｐｍの回転速度をもって回転する。これによって、被
処理主面１４には均一に生成膜が成長する。不活性ガス
供給孔２２から反応室６へ供給される不活性ガスは、ヒ
ータ９の周囲から半導体基板８の周囲を通過して排気通
路１８へと向かう。そして反応残ガス及び成膜にあづか
らなかった反応副生成物などを含む排ガスは、連続的に
排気通路１８を通して反応室６の外に排気される。
【００４６】被処理主面１４上に所定の厚さの生成膜が
形成されると、真空ポンプ１５の作動を停止させ、半導
体基板８をステージ１０から離し、図示しない前述の搬
送通路を経由して反応室６の外部へ搬出される。以上の
動作を反復することにより、多数の半導体基板に対して
同様の処理が施される。しかしながら不活性ガス供給口
２２から反応室６へ供給される不活性ガスのみでは反応
副生成物は必ずしも十分排出されず、ステージ１０の外
周付近に浮遊して残存する。
形成されると、真空ポンプ１５の作動を停止させ、半導
体基板８をステージ１０から離し、図示しない前述の搬
送通路を経由して反応室６の外部へ搬出される。以上の
動作を反復することにより、多数の半導体基板に対して
同様の処理が施される。しかしながら不活性ガス供給口
２２から反応室６へ供給される不活性ガスのみでは反応
副生成物は必ずしも十分排出されず、ステージ１０の外
周付近に浮遊して残存する。
【００４７】図５は、基板支持体７の外周近傍における
拡大正面断面図である。半導体基板８の被処理主面１４
に所定の処理が行われる間、不活性ガス供給装置２４か
ら供給される不活性ガスが、放射溝流路５０、不活性ガ
ス導入孔５２を通過して、不活性ガス噴出すき間３２か
ら反応室６へ向かって噴出する。このために、ステージ
１０の外周に浮遊する反応副生成物３４は、噴出する不
活性ガスに阻まれて、ステージ１０の下面と半導体基板
８との間には侵入し得ない。さらに多数の半導体基板８
の成膜処理が継続して行なわれるに伴って、除々にでも
ステージ１０の外周に反応副生成物が附着したとして
も、ステージ１０の外周に蓄積した反応生成物はステー
ジ１０の下面と半導体基板８との間に侵入することはな
い。したがって、半導体基板が熱歪により変形し、真空
ポケット側が反応室よりも低圧であるとしても反応副生
成物３４が基板保持面１１へ蓄積されることがない。ま
た、反応副生成物３４が真空ポケット１３から内管４２
等の真空系統へ侵入することもない。これらの結果、多
数の半導体基板８の処理を行っても、半導体基板８に対
する保持力の低下が生じ難い。
拡大正面断面図である。半導体基板８の被処理主面１４
に所定の処理が行われる間、不活性ガス供給装置２４か
ら供給される不活性ガスが、放射溝流路５０、不活性ガ
ス導入孔５２を通過して、不活性ガス噴出すき間３２か
ら反応室６へ向かって噴出する。このために、ステージ
１０の外周に浮遊する反応副生成物３４は、噴出する不
活性ガスに阻まれて、ステージ１０の下面と半導体基板
８との間には侵入し得ない。さらに多数の半導体基板８
の成膜処理が継続して行なわれるに伴って、除々にでも
ステージ１０の外周に反応副生成物が附着したとして
も、ステージ１０の外周に蓄積した反応生成物はステー
ジ１０の下面と半導体基板８との間に侵入することはな
い。したがって、半導体基板が熱歪により変形し、真空
ポケット側が反応室よりも低圧であるとしても反応副生
成物３４が基板保持面１１へ蓄積されることがない。ま
た、反応副生成物３４が真空ポケット１３から内管４２
等の真空系統へ侵入することもない。これらの結果、多
数の半導体基板８の処理を行っても、半導体基板８に対
する保持力の低下が生じ難い。
【００４８】前述のようにステージ１０の外周側面が半
導体基板８の外周側面よりも幾分後退した位置にあるの
で、半導体基板８を処理する過程において、ステージ１
０の下面の中で半導体基板８に覆われない露出部分を確
実になくすことができる。露出部分がないために、不活
性ガス噴出すき間３２から噴出する不活性ガスの効果と
あいまって、ステージ１０の下面のどの部分も、反応副
生成物３４により汚染されることがない。
導体基板８の外周側面よりも幾分後退した位置にあるの
で、半導体基板８を処理する過程において、ステージ１
０の下面の中で半導体基板８に覆われない露出部分を確
実になくすことができる。露出部分がないために、不活
性ガス噴出すき間３２から噴出する不活性ガスの効果と
あいまって、ステージ１０の下面のどの部分も、反応副
生成物３４により汚染されることがない。
【００４９】また、この実施例の製造装置では、不活性
ガスの経路が基板支持体７の内部に形成されているの
で、不活性ガスが基板支持体７の内部を通過する間に加
熱され、基板支持体７と等温度になる。そのため、不活
性ガスが不活性ガス噴出すき間３２に噴出するときに、
不活性ガスの温度と半導体基板８の温度との間に顕著な
差異がない。このため、半導体基板８の全域にわたって
温度の偏差が少なく、均熱性が高いという利点がある。
ガスの経路が基板支持体７の内部に形成されているの
で、不活性ガスが基板支持体７の内部を通過する間に加
熱され、基板支持体７と等温度になる。そのため、不活
性ガスが不活性ガス噴出すき間３２に噴出するときに、
不活性ガスの温度と半導体基板８の温度との間に顕著な
差異がない。このため、半導体基板８の全域にわたって
温度の偏差が少なく、均熱性が高いという利点がある。
【００５０】また、この実施例の製造装置では、不活性
ガスを二重管４０を経由し基板支持体７の内部からステ
ージ１０の下面の最外周端面に導く経路が、ステージ１
０の上面に設けられた放射溝流路５０、および円形溝流
路５１によって実現される。このため、不活性ガスの経
路を基板支持体７の内部に容易に形成し得る利点があ
る。更に、放射状の放射溝流路５０が設けられ、その中
心部から不活性ガス導入孔５２が配列する周囲へと、径
方向に不活性ガスが搬送されるので、どの不活性ガス導
入孔５２へも均等に不活性ガスが供給される。このため
に、不活性ガス噴出すき間３２から噴出する不活性ガス
の量のステージ１０の外周に沿った均一性が高い。
ガスを二重管４０を経由し基板支持体７の内部からステ
ージ１０の下面の最外周端面に導く経路が、ステージ１
０の上面に設けられた放射溝流路５０、および円形溝流
路５１によって実現される。このため、不活性ガスの経
路を基板支持体７の内部に容易に形成し得る利点があ
る。更に、放射状の放射溝流路５０が設けられ、その中
心部から不活性ガス導入孔５２が配列する周囲へと、径
方向に不活性ガスが搬送されるので、どの不活性ガス導
入孔５２へも均等に不活性ガスが供給される。このため
に、不活性ガス噴出すき間３２から噴出する不活性ガス
の量のステージ１０の外周に沿った均一性が高い。
【００５１】更に、ステージ１０の下面の外周に沿って
段差が設けられ、最外円周端面３１は基板保持面１１よ
りも後退しているので、ステージ１０の下面と半導体基
板８の被保持主面１２との間に、全外周にわたって所定
の幅を有する間隙が確実に形成される。すなわち、不活
性ガスが噴出すべき噴出口が、全外周にわたって所定の
広さで必ず存在する。このため、噴出する不活性ガスの
量のステージ１０の外周方向に沿った均一性が一層良好
である。
段差が設けられ、最外円周端面３１は基板保持面１１よ
りも後退しているので、ステージ１０の下面と半導体基
板８の被保持主面１２との間に、全外周にわたって所定
の幅を有する間隙が確実に形成される。すなわち、不活
性ガスが噴出すべき噴出口が、全外周にわたって所定の
広さで必ず存在する。このため、噴出する不活性ガスの
量のステージ１０の外周方向に沿った均一性が一層良好
である。
【００５２】また、ステージ１０の上面には、その外周
に沿ってヒータ９の下面と当接する接触面１７が形成さ
れている。放射溝流路５０および円形溝流路５１を通過
する不活性ガスは、互いに当接する接触面１７とヒータ
９の下面とによって反応室６るへの漏出が阻止される。
に沿ってヒータ９の下面と当接する接触面１７が形成さ
れている。放射溝流路５０および円形溝流路５１を通過
する不活性ガスは、互いに当接する接触面１７とヒータ
９の下面とによって反応室６るへの漏出が阻止される。
【００５３】半導体基板８の輪郭を成す円周の一部に
は、通常オリエンテーション・フラットと呼ばれる切欠
きが設けられている。図２および図３に示すように、ス
テージ１０の外周面の一部に切断面が設けられているの
は、ステージ１０の下面の一部が半導体基板８のオリエ
ンテーション・フラットの部分で露出することを防ぐた
めである。
は、通常オリエンテーション・フラットと呼ばれる切欠
きが設けられている。図２および図３に示すように、ス
テージ１０の外周面の一部に切断面が設けられているの
は、ステージ１０の下面の一部が半導体基板８のオリエ
ンテーション・フラットの部分で露出することを防ぐた
めである。
【００５４】＜２．第２実施例＞図６は、第２の実施例
の製造装置の回転部分を斜め下方から見た外観斜視図で
ある。この実施例では、半導体基板８が当接すべき基板
保持面１１よりも後退した最外円周端面３１において、
全周に沿って円形溝６５が形成されている。円形溝６５
は、最外円周端面３１の外周から最も遠く、最外周円環
部６３に隣接する位置に設けられている。円形溝６５の
底面には、不活性ガス導入孔５２が開口している。
の製造装置の回転部分を斜め下方から見た外観斜視図で
ある。この実施例では、半導体基板８が当接すべき基板
保持面１１よりも後退した最外円周端面３１において、
全周に沿って円形溝６５が形成されている。円形溝６５
は、最外円周端面３１の外周から最も遠く、最外周円環
部６３に隣接する位置に設けられている。円形溝６５の
底面には、不活性ガス導入孔５２が開口している。
【００５５】図７は、基板支持体７の外周近傍における
断面図である。不活性ガスは不活性ガス導入孔５２を経
由してまず、円形溝６５に噴出する。不活性ガスはその
後、円形溝６５から不活性ガス噴出すき間３２に噴出す
る。更に、不活性ガス噴出すき間３２からあふれた不活
性ガスは、反応室６へと噴出する。すなわち、この実施
例の製造装置では、不活性ガス噴出すき間３２への不活
性ガスの噴出源が、全周に沿って連続して存在する。こ
のため、第１実施例の製造装置に比べて、不活性ガス噴
出すき間３２への不活性ガスの噴出量が、全周にわたっ
てより均一に保たれる。その結果、不活性ガス噴出すき
間３２から反応室６へ噴出する不活性ガスの量の周方向
に沿った均一性が一層高い。
断面図である。不活性ガスは不活性ガス導入孔５２を経
由してまず、円形溝６５に噴出する。不活性ガスはその
後、円形溝６５から不活性ガス噴出すき間３２に噴出す
る。更に、不活性ガス噴出すき間３２からあふれた不活
性ガスは、反応室６へと噴出する。すなわち、この実施
例の製造装置では、不活性ガス噴出すき間３２への不活
性ガスの噴出源が、全周に沿って連続して存在する。こ
のため、第１実施例の製造装置に比べて、不活性ガス噴
出すき間３２への不活性ガスの噴出量が、全周にわたっ
てより均一に保たれる。その結果、不活性ガス噴出すき
間３２から反応室６へ噴出する不活性ガスの量の周方向
に沿った均一性が一層高い。
【００５６】＜３．第３実施例＞図８は、第３の実施例
の製造装置において、ステージ１０を上方斜め方向から
見た外観斜視図である。ヒータ９の下面と当接する接触
面１７には、全周に沿って円形溝６６が形成されてい
る。
の製造装置において、ステージ１０を上方斜め方向から
見た外観斜視図である。ヒータ９の下面と当接する接触
面１７には、全周に沿って円形溝６６が形成されてい
る。
【００５７】図９は、基板支持体７の外周近傍の拡大正
面断面図である。円形溝６６には、リング状の金属性の
シール６７が埋設されている。このシール６７のため
に、前述の実施例の製造装置に比べて、放射溝流路５０
および円形溝流路５１を通過する不活性ガスが、接触面
１７に沿って反応室６へ漏出し難いという利点がある。
面断面図である。円形溝６６には、リング状の金属性の
シール６７が埋設されている。このシール６７のため
に、前述の実施例の製造装置に比べて、放射溝流路５０
および円形溝流路５１を通過する不活性ガスが、接触面
１７に沿って反応室６へ漏出し難いという利点がある。
【００５８】＜４．第４実施例＞図１０は、第４の実施
例の製造装置におけるステージ１０を上方斜め方向から
見た外観斜視図である。ステージ１０の上面は、外周に
沿った接触面１７を除いた中央領域に、接触面１７より
も後退した凹陥面６８を有している。
例の製造装置におけるステージ１０を上方斜め方向から
見た外観斜視図である。ステージ１０の上面は、外周に
沿った接触面１７を除いた中央領域に、接触面１７より
も後退した凹陥面６８を有している。
【００５９】図１１は、基板支持体７の外周近傍の拡大
断面図である。ヒータ９とステージ１０が結合した状態
において、凹陥面６８とヒータ９の下面との間に形成さ
れる間隙は、外管４１と内管４２の間に形成される管流
路４３に連通しており、不活性ガス供給装置２４から供
給される不活性ガスが輸送される経路となる。ヒータ９
とステージ１０とを締結するボルト６９を嵌挿する貫通
孔７０から、不活性ガスが反応室６へ漏出しないよう
に、各ボルト６８毎に円筒状の金属性のカラー７１が設
けられている。不活性ガスは更に、凹陥面６８の周囲に
開口する不活性ガス導入孔５２、および円形溝６５を経
由して、不活性ガス噴出すき間３２に噴出する。
断面図である。ヒータ９とステージ１０が結合した状態
において、凹陥面６８とヒータ９の下面との間に形成さ
れる間隙は、外管４１と内管４２の間に形成される管流
路４３に連通しており、不活性ガス供給装置２４から供
給される不活性ガスが輸送される経路となる。ヒータ９
とステージ１０とを締結するボルト６９を嵌挿する貫通
孔７０から、不活性ガスが反応室６へ漏出しないよう
に、各ボルト６８毎に円筒状の金属性のカラー７１が設
けられている。不活性ガスは更に、凹陥面６８の周囲に
開口する不活性ガス導入孔５２、および円形溝６５を経
由して、不活性ガス噴出すき間３２に噴出する。
【００６０】この実施例では、ヒータ９の下面とステー
ジ１０の上面との間における不活性ガスの経路が、先の
実施例のような溝ではなく、一定の領域を占める凹陥部
よって形成されている。このため、この不活性ガスの経
路が、より容易に形成し得る利点がある。
ジ１０の上面との間における不活性ガスの経路が、先の
実施例のような溝ではなく、一定の領域を占める凹陥部
よって形成されている。このため、この不活性ガスの経
路が、より容易に形成し得る利点がある。
【００６１】＜５．第５実施例＞図１２は、第５の実施
例の製造装置における基板支持体７の外周近傍の拡大断
面図である。この実施例では、ステージ１０の下面にお
ける真空ポケット１３の外側には段差がない。すなわ
ち、真空ポケット１３の外側に、基板保持面１１より後
退した最外円周端面３１が設けられていない。したがっ
て、この実施例の製造装置では、ステージ１０の構造
が、第１の実施例におけるよりも簡単であるという利点
がある。しかしながら、段差が存在することによっても
たらされる、不活性ガスの噴出量の外周に沿った良好な
均一性は、この実施例では得られない。
例の製造装置における基板支持体７の外周近傍の拡大断
面図である。この実施例では、ステージ１０の下面にお
ける真空ポケット１３の外側には段差がない。すなわ
ち、真空ポケット１３の外側に、基板保持面１１より後
退した最外円周端面３１が設けられていない。したがっ
て、この実施例の製造装置では、ステージ１０の構造
が、第１の実施例におけるよりも簡単であるという利点
がある。しかしながら、段差が存在することによっても
たらされる、不活性ガスの噴出量の外周に沿った良好な
均一性は、この実施例では得られない。
【００６２】＜６．第６実施例＞図１３は、第６の実施
例における製造装置の正面断面図である。この装置では
不活性ガス噴出すき間３２へ供給される不活性ガスが、
基板支持体７の外部に設けられた経路を経由する。第１
の実施例の装置と同様に、外管４１の下端はヒータ９を
固定的に支持している。しかしながら、不活性ガスの輸
送経路を構成する管流路４３は、ステージ１０の上面に
まで達することなく、中途で閉塞している。代わりにこ
の管流路４３は、外管４１の側壁に接続される不活性ガ
ス配管４５に連通している。不活性ガス配管４５の他の
一端は、ステージ１０の外周付近を貫通する不活性ガス
導入孔４６の一端に接続されている。不活性ガス導入孔
４６の他の一端は、最外円周端面３１に開口する。この
ため、不活性ガスは、不活性ガス配管４５から不活性ガ
ス導入孔４６を経由して、不活性ガス噴出すき間３２に
噴出する。
例における製造装置の正面断面図である。この装置では
不活性ガス噴出すき間３２へ供給される不活性ガスが、
基板支持体７の外部に設けられた経路を経由する。第１
の実施例の装置と同様に、外管４１の下端はヒータ９を
固定的に支持している。しかしながら、不活性ガスの輸
送経路を構成する管流路４３は、ステージ１０の上面に
まで達することなく、中途で閉塞している。代わりにこ
の管流路４３は、外管４１の側壁に接続される不活性ガ
ス配管４５に連通している。不活性ガス配管４５の他の
一端は、ステージ１０の外周付近を貫通する不活性ガス
導入孔４６の一端に接続されている。不活性ガス導入孔
４６の他の一端は、最外円周端面３１に開口する。この
ため、不活性ガスは、不活性ガス配管４５から不活性ガ
ス導入孔４６を経由して、不活性ガス噴出すき間３２に
噴出する。
【００６３】不活性ガス供給装置２４から供給される不
活性ガスは、継手４４へ至る前に温度コントローラ２５
を通過する。この温度コントローラ２５は、不活性ガス
の温度を調節する。この実施例の装置では、不活性ガス
が基板支持体７の内部を殆ど通過しないので、第１の実
施例の装置と異なり、不活性ガスは必ずしも基板支持体
７の温度と等温度ではない。このため、噴出する不活性
ガスの温度が半導体基板８の温度に一致するように、不
活性ガスの温度が予め温度コントローラ２５で調節され
る。
活性ガスは、継手４４へ至る前に温度コントローラ２５
を通過する。この温度コントローラ２５は、不活性ガス
の温度を調節する。この実施例の装置では、不活性ガス
が基板支持体７の内部を殆ど通過しないので、第１の実
施例の装置と異なり、不活性ガスは必ずしも基板支持体
７の温度と等温度ではない。このため、噴出する不活性
ガスの温度が半導体基板８の温度に一致するように、不
活性ガスの温度が予め温度コントローラ２５で調節され
る。
【００６４】この実施例では、基板支持体７の構造が単
純で加工が容易であるという利点を有する。このこと
は、例えば不活性ガスを導入しない従来の装置における
基板支持体７自体に多くの変更を加えることなく、不活
性ガス配管４５、温度コントローラ２５等を新たに付加
することによって、この発明の装置への改造を行うこと
ができるという利点をもたらす。しかしながら、新たに
基板支持体７を製造する場合には、不活性ガス配管４５
および温度コントローラ２５を別途設ける必要のない、
例えば第１実施例の装置の方がより優れている。
純で加工が容易であるという利点を有する。このこと
は、例えば不活性ガスを導入しない従来の装置における
基板支持体７自体に多くの変更を加えることなく、不活
性ガス配管４５、温度コントローラ２５等を新たに付加
することによって、この発明の装置への改造を行うこと
ができるという利点をもたらす。しかしながら、新たに
基板支持体７を製造する場合には、不活性ガス配管４５
および温度コントローラ２５を別途設ける必要のない、
例えば第１実施例の装置の方がより優れている。
【００６５】＜７．第７実施例＞図１４は、第７の実施
例における製造装置の正面断面図である。この実施例の
装置では、温度コントローラ２５は設けられていない。
不活性ガス供給装置２４から供給される不活性ガスは、
温度調節を施されないまま、管流路４３へ送られる。こ
のため、この実施例の装置は、ステージ１０の下面への
反応副生成物３４の侵入を阻止するという発明の目的
を、第６実施例の装置よりも単純な構成で達成し得る。
この装置は、半導体基板８における温度の均一性が厳し
く求められない用途には十分有効である。
例における製造装置の正面断面図である。この実施例の
装置では、温度コントローラ２５は設けられていない。
不活性ガス供給装置２４から供給される不活性ガスは、
温度調節を施されないまま、管流路４３へ送られる。こ
のため、この実施例の装置は、ステージ１０の下面への
反応副生成物３４の侵入を阻止するという発明の目的
を、第６実施例の装置よりも単純な構成で達成し得る。
この装置は、半導体基板８における温度の均一性が厳し
く求められない用途には十分有効である。
【００６６】＜８．第８実施例＞図１５は、第８の実施
例における製造装置の正面断面図である。この実施例の
装置では、基板支持体７は回転しない。したがって、反
応容器１に回転台３を備える必要がない。基板支持体７
が回転しないので、不活性ガス配管４５は二重管４０、
継手４４を介することなく、不活性ガス供給装置２４に
接続される。基板支持体７は反応容器本体２の頭頂部か
ら真空配管５のみで吊り下げられている。なお、この実
施例の装置は第７実施例の装置と同様に、不活性ガスが
基板支持体７の内部を殆ど通過しない構成を有している
が、実施例１〜実施例６の装置と同様に不活性ガスが基
板支持体７の内部を通過する構成であってもよい。
例における製造装置の正面断面図である。この実施例の
装置では、基板支持体７は回転しない。したがって、反
応容器１に回転台３を備える必要がない。基板支持体７
が回転しないので、不活性ガス配管４５は二重管４０、
継手４４を介することなく、不活性ガス供給装置２４に
接続される。基板支持体７は反応容器本体２の頭頂部か
ら真空配管５のみで吊り下げられている。なお、この実
施例の装置は第７実施例の装置と同様に、不活性ガスが
基板支持体７の内部を殆ど通過しない構成を有している
が、実施例１〜実施例６の装置と同様に不活性ガスが基
板支持体７の内部を通過する構成であってもよい。
【００６７】この実施例の装置では、基板支持体７を回
転させないので、第１実施例〜第７実施例の装置に比べ
て構造が単純であるという利点がある。この実施例は、
反応によって半導体基板８の被処理面上に形成される生
成膜の均一性が厳しくは要求されない用途には、十分に
有効である。
転させないので、第１実施例〜第７実施例の装置に比べ
て構造が単純であるという利点がある。この実施例は、
反応によって半導体基板８の被処理面上に形成される生
成膜の均一性が厳しくは要求されない用途には、十分に
有効である。
【００６８】＜９．第９実施例＞以上の実施例において
不活性ガス供給装置２４から供給される不活性ガスは、
ステージ１０下面における外周から反応室６へ向かって
噴出する程度に供給される。不活性ガスの供給量が高い
ほど、ステージ１０の下面への反応副生成物３４の侵入
を阻止する効果は高い。しかしながら、ステージ１０下
面の外周から不活性ガスが少なくとも流出する程度であ
れば、反応副生成物３４の侵入を阻止する効果は現出す
る。したがって、不活性ガスの供給量は、ステージ１０
下面の外周から不活性ガスが少なくとも流出する程度で
あってもよい。
不活性ガス供給装置２４から供給される不活性ガスは、
ステージ１０下面における外周から反応室６へ向かって
噴出する程度に供給される。不活性ガスの供給量が高い
ほど、ステージ１０の下面への反応副生成物３４の侵入
を阻止する効果は高い。しかしながら、ステージ１０下
面の外周から不活性ガスが少なくとも流出する程度であ
れば、反応副生成物３４の侵入を阻止する効果は現出す
る。したがって、不活性ガスの供給量は、ステージ１０
下面の外周から不活性ガスが少なくとも流出する程度で
あってもよい。
【００６９】＜１０．他の装置への応用＞以上の実施例
では、フェイスダウン方式の常圧ＣＶＤ装置を例とし
た。この発明は、この型の装置に限定されるものではな
い。例えば、フェイスアップ方式の常圧ＣＶＤ装置にお
いても全く同様に実施し得る。また、減圧ＣＶＤ装置に
も実施し得る。更にＰＶＤ装置、その他の基板処理技術
にも実施可能である。
では、フェイスダウン方式の常圧ＣＶＤ装置を例とし
た。この発明は、この型の装置に限定されるものではな
い。例えば、フェイスアップ方式の常圧ＣＶＤ装置にお
いても全く同様に実施し得る。また、減圧ＣＶＤ装置に
も実施し得る。更にＰＶＤ装置、その他の基板処理技術
にも実施可能である。
【００７０】
【発明の効果】＜請求項１の製造装置の効果＞ポケット
の周囲領域に配設された不活性ガス流出孔から不活性ガ
スが流出することにより、被保持主面と基板保持面との
間への不要物の侵入が不活性ガスの流れによって効果的
に阻止される。その結果、ポケット、減圧手段等への不
要物の侵入も防止される。このため、半導体基板への吸
着力の低下が防止され、装置の稼働効率を高めるととも
に、製品の歩留まりを向上させることができる。
の周囲領域に配設された不活性ガス流出孔から不活性ガ
スが流出することにより、被保持主面と基板保持面との
間への不要物の侵入が不活性ガスの流れによって効果的
に阻止される。その結果、ポケット、減圧手段等への不
要物の侵入も防止される。このため、半導体基板への吸
着力の低下が防止され、装置の稼働効率を高めるととも
に、製品の歩留まりを向上させることができる。
【００７１】＜請求項２の製造装置の効果＞基板保持手
段における基板保持面より後退した段差面と、半導体基
板の被保持主面との間に生じる間隙部分に不活性ガスが
流出するので、ポケットの周囲が偏りなく均一に不活性
ガスの流れで満たされる。このため、被保持主面と基板
保持面との間への不要物の侵入が、一層効果的に阻止さ
れる。
段における基板保持面より後退した段差面と、半導体基
板の被保持主面との間に生じる間隙部分に不活性ガスが
流出するので、ポケットの周囲が偏りなく均一に不活性
ガスの流れで満たされる。このため、被保持主面と基板
保持面との間への不要物の侵入が、一層効果的に阻止さ
れる。
【００７２】＜請求項３の製造装置の効果＞段差面にポ
ケットを囲むように配設された溝に不活性ガスが流出す
るので、ポケットの周囲が更に偏りなく均一に不活性ガ
スの流れで満たされる。このため、被保持主面と基板保
持面との間への不要物の侵入が、より一層効果的に阻止
される。
ケットを囲むように配設された溝に不活性ガスが流出す
るので、ポケットの周囲が更に偏りなく均一に不活性ガ
スの流れで満たされる。このため、被保持主面と基板保
持面との間への不要物の侵入が、より一層効果的に阻止
される。
【００７３】＜請求項４の製造装置の効果＞不活性ガス
の温度と半導体基板の温度との差が低く抑えられ、半導
体基板における均熱性を高くすることができるため、製
品の品質が高く、歩留まりがさらに向上する。
の温度と半導体基板の温度との差が低く抑えられ、半導
体基板における均熱性を高くすることができるため、製
品の品質が高く、歩留まりがさらに向上する。
【００７４】＜請求項５の製造装置の効果＞不活性ガス
は、加熱手段と基板保持手段との間の流出経路を通るこ
とによって、確実に加熱されるので、製品の品質が高
く、歩留まりがさらに向上する。
は、加熱手段と基板保持手段との間の流出経路を通るこ
とによって、確実に加熱されるので、製品の品質が高
く、歩留まりがさらに向上する。
【００７５】＜請求項６の製造装置の効果＞接触面間の
不活性ガス流出経路が、基板保持手段と加熱手段とのそ
れぞれの接触面のうちの少なくとも一方の一定領域に形
成された凹部によって規定されるので、加工が容易であ
り、不活性ガスの経路を簡単に設けることができる。
不活性ガス流出経路が、基板保持手段と加熱手段とのそ
れぞれの接触面のうちの少なくとも一方の一定領域に形
成された凹部によって規定されるので、加工が容易であ
り、不活性ガスの経路を簡単に設けることができる。
【００７６】＜請求項７の製造装置の効果＞接触面間の
不活性ガス流出経路が、それぞれの接触面のうちの少な
くとも一方に形成された溝によって規定されるので、加
工が容易であり、不活性ガスの経路を簡単に設けること
ができる。
不活性ガス流出経路が、それぞれの接触面のうちの少な
くとも一方に形成された溝によって規定されるので、加
工が容易であり、不活性ガスの経路を簡単に設けること
ができる。
【００７７】＜請求項８の製造装置の効果＞接触面間の
不活性ガス流出経路の周囲に遮蔽手段が設けられるの
で、不活性ガス流出経路を通過する不活性ガスの反応室
内への漏出が防止される。
不活性ガス流出経路の周囲に遮蔽手段が設けられるの
で、不活性ガス流出経路を通過する不活性ガスの反応室
内への漏出が防止される。
【００７８】＜請求項９の製造装置の効果＞基板保持面
の外周が半導体基板の外周よりも内側に後退して位置す
るので、基板保持面の全体が半導体基板に覆われて露出
しない。このため、反応副生成物等の不要物による基板
保持面の汚染が、一層効果的に防止される。
の外周が半導体基板の外周よりも内側に後退して位置す
るので、基板保持面の全体が半導体基板に覆われて露出
しない。このため、反応副生成物等の不要物による基板
保持面の汚染が、一層効果的に防止される。
【００７９】＜請求項１０の製造方法の効果＞ポケット
の周囲領域に配設された不活性ガス流出孔から不活性ガ
スが流出することにより、被保持主面と基板保持面との
間への不要物の侵入が不活性ガスの流れによって効果的
に阻止される。その結果、ポケット、減圧手段等への不
要物の侵入も防止される。このため、半導体基板への吸
着力の低下が防止され、装置の稼働効率を高めるととも
に、製品の歩留まりを向上させることができる。
の周囲領域に配設された不活性ガス流出孔から不活性ガ
スが流出することにより、被保持主面と基板保持面との
間への不要物の侵入が不活性ガスの流れによって効果的
に阻止される。その結果、ポケット、減圧手段等への不
要物の侵入も防止される。このため、半導体基板への吸
着力の低下が防止され、装置の稼働効率を高めるととも
に、製品の歩留まりを向上させることができる。
【００８０】＜請求項１１の製造方法の効果＞不活性ガ
ス流出孔から流出する前に不活性ガスが加熱されるの
で、不活性ガスの温度と半導体基板の温度との差が低く
抑えられ、半導体基板における均熱性を高くすることが
できる。このため、処理品質が高く、製品の歩留まりが
さらに向上するという効果がある。
ス流出孔から流出する前に不活性ガスが加熱されるの
で、不活性ガスの温度と半導体基板の温度との差が低く
抑えられ、半導体基板における均熱性を高くすることが
できる。このため、処理品質が高く、製品の歩留まりが
さらに向上するという効果がある。
【００８１】＜請求項１２の製造方法の効果＞基板保持
手段が加熱されることによって、その中に配設された不
活性ガス流出経路を通過する不活性ガスが加熱される。
このため、基板処理手段の加熱と不活性ガスの加熱とを
別個に行う必要がないため、簡易な構成で半導体基板に
おける均熱性を高くし得る効果がある。
手段が加熱されることによって、その中に配設された不
活性ガス流出経路を通過する不活性ガスが加熱される。
このため、基板処理手段の加熱と不活性ガスの加熱とを
別個に行う必要がないため、簡易な構成で半導体基板に
おける均熱性を高くし得る効果がある。
【図１】この発明の第１の実施例である半導体製造装置
の正面断面図である。
の正面断面図である。
【図２】ステージを含む装置部分を下方斜め方向から見
た外観斜視図である。
た外観斜視図である。
【図３】ステージを上方斜め方向から見た外観斜視図で
ある。
ある。
【図４】ステージ等における外周近傍の断面図である。
【図５】ステージの外周近傍の拡大側面図である。
【図６】この発明の第２の実施例におけるステージを含
む装置部分の外観斜視図である。
む装置部分の外観斜視図である。
【図７】ステージ等における外周近傍の断面図である。
【図８】この発明の第３の実施例におけるステージの外
観斜視図である。
観斜視図である。
【図９】ステージ等における外周近傍の断面図である。
【図１０】この発明の第４の実施例におけるステージの
外観斜視図である。
外観斜視図である。
【図１１】ステージ１０等における外周近傍の断面図で
ある。
ある。
【図１２】この発明の第５の実施例におけるステージ等
の外周近傍の断面図である。
の外周近傍の断面図である。
【図１３】この発明の第６の実施例における製造装置の
正面断面図である。
正面断面図である。
【図１４】この発明の第７の実施例における製造装置の
正面断面図である。
正面断面図である。
【図１５】この発明の第８の実施例における製造装置の
正面断面図である。
正面断面図である。
【図１６】従来の半導体製造装置の正面断面図である。
【図１７】従来のステージにおける外周近傍の拡大断面
図である。
図である。
７ 基板支持体 ８ 半導体基板 ９ ヒータ（加熱手段） １０ ステージ（基板保持手段） １１ 基板保持面 １２ 被保持主面 １３ 真空ポケット １４ 被処理主面 １５ 真空ポンプ １６ 反応ガス導入板 ２４ 不活性ガス供給装置 ３１ 最外円周端面（段差面） ３２ 不活性ガス噴出すき間 ５０ 放射溝流路 ５２ 不活性ガス導入孔（不活性ガス流出孔）
Claims (12)
- 【請求項１】 所定の反応ガスが供給される供給孔と反
応に使用されたガスが排気される排気孔とを有する反応
室と、 この反応室に配設され、半導体基板を保持する基板保持
面とこの基板保持面に囲まれ外部の減圧手段に連通され
たポケットとを有する基板保持手段と、 この基板保持手段の前記ポケットの周囲領域に配設され
た不活性ガス流出孔と、 を備える半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記基板保持手段の前記ポケットの周囲
領域に、このポケットを囲む前記基板保持面を残してこ
の基板保持面より後退してなる段差面が配設されると共
に、この段差面に前記不活性ガス流出孔が配設された請
求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 前記段差面に前記ポケットを囲む溝が配
設され、この溝に前記不活性ガス流出孔が配設された請
求項２記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記基板保持手段に結合して前記基板保
持手段を加熱する加熱手段、 をさらに備え、 前記不活性ガス流出孔に連通する不活性ガス流出経路
が、前記基板保持手段の中に配設された請求項１記載の
半導体製造装置。 - 【請求項５】 前記基板保持手段と前記加熱手段とは、
それぞれの接触面において互いに接触しており、 前記不活性ガス流出経路が、これらの接触面間にも更に
配設されている請求項４記載の半導体製造装置。 - 【請求項６】 前記接触面間に配設された前記不活性ガ
ス流出経路が、前記それぞれの接触面のうちの少なくと
も一方の所定の領域に形成された凹部とされた請求項５
記載の半導体製造装置。 - 【請求項７】 前記接触面間に配設された前記不活性ガ
ス流出経路が、前記それぞれの接触面のうちの少なくと
も一方に形成された溝とされた請求項５記載の半導体製
造装置。 - 【請求項８】 前記接触面間に配設された前記不活性ガ
ス流出経路の周囲領域に設けられ、当該不活性ガス流出
経路の気密を保持する遮蔽手段、 を更に備える請求項５記載の半導体製造装置。 - 【請求項９】 前記基板保持面の外周が前記半導体基板
の外周よりも内側に後退して位置する請求項１に記載の
半導体製造装置。 - 【請求項１０】 所定の反応ガスが供給される反応室内
で半導体基板に所定の処理を施す半導体製造方法であっ
て、 （ａ）前記半導体基板の被保持主面を、基板保持手段の
基板保持面に囲まれて配設されるとともに外部の減圧手
段に連通されたポケットの真空吸着によって前記基板保
持面に保持する工程と、 （ｂ）前記ポケットの周囲領域に配設された不活性ガス
流出孔から不活性ガスを流出させる工程と、 を備えた半導体製造方法。 - 【請求項１１】 （ｃ）前記工程（ｂ）に先だって、前
記不活性ガスを加熱する工程、 を更に備える請求項１０記載の半導体製造方法。 - 【請求項１２】 前記工程（ｃ）は、 （ｃ−１）前記不活性ガスを前記基板保持手段の中を通
過させる工程と、 （ｃ−２）前記基板保持手段を加熱し、それによって前
記不活性ガスを加熱する工程と、を備える、請求項１１
記載の半導体製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5120009A JP2934565B2 (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
| US08/241,572 US5445677A (en) | 1993-05-21 | 1994-05-12 | Apparatus for manufacturing semiconductor and method of manufacturing semiconductor |
| DE4417626A DE4417626B4 (de) | 1993-05-21 | 1994-05-19 | Einrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiters |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5120009A JP2934565B2 (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333833A true JPH06333833A (ja) | 1994-12-02 |
| JP2934565B2 JP2934565B2 (ja) | 1999-08-16 |
Family
ID=14775651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5120009A Expired - Fee Related JP2934565B2 (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
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|---|---|
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