DE4417626A1

DE4417626A1 - Einrichtung zur Halbleiterherstellung und Verfahren zur Halbleiterherstellung

Info

Publication number: DE4417626A1
Application number: DE4417626A
Authority: DE
Inventors: Yoshinobu Kawata; Toshinobu Banjo
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1993-05-21
Filing date: 1994-05-19
Publication date: 1994-11-24
Anticipated expiration: 2014-05-20
Also published as: DE4417626B4; US5445677A; JP2934565B2; JPH06333833A

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterher stellungstechnologie, bei der eine vorbestimmte Behandlung an einem Halbleitersubstrat ausgeführt wird, die einen Vorgang der Ausbildung einer Schicht mit einer in etwa spezifizierten Zusam mensetzung auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrates durch das Mittel CVD (Chemische Dampfphasenabscheidung) aufweist.

Aufbau einer Halbleiterherstellungseinrichtung

Fig. 16 ist eine frontale Schnittansicht, die eine Atmosphären druck-CVD-Einrichtung des Vorderseite-nach-unten-Typs einer bei spielhaften herkömmlichen Halbleiterherstellungseinrichtung zeigt. Ein Reaktionsbehälter 1 weist einen Reaktionsbehälterge häuse 2 und einen scheibenförmigen Drehtisch 3 auf, und der Dreh tisch 3 wird von dem Reaktionsbehältergehäuse 2 durch ein Rota tions- bzw. Drehlager 4 drehbar getragen, wobei seine Hauptober flächen horizontal gehalten werden. Der Drehtisch 3 ist in seinem Zentrum an einem ersten Ende eines zylindrischen Vakuumkanals bzw. -rohrs 5 fixiert. Da ein zweites Ende des Vakuumkanals 5 an einen Substrathalter 7 fixiert ist, hängt der Substrathalter 7 über den Vakuumkanal 5 von dem Drehtisch 3 in eine Reaktionskam mer 6 in dem Reaktionsbehälter 1. Der Drehtisch 3 wird durch ei nen Antriebsmechanismus, der nicht gezeigt ist, gedreht bzw. ro tiert, und mit seiner Drehung wird der Substrathalter 7 dement sprechend gedreht. Der Substrathalter 7 weist eine Stufe bzw. einen Abschnitt 10 und eine Heizung 9 auf, die miteinander an ihren entsprechenden Verbindungsflächen verbunden bzw. fixiert sind. Eine Vakuumtasche 13 ist in einer Bodenoberfläche der Stufe 10 zum Halten eines Halbleitersubstrates 8 durch Vakuumansaugung ausgebildet, und die Bodenoberfläche der Stufe 10 dient als eine Halbleitersubstrathalteoberfläche 11. Die Vakuumtasche 13 wird durch Luftabsaugung über den Vakuumkanal 5, der mit einem Ansaug einlaß einer Vakuumpumpe 15 verbunden ist, auf ein Vakuum ge bracht, und das Halbleitersubstrat 8 wird auf der Substrathalte oberfläche 11 durch die Saugkraft gehalten, wobei seine vorder seitige Hauptbehandlungsoberfläche nach unten gerichtet ist. Der Hauptbehandlungsoberfläche gegenüberliegend ist eine Zuführplatte 16 für reaktives bzw. Reaktionsgas montiert, und Zuführlöcher für Reaktionsgas sind in der Zuführplatte 16 für Reaktionsgas ausge bildet. Auf der der Reaktionskammer 6 gegenüberliegenden Seite der Zuführplatte 16 für Reaktionsgas befindet sich eine Mischkam mer 19 für Reaktionsgas. Die Mischkammer für Reaktionsgas weist ein Einlaßloch 20 für Reaktionsgas, das mit einem Zuführer 21 für Reaktionsgas über eine Zuführleitung verbunden ist, auf. Das Re aktionsbehältergehäuse 2 weist einen Evakuierungsdurchgang 18, der die Reaktionskammer 6 mit außerhalb verbindet, und ein Ein laßloch 22 für Inert-, Edel- bzw. Schutzgas, das ein Inertgas wie Stickstoffgas zuführt, in einem oberen Abschnitt des Reaktions behältergehäuses 2 in einer Position, die höher als die Stufe 10 des Substrathalters 7 ist, auf. Das Einlaßloch 22 für Inertgas ist mit einem Zuführer 23 für Inertgas über ein Zuführrohr ver bunden.

Betrieb der herkömmlichen Halbleiterherstellungseinrichtung

Es wird nun der Betrieb der herkömmlichen Einrichtung beschrie ben. Zuerst wird das Halbleitesubstrat 8, das zu behandeln ist, von außerhalb in die Reaktionskammer 6 über einen Zuführdurchgang zugeführt. Dann beginnt die Vakuumpumpe 15 das Absaugen, so daß das Halbleitersubstrat 8 auf der Substrathalteoberfläche 11 durch die Saugkraft gehalten wird. In einem solchen Zustand werden Re aktionsgase von dem Zuführer 21 für Reaktionsgas durch das Ein laßloch 20 für Reaktionsgas in die Mischkammer 19 für Reaktions gas zugeführt. Eine Reaktionsgasmischung 31, die in der Mischkam mer 19 für Reaktionsgas gemischt wird, passiert durch die Zuführ löcher für Reaktionsgas in die Reaktionskammer 6. Wärme, die durch die Heizung 9 erzeugt wird, wird durch die Stufe 10 ausge glichen bzw. gleichförmig gemacht und über das Halbleitersubstrat 8 gleichförmig verteilt bzw. geleitet. Die Wärme verursacht eine thermische Reaktion der Reaktionsgasmischung 31 und ein Film ei ner spezifischen Zusammensetzung wird auf der Hauptbehandlungs oberfläche des Halbleitersubstrates 8 ausgebildet. Verbrauchtes Gas, das das Restgas nach der Reaktion erhält, wird gleichmäßig bzw. fortlaufend aus der Reaktionskammer 6 durch den Evakuie rungsdurchgang 18 abgesaugt.

Während der Film ausgebildet wird, wird der Drehtisch 3 mit einer spezifizierten Rotationsgeschwindigkeit gedreht. Dieses ermög licht dem Film, gleichförmig über die Hauptbehandlungsoberfläche auf dem Halbleitersubstrat 8 zu wachsen. Außerdem wird während der Ausbildung des Films ein Inertgas wie Stickstoffgas von dem Zuführer 23 für Inertgas durch das Einlaßloch 22 für Inertgas in die Reaktionskammer 6 zugeführt. Das Inertgas läuft bzw. strömt an der Heizung 9 und dem Halbleitersubstrat 8 in Richtung des Evakuierungsdurchganges 18 vorbei. Der Fluß des Inertgases hin dert Reaktionsnebenprodukte daran, an den Seitenwänden des Reak tionsbehälters 1, des Substrathalter 7, etc. anzuhaften.

Wenn der Film in einer spezifizierten Dicke auf der Hauptbehand lungsoberfläche ausgebildet ist, wird die Vakuumpumpe 15 gestoppt und das Halbleitersubstrat 8 wird von der Stufe 10 freigegeben. Danach wird das Halbleitersubstrat 8 durch den Förderungsdurch gang aus der Reaktionskammer 6 befördert. Der oben beschriebene Vorgang wird zum Ausführen der gleichen Behandlung an vielen Halbleitersubstraten wiederholt.

Nachteil der herkömmlichen Einrichtung

Bei der oben beschriebenen herkömmlichen Einrichtung kann, obwohl das Inertgas wirkt, damit das Reaktionsnebenprodukt, das für die Ausbildung des Films unbrauchbar ist, in Richtung des Evakuie rungsdurchgangs läuft, wie zuvor erwähnt, ein solches Nebenpro dukt nicht perfekt entfernt werden; restliches Nebenprodukt, das um eine äußere Oberfläche der Stufe 10 schwebt, dringt zwischen die Substrathalteoberfläche 11 und das Halbleitersubstrat 8 ein, da die Vakuumtasche 13 auf einem niedrigeren Druck als die Reak tionskammer 6 gehalten wird. Fig. 17 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die die umfangsseitige Seitenwand der Stufe 10 und deren Umgebung zeigt, welche schematisch darstellt, wie das restliche Nebenprodukt eindringt. Aufgrund der Vakuumansaugung wird die Vakuumtasche 13 auf einen niedrigeren Druck als in der Reaktionskammer 6 gehalten. Die Druckdifferenz zwischen diesen ermöglicht, daß das Reaktionsnebenprodukt, das um die Stufe 10 schwebt, leicht zwischen die Substrathalteoberfläche 11 und das Halbleitersubstrat 8 eindringen kann. Obwohl das Inertgas nütz lich ist, um das Reaktionsnebenprodukt am Anhaften an der um fangsseitigen Seitenwand der Stufe 10 zu hindern, dringt das Re aktionsnebenprodukt, das durch fortlaufende Behandlung von vielen Halbleitersubstraten abgeschieden ist, auch zwischen die Sub strathalteoberfläche 11 und das Halbleitersubstrat 8 ein. Zusätz lich, wie in Fig. 17 übertrieben dargestellt, wird das Halblei tersubstrat 8, wenn es erwärmt wird, oft deformiert. Eine solche thermische Deformation resultiert in einem Spalt zwischen der Substrathalteoberfläche 11 und einer rückseitigen Hauptoberfläche 12 des Halbleitersubstrates 8. Derart würde die thermische Defor mation einer größeren Menge Reaktionsnebenprodukt das Eindringen in den Spalt erlauben.

Mit der weiteren Wiederholung des Behandlungsvorganges an neuen Halbleitersubstraten wird das Reaktionsnebenprodukt, das in den Spalt eindringt, nach und nach auf der Substrathalteoberfläche 11 angesammelt. Als ein Ergebnis wird der Zusammenhalt (Kohäsion) der Substrathalteoberfläche 11 mit dem Halbleitersubstrat 8 ge stört, und die Stärke des Haltens des Halbleitersubstrates 8 nimmt ab. Das eindringende Reaktionsnebenprodukt wandert hinter die Substrathalteoberfläche 11 und wird auf einer inneren Wand des Vakuumkanals 5 angesammelt. Als Folge wird der Vakuumkanal 5 verschmutzt bzw. verstopft und die Haltestärke mit dem Halblei tersubstrat 8 nimmt weiter ab.

Wie oben ausgeführt, muß die herkömmliche Einrichtung mit einer gewissen Frequenz gestoppt und gereinigt werden, um das Abnehmen der Haltestärke unter eine gewisse Grenze zu verhindern, und der art hat sie den Nachteil einer schlechten Betriebseffizienz. Zu sätzlich dazu wird aufgrund der Störung der Haltestärke das Halb leitersubstrat 8, das auf der Substrathalteoberfläche 11 gehalten wird, von dieser freigegeben, fällt herunter und wird zerstört, und derart gibt es den Nachteil, daß die Produktionsausbeute re duziert wird.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Halbleiterher stellungstechnologie zu schaffen, mit der eine unerwünschte Sub stanz wie ein Reaktionsnebenprodukt daran gehindert wird, in eine Substrathalteoberfläche und einen Vakuumkanal einzudringen, um eine Reduzierung der Saugkraft auf ein Halbleitersubstrat zu ver meiden, so daß die Betriebseffizienz einer Einrichtung und die Produktionsausbeute erhöht werden können.

Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Einrichtung nach Anspruch 1 oder ein Verfahren nach Anspruch 15.

Weiterbildung der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekenn zeichnet.

Nach einer Ausführungsform weist eine Einrichtung zur Herstellung eines Halbleiters, in welcher eine vorbestimmte Behandlung an einer Hauptbehandlungsoberfläche eines Halbleitersubstrates durch Zuführen von reaktivem Gas ausgeführt wird, (a) einen Reaktions behälter, in dem eine Reaktionskammer definiert bzw. ausgebildet ist, die das Halbleitersubstrat aufnehmen kann, und der weiter ein Einlaßloch für reaktives Gas, welches sich in Richtung der Reaktionskammer zur Zuführung des reaktiven Gases in die Reak tionskammer öffnet, und ein Evakuierungsloch, das sich in Rich tung der Reaktionskammer zur Evakuierung von Gas, das für die Re aktion verwendet wird, aus der Reaktionskammer öffnet, definiert bzw. aufweist; (b) ein Substrathaltemittel, das in dem Reaktions behälter befestigt ist und das eine Substrathalteoberfläche zum Halten des Halbleitersubstrates in der Reaktionskammer durch In kontaktkommen mit einer gegenüber der Hauptbehandlungsoberfläche des Halbleitersubstrates rückseitigen Hauptoberfläche, eine Ta sche, die durch die Substrathalteoberfläche umgeben ist, zum Hal ten des Halbleitersubstrates durch eine Saugkraft und außerdem ein Inertgas-Spülloch in einem Bereich, der die Tasche umgibt ist, zum Ausströmen lassen von Inertgases nach außen definiert bzw. aufweist; (c) ein Zuführmittel für reaktives Gas, das zu dem Einlaßloch für reaktives Gas führt bzw. zu diesem führend ausge bildet ist, zum Zuführen des reaktiven Gases zu dem Einlaßloch für reaktives Gas; (d) ein Mittel zur Druckreduzierung, das zu der Tasche führt bzw. zu der Tasche führend ausgebildet ist, zum Reduzieren des Drucks in der Tasche; und (e) ein Zuführmittel für Inertgas, das zu dem Inertgas-Spülloch führt bzw. zu diesem füh rend ausgebildet ist, zum Zuführen des Inertgases zu dem Inert gas-Spülloch auf.

Nach einer Ausführungsform wird der Druck in der Tasche durch das Mittel zur Druckreduzierung reduziert, wodurch die gegenüber der Hauptbehandlungsoberfläche des Halbleitersubstrates rückseitige Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates durch eine Saugkraft der Tasche angezogen wird. Als eine Folge wird das Halbleitersubstrat durch das Substrathaltemittel gehalten. Dann wird die vorbestimm te Behandlung mit dem reaktiven Gas, welches in die Reaktionskam mer über das Einlaßloch für reaktives Gas durch das Zuführmittel für reaktives Gas eingebracht wird, an der Hauptbehandlungsober fläche des Halbleitersubstrates ausgeführt. Bei einer solchen Behandlung wird Inertgas aus dem Inertgas-Spülloch, das in dem Bereich ausgebildet ist, der die Tasche umgibt, durch den Betrieb des Zuführmittels für Inertgas ausgestoßen. Als ein Ergebnis hin dert die Strömung bzw. die Strömungen des Inertgases wirksam un erwünschte Objekte am Eindringen zwischen das Halbleitersubstrat und die Substrathalteoberfläche. Als Folge wird das Eindringen der unerwünschten Objekte in die Tasche und außerdem in das Mit tel zur Druckreduzierung verhindert.

Bevorzugterweise weist das Inertgas-Spülloch eine Mehrzahl von Inertgas-Spüllöchern auf.

Bevorzugterweise weist der Reaktionsbehälter (a-1) ein Reaktions behältergehäuse und (a-2) einen Drehtisch, der drehbar an dem Reaktionsbehältergehäuse angeordnet bzw. an diesem befestigt ist, auf, und das Substrathaltemittel ist fixiert mit dem Drehtisch gekoppelt, so daß es zusammen mit dem Drehtisch als ein gemeinsa mer Körper drehbar ist.

Bevorzugterweise ist die Substrathalteoberfläche senkrecht zu der Rotationsachse des Drehtisches ausgerichtet.

Bevorzugterweise weist das Reaktionsbehältergehäuse (a-1-1) eine Zuführplatte für reaktives Gas, die der Substrathalteoberfläche gegenüberliegend montiert ist, auf und das Einlaßloch für reakti ves Gas ist die Zuführplatte für reaktives Gas durchdringend aus gebildet und öffnet sich in Richtung der Substrathalteoberfläche.

Bevorzugterweise ist eine Oberfläche unterschiedlichen Niveaus in einem Bereich ausgebildet, der die Tasche des Substrathaltemit tels umgibt, wobei die Oberfläche unterschiedlichen Niveaus ge genüber der Substrathalteoberfläche so tiefergesetzt (d. h. in Richtung des Substrathaltemittels zurückgesetzt) ist, daß ein Abschnitt der Substrathalteoberfläche, der die Tasche umgibt, verbleibt, und daß das Inertgas-Spülloch in der Fläche unter schiedlichen Niveaus ausgebildet ist.

Es ist ein Spalt zwischen der Oberfläche unterschiedlichen Ni veaus, die gegenüber der Substrathalteoberfläche in dem Substrat haltemittel zurückgesetzt ist, und dem Halbleitersubstrat, das in Kontakt mit der Substrathalteoberfläche ist, ausgebildet. Das Inertgas wird in den Spalt gedrückt, und daher wird der gesamte Bereich, der die Tasche umgibt, gleichförmig mit dem Fluß des Inertgases ausgefüllt.

Bevorzugterweise ist ein Graben, der die Tasche umgibt, in der Oberfläche unterschiedlichen Niveaus ausgebildet, und das Inert gas-Spülloch ist in dem Graben ausgebildet.

Das Inertgas wird in den Graben, der in der Oberfläche unter schiedlichen Niveaus, die Tasche umgibt, ausgebildet ist, ge drückt bzw. strömt in diesen. Demzufolge wird der gesamte Be reich, der die Tasche umgibt, noch gleichförmiger mit dem Fluß des Inertgases gefüllt.

Bevorzugterweise weist die Einrichtung zur Herstellung eines Halbleiters weiter (f) ein Heizungsmittel, das fixiert mit dem Substrathaltemittel gekoppelt ist, zum Heizen des Substrathalte mittels auf, und das Substrathaltemittel definiert darin einen ersten Inertgas-Strömungsdurchgang zum Verbinden des Zuführmit tels für Inertgas und des Inertgas-Spülloches.

Das Substrathaltemittel wird durch das Heizmittel geheizt bzw. erwärmt, und dieses verursacht, daß das Inertgas, welches durch den ersten Inertgas-Strömungsdurchgang läuft, der in dem Sub strathaltemittel definiert bzw. ausgebildet ist, erwärmt wird. Auf diese Art wird die Temperaturdifferenz zwischen dem Inertgas und dem Halbleitersubstrat klein gehalten, und die Gleichförmig keit der Wärme bzw. die Gleichverteilung der Wärme über das Halb leitersubstrat kann erhöht werden.

Bevorzugterweise weist der Reaktionsbehälter (a-1) ein Reaktions behältergehäuse und (a-2) einen Drehtisch, der drehbar an dem Reaktionsbehältergehäuse angeordnet ist, auf, und das Substrat haltemittel ist fixiert mit dem Drehtisch gekoppelt, so daß es mit dem Drehtisch als ein gemeinsamer Körper drehbar ist.

Bevorzugterweise definieren das Substrathaltemittel und das Hei zungsmittel entsprechende Kontaktflächen und sind in Kontakt mit einander über diese Kontaktflächen und ein zweiter Inertgas-Strö mungsdurchgang, der zu dem ersten Inertgas-Strömungsdurchgang führt bzw. zu diesem führend ausgebildet ist, zum Verbinden des Zuführmittels für Inertgas und des Inertgas-Spülloches ist zwi schen den Kontaktflächen ausgebildet.

Der zweite Inertgas-Strömungsdurchgang ist zwischen den Kontakt flächen des Heizmittels und des Substrathaltemittels ausgebildet. Derart läuft das Inertgas durch einen Wärmeleitungspfad bzw. -weg zwischen dem Heizmittel und dem Substrathaltemittel, und daher kann die Erwärmung des Inertgases noch sicherer ausgeführt wer den.

Bevorzugterweise weist der Reaktionsbehälter (a-1) ein Reaktions behältergehäuse und (a-2) einen Drehtisch, der drehbar an dem Reaktionsbehältergehäuse angeordnet ist, auf, und die Einrichtung zur Herstellung eines Halbleiters weist weiter (g) eine erste Zuleitung, die entlang der Rotationsachse des Drehtisches ausge bildet ist, zum festen Verbinden des Drehtisches und des Hei zungsmittels, und (h) eine zweite Zuleitung auf die in die erste Zuleitung so eingeführt ist, daß die erste und die zweite Zulei tung gegeneinander frei und koaxial miteinander sind, und daß ein Ende der zweiten Zuleitung fest mit dem Substrathaltemittel ver bunden ist und zu der Tasche führt, und daß das andere Ende zu dem Mittel zur Druckreduzierung führt und daß der zweite Inert gas-Strömungsdurchgang und das Zuführmittel für Inertgas durch einen Freiraum, der zwischen der ersten Zuleitung und der zweiten Zuleitung (die frei gegeneinander sind) ausgebildet ist, verbun den sind.

Bevorzugterweise ist der zweite Inertgas-Strömungsdurchgang ein konkaver Abschnitt, der in einem vorbestimmten Bereich von minde stens einer der entsprechenden Kontaktflächen ausgebildet ist.

Da der Inertgas-Strömungsdurchgang zwischen den Kontaktflächen durch den konkaven Abschnitt, der in dem vorbestimmten Bereich von mindestens einer der Kontaktflächen des Substrathaltemittels und des Heizmittels ausgebildet ist, definiert ist, ist das Her stellen der Herstellungseinrichtung leicht, und der Weg bzw. Pfad für das Inertgas kann in einfacher Weise ausgebildet werden.

Bevorzugterweise ist der zweite Inertgas-Strömungsdurchgang ein Graben, der in mindestens einer der entsprechenden Kontaktflächen ausgebildet ist.

Der Inertgas-Strömungsdurchgang zwischen den Kontaktflächen wird durch den Graben, der in mindestens eine der Kontaktflächen aus gebildet ist, definiert, und das Herstellen der Halbleiterein richtung ist leicht, und der Weg bzw. Pfad für das Inertgas kann in einer einfachen Weise ausgebildet werden.

Bevorzugterweise weist die Einrichtung zur Herstellung eines Halbleiters weiter ein Dichtungsmittel auf, das in einem Bereich ausgebildet ist, der den zweiten Inertgas-Strömungsdurchgang um gibt, zum Behalten bzw. Beibehalten des luftdichten Zustandes in dem zweiten Inertgas-Strömungsdurchgang.

Das Dichtungsmittel ist um den Inertgas-Strömungsdurchgang zwi schen den Kontaktflächen ausgebildet, und daher wird das Inertgas daran gehindert, in die Reaktionskammer zu lecken bzw. auszutre ten.

Bevorzugterweise ist eine umfangsseitige Seitenwand der Substrat halteoberfläche innerhalb einer umfangsseitigen Seitenwand (bzw. innerhalb deren Umfangs) des Halbleitersubstrates eingerückt.

Da die umfangsseitige Seitenwand der Substrathalteoberfläche in nerhalb (des Umfangs) der umfangsseitigen Seitenwand des Halblei tersubstrates endet, verbleibt kein Teil der Substrathalteober fläche unbedeckt. Auf diese Art kann eine Kontamination bzw. Ver schmutzung der Substrathalteoberfläche durch unerwünschte Objekte wie Reaktionsnebenprodukte noch effektiver verhindert werden.

Nach einer weiteren Ausführungsform weist ein Verfahren zum Her stellen eines Halbleiters, bei dem eine vorbestimmte Behandlung auf eine Hauptbehandlungsoberfläche eines Halbleitersubstrates durch Zuführen von reaktivem Gas ausgeführt wird, die Schritte auf: (a) Definieren einer Reaktionskammer, die das Halbleitersub strat aufnehmen kann; (b) Definieren einer Substrathalteoberflä che, die in der Reaktionskammer angeordnet ist und die in Kontakt mit dem Halbleitersubstrat kommen kann, einer Tasche, die die Substrathalteoberfläche umgibt, und eines Loches in einem Be reich, der die Tasche umgibt; (c) Reduzieren des Drucks in der Tasche zum Halten des Halbleitersubstrates in der Reaktionskam mer, während eine gegenüber der Hauptbehandlungsoberfläche des Halbleitersubstrates rückseitige Hauptoberfläche in Kontakt mit der Substrathalteoberfläche gebracht wird; (d) Zuführen des reak tiven Gases in die Reaktionskammer während der Schritt (c) ausge führt wird; (e) Evakuieren von Gas, das zur Reaktion verwendet wird, aus der Reaktionskammer, während der Schritt (c) ausgeführt wird; und (f) Ausströmen lassen von Inertgas aus dem Loch, wäh rend der Schritt (c) ausgeführt wird.

Der Druck in der Tasche wird reduziert, und die gegenüber der Hauptbehandlungsoberfläche des Halbleitersubstrates rückseitige Hauptoberfläche wird in Richtung der Substrathalteoberfläche durch eine Saugkraft angezogen, so daß das Halbleitersubstrat durch das Substrathaltemittel gehalten wird. Die vorbestimmte Behandlung mit dem reaktiven Gas wird auf die Hauptbehandlungs oberfläche des Halbleitersubstrates ausgeübt. Bei einer solchen Behandlung wird Inertgas aus dem Inertgas-Spülloch, das in dem Bereich, der die Tasche umgibt, ausgebildet ist, ausströmen ge lassen. Auf diese Art verhindern Strömungen des Inertgases wirk sam, daß unerwünschte Objekte zwischen die gegenüber der Hauptbe handlungsoberfläche rückseitige Hauptoberfläche und die Substrat halteoberfläche einbringen. Folglich wird das Eindringen uner wünschter Objekte in die Tasche ebenso verhindert.

Bevorzugterweise weist der Schritt (f) (f-1) das Erwärmen des Inertgases vor dem Ausströmen lassen durch das Loch auf.

Das Inertgas wird erwärmt, bevor es aus dem Inertgas-Spülloch ausgeströmt wird. Demzufolge wird die Temperaturdifferenz zwi schen dem Inertgas und dem Halbleitersubstrat klein gehalten, und die Gleichförmigkeit bzw. Gleichverteilung der Wärme in dem Halb leitersubstrat kann verbessert werden.

Bevorzugterweise weist der Schritt (f-1) (f-1-1) das Passieren des Inertgases durch das Substrathaltemittel; und (f-1-2) das Erwärmen des Substrathaltemittels, wodurch das Inertgas erwärmt wird, auf.

Das Substrathaltemittel wird erwärmt, und dieses verursacht, daß das durch das Substrathaltemittel laufende Inertgas erwärmt wird. In anderen Worten können das Halbleitersubstrat und das Inertgas zur selben Zeit und nicht getrennt erwärmt werden.

Bevorzugterweise weist der Schritt (d) (d-1) das Ausströmen las sen des reaktiven Gases in Richtung der Hauptbehandlungsoberflä che des Halbleitersubstrates, das durch das Substrathaltemittel gehalten wird, auf.

Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figu ren.

Von den Figuren zeigen:

Fig. 1 eine frontale Schnittansicht, die eine Halbleiter herstellungseinrichtung einer ersten Ausführungs form zeigt;

Fig. 2 eine teilweise perspektivische Ansicht, die die Einrichtung mit einer Stufe, gesehen von einem niedrigeren Niveau unter einem Winkel, zeigt;

Fig. 3 eine perspektivische Ansicht, die die Stufe, gese hen von einem höheren Niveau unter einem Winkel, zeigt;

Fig. 4 eine Schnittansicht, die eine umfangsseitige Sei tenwand der Stufe und deren Umgebung zeigt;

Fig. 5 eine vergrößerte Seitenansicht, die die umfangs seitige Seitenwand der Stufe zeigt;

Fig. 6 eine teilweise perspektivische Ansicht, die eine Vorrichtung mit einer Stufe einer zweiten bevor zugten Ausführungsform zeigt;

Fig. 7 eine Schnittansicht, die eine umfangsseitige Sei tenwand der Stufe und deren Umgebung zeigt;

Fig. 8 eine perspektivische Ansicht, die eine Stufe ent sprechend einer dritten bevorzugten Ausführungs form zeigt;

Fig. 9 eine Schnittansicht, die eine umfangsseitige Sei tenwand der Stufe und deren Umgebung zeigt;

Fig. 10 eine perspektivische Ansicht, die eine Stufe ent sprechend einer vierten bevorzugten Ausführungs form zeigt;

Fig. 11 eine Schnittansicht, die eine umfangsseitige Sei tenwand der Stufe und deren Umgebung zeigt;

Fig. 12 eine Schnittansicht, die eine umfangsseitige Sei tenwand der Stufe und deren Umgebung entsprechend einer fünften bevorzugten Ausführungsform zeigt;

Fig. 13 eine frontale Schnittansicht, die eine Halbleiter herstellungseinrichtung einer fünften bevorzugten Ausführungsform zeigt;

Fig. 14 eine frontale Schnittansicht, die eine Halbleiter herstellungseinrichtung einer siebten bevorzugten Ausführungsform zeigt;

Fig. 15 eine frontale Schnittansicht, die eine Halbleiter herstellungseinrichtung einer achten bevorzugten Ausführungsform zeigt;

Fig. 16 eine frontale Schnittansicht, die eine herkömmli che Halbleiterherstellungseinrichtung zeigt; und

Fig. 17 eine vergrößerte Schnittansicht, die eine umfangs seitige Seitenwand einer Stufe und deren Umgebung zeigt.

1. Erste bevorzugte Ausführungsform

Fig. 1 ist eine frontale Schnittansicht, die eine Halbleiterher stellungseinrichtung einer ersten bevorzugten Ausführungsform, nämlich eine Atmosphärendruck-CVD-Einrichtung eines Vorderseite nach-unten-Typs.

Ein Reaktionsbehälter 1 weist einen Reaktionsbehältergehäuse 2 und einen scheibenförmigen Drehtisch 3 auf, und der Drehtisch 3 wird durch das Reaktionsbehältergehäuse 2 über ein Drehlager 4 drehbar gehalten, wobei seine Hauptoberflächen horizontal gehal ten werden. Der Drehtisch 3 weist eine Öffnung in seinem Zentrum auf, und ein erstes Ende einer äußeren Leitung (Röhre) 41 eines röhrenförmigen Doppelkanals 40 ist in die Öffnung eingefügt und an der Öffnung fixiert. Das erste Ende der äußeren Röhre 41 und ein erstes Ende einer inneren Leitung (Röhre) 42 des Doppelkanals 40, das in der Position dem ersten Ende des äußeren Kanals bzw. der äußeren Röhre 41 entspricht, erstrecken sich durch ein Lager 44, in welchem beide ersten Enden gleitbar eingefügt sind, und das erste Ende der inneren Röhre 42 ist mit einer Vakuumpumpe 15 über eine Vakuumröhre bzw. einen Vakuumkanal verbunden, während ein Flüssigkeitskanal 43, der zwischen der äußeren Röhre 41 und der inneren Röhre 42 definiert ist, mit einem Zuführer 24 für Inertgas über eine Leitung verbunden ist.

Ein zweites Ende der äußeren Röhre 41 des Doppelkanals 40 ist in eine Öffnung, die sich durch das Zentrum einer scheibenförmigen Heizung 9 erstreckt, die einen Substrathalter 7 bildet, eingefügt und mit der Öffnung verbunden. Ein zweites Ende der inneren Röhre 42 des Doppelkanals 40 ist in eine Öffnung, die sich durch das Zentrum einer scheibenförmigen Stufe 10 erstreckt, eingefügt, und an der Öffnung befestigt. Die Heizung 9 ist mit ihrer Bodenober fläche an der Stufe 10 durch Bolzen befestigt, so daß diese ge meinsam als der Substrathalter 7 dienen. Derart hängt der Sub strathalter 7 von dem Drehtisch 3 an dem Doppelkanal 40 in eine Reaktionskammer 6 in dem Reaktionsbehälter 1. So wie der Dreh tisch 3 durch einen nicht gezeigten Antriebsmechanismus gedreht wird, wird der Substrathalter 7 dementsprechend gedreht, und ein Vakuumdurchgang und ein Inertgasdurchgang werden durch den Dop pelkanal 40 und das Lager 44 gebildet.

Eine obere Oberfläche der Stufe 10, die in Kontakt mit der Boden oberfläche der Heizung 9 kommt, ist mit radialen Rillen- oder Kanaldurchgängen 50, die zu dem Flüssigkeitskanal 43 führen, und einem kreisförmigen Rillen- oder Kanaldurchgang 51, der die ra dialen Kanaldurchgänge 50 schneidet bzw. kreuzt, ausgebildet. Eine Bodenoberfläche der Stufe 10 ist mit einer Vakuumtasche 13 zum Halten eines Halbleitersubstrates 8 durch Saugkraft ausgebil det, und die Bodenoberfläche der Stufe 10, die eine Vakuumtasche 13 umgibt, dient als eine Substrathalteoberfläche 11. Die Vakuum tasche 13 wird durch Luftabsaugung durch den inneren Kanal 42, der mit einem Ansaugeinlaß der Vakuumpumpe 15 verbunden ist, auf ein Vakuum abgesaugt bzw. evakuiert, und das Halbleitersubstrat 8 wird auf der Substrathalteoberfläche 11 durch die Saugkraft ge halten, wobei seine Hauptbehandlungsoberfläche 14 nach unten ge richtet ist.

Eine äußerste kreisförmige (runde oder kreisringförmige) Oberflä che 31 in der Bodenoberfläche der Stufe 10, die außerhalb der Vakuumtasche 13 angeordnet ist, ist gegenüber dem Niveau der Halbleitersubstratoberfläche 11 leicht tiefer gesetzt, d. h. ein gerückt. Die äußerste kreisförmige Oberfläche 31 ist mit vertika len Löchern ausgebildet, die sich entlang des Umfangs durch die Stufe 10 in seiner axialen Richtung erstrecken, und die vertika len Löcher führen zu dem kreisförmigen Kanaldurchgang 51 in der oberen Oberfläche der Stufe 10, um als Zuführlöcher 52 für Inert gas zu dienen. Wenn das Halbleitersubstrat 8 auf der Substrat halteoberfläche 11 durch die Saugkraft gehalten wird, ist ring förmiger Inertgas-Spülspalt 32 mit einer kleinen bzw. geringen Weite (Breite) zwischen einem umfangsseitigen Abschnitt der Hauptbehandlungsoberfläche 12 des Halbleitersubstrates 8 und der äußersten kreisförmigen Oberfläche 31 in der Bodenoberfläche der Stufe 10 definiert. Das Inertgas, das durch den Doppelkanal 40 und die Einlaßlöcher 52 für Inertgas zugeführt wird, wird aus dem Inertgas-Spülspalt 32 in die Reaktionskammer 6 ausgestoßen.

Eine Zuführplatte 16 für Reaktionsgas ist der Hauptbehandlungs oberfläche 14 des Halbleitersubstrates 8, das auf der Stufe 10 durch die Saugkraft gehalten wird, gegenüberliegend montiert, und Zuführlöcher für Reaktionsgas sind in der Zuführplatte 16 für Reaktionsgas ausgebildet. Auf der der Reaktionskammer 6 gegen überliegenden Seite der Zuführplatte 16 für Reaktionsgas ist eine Mischkammer 19 für Reaktionsgas ausgebildet. In der Mischkammer 19 für Reaktionsgas ist ein Einlaßloch 20 für Reaktionsgas, das mit einem Zuführer 21 für Reaktionsgas über eine Zuführröhre ver bunden ist, ausgebildet. Das Reaktionsbehältergehäuse 2 weist einen Evakuierungsdurchgang 18, der die Reaktionskammer 6 mit außerhalb verbindet, und ein Einlaßloch 22 für Inertgas, zum Zu führen eines Inertgases wie Stickstoffgas in einen oberen Ab schnitt des Reaktionsbehältergehäuses 2 in einer Position, die höher als die Stufe 10 des Substrathalters 7 ist, auf. Das Zu führloch 22 für Inertgas ist mit einem Zuführer 23 für Inertgas durch das Einlaßloch 22 für Inertgas verbunden.

Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die eine rotierenden Teil dieser Einrichtung, gesehen unter einem Winkel aus einer niedrigeren Position als die Stufe 10, darstellt. In der Boden oberfläche der Stufe 10 ist eine Vakuumtasche 13 ausgebildet, die radiale Kanäle oder Führungen 61 und konzentrische kreisförmige Führungen oder Kanäle, die senkrecht zu den radialen Kanälen 61 sind, aufweist. Es ist ein äußerster ringförmiger Abschnitt 63 der Substrathalteoberfläche 11 außerhalb eines äußersten kreisförmi gen Grabens (Kanals) 62 ausgebildet, der die Vakuumtasche 13 de finiert. Die oben erwähnte äußerste kreisförmige Oberfläche 31 in der Bodenoberfläche der Stufe 10 befindet sich außerhalb des äu ßersten ringförmigen Abschnitts 63, und bevorzugterweise ist die äußerste kreisförmige Oberfläche 31 um ungefähr 5∼50µm gegen über dem äußersten ringförmigen Abschnitt 63 der Substrathalte oberfläche 11 eingerückt, das heißt in Richtung der Stufe 10 nach hinten versetzt. Die Zuführlöcher 52 für Inertgas, die in der äußersten kreisförmigen Oberfläche 31 in der Bodenoberfläche der Stufe 10 ausgebildet sind, sind bevorzugterweise nahe dem äußer sten ringförmigen Abschnitt 63 der Substrathalteoberfläche 11 ausgebildet.

Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht, die die Stufe 10, gese hen unter einem Winkel aus einer höheren Position, zeigt. Es kann eine Mehrzahl von konzentrischen kreisförmigen Gräben anstelle des einzelnen kreisförmigen Grabendurchgangs 51 ausgebildet sein. Löcher, die in Abständen in dem kreisförmigen Grabendurchgang 51 ausgebildet sind, sind die Einlaßlöcher 52 für Inertgas, die in kreisförmiger Anordnung in der äußersten kreisförmigen Oberfläche 31 an der Bodenoberfläche der Stufe 10 ausgebildet sind. Die Tie fen der radialen Gräbendurchgänge 50 und des kreisförmigen Gra bendurchganges 51 in der oberen Oberfläche der Stufe 10 liegen bevorzugterweise in einem Bereich von ungefähr 0,5∼1,0 mm. Schraubensacklöcher 64 sind in der oberen Oberfläche der Stufe 10 getrennt von den radialen Grabendurchgängen 50 und dem kreisför migen Grabendurchgang 51 ausgebildet, und die Stufe 10 und die Heizung 9 sind miteinander durch Bolzen, die in die Schrauben sacklöcher 64 eingedreht werden, verbunden bzw. befestigt.

Fig. 4 ist eine vergrößerte Ansicht, die den Inertgas-Spülspalt 32, der durch die Stufe 10 und das Halbleitersubstrat 8 definiert wird, zeigt. Eine umfangsseitige Seitenwand der Stufe 10 endet einiges innerhalb einer umfangsseitigen Seitenwand des Halblei tersubstrates 8 (bzw. des Umfangs). Eine Differenz "d" zwischen den Endpositionen der beiden umfangsseitigen Seitenwände beträgt bevorzugterweise ungefähr 0,5 mm.

Unter erneuter Bezugnahme auf die Fig. 1 wird ein Betrieb der Herstellungseinrichtung beschrieben. Das Halbleitersubstrat 8 wird von außerhalb der Einrichtung über einen nicht gezeigten Be förderungsdurchgang in die Reaktionskammer 6 gefördert. Die Vaku umpumpe 15 startet und das Halbleitersubstrat 8 wird auf der Sub strathalteoberfläche 11 durch eine Saugkraft gehalten. Dann ar beitet der Zuführer 24 für Inertgas und Inertgas wird aus dem Inertgas-Spülspalt 32 in Richtung der Reaktionskammer 6 ausgesto ßen. Außerdem arbeitet der Zuführer 23 für Inertgas und das Inertgas wird durch das Einlaßloch 22 für Inertgas in die Reak tionskammer 6 zugeführt.

In einem solchen Zustand werden reaktive Gase (Reaktionsgase) inklusive Silangas (SiH₄), Sauerstoffgas (O₂) und ähnliche von dem Zuführer 21 für Reaktionsgas durch das Einlaßloch 20 für Reak tionsgas in die Mischkammer 19 für Reaktionsgas zugeführt. In der Mischkammer 19 für Reaktionsgas werden diese Arten von Reaktions gasen gemischt. Das resultierende Reaktionsgasgemisch wird durch die Einlaßlöcher für Reaktionsgas in der Zuführplatte 16 für Re aktionsgas in die Reaktionskammer 6 geblasen. Wärme, die durch die Heizung 9 erzeugt wird, wird durch die Stufe 10 ausgeglichen bzw. gleich verteilt und gleichförmig über das Halbleitersubstrat 8 geleitet. Die Wärme verursacht eine thermochemische Reaktion wie eine Oxidation des Reaktionsgasgemisches, und ein Reaktions produkt wie Siliziumdioxid (SiO₂) wird auf der Hauptbehandlungs oberfläche 14 abgeschieden, und folglich wird ein Film darauf ausgebildet.

Während der Film ausgebildet wird, wird der Drehtisch mit einer Geschwindigkeit von 1∼2U/min gedreht. Dieses ermöglicht, daß der Film gleichförmig über der Hauptbehandlungsoberfläche 14 wächst. Das Inertgas, das durch das Einlaßloch 22 für Inertgas in die Reaktionskammer 6 zugeführt wird, läuft an der Heizung 9 und dann an dem Halbleitersubstrat 8 in Richtung des Evakuierungs durchganges 18 vorbei. Verbrauchtes Gas inklusive des restlichen Reaktionsgases und des Reaktionsnebenproduktes, die nicht an der Filmausbildung beteiligt sind, werden fortlaufend durch den Eva kuierungsdurchgang 18 aus der Reaktionskammer 6 evakuiert.

Nach der Ausbildung des Filmes in einer spezifizierten Dicke auf der Hauptbehandlungsoberfläche wird die Vakuumpumpe 15 gestoppt, und das Halbleitersubstrat 8 wird von der Stufe 10 freigeben und dann durch den nicht gezeigten Beförderungsdurchgang aus der Re aktionskammer 6 befördert. Der oben beschriebene Vorgang wird bei der Durchführung gleicher Behandlungen auf viele Halbleitersub strate wiederholt. Einfach nur mit der Inertgaszufuhr durch das Einlaßloch 22 für Inertgas in die Reaktionskammer 6 jedoch, wird das Reaktionsnebenprodukt nicht vollständig evakuiert und ver bleibt immer noch schwebend um die Stufe 10.

Fig. 5 ist eine vergrößerte frontale Schnittansicht, die die umfangsseitige Seitenwand des Substrathalters 7 und deren Umge bung zeigt. Während die vorbestimmte Behandlung auf die Hauptbe handlungsoberfläche 14 des Halbleitersubstrates 8 ausgeübt wird, passiert das Inertgas, das durch den Zuführer 24 für Inertgas zugeführt wird, durch das Zuführloch 52 für Inertgas und wird durch den Inertgas-Spülspalt 32 in Richtung der Reaktionskammer 6 ausgestoßen. Demzufolge hindert das ausgestoßene Inertgas das Re aktionsnebenprodukt 34, das um die Stufe 10 schwebt, daran, zwi schen die Bodenoberfläche der Stufe 10 und das Halbleitersubstrat 8 einzudringen. Selbst falls das Reaktionsnebenprodukt nach und nach an der umfangsseitigen Seitenwand der Stufe 10 mit dem auf einanderfolgenden Ausführen des Schichtausbildungsvorganges bei vielen Halbleitersubstraten wie dem Halbleitersubstrat 8 anhaf tet, dringt das Reaktionsnebenprodukt, das an der umfangsseitigen Seitenwand der Stufe 10 angesammelt wird, nicht länger zwischen die Bodenoberfläche der Stufe 10 und das Halbleitersubstrat 8 ein. Selbst wenn aufgrund der thermischen Verformung das Halblei tersubstrat umgeformt wird, sammelt sich das Reaktionsnebenpro dukt 34 kaum an der Substrathalteoberfläche 11, selbst falls die Vakuumtasche unter einem niedrigeren Druck als der der Reaktions kammer steht. Außerdem dringt das Reaktionsnebenprodukt 34 nie mals von der Vakuumtasche 13 in das Vakuumsystem inklusive des inneren Kanals 42 und ähnlichem ein. Als ein Ergebnis kann die Stärke des Haltens des Halbleitersubstrates 8 kaum vermindert werden, selbst nach der Behandlung von vielen Halbleitersubstra ten.

Da die umfangsseitige Seitenwand der Stufe 10, wie zuvor erwähnt, leicht innerhalb der umfangsseitigen Seitenwand des Halbleiter substrates 8 endet, kann sichergestellt werden, daß kein Teil der Bodenoberfläche der Stufe 10 von dem Halbleitersubstrat 8 unbe deckt bleibt. Aufgrund des vollständigen Abdeckens genauso wie der sehr effektiven Wirkung des Inertgases, das aus dem Inertgas- Spülspalt 32 ausgestoßen wird, wird kein Teil der Bodenoberflä che der Stufe 10 durch das Reaktionsnebenprodukt 24 kontaminiert bzw. verunreinigt.

Zusätzlich wird bei der Halbleiterherstellungseinrichtung dieser bevorzugten Ausführungsform, da ein Weg des Inertgases in dem Substrathalter 7 ausgebildet ist, das Inertgas erwärmt, während es durch den Substrathalter 7 läuft, und es wird in der Tempera tur dem Substrathalter 7 angeglichen. Derart gibt es, wenn das Inertgas durch den Inertgas-Spülspalt 32 ausgestoßen wird, keine auffallende oder merkliche Temperaturdifferenz zwischen dem Inertgas und dem Halbleitersubstrat 8. Derart gibt es den Vor teil, daß es über das Halbleitersubstrat 8 nur eine kleine Tempe raturdispersion bzw. -verteilung gibt, das heißt, den Vorteil der verbesserten Gleichförmigkeit der Wärmeverteilung.

Außerdem ist bei der Halbleiterherstellungseinrichtung dieser bevorzugten Ausführungsform ein Weg, der das Inertgas von inner halb des Substrathalters 7 durch den Doppelkanal 40 zu der äußer sten kreisförmigen Oberfläche an der Bodenoberfläche der Stufe 10 leitet, durch die radialen Kanaldurchgänge 50 und den kreisförmi gen Kanaldurchgang 51, die in der oberen Oberfläche der Stufe 10 ausgebildet sind, implementiert. Derart gibt es den Vorteil, daß der Weg für das Inertgas leicht in dem Substrathalter 7 ausgebil det werden kann. Der weiteren erreicht, da aufgrund der radialen Kanaldurchgänge 50 das Inertgas in radialen Richtungen von dem Zentrum zu einer kreisförmigen Anordnung der Zuführlöcher 52 für das Inertgas zugeführt wird, das Inertgas gleichförmig jedes der Zuführlöcher 52 für Inertgas. Demzufolge kann die Gleichförmig keit der Menge des Inertgases, das durch den Inertgas-Spülspalt 32 entlang der Umfangsseite der Stufe 10 ausgestoßen wird, ver bessert werden.

Desweiteren, da die äußerste kreisförmige Oberfläche 31 gegenüber der Substrathalteoberfläche 11 um einiges eingerückt ist, um so eine Niveaudifferenz entlang des Umfangs der Bodenoberfläche der Stufe 10 zu schaffen, ist es sichergestellt, daß ein Spalt mit einer spezifizierten Weite bzw. Breite in dem gesamten Umfang zwischen der Bodenoberfläche der Stufe 10 und der Hauptbehand lungsoberfläche 12 (Rückseite) des Halbleitersubstrates 8 ausge bildet werden kann. In anderen Worten, ein Auslaßloch, aus wel chem das Inertgas ausgestoßen wird, erstreckt sich gesichert ent lang des gesamten Umfangs des Substrathalters 7 mit einer spezi fizierten Weite. Demzufolge wird die Gleichförmigkeit bzw. Gleichmäßigkeit der ausgestoßenen Menge des Inertgases über den gesamten Umfang der Stufe 10 weiter verbessert.

In der oberen Oberfläche der Stufe 10 ist entlang deren Umfang eine Kontaktfläche 17, die in Kontakt mit der Bodenoberfläche der Heizung 9 kommt, ausgebildet. Das Inertgas, das durch die radia len Kanaldurchgänge 50 und den kreisförmigen Kanaldurchgang 51 läuft, wird durch die Kontaktfläche 17 und die Bodenoberfläche der Heizung 9, die in Kontakt miteinander sind, daran gehindert, in die Reaktionskammer 6 zu lecken (auszutreten).

Ein weggeschnittener Abschnitt, der gewöhnlicherweise als "Orien tierungsfläche" bezeichnet wird, ist in einem Teil einer umfangs seitigen Seitenwand des Halbleitersubstrates 8 ausgebildet. Wie in den Fig. 2 und 3 gezeigt, ist in einem Teil der umfangssei tigen Seitenwand der Stufe 10 eine abgeschnittene flache Fläche ausgebildet, da der entsprechende Teil der Bodenoberfläche der Stufe 10 daran gehindert werden sollte, aufgrund der Orientie rungsfläche des Halbleitersubstrates unbedeckt und damit freige legt zu sein.

2. Zweite bevorzugte Ausführungsform

Fig. 6 ist eine perspektivische Ansicht, die einen rotierenden Abschnitt einer Herstellungseinrichtung einer zweiten bevorzugten Ausführungsform, gesehen unter einem Winkel aus einer niedrigeren Position, zeigt. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform ist ein ringförmiger Graben 65 entlang des gesamten Umfangs einer äußer sten kreisförmigen Oberfläche 31, die um einiges gegenüber einer Substrathalteoberfläche 11, mit der ein Halbleitersubstrat 8 in Kontakt kommt, eingerückt ist, ausgebildet. Der kreisförmige Gra ben 65 ist so nah wie möglich an einem äußersten ringförmigen Abschnitt 63 und so weit wie möglich von dem äußeren Umfang der äußersten kreisförmigen Oberfläche 31 angeordnet. In einer Boden oberfläche des kreisförmigen Grabens 65 sind Zuführlöcher 52 für Inertgas ausgebildet.

Fig. 7 ist eine Schnittansicht, die eine umfangsseitige Seiten wand eines Substrathalters 7 und deren Umgebung zeigt. Das Inert gas, das durch die Zuführlöcher 52 für Inertgas läuft, wird zu erst in den kreisförmigen Graben 65 ausgestoßen bzw. strömt dort hin aus, und danach strömt es aus dem kreisförmigen Graben 65 in einen Inertgas-Spülspalt 32. Desweiteren wird das Inertgas, das den Inertgas-Spülspalt 32 füllt, in eine Reaktionskammer 6 ausge stoßen. Da bei der Halbleiterherstellungseinrichtung dieser be vorzugten Ausführungsform ein Abschnitt, der als eine Art von Reservoir für in den Inertgas-Spülspalt 32 laufendes Inertgas dient, sich fortlaufend entlang des gesamten Umfangs erstreckt, wird die Menge des Inertgases, das zu dem Inertgas-Spülspalt 32 strömt, entlang des gesamten Umfangs des Substrathalters vergli chen mit der Halbleiterherstellungseinrichtung der ersten bevor zugten Ausführungsform noch gleichmäßiger gehalten. Als Folge wird die Gleichförmigkeit der Menge des Inertgases, das aus dem Inertgas-Spülspalt 32 entlang des gesamten Umfangs in die Reak tionskammer 6 ausgestoßen wird, weiter erhöht.

3. Dritte bevorzugte Ausführungsform

Fig. 8 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Stufe 10 einer Herstellungseinrichtung einer dritten bevorzugten Ausführungs form, gesehen unter einem Winkel aus einer oberen Position, zeigt. Ein kreisförmiger Graben 66 ist entlang des gesamten Um fanges einer Kontaktfläche 17, die in Kontakt mit einer Boden oberfläche eine Heizung 9 kommt, ausgebildet.

Fig. 9 ist eine vergrößerte frontale Schnittansicht, die eine umfangsseitige Seitenwand eines Substrathalters 7 und deren Umge bung zeigt. Eine ringförmige Metalldichtung 67 ist in dem kreis förmigen Graben 66 begraben bzw. eingebettet. Aufgrund der Dich tung 67 weist diese bevorzugte Ausführungsform verglichen mit den Halbleiterherstellungseinrichtungen der zuvor beschriebenen be vorzugten Ausführungsformen den Vorteil auf, daß das Inertgas, das durch die radialen Grabendurchgänge 50 und einen kreisförmi gen Grabendurchgang 51 läuft, kaum entlang der Kontaktfläche 17 in die Reaktionskammer 16 leckt bzw. austritt.

4. Vierte bevorzugte Ausführungsform

Fig. 10 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Stufe 10 ei ner Halbleiterherstellungseinrichtung einer vierten bevorzugten Ausführungsform, gesehen unter einem Winkel aus einer oberen Po sition, zeigt. Eine obere Oberfläche der Stufe 10 weist eine kon kave Fläche 68 in ihrem Zentralabschnitt auf, die, umgeben von einer Kontaktfläche 17, die sich entlang des Umfangs der Stufe 10 erstreckt, gegenüber der Kontaktfläche eingerückt bzw. zurückge setzt ist.

Fig. 11 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die eine umfangs seitige Seitenwand eines Substrathalters 7 und deren Umgebung zeigt. Ein Spalt zwischen der konkaven Fläche 68 und einer Boden oberfläche einer Heizung 9, der ausgebildet wird, wenn die Hei zung 9 und die Stufe 10 miteinander in Kontakt sind, führt zu einem Flüssigkeitskanal 43, der zwischen einer äußeren Röhre 41 und einer inneren Röhre 42 definiert ist, welcher ein Durchgang für die Zuführung von Inertgas, das durch einen Zuführer 24 für Inertgas zugeführt wird, ist. Zur Verhinderung einer Leckage des Inertgases in eine Reaktionskammer 6 durch Löcher 70, in welche Bolzen 69 eingefügt sind, um die Heizung 9 und die Stufe 10 fest zu verbinden, ist ein ringförmiger Metallkragen 71 an jedem Bol zen 69 beigefügt bzw. angebracht. Das Inertgas, das durch die Zuführlöcher 52 für Inertgas, die kreisförmig in der konkaven Fläche 68 vorgesehen sind, und weiter durch einen kreisförmigen Graben 65 läuft, strömt in einen Inertgas-Spülspalt 32.

Bei dieser bevorzugten Ausführungsform ist ein Durchgang des Inertgases zwischen der Bodenoberfläche der Heizung 9 und der oberen Oberfläche der Stufe 10 nicht ein Graben, wie in den vor herigen bevorzugten Ausführungsformen beschrieben, sondern ein konkaver Abschnitt, der einen spezifizierten Bereich bedeckt. Demzufolge gibt es den Vorteil, daß der Durchgang für das Inert gas leichter auszubilden ist.

5. Fünfte bevorzugte Ausführungsform

Fig. 12 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die eine umfangs seitige Seitenwand eines Substrathalters 7 und deren Umgebung bei einer Herstellungseinrichtung einer fünften bevorzugten Ausfüh rungsform zeigt. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform gibt es keinen Niveauunterschied in einer Bodenoberfläche der Stufe 10 außerhalb einer Vakuumtasche 13. Genauer gesagt ist eine äußerste kreisförmige Oberfläche 31, die gegenüber einer Substrathalte oberfläche 11 um einiges zurückgesetzt ist, außerhalb der Vakuum tasche 13 nicht vorgesehen. Derart weist eine Halbleiterherstel lungseinrichtung dieser bevorzugten Ausführungsform den Vorteil auf, daß ein Aufbau der Stufe 10 einfacher als bei der ersten bevorzugten Ausführungsform ist. Jedoch kann die verbesserte Gleichförmigkeit bei der Menge des Inertgases, das nach außen entlang des gesamten Umfangs der Stufe 10 ausgestoßen wird, wel che durch das Mittel des Niveauunterschiedes bzw. der Niveaudif ferenz erhalten wird, bei dieser bevorzugten Ausführungsform nicht erhalten werden.

6. Sechste bevorzugte Ausführungsform

Fig. 13 ist eine frontale Schnittansicht, die eine Halbleiter herstellungseinrichtung einer sechsten bevorzugten Ausführungs form zeigt. Bei dieser Einrichtung läuft Inertgas, das einem Inertgas-Spülspalt 32 zugeführt wird, durch einen Durchgang, der außerhalb eines Substrathalters 7 vorgesehen ist. Vergleichbar zu der Einrichtung der ersten bevorzugten Ausführungsform hält ein unteres Ende einer äußeren Leitung (Röhre) 41 fixiert eine Hei zung 9. Jedoch erreicht ein Flüssigkeitskanal 43, der einen Zu führdurchgang für das Inertgas bildet, eine obere Oberfläche der Stufe 10 nicht, sondern er endet auf halbem Weg. Anstelle dessen führt der Flüssigkeitskanal 43 zu einem Ende eines Inertgasrohres 45, das mit einer Seitenwand des äußeren Kanals 41 verbunden ist. Das andere Ende des Inertgasrohres 45 ist mit einem Ende eines Zurührloches 46 für Inertgas, das sich durch die Stufe 10 nahe zu deren umfangsseitiger Seitenwand erstreckt, verbunden. Das andere Ende des Zuführloches 46 für Inertgas erreicht und öffnet sich zu einer äußersten kreisförmigen Oberfläche 31, und daher strömt das Inertgas, das von dem Inertgasrohr 45 durch das Zuführloch 46 für Inertgas zugeführt wird, in einen Inertgas-Spülspalt 32.

Das Inertgas, das von einem Zuführer 24 für Inertgas zugeführt wird, läuft durch eine Temperatursteuerung 25, bevor es zu einem Lager 44 gelangt. Die Temperatursteuerung 25 stellt die Tempera tur des Inertgases ein. Bei der Einrichtung dieser bevorzugten Ausführungsform, da das Inertgas kaum durch das Innere des Sub strathalters 7 läuft, ist das Inertgas nicht notwendigerweise in der Temperatur gleich dem Substrathalter 7. Daher wird die Tempe ratur des Inertgases im voraus durch die Temperatursteuerung 25 eingestellt, so daß die Temperatur des Inertgases, wenn es ausge stoßen wird, gleich der Temperatur eines Halbsubstrates 8 ist.

Bei dieser bevorzugten Ausführungsform gibt es den Vorteil, daß ein Aufbau des Substrathalter 7 einfach ist, und daß er einfach herzustellen ist. Dieses bringt zum Beispiel den neuen Vorteil mit sich, daß die Vorrichtung dieser Ausführungsform durch Hinzu fügen neuer Komponenten wie des Inertgasrohres 45 und der Tempe ratursteuerung 25 ohne das Hinzufügen einer Menge von Modifika tionen zu dem Substrathalter 7 der herkömmlichen Einrichtung, bei dem kein Inertgas geleitet wird, verbessert werden kann. Jedoch, wenn der Substrathalter 7 neu herzustellen ist, ist zum Beispiel die Einrichtung der ersten bevorzugten Ausführungsform, welche keine zusätzlichen Komponenten wie das Inertgasrohr 45, die Tem peratursteuerung 25, etc. benötigt, vorteilhaft.

7. Siebte bevorzugte Ausführungsform

Fig. 14 ist eine frontale Schnittansicht, die eine Halbleiter herstellungseinrichtung einer siebten bevorzugten Ausführungsform zeigt. Bei der Einrichtung dieser Ausführungsform ist keine Tem peratursteuerung 25 ausgebildet. Das Inertgas, das von einem Zu führer 24 für Inertgas zugeführt wird, wird einem Flüssigkeits kanal 43 ohne Temperatureinstellung zugeführt, und daher kann die Einrichtung dieser bevorzugten Ausführungsform ein Anliegen der vorliegenden Erfindung bewirken, nämlich das Eindringen des Reak tionsnebenproduktes 34 in eine Bodenoberfläche der Stufe 10 durch Verwendung einer einfacheren Anordnung als bei der Einrichtung der sechsten bevorzugten Ausführungsform zu verhindern. Diese Ein richtung ist völlig wirksam bei einem Gebrauch, bei dem eine prä zise Gleichförmigkeit in der Temperatur eines Halbleitersubstra tes 8 nicht benötigt wird.

8. Achte bevorzugte Ausführungsform

Fig. 15 ist eine Frontschnittansicht, die eine Halbleiterher stellungseinrichtung einer achten bevorzugten Ausführungsform zeigt. Bei der Einrichtung dieser bevorzugten Ausführungsform wird ein Substrathalter 7 nicht gedreht. Derart wird ein Dreh tisch 3 für einen Reaktionsbehälter 1 nicht benötigt. Da der Sub strathalter 7 sich nicht dreht, ist ein Inertgasrohr 45 direkt mit einem Zuführer 24 für Inertgas ohne den Doppelkanal 40 und das Lager 44, wie sie in den vorherigen bevorzugten Ausführungs formen verwendet wurden, verbunden. Der Substrathalter 7 hängt von der Oberseite eines Reaktionsbehältergehäuses 2 allein über eine Vakuumleitung 5 herunter. Obwohl die Einrichtung dieser be vorzugten Ausführungsform, vergleichbar zu der Einrichtung der siebten bevorzugten Ausführungsform, eine Anordnung aufweist, die so entworfen ist, daß das Inertgas nicht durch das Innere des Halbleitersubstrathalters 7 läuft, kann es eine Anordnung aufwei sen, bei der das Inertgas durch das Innere des Substrathalters 7 vergleichbar zu den Einrichtungen der ersten bis sechsten bevor zugten Ausführungsform läuft.

Da der Substrathalter 7 nicht gedreht wird, weist die Einrichtung dieser bevorzugten Ausführungsform den Vorteil auf, daß ihre An ordnung verglichen mit denen der ersten bis siebten bevorzugten Ausführungsformen einfacher ist. Diese bevorzugte Ausführungsform ist voll wirksam bei einer Verwendung, bei der eine präzise Gleichförmigkeit in dem Film auf einer Hauptbehandlungsoberfläche eines Halbleitersubstrates 8 durch chemische Reaktionen nicht benötigt wird.

9. Neunte bevorzugte Ausführungsform

Inertgas, das von dem Zuführer 24 für Inertgas zugeführt wird, wird so zugeführt, daß es entlang des Umfangs an der Bodenober fläche der Stufe 10 in Richtung der Reaktionskammer 6 ausgestoßen wird, in der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform. So wie eine größere Menge von Inertgas zugeführt wird, wird das Ein dringen des Reaktionsnebenproduktes 34 in die Bodenoberfläche der Stufe 10 effektiver verhindert. Jedoch, falls dieses bis zu einem Ausmaß geschieht, daß das Inertgas mindestens aus dem Umfang an dem Boden der Stufe 10 fließt, gibt es immer noch den Effekt der Verhinderung des Eindringens des Reaktionsnebenproduktes 34. Der art kann die Menge des benötigten Inertgases diejenige sein, wel ches das Inertgas mindestens zum Fließen entlang des Umfangs an dem Boden der Stufe 10 veranlaßt.

10. Anwendung auf andere Einrichtungen

Bei den obigen bevorzugten Ausführungsformen wurde eine Atmosphä rendruck-CVD-Einrichtung des Vorderseite-nach-unten-Typs als ein Beispiel beschrieben. Es ist nicht beabsichtigt, die vorliegende Erfindung auf diesen Typ von Einrichtungen beschränkt ist. Selbst bei einer Atmosphärendruck-CVD-Einrichtung des Vorderseite-nach- oben-Typs zum Beispiel, können die Ausführungsformen der Erfin dung vollständig genauso ausgeführt werden. Auch bei einer CVD- Einrichtung mit reduziertem Druck können die Ausführungsformen genauso gemacht werden. Zusätzlich können die Ausführungsformen mit einer PVD-Einrichtung oder entsprechend anderer Substratbe handlungstechnologien ausgebildet werden.

Dementsprechend strömt gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfin dung Inertgas aus einem Inertgas-Spülloch, das in einem Bereich, der einen umfangsseitigen Bereich einer Tasche umgibt, vorgesehen ist, und die Strömung des Inertgases verhindert effektiv das Ein dringen von unerwünschten Objekten zwischen eine Hauptbehand lungsoberfläche und einer Substrathalteoberfläche. Als Folge kann das Eindringen unerwünschte Objekte in andere Komponenten wie eine Druckreduzierungseinrichtung auch verhindert werden. Auf diese Art kann eine Reduzierung der Saugkraft zum Halten eines Halbleitersubstrates vermieden werden, was die Betriebseffizienz der Einrichtung erhöht und die Produktionsausbeute der Einrich tung ebenfalls erhöht.

Nach einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung, da Inertgas in einen Spalt zwischen einer Oberfläche einer Substrathalteein richtung, die teilweise gegenüber einer Substrathalteoberfläche zurückgesetzt ist, und eine Hauptbehandlungsoberfläche eines Halbleitersubstrates fließt, ist jedweder Teil, der eine Tasche umgibt, vollständig und gleichförmig mit dem Fluß des Inertgases gefüllt. Auf diese Art wird das Eindringen unerwünschter Objekte zwischen die Hauptbehandlungsoberfläche und die Substrathalte oberfläche noch effektiver verhindert.

Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung, da Inert gas in einen Graben fließt, der, eine Tasche umgebend, mit einer Niveaudifferenz oder einem Zurückversatz gegenüber einer Sub strathalteoberfläche ausgebildet ist, jedweder Teil, der die Ta sche umgibt, vollständig gleichförmig mit dem Fluß des Inertgases gefüllt. Auf diese Art kann das Eindringen unerwünschter Objekte zwischen einer Hauptbehandlungsoberfläche und die Substrathalte oberfläche noch effektiver verhindert werden.

Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung, da die Einrichtung so entworfen ist, daß sie eine Temperaturdifferenz zwischen Inertgas und einem Halbleitersubstrat zum Erhöhen der Gleichförmigkeit bzw. der Gleichverteilung der Wärme über das Halbleitersubstrat klein hält, kann die Qualität der resultieren den Produkte verbessert werden, und die Produktionsausbeute wird weiter erhöht.

Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung, da Inert gas sicher durch das Durchlaufen durch eine Flüssigkeitsdurchgang zwischen einer Heizeinrichtung und einer Substrathalteeinrichtung erwärmt wird, kann die Qualität der resultierenden Produkte ver bessert werden, und die Ausbeute wird weiter erhöht.

Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung, da ein Durchgang zwischen Kontaktflächen zum Zuführen von Inertgas durch einen konkaven Abschnitt, der in einem gewissen Bereich von min destens einer der Kontaktoberflächen eine Substrathaltevorrich tung und eine Heizvorrichtung ausgebildet ist, kann der Vorgang des Ausbildens der Herstellungseinrichtung leicht gemacht werden, und der Durchgang für das Inertgas kann auf einfachem Weg herge stellt werden.

Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung, da ein Durchgang zwischen Kontaktflächen zum Zuführen von Inertgas durch einen Graben definiert wird, der mindestens in einer der Kontakt flächen ausgebildet ist, kann der Vorgang des Ausbildens der Halbleitereinrichtung leicht gemacht werden, und der Durchgang für das Inertgas kann auf einfache Art hergestellt werden.

Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung, da eine Dichtungseinrichtung einen Durchgang zwischen Kontaktoberflächen zum Zuführen von Inertgas umgebend ausgebildet ist, wird das Inertgas, das durch den Durchgang läuft, am Lecken bzw. Austreten in eine Reaktionskammer gehindert werden.

Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung, da eine umfangsseitige Seitenwand einer Substrathalteoberfläche einiges innerhalb einer umfangsseitigen Seitenwand eines Halbleitersub strates endet, ist die gesamte Substrathalteoberfläche mit dem Halbleitersubstrat bedeckt, und sie wird niemals freigelegt. Auf diese Art kann die Kontamination der Substrathalteoberfläche durch unerwünschte Objekte wie zum Beispiel Reaktionsnebenproduk te noch effektiver verhindert werden.

Entsprechend einem Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, da Inert gas aus den Inertgas-Spüllöchern, die in einem Bereich, der eine Tasche umgibt, vorgesehen sind, strömt, kann die Strömung des Inertgases effektiv das Eindringen unerwünschter Objekte zwischen eine Hauptbehandlungsoberfläche und eine Substrathalteoberfläche verhindern. Als Folge kann das Eindringen unerwünschter Objekte in andere Komponenten wie die Tasche und eine Druckreduzierungs einrichtung auch verhindert werden. Auf diese Art wird die Redu zierung einer Saugkraft zum Halten eines Halbleitersubstrates vermieden, und die Betriebseffizienz der Einrichtung wird erhöht, und die Ausbeute kann ebenso erhöht werden.

Desweiteren, da Inertgas erwärmt wird, bevor es durch ein Inert gas-Spülloch strömt, wird die Temperaturdifferenz zwischen dem Inertgas und einem Halbleitersubstrat klein gehalten, so daß die Gleichförmigkeit bzw. Gleichverteilung der Wärme über das Halb leitersubstrat erhöht wird. Auf diese Art kann die Qualität der Behandlung des Halbleitersubstrates ausgezeichnet werden, und die Ausbeute wird weiter erhöht.

Desweiteren, durch Erwärmen einer Substrathalteeinrichtung, wird Inertgas, welches durch einen Zuführdurchgang für Inertgas läuft, der in der Substrathalteeinrichtung vorgesehen ist, erwärmt. Der art wird, da es nicht notwendig ist, die Substratbehandlungsein richtung und das Inertgas separat zu erwärmen, die Gleichförmig keit der Wärme über das Halbleitersubstrat mit einer einfachen Anordnung effektiv verbessert.

Claims

1. Einrichtung zum Herstellen eines Halbleiters, in der eine vorbestimmte Behandlung an eine Hauptbehandlungsoberfläche eines Halbleitersubstrates durch Zuführen von Reaktionsgas ausgeführt wird, mit:

(a) einem Reaktionsbehälter (1), der eine Reaktionskammer (6) aufweist, der zum Aufnehmen des Halbleitersubstrates (8) in der Lage ist, und der weiter in Einlaßloch für Reaktionsgas, welches sich in Richtung der Reaktionskammer (6) zum Zuführen des Reak tionsgases in die Reaktionskammer öffnet, und ein Evakuierungs loch (18), das sich in Richtung der Reaktionskammer zum Evakuie ren von Gas, das zur Reaktion verwendet wird, aus der Reaktions kammer öffnet, aufweist;
(b) einer Substrathalteeinrichtung (7), die in dem Reaktionsbe hälter (1) fixiert ist, die eine Substrathalteoberfläche (11) zum Halten des Halbleitersubstrates (8) in der Reaktionskammer (6) durch Inkontaktkommen mit einer gegenüber der Hauptbehandlungs oberfläche (14) rückseitigen Hauptoberfläche (12) des Halbleiter substrates (8), eine Tasche (13), die durch die Substrathalte oberfläche (11) umgeben ist, zum Halten des Halbleitersubstrates (8) durch eine Saugkraft und außerdem ein Inertgas-Spülloch (32) in einem Bereich, der die Tasche (13) umgibt, zum Ausströmen las sendes Inertgases aufweist;
(c) einem Zuführmittel (21, 19, 16) für Reaktionsgas, das zu dem Einlaßloch für Reaktionsgas führt, zum Zuführen des Reaktionsga ses zu dem Einlaßloch für Reaktionsgas;
(d) einem Mittel (15, 40, 41, 42) zum Reduzieren des Drucks, das zu der Tasche (13) führt, zum Reduzieren des Drucks in der Ta sche;
(e) einem Zuführmittel (24, 40, 41, 42, 50, 51, 52) für Inertgas, das zu dem Inertgas-Spülloch (32) führt, zum Zuführen des Inert gases zu dem Inertgas-Spülloch.

2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Inertgas-Spülloch eine Mehrzahl von Inertgas-Spüllöchern aufweist.

3. Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Reaktionsbehälter (1)

(a-1) ein Reaktionsbehältergehäuse (2); und
(a-2) einen Drehtisch (3), der drehbar an dem Reaktionsbehälter gehäuse (2) befestigt ist, aufweist und

daß die Substrathalteeinrichtung (7) fixiert mit dem Drehtisch (3) gekoppelt ist, so daß sie zusammen mit dem Drehtisch (3) als ein gemeinsamer Körper drehbar ist.

4. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Substrathalteoberfläche (11) senkrecht zu einer Rota tionsachse des Drehtisches (3) ist.

5. Einrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Reaktionsbehältergehäuse (2)
(a-1-1) eine Zuführplatte (16) für Reaktionsgas, die der Sub strathalteoberfläche (11) gegenüberliegend montiert ist, auf weist, und
daß das Einlaßloch für Reaktionsgas durch die Zuführplatte (16) für Reaktionsgas dringt und sich in Richtung der Substrathalte oberfläche (11) öffnet.

6. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch ge kennzeichnet,
daß eine Oberfläche (31) unterschiedlichen Niveaus in einem Be reich ausgebildet ist, der die Tasche (13) der Substrathalteein richtung (7) umgibt, die gegenüber der Substrathalteoberfläche (11) so zurückgesetzt ist, daß ein Abschnitt der Substrathalte oberfläche (11), der die Tasche (13) umgibt, verbleibt, und
daß das Inertgas-Spülloch (32) in der Oberfläche (31) unter schiedlichen Niveaus ausgebildet ist.

7. Einrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Graben, der die Tasche (13) umgibt, in der Oberfläche (31) unterschiedlichen Niveaus ausgebildet ist, und
daß das Inertgas-Spülloch (32) in dem Graben (65) ausgebildet ist.

8. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet durch (f) eine Heizungseinrichtung (9), die fest mit der Substrathalte einrichtung (7) gekoppelt ist, zum Heizen der Substrathalteein richtung (7), wobei die Substrathalteeinrichtung (7) in sich einen ersten Inertgas-Strömungsdurchgang (52) zum Verbinden der Zuführeinrich tung (15, 40, 41, 42) für Inertgas und des Inertgas-Spülloches (32) definiert.

9. Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die Substrathalteeinrichtung (7) und die Heizungseinrichtung (9) entsprechende Kontaktflächen definieren und miteinander über die Kontaktflächen in Kontakt sind, und
daß ein zweiter Inertgas-Strömungsdurchgang (50, 51), der zu dem ersten Inertgas-Strömungsdurchgang (52) zum Verbinden des Zuführ mittels (15, 40, 41, 42) für Inertgas und des Inertgas-Spülloches (32) führt, zwischen den Kontaktflächen vorgesehen ist.

10. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch ge kennzeichnet, daß der Reaktionsbehälter (1)

(a-1) ein Reaktionsbehältergehäuse (2); und
(a-2) einen Drehtisch (3), der drehbar mit dem Reaktionsbehälter gehäuse (2) verbunden ist, aufweist,

wobei die Einrichtung zur Herstellung eines Halbleiters weiter (g) eine erste Leitung (40, 41), die entlang der Rotationsachse des Drehtisches (3) vorgesehen ist, zum festen Verbinden des Drehtisches (3) und der Heizeinrichtung (9); und (h) eine zweite Leitung (40, 42) aufweist, die in die erste Lei tung (40, 41) so eingeführt ist, daß die erste und die zweite Leitung (41, 42) gegeneinander frei und koaxial miteinander sind,
und daß ein Ende der zweiten Leitung (42) fest mit der Substrat halteeinrichtung (7) verbunden ist und zur Tasche (13) führt und
daß das andere Ende zu dem Mittel (15) zur Druckreduzierung führt, und daß der zweite Inertgas-Strömungsdurchgang (50, 51) und das Zuführmittel (24) für Inertgas durch einen Freiraum zwi schen der ersten Leitung (41) und der zweiten Leitung (42) ver bunden sind.

11. Einrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Inertgas-Strömungsdurchgang eine konkaven Ab schnitt (68) aufweist, der in einem vorbestimmten Bereich von mindestens einer der entsprechenden Kontaktflächen ausgebildet ist.

12. Einrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch ge kennzeichnet, daß der zweite Inertgas-Strömungsdurchgang ein Graben (52) ist, der in mindestens einer der entsprechenden Kontaktflächen ausge bildet ist.

13. Einrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 12, gekennzeich net durch ein Dichtungsmittel (67), das in einem Bereich (66) vorgesehen ist, der den zweiten Inertgas-Strömungsdurchgang (50, 51) umgibt, zum Halten des luftdichten Zustandes in den zweiten Inertgasströmungsdurchgang.

14. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch ge kennzeichnet, daß eine umfangsseitige Seitenwand der Substrathalteoberfläche (11) gegenüber einer umfangsseitigen Seitenwand des Halbleiter substrates (8) zurücksteht.

15. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiters, bei dem eine vorbestimmte Behandlung auf eine Hauptbehandlungsoberfläche eines Halbleitersubstrates (8) durch Zuführen von Reaktionsgas ausge führt wird, mit den Schritten:

(a) Ausbilden einer Reaktionskammer (6), die in der Lage ist, das Halbleitersubstrat (8) aufzunehmen;
(b) Ausbilden einer Substrathalteoberfläche (11), die innerhalb der Reaktionskammer (6) angeordnet ist und die in der Lage ist, in Kontakt mit dem Halbleitersubstrat (8) zu kommen, einer Tasche (13), die durch die Substrathalteoberfläche (11) umgeben ist, und eines Loches (32) in einem Bereich, der die Tasche (13) umgibt;
(c) Reduzieren des Druckes in der Tasche (13) zum Halten des Halbleitersubstrates (8) in der Reaktionskammer (6), während eine gegenüber einer Hauptbehandlungsoberfläche (14) des Halbleiter substrates (8) rückseitige Hauptoberfläche (12) in Kontakt mit der Substrathalteoberfläche (11) ist;
(d) Zuführen des Reaktionsgases in die Reaktionskammer (6), wäh rend Schritt (c) ausgeführt wird;
(e) Evakuieren des Gases, das zur Reaktion verwendet wird, aus der Reaktionskammer (6), während Schritt (c) ausgeführt wird; und
(f) Ausströmen lassen von Inertgas durch das Loch (32), während des Ausführens von Schritt (c).

16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß Schritt (f) (f-1) das Erwärmen des Inertgases vor dem nach außen Strömenlas sen durch das Loch (32) aufweist.

17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß Schritt (f-1)

(f-1-1) das Durchlaufen lassen des Inertgases durch die Substrat halteeinrichtung (7); und
(f-1-2) das Erwärmen der Substrathalteeinrichtung (7), um dadurch das Inertgas zu erwärmen, aufweist.

18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch ge kennzeichnet, daß Schritt (d) (d-1) das Strömen des Reaktionsgases in Richtung der Hauptbehand lungsoberfläche (14) des Halbleitersubstrates (8), welches durch die Substrathalteeinrichtung (7) gehalten wird, aufweist.