JPH0425015A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH0425015A JPH0425015A JP12617890A JP12617890A JPH0425015A JP H0425015 A JPH0425015 A JP H0425015A JP 12617890 A JP12617890 A JP 12617890A JP 12617890 A JP12617890 A JP 12617890A JP H0425015 A JPH0425015 A JP H0425015A
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- film
- exhaust port
- plasma
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- reaction
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
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- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 12
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- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 14
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- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 7
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はプラズマＣＶＤ装置に関する。
従来のプラズマＣＶＤ装置は第３図に示すように、基板
保持台２に半導体基板１をセットし、半導体基板１上に
膜を生成した後半導体基板１を取り出し、代わりにダミ
ー１を設置してプラズマエツチング用の電極板３の反応
ガス吹出口より反応カス導入管４から導入したエツチン
グ用反応カスを膜生成部へ散布し、電極板３へ高周波電
源９より高周波を印加してプラズマを発生させ、膜生成
部に付着した反応生成物をエツチングして除去するよう
に構成されていた。
保持台２に半導体基板１をセットし、半導体基板１上に
膜を生成した後半導体基板１を取り出し、代わりにダミ
ー１を設置してプラズマエツチング用の電極板３の反応
ガス吹出口より反応カス導入管４から導入したエツチン
グ用反応カスを膜生成部へ散布し、電極板３へ高周波電
源９より高周波を印加してプラズマを発生させ、膜生成
部に付着した反応生成物をエツチングして除去するよう
に構成されていた。
従来のプラズマＣＶＤ装置は、半導体基板上に膜を生成
させた後膜生成反応部のみをプラズマエツチングするよ
うに構成されているために、排気口８側に付着した反応
生成物は除去されることはなかった。このため、半導体
基板上に膜を生成する時、膜生成反応部に排気口８側に
堆積した反応生成物が回り込み、半導体基板上に生成中
の膜に付着し、歩留り低下の大きな原因となる欠点かあ
る。排気口側に付着した反応生成物を除去する為には、
プラズマＣＶＤ装置を完全に停止させ、膜生成反応部及
び排気口側を分解し清掃する必要があり、装置の安定稼
働に大きな支障をきたすという欠点がある。
させた後膜生成反応部のみをプラズマエツチングするよ
うに構成されているために、排気口８側に付着した反応
生成物は除去されることはなかった。このため、半導体
基板上に膜を生成する時、膜生成反応部に排気口８側に
堆積した反応生成物が回り込み、半導体基板上に生成中
の膜に付着し、歩留り低下の大きな原因となる欠点かあ
る。排気口側に付着した反応生成物を除去する為には、
プラズマＣＶＤ装置を完全に停止させ、膜生成反応部及
び排気口側を分解し清掃する必要があり、装置の安定稼
働に大きな支障をきたすという欠点がある。
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、減圧状態で加熱された
半導体基板上に反応カスを散布し、プラズマを発生させ
て半導体基板上に膜を生成するプラズマＣＶＤ装置にお
いて、排気口側に付着する反応生成物を除去するための
プラズマエツチング手段を設けたものである。
半導体基板上に反応カスを散布し、プラズマを発生させ
て半導体基板上に膜を生成するプラズマＣＶＤ装置にお
いて、排気口側に付着する反応生成物を除去するための
プラズマエツチング手段を設けたものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
チャンバ−７の内部には、半導体基板加熱用のヒーター
６、その下部には、基板保持台２が設けられており、こ
の基板保持台２には表面を下向きにして半導体基板１が
セラ１〜される。そしてその下部に反応カス導入管４を
はさむ形で反応ガス吹出口をもつ、膜生成及びプラズマ
エツチング用の電極板３及び反応ガス吹出口をもつ排気
ロ側プラスマエッヂンク用の電極板５と、高周波電源９
が膜生成・エツチング切換えスイッチ１０を介して設置
されている。
６、その下部には、基板保持台２が設けられており、こ
の基板保持台２には表面を下向きにして半導体基板１が
セラ１〜される。そしてその下部に反応カス導入管４を
はさむ形で反応ガス吹出口をもつ、膜生成及びプラズマ
エツチング用の電極板３及び反応ガス吹出口をもつ排気
ロ側プラスマエッヂンク用の電極板５と、高周波電源９
が膜生成・エツチング切換えスイッチ１０を介して設置
されている。
次にこのように構成された第１の実施例の動作について
説明する。
説明する。
基板保持台２に保持された半導体基板１の表面に膜生成
用の電極板３の反応ガス吹出口より反応カス導入管４か
ら導入した反応カスを散布し膜生成・エツチング切換え
スイッチ］０を膜生成スイッチ受け１０ ａ側につなき
高周波電源９より高周波を印加し、プラズマを発生させ
膜を生成し排気口８から未反応ガスを排気する。膜生成
終了後、半導体基板１を取り出し、代りにダミー１を設
置し膜生成部及び排気口側に付着した反応生成物を除去
する為に反応カス導入管４から導入したプラズマエツチ
ング用反応ガスをプラズマエツチング用の電極板３，５
の反応カス吹出口より膜生成部排気口側へ散布し、膜生
成・エツチング切り換えスイッチ１０をエツチンク時ス
イッチ受］、 Ｏｂ側につなき、高周波電源９より高周
波を印加し、プラズマを発生させ膜生成部及び排気口側
に付着した反応生成物をエツチングする。
用の電極板３の反応ガス吹出口より反応カス導入管４か
ら導入した反応カスを散布し膜生成・エツチング切換え
スイッチ］０を膜生成スイッチ受け１０ ａ側につなき
高周波電源９より高周波を印加し、プラズマを発生させ
膜を生成し排気口８から未反応ガスを排気する。膜生成
終了後、半導体基板１を取り出し、代りにダミー１を設
置し膜生成部及び排気口側に付着した反応生成物を除去
する為に反応カス導入管４から導入したプラズマエツチ
ング用反応ガスをプラズマエツチング用の電極板３，５
の反応カス吹出口より膜生成部排気口側へ散布し、膜生
成・エツチング切り換えスイッチ１０をエツチンク時ス
イッチ受］、 Ｏｂ側につなき、高周波電源９より高周
波を印加し、プラズマを発生させ膜生成部及び排気口側
に付着した反応生成物をエツチングする。
このように第１の実施例によれは、膜生成部排気口側に
付着した反応生成物を容易に除去することができる。
付着した反応生成物を容易に除去することができる。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図であり、高周波
電源を２個設けたものである。
電源を２個設けたものである。
この第２の実施例は第１の実施例と同様、半導体基板１
の表面に膜生成用の電極板３の反応ガス吹出口より反応
ガスを散布し、電極板３へ高周波電源９を用いて高周波
を印加してプラズマを発生させ、膜を生成し、排気口８
から未反応ガスを排気する。次いで膜生成終了後、膜生
成部及び排気口側に付着した反応生成物を除去する為に
反応ガス導入管４から導入したエツチング用反応ガスを
プラズマエツチング用の電極板３．５の反応ガス吹出口
より膜生成部と排気口側へ散布し、電極板３には高周波
電源９を、電極板５には高周波電源９Ａを接続してプラ
ズマを発生させ、膜生成部及び排気口側に付着した反応
生成物をエツチングする。
の表面に膜生成用の電極板３の反応ガス吹出口より反応
ガスを散布し、電極板３へ高周波電源９を用いて高周波
を印加してプラズマを発生させ、膜を生成し、排気口８
から未反応ガスを排気する。次いで膜生成終了後、膜生
成部及び排気口側に付着した反応生成物を除去する為に
反応ガス導入管４から導入したエツチング用反応ガスを
プラズマエツチング用の電極板３．５の反応ガス吹出口
より膜生成部と排気口側へ散布し、電極板３には高周波
電源９を、電極板５には高周波電源９Ａを接続してプラ
ズマを発生させ、膜生成部及び排気口側に付着した反応
生成物をエツチングする。
このように第２の実施例ては、膜生成部と排気口側の高
周波電源が独立している為、それぞれ最適な条件で付着
した反応生成物をエツチングできるという利点を有する
。
周波電源が独立している為、それぞれ最適な条件で付着
した反応生成物をエツチングできるという利点を有する
。
以−Ｅ説明した様に本発明は、プラズマＣＶＤ装置に半
導体基板上に膜を生成した後、排気口側に付着した反応
生成物を除去するためのプラズマエツチング手段を設け
ることにより、排気口側の反応生成物を容易に除去する
ことができるため、歩留りを向上させ、かつ装置を安定
に稼働できるという効果がある。
導体基板上に膜を生成した後、排気口側に付着した反応
生成物を除去するためのプラズマエツチング手段を設け
ることにより、排気口側の反応生成物を容易に除去する
ことができるため、歩留りを向上させ、かつ装置を安定
に稼働できるという効果がある。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の断
面図、第３図は従来例の断面図である。 １・・・半導体基板（又はタミー）、２・・・半導体保
持台、３・・電極板、４・・・反応カス導入管、５・・
・電極板、６・・・ヒーター、７・・・チャンバー、８
・・・排気「］、 ９Ａ・・・高周波電源、 ０・・・切換えスイ チ。
面図、第３図は従来例の断面図である。 １・・・半導体基板（又はタミー）、２・・・半導体保
持台、３・・電極板、４・・・反応カス導入管、５・・
・電極板、６・・・ヒーター、７・・・チャンバー、８
・・・排気「］、 ９Ａ・・・高周波電源、 ０・・・切換えスイ チ。
Claims (1)
- 減圧状態で加熱された半導体基板上に反応ガスを散布
し、プラズマを発生させて半導体基板上に膜を生成する
プラズマＣＶＤ装置において、排気口側に付着する反応
生成物を除去するためのプラズマエッチング手段を設け
たことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12617890A JPH0425015A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12617890A JPH0425015A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0425015A true JPH0425015A (ja) | 1992-01-28 |
Family
ID=14928617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12617890A Pending JPH0425015A (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0425015A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5445677A (en) * | 1993-05-21 | 1995-08-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for manufacturing semiconductor and method of manufacturing semiconductor |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP12617890A patent/JPH0425015A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5445677A (en) * | 1993-05-21 | 1995-08-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for manufacturing semiconductor and method of manufacturing semiconductor |
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