JP2981749B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JP2981749B2 JP2981749B2 JP1136865A JP13686589A JP2981749B2 JP 2981749 B2 JP2981749 B2 JP 2981749B2 JP 1136865 A JP1136865 A JP 1136865A JP 13686589 A JP13686589 A JP 13686589A JP 2981749 B2 JP2981749 B2 JP 2981749B2
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- baffle plate
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、エッチング処理や薄膜形成処理を施す場合
に使用されるプラズマ処理装置に関する。
に使用されるプラズマ処理装置に関する。
（従来の技術） 従来、この種のプラズマ処理装置として、例えば第１
図示のエッチング装置のように、真空室ａの周壁ｂを該
真空室ａ内に台状に突出させて基板電極ｃが設けられる
台部ｄを形成し、該台部ｄの周囲の周壁ｂに形成される
凹部ｅへ真空排気口ｆを接続するようにしたものが知ら
れている。これに於て、該真空室ａ内には基板電極ｃ上
に載せた基板ｇと対向して平板状の対向電極ｈが設けら
れ、バルブｎを介してエッチングガス導入管ｉから導入
されるエッチングガスが該対向電極ｈに形成した小孔か
らシャワー状に吹き出すように構成される。また、該真
空室ａの対向電極ｈ側の外部には、磁界発生ユニットｊ
が設けられ、基板電極ｃは、マッチングコントローラｋ
を介して高周波電源ｌからの高周波を印加出来るよう
に、スペーサーシールドｍを介して台部ｄに取付けられ
る。
図示のエッチング装置のように、真空室ａの周壁ｂを該
真空室ａ内に台状に突出させて基板電極ｃが設けられる
台部ｄを形成し、該台部ｄの周囲の周壁ｂに形成される
凹部ｅへ真空排気口ｆを接続するようにしたものが知ら
れている。これに於て、該真空室ａ内には基板電極ｃ上
に載せた基板ｇと対向して平板状の対向電極ｈが設けら
れ、バルブｎを介してエッチングガス導入管ｉから導入
されるエッチングガスが該対向電極ｈに形成した小孔か
らシャワー状に吹き出すように構成される。また、該真
空室ａの対向電極ｈ側の外部には、磁界発生ユニットｊ
が設けられ、基板電極ｃは、マッチングコントローラｋ
を介して高周波電源ｌからの高周波を印加出来るよう
に、スペーサーシールドｍを介して台部ｄに取付けられ
る。
エッチング処理を行なう場合、まず基板ｇを基板電極
ｃ上に搬送し、ガス導入管ｉからエッチングガスを真空
室ａ内に導入したのち磁界発生ユニットｊにより対向電
極ｈの周囲に磁界を発生させ、高周波電源ｌから基板電
極ｃに高周波を印加する。エッチングガスは高周波パワ
ーにより基板電極ｃと対向電極ｈとの間でプラズマ状態
となって活性化され、更に磁界発生ユニットｊの磁界に
より該プラズマが10-3Torr台の圧力下でも高密度化され
る。該プラズマ中で発生したイオン、ラジカルにより、
基板ｇが高速でエッチングされ、その時発生するエッチ
ング生成物等は排気ガスとして排気口ｆから排気され
る。
ｃ上に搬送し、ガス導入管ｉからエッチングガスを真空
室ａ内に導入したのち磁界発生ユニットｊにより対向電
極ｈの周囲に磁界を発生させ、高周波電源ｌから基板電
極ｃに高周波を印加する。エッチングガスは高周波パワ
ーにより基板電極ｃと対向電極ｈとの間でプラズマ状態
となって活性化され、更に磁界発生ユニットｊの磁界に
より該プラズマが10-3Torr台の圧力下でも高密度化され
る。該プラズマ中で発生したイオン、ラジカルにより、
基板ｇが高速でエッチングされ、その時発生するエッチ
ング生成物等は排気ガスとして排気口ｆから排気され
る。
（発明が解決しようとする課題） 近時は、高精度でしかも基板へのダメージを少なくエ
ッチングすることの要求があり、また大口径化する傾向
にある基板に均一性の良いエッチングを行なう要求があ
る。更に、基板の処理能力を高めるためにエッチングを
高速化し、基板を次々と交換し乍ら枚葉式に処理するこ
との要望もある。
ッチングすることの要求があり、また大口径化する傾向
にある基板に均一性の良いエッチングを行なう要求があ
る。更に、基板の処理能力を高めるためにエッチングを
高速化し、基板を次々と交換し乍ら枚葉式に処理するこ
との要望もある。
しかし乍ら、第１図示の装置では、基板のエッチング
量は、排気口ｆに近い個所程大きくなる傾向にあり、換
言すればアンバランスなエッチングが行なわれ、この傾
向はエッチング条件を変えても改善されることはなかっ
た。
量は、排気口ｆに近い個所程大きくなる傾向にあり、換
言すればアンバランスなエッチングが行なわれ、この傾
向はエッチング条件を変えても改善されることはなかっ
た。
また、第１図示の装置でエッチングガスに代えて原料
ガスを導入するようにし、基板を加熱し乍らその表面に
成膜を施した場合、排気口に近い個所の基板面に形成さ
れる膜厚が厚くなる傾向があり、膜厚の均一性が得られ
ない不都合があった。
ガスを導入するようにし、基板を加熱し乍らその表面に
成膜を施した場合、排気口に近い個所の基板面に形成さ
れる膜厚が厚くなる傾向があり、膜厚の均一性が得られ
ない不都合があった。
本発明は、基板に対するエッチング或は成膜の均一性
が向上するプラズマ処理装置を提供することを目的とす
るものである。
が向上するプラズマ処理装置を提供することを目的とす
るものである。
（課題を解決するための手段） 本発明では、真空室の周壁を該真空室内に台状に突出
させて基板電極が設けられる台部を形成し、該台部の周
囲の周壁に形成される凹部に真空排気口を接続し、該真
空室内に該基板電極と対向する平板状の対向電極を設け
て両電極間に発生するプラズマにより該基板電極上に載
置された基板を処理するようにしたものに於て、該台部
の周囲の凹部内に、該凹部の深さ方向下方に延びる庇部
を備えた環状の上部の邪魔板と、該凹部の深さ方向上方
に延びる庇部を備えた環状の下部の邪魔板とからなる邪
魔板を設け、該凹部内から該邪魔板の開口部を介して前
記真空排気口へと連通する制御通路を構成することによ
り、前記目的を達成するようにした。
させて基板電極が設けられる台部を形成し、該台部の周
囲の周壁に形成される凹部に真空排気口を接続し、該真
空室内に該基板電極と対向する平板状の対向電極を設け
て両電極間に発生するプラズマにより該基板電極上に載
置された基板を処理するようにしたものに於て、該台部
の周囲の凹部内に、該凹部の深さ方向下方に延びる庇部
を備えた環状の上部の邪魔板と、該凹部の深さ方向上方
に延びる庇部を備えた環状の下部の邪魔板とからなる邪
魔板を設け、該凹部内から該邪魔板の開口部を介して前
記真空排気口へと連通する制御通路を構成することによ
り、前記目的を達成するようにした。
（作 用） 真空室内の台部に設けた基板電極上に基板を載せ、該
基板エッチングを施す場合、真空室内を例えば10-3Torr
の圧力に制御し乍らエッチングガスを流し、磁界発生ユ
ニットの磁界を作用させ乍ら基板電極と対向電極との間
にプラズマを発生させる。これにより、プラズマ中のイ
オン、ラジカルが基板へ衝突し、エッチングが施され、
その時発生するエッチング生成物は真空排気口から排出
される。
基板エッチングを施す場合、真空室内を例えば10-3Torr
の圧力に制御し乍らエッチングガスを流し、磁界発生ユ
ニットの磁界を作用させ乍ら基板電極と対向電極との間
にプラズマを発生させる。これにより、プラズマ中のイ
オン、ラジカルが基板へ衝突し、エッチングが施され、
その時発生するエッチング生成物は真空排気口から排出
される。
エッチングガスは基板面からその側方の凹部へと流
れ、該凹部に接続された真空排気口から排出されるが、
該凹部内には開口面積が可変の開口部を備えた環状の邪
魔板が設けられているので、エッチングガスを基板面の
側方へほぼ均一に流すように制御することが出来、基板
のエッチングを均一に進行させることが出来る。
れ、該凹部に接続された真空排気口から排出されるが、
該凹部内には開口面積が可変の開口部を備えた環状の邪
魔板が設けられているので、エッチングガスを基板面の
側方へほぼ均一に流すように制御することが出来、基板
のエッチングを均一に進行させることが出来る。
（実施例） 本発明の実施例を図面第２図及び第３図に基づき説明
すると、これらの図面に於て符号（１）は真空室、
（２）は該真空室（１）の内部へその周壁（1a）を台状
に突出させて形成した台部、（３）は該台部（２）に環
状のスペーサーシールド（４）を介して取付けた基板電
極、（５）は該基板電極（３）に取付けた表面電極材、
（６）は該基板電極（３）と対向して設けた中空で平板
状の対向電極である。該対向電極（６）には、その内部
へガス導入管（８）から導入される例えばエッチングガ
スを基板電極（３）へ向けて噴出させるための小孔
（９）が多数形成される、（10）は該真空室（１）の外
側に設けられた磁界発生ユニットで、これを作動させる
ことにより基板電極（３）と対向電極（６）とを間隔
（11）を囲むように磁界が発生し、該間隔（11）内にプ
ラズマを収束させるようにした。（12）はマッチングコ
ントローラ（13）を介して基板電極（３）に接続した高
周波電源である。前記台部（２）と周壁（1a）との間に
形成される環状の凹部（14）には真空ポンプへ連らなる
真空排気口（15）が接続される。
すると、これらの図面に於て符号（１）は真空室、
（２）は該真空室（１）の内部へその周壁（1a）を台状
に突出させて形成した台部、（３）は該台部（２）に環
状のスペーサーシールド（４）を介して取付けた基板電
極、（５）は該基板電極（３）に取付けた表面電極材、
（６）は該基板電極（３）と対向して設けた中空で平板
状の対向電極である。該対向電極（６）には、その内部
へガス導入管（８）から導入される例えばエッチングガ
スを基板電極（３）へ向けて噴出させるための小孔
（９）が多数形成される、（10）は該真空室（１）の外
側に設けられた磁界発生ユニットで、これを作動させる
ことにより基板電極（３）と対向電極（６）とを間隔
（11）を囲むように磁界が発生し、該間隔（11）内にプ
ラズマを収束させるようにした。（12）はマッチングコ
ントローラ（13）を介して基板電極（３）に接続した高
周波電源である。前記台部（２）と周壁（1a）との間に
形成される環状の凹部（14）には真空ポンプへ連らなる
真空排気口（15）が接続される。
こうした構成は従来のプラズマ処理装置の構成と略同
様であるが、本発明に於ては、該凹部（14）内に、該凹
部（14）の深さ方向下方に延びる庇部（22）を備えた環
状の上部の邪魔板（17e）と、該凹部（14）の深さ方向
上方に延びる庇部（22）を備えた環状の下部の邪魔板
（17f）とからなる邪魔板（17）を設け、これら上下の
邪魔板（17e）（17f）の各庇部（22）間に、上部の邪魔
板（17e）の固定位置を下部の邪魔板（17f）に対して可
変とすることにより開口面積が可変する開口部（16）を
形成し、該凹部（14）内から該開口部（16）を介して真
空排気口（15）へと連通する制御通路（18）を構成する
ようにし、該開口部（16）の調節で基板電極（３）に載
せられた基板（19）に吹き付けられるエッチングガスを
均一に側方の凹部（14）へと流すようにした。
様であるが、本発明に於ては、該凹部（14）内に、該凹
部（14）の深さ方向下方に延びる庇部（22）を備えた環
状の上部の邪魔板（17e）と、該凹部（14）の深さ方向
上方に延びる庇部（22）を備えた環状の下部の邪魔板
（17f）とからなる邪魔板（17）を設け、これら上下の
邪魔板（17e）（17f）の各庇部（22）間に、上部の邪魔
板（17e）の固定位置を下部の邪魔板（17f）に対して可
変とすることにより開口面積が可変する開口部（16）を
形成し、該凹部（14）内から該開口部（16）を介して真
空排気口（15）へと連通する制御通路（18）を構成する
ようにし、該開口部（16）の調節で基板電極（３）に載
せられた基板（19）に吹き付けられるエッチングガスを
均一に側方の凹部（14）へと流すようにした。
図示の例では該邪魔板（17）を、第３図に見られるよ
うに、（17a）（17b）（17c）（17d）の４つの部分に分
割して構成し、さらに各部分を庇部（22）を有する上部
の邪魔板（17e）と下部の邪魔板（17f）とで構成し、上
部の邪魔板（17e）に第４図示の如く真空室（１）に螺
着したねじ（20）を挿通する長孔（21）を設け、真空室
（１）を開放してねじ（20）を緩めることにより上部の
邪魔板（17e）を下部の邪魔板（17f）に対して移動し、
その開口部（16）の面積が可変されるようにした。真空
排気口（15）が部分（17a）に設けられる場合、その反
対側の部分（17b）の開口部（16）の面積を大きくし、
中間の部分（17c）（17d）の開口部の面積はその次に大
きく、部分（17a）の開口部の面積は最も小さくなるよ
うに調節される。
うに、（17a）（17b）（17c）（17d）の４つの部分に分
割して構成し、さらに各部分を庇部（22）を有する上部
の邪魔板（17e）と下部の邪魔板（17f）とで構成し、上
部の邪魔板（17e）に第４図示の如く真空室（１）に螺
着したねじ（20）を挿通する長孔（21）を設け、真空室
（１）を開放してねじ（20）を緩めることにより上部の
邪魔板（17e）を下部の邪魔板（17f）に対して移動し、
その開口部（16）の面積が可変されるようにした。真空
排気口（15）が部分（17a）に設けられる場合、その反
対側の部分（17b）の開口部（16）の面積を大きくし、
中間の部分（17c）（17d）の開口部の面積はその次に大
きく、部分（17a）の開口部の面積は最も小さくなるよ
うに調節される。
基板（19）にエッチング処理を施す場合、真空室
（１）内へ対向電極（６）の小孔（９）を介して導入
し、該真空室（１）内の圧力を例えば10-3Torr程度に調
整し、磁界発生ユニット（10）を作動させると共に高周
波電源（12）板から基電極（３）に高周波を印加する
と、プラズマが基板電極（３）と対向電極（６）との間
隔（11）内に発生し、基板（19）のエッチングが行なわ
れるが、エッチングガスの流れは邪魔板（17）の開口部
（16）の開口面積の調節で基板（19）の表面上を均一に
流すことが出来るので、均一なエッチングを行なえる。
（１）内へ対向電極（６）の小孔（９）を介して導入
し、該真空室（１）内の圧力を例えば10-3Torr程度に調
整し、磁界発生ユニット（10）を作動させると共に高周
波電源（12）板から基電極（３）に高周波を印加する
と、プラズマが基板電極（３）と対向電極（６）との間
隔（11）内に発生し、基板（19）のエッチングが行なわ
れるが、エッチングガスの流れは邪魔板（17）の開口部
（16）の開口面積の調節で基板（19）の表面上を均一に
流すことが出来るので、均一なエッチングを行なえる。
第５図の曲線Ａは基板（19）のエッチング分布を示す
もので、基板（19）の周辺部では約10％程度平均値より
エッチング量が多くなるだけであり、比較的均一なエッ
チングを行なえるが、邪魔板のない従来の装置では第６
図の曲線Ｂに示すように、排気口側の基板面のエッチン
グ量は20％以上も多く、均一性の良いエッチングは行な
えない。
もので、基板（19）の周辺部では約10％程度平均値より
エッチング量が多くなるだけであり、比較的均一なエッ
チングを行なえるが、邪魔板のない従来の装置では第６
図の曲線Ｂに示すように、排気口側の基板面のエッチン
グ量は20％以上も多く、均一性の良いエッチングは行な
えない。
また、エッチングガスに代え、成膜用の原料ガスを真
空室（１）内へ導入し、加熱した基板（19）に成膜を施
すことも可能であり、この場合にも比較的均一な膜厚で
基板（19）上に薄膜を形成することが出来る。
空室（１）内へ導入し、加熱した基板（19）に成膜を施
すことも可能であり、この場合にも比較的均一な膜厚で
基板（19）上に薄膜を形成することが出来る。
（発明の効果） 以上のように、本発明によるときは、基板電極を設け
た台部の周囲の排気口が接続された凹部内に、開口面積
が可変の開口部を有し該凹部の深さ方向に延びる庇部を
有する邪魔板を設けて凹部から排気口への制御通路を形
成するようにしたので、基板電極に載せられた基板の面
上を流れるガスを均一化することが出来、該庇部が凹部
の深さ方向に延びてプラズマに触れにくくなっているた
め、該基板のエッチング等の処理を均一に施せる等の効
果がある。
た台部の周囲の排気口が接続された凹部内に、開口面積
が可変の開口部を有し該凹部の深さ方向に延びる庇部を
有する邪魔板を設けて凹部から排気口への制御通路を形
成するようにしたので、基板電極に載せられた基板の面
上を流れるガスを均一化することが出来、該庇部が凹部
の深さ方向に延びてプラズマに触れにくくなっているた
め、該基板のエッチング等の処理を均一に施せる等の効
果がある。
第１図は従来例の截断側面図、第２図は本発明の実施例
の截断側面図、第３図は第２図のIII−III線部分の截断
平面図、第４図は第３図のIV−IV線部分の展開図、第５
図は第２図示の装置によるエッチング分布の測定図、第
６図は第１図示の装置によるエッチング分布の測定図で
ある。 （１）……真空室、（1a）……周壁 （２）……台部、（３）……基板電極 （６）……対向電極、（14）……凹部 （15）……真空排気口、（16）……開口部 （17）……邪魔板、（18）……制御通路 （19）……基板
の截断側面図、第３図は第２図のIII−III線部分の截断
平面図、第４図は第３図のIV−IV線部分の展開図、第５
図は第２図示の装置によるエッチング分布の測定図、第
６図は第１図示の装置によるエッチング分布の測定図で
ある。 （１）……真空室、（1a）……周壁 （２）……台部、（３）……基板電極 （６）……対向電極、（14）……凹部 （15）……真空排気口、（16）……開口部 （17）……邪魔板、（18）……制御通路 （19）……基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 C23F 4/00 - 4/04 B01J 19/08
Claims (1)
- 【請求項１】真空室の周壁を該真空室内に台状に突出さ
せて基板電極が設けられる台部を形成し、該台部の周囲
の該周壁に形成される凹部に真空排気口を接続し、該真
空室内に該基板電極と対向する平板状の対向電極を設け
て両電極間に発生するプラズマにより該基板電極上に載
置された基板を処理するようにしたものに於て、該台部
の周囲の凹部内に、該凹部の深さ方向下方に延びる庇部
を備えた環状の上部の邪魔板と、該凹部の深さ方向上方
に延びる庇部を備えた環状の下部の邪魔板とからなる邪
魔板を設け、該上部の邪魔板と下部の邪魔板の各庇部間
に、上部の邪魔板の固定位置を下部の邪魔板に対して可
変とすることにより開口面積が可変する開口部を形成
し、該凹部内から該開口部を介して前記真空排気口へと
連通する制御通路を構成したことを特徴とするプラズマ
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1136865A JP2981749B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1136865A JP2981749B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH032377A JPH032377A (ja) | 1991-01-08 |
| JP2981749B2 true JP2981749B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=15185332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1136865A Expired - Lifetime JP2981749B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2981749B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5891350A (en) * | 1994-12-15 | 1999-04-06 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chambers |
| US6048435A (en) | 1996-07-03 | 2000-04-11 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method for emerging films |
| US6500314B1 (en) | 1996-07-03 | 2002-12-31 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
| US6972071B1 (en) * | 1999-07-13 | 2005-12-06 | Nordson Corporation | High-speed symmetrical plasma treatment system |
| TWI253479B (en) * | 2001-12-03 | 2006-04-21 | Ulvac Inc | Mixer, and device and method for manufacturing thin-film |
| JP6021677B2 (ja) * | 2013-02-15 | 2016-11-09 | 株式会社神戸製鋼所 | プラズマｃｖｄ装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140764U (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
| JPS6298727A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | エツチング処理装置 |
| JPH07100865B2 (ja) * | 1986-03-13 | 1995-11-01 | 富士通株式会社 | 減圧ｃｖｄ処理装置のクリーニング法 |
-
1989
- 1989-05-30 JP JP1136865A patent/JP2981749B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH032377A (ja) | 1991-01-08 |
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