JPH032377A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH032377A JPH032377A JP13686589A JP13686589A JPH032377A JP H032377 A JPH032377 A JP H032377A JP 13686589 A JP13686589 A JP 13686589A JP 13686589 A JP13686589 A JP 13686589A JP H032377 A JPH032377 A JP H032377A
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 44
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- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、エツチング処理や薄膜形成処理を施す場合に
使用されるプラズマ処理装置に関する。
使用されるプラズマ処理装置に関する。
（従来の技術）
従来、この種のプラズマ処理装置として、例えば第１図
示のエツチング装置のように、真空室ａの周壁すを該真
空室ａ内に台状に突出させて基板電極Ｃが設けられる台
部ｄを形成し、該台部ｄの周囲の周壁すとの間に形成さ
れる凹部ｅへ真空排気口ｆを接続するようにしたものが
知られている。これに於て、該真空室ａ内には基板電極
Ｃ上に載せた基板ｇと対向して平板状の対向電極りが設
けられ、バルブｎを介してエツチングガス導入管ｉから
導入されるエツチングガスが該対向電極りに形成した小
孔からシャワー状に吹き出すように構成される。また、
該真空室ａの対向電極り側の外部には、磁界発生ユニッ
トｊが設けられ、基板電極Ｃは、マツチングコントロー
ラｋを介して高周波電源１からの高周波を印加出来るよ
うに、スペーサーシールドｍを介して台部ｄに取付けら
れる。
示のエツチング装置のように、真空室ａの周壁すを該真
空室ａ内に台状に突出させて基板電極Ｃが設けられる台
部ｄを形成し、該台部ｄの周囲の周壁すとの間に形成さ
れる凹部ｅへ真空排気口ｆを接続するようにしたものが
知られている。これに於て、該真空室ａ内には基板電極
Ｃ上に載せた基板ｇと対向して平板状の対向電極りが設
けられ、バルブｎを介してエツチングガス導入管ｉから
導入されるエツチングガスが該対向電極りに形成した小
孔からシャワー状に吹き出すように構成される。また、
該真空室ａの対向電極り側の外部には、磁界発生ユニッ
トｊが設けられ、基板電極Ｃは、マツチングコントロー
ラｋを介して高周波電源１からの高周波を印加出来るよ
うに、スペーサーシールドｍを介して台部ｄに取付けら
れる。
エツチング処理を行なう場合、まず基板ｇを基板電極Ｃ
上に搬送し、ガス導入管ｉからエツチングガスを真空室
ａ内に導入したのち磁界発生ユニットｊにより対向電極
りの周囲に磁界を発生させ、高周波電源１から基板電極
Ｃに高周波を印加する。エツチングガスは高周波パワー
により基板電極Ｃと対向電極りとの間でプラズマ状態と
なって活性化され、更に磁界発生ユニットｊの磁界によ
り該プラズマが１Ｏ−３Ｔｏｒｒ台の圧力下でも高密度
化される。該プラズマ中で発生したイオン、ラジカルに
より、基板ｇが高速でエツチングされ、その時発生する
エツチング生成物等は排気ガスとして排気口ｆから排気
される。
上に搬送し、ガス導入管ｉからエツチングガスを真空室
ａ内に導入したのち磁界発生ユニットｊにより対向電極
りの周囲に磁界を発生させ、高周波電源１から基板電極
Ｃに高周波を印加する。エツチングガスは高周波パワー
により基板電極Ｃと対向電極りとの間でプラズマ状態と
なって活性化され、更に磁界発生ユニットｊの磁界によ
り該プラズマが１Ｏ−３Ｔｏｒｒ台の圧力下でも高密度
化される。該プラズマ中で発生したイオン、ラジカルに
より、基板ｇが高速でエツチングされ、その時発生する
エツチング生成物等は排気ガスとして排気口ｆから排気
される。
（発明が解決しようとする課題）
近時は、高精度でしかも基板へのダメージを少なくエツ
チングすることの要求があり、また大口径化する傾向に
ある基板に均一性の良いエツチングを行なう要求がある
。更に、基板の処理能力を高めるためにエツチングを高
速化し、基板を次々と交換し乍ら枚葉式に処理すること
の要望もある。
チングすることの要求があり、また大口径化する傾向に
ある基板に均一性の良いエツチングを行なう要求がある
。更に、基板の処理能力を高めるためにエツチングを高
速化し、基板を次々と交換し乍ら枚葉式に処理すること
の要望もある。
しかし乍ら、第１図示の装置では、基板のエツチング量
は、排気口ｆに近い個所程大きくなる傾向にあり、換言
すればアンバランスなエツチングが行なわれ、この傾向
はエツチング条件を変えても改善されることはなかった
。
は、排気口ｆに近い個所程大きくなる傾向にあり、換言
すればアンバランスなエツチングが行なわれ、この傾向
はエツチング条件を変えても改善されることはなかった
。
また、第１図示の装置でエツチングガスに代えて原料ガ
スを導入するようにし、基板を加熱し乍らその表面に成
膜を施した場合、排気口に近い個所の基板面に形成され
る膜厚が厚くなる傾向があり、膜厚の均一性が得られな
い不都合があった。
スを導入するようにし、基板を加熱し乍らその表面に成
膜を施した場合、排気口に近い個所の基板面に形成され
る膜厚が厚くなる傾向があり、膜厚の均一性が得られな
い不都合があった。
本発明は、基板に対するエツチング或は成膜の均一性が
向上するプラズマ処理装置を提供することを目的とする
ものである。
向上するプラズマ処理装置を提供することを目的とする
ものである。
（課題を解決するための手段）
本発明では、真空室の周壁を該真空室内に台状に突出さ
せて基板電極が設けられる台部を形成し、該台部の周囲
の該周壁との間に形成される四部に真空排気口を接続し
、該真空室内に該基板電極と対向する平板状の対向電極
を設けて両電極間に発生するプラズマにより該基板電極
上に載置された基板を処理するようにしたものに於て、
該台部の周囲の凹部内に、開口面積を可変し得る開口部
を備えた環状の邪魔板を設け、該凹部内から該邪魔板の
開口部を介して前記真空排気口へと連通ずる制御通路を
構成することにより、前記目的を達成するようにした。
せて基板電極が設けられる台部を形成し、該台部の周囲
の該周壁との間に形成される四部に真空排気口を接続し
、該真空室内に該基板電極と対向する平板状の対向電極
を設けて両電極間に発生するプラズマにより該基板電極
上に載置された基板を処理するようにしたものに於て、
該台部の周囲の凹部内に、開口面積を可変し得る開口部
を備えた環状の邪魔板を設け、該凹部内から該邪魔板の
開口部を介して前記真空排気口へと連通ずる制御通路を
構成することにより、前記目的を達成するようにした。
（作 用）
真空室内の台部に設けた基板電極上に基板を載せ、該基
板エツチングを施す場合、真空室内を例えば１０”３Ｔ
ｏｒｒの圧力に制御し乍らエツチングガスを流し、磁界
発生ユニットの磁界を作用させ乍ら基板電極と対向電極
との間にプラズマを発生させる。これにより、プラズマ
中のイオン、ラジカルが基板へ衝突し、エツチングが施
され、その時発生するエツチング生成物は真空排気口か
ら排出される。
板エツチングを施す場合、真空室内を例えば１０”３Ｔ
ｏｒｒの圧力に制御し乍らエツチングガスを流し、磁界
発生ユニットの磁界を作用させ乍ら基板電極と対向電極
との間にプラズマを発生させる。これにより、プラズマ
中のイオン、ラジカルが基板へ衝突し、エツチングが施
され、その時発生するエツチング生成物は真空排気口か
ら排出される。
エツチングガスは基板面からその側方の四部へと流れ、
該凹部に接続された真空排気口から排出されるが、該凹
部内には開口面積が可変の開口部を備えた環状の邪魔板
が設けられているので、エツチングガスを基板面の側方
へほぼ均一に流すように制御することが出来、基板のエ
ツチングを均一に進行させることが出来る。
該凹部に接続された真空排気口から排出されるが、該凹
部内には開口面積が可変の開口部を備えた環状の邪魔板
が設けられているので、エツチングガスを基板面の側方
へほぼ均一に流すように制御することが出来、基板のエ
ツチングを均一に進行させることが出来る。
（実施例）
本発明の実施例を図面第２図及び第３図に基づき説明す
ると、これらの図面に於て符号（１）は真空室、（２）
は該真空室（１）の内部へその周壁（１ａ）を台状に突
出させて形成した台部、（３）は該台部（２）に環状の
スペーサーシールド（４）を介して取付けた基板電極、
（５）は該基板電極（３）に取付けた表面電極材、（６
）は該基板電極（３）と対向して設けた中空で平板状の
対向電極である。該対向電極（６）には、その内部へガ
ス導入管＜８）から導入される例えばエツチングガスを
基板電極（３）へ向けて噴出させるための小孔（９）が
多数形成される。（１０は該真空室（１）の外側に設け
られた磁界発生ユニットで、これを作動させることによ
り基板電極（３）と対向電極（６）とを間隔（１１）を
囲むように磁界が発生し、該間隔ａｉ内にプラズマを収
束させるようにした。０はマツチングコントローラ（′
ｌｅを介して基板電極（３）に接続した高周波電源であ
る。前記台部（２）と周壁（１ａ）との間に形成される
環状の四部１１＠には真空ポンプへ連らなる真空排気口
１１９が接続される。
ると、これらの図面に於て符号（１）は真空室、（２）
は該真空室（１）の内部へその周壁（１ａ）を台状に突
出させて形成した台部、（３）は該台部（２）に環状の
スペーサーシールド（４）を介して取付けた基板電極、
（５）は該基板電極（３）に取付けた表面電極材、（６
）は該基板電極（３）と対向して設けた中空で平板状の
対向電極である。該対向電極（６）には、その内部へガ
ス導入管＜８）から導入される例えばエツチングガスを
基板電極（３）へ向けて噴出させるための小孔（９）が
多数形成される。（１０は該真空室（１）の外側に設け
られた磁界発生ユニットで、これを作動させることによ
り基板電極（３）と対向電極（６）とを間隔（１１）を
囲むように磁界が発生し、該間隔ａｉ内にプラズマを収
束させるようにした。０はマツチングコントローラ（′
ｌｅを介して基板電極（３）に接続した高周波電源であ
る。前記台部（２）と周壁（１ａ）との間に形成される
環状の四部１１＠には真空ポンプへ連らなる真空排気口
１１９が接続される。
こうした構成は従来のプラズマ処理装置の構成と略同様
であるが、本発明に於ては、該凹部（＋４１内に、開口
面積を可変し得る開口部器を備えた環状の邪魔板（′１
７）を設け、該凹部（Ｉ４１内から該開口部器を介して
真空排気口ａ９へと連通ずる制御通路ａｅを構成するよ
うにし、該開口部（′ＩＯの調節で基板電極（３）に載
せられた基板（ＩＥｌｌに吹き付けられるエツチングガ
スを均一に側方の凹部ａ＠へと流すようにした。
であるが、本発明に於ては、該凹部（＋４１内に、開口
面積を可変し得る開口部器を備えた環状の邪魔板（′１
７）を設け、該凹部（Ｉ４１内から該開口部器を介して
真空排気口ａ９へと連通ずる制御通路ａｅを構成するよ
うにし、該開口部（′ＩＯの調節で基板電極（３）に載
せられた基板（ＩＥｌｌに吹き付けられるエツチングガ
スを均一に側方の凹部ａ＠へと流すようにした。
図示の例では該邪魔板（１７）を、第３図に見られるよ
うに、（１７ａ）（１７ｂ）（１７ｃ）（１７ｄ）の４
つの部分に分割して構成し、各部分に第４図示の如く真
空室（１）に螺着したねじ■を挿通ずる長孔σを設け、
真空室（１）を開放してねじ■を緩めることにより上部
の邪魔板（１７ｅ）を下部の邪魔板（１Ｎ）に対して移
動し、その開口部ｌ″ＩＯの面積が可変されるようにし
た。真空排気口ａＳが部分（１７ａ）に設けられる場合
、その反対側の部分（１７ｂ）の開口部ｑＯの面積を大
きくし、中間の部分（１７ｃ）（１７ｄ ）の開口部の
面積はその次に大きく、部分（１７ａ）の開口部の面積
は最も小さくなるように調節される。
うに、（１７ａ）（１７ｂ）（１７ｃ）（１７ｄ）の４
つの部分に分割して構成し、各部分に第４図示の如く真
空室（１）に螺着したねじ■を挿通ずる長孔σを設け、
真空室（１）を開放してねじ■を緩めることにより上部
の邪魔板（１７ｅ）を下部の邪魔板（１Ｎ）に対して移
動し、その開口部ｌ″ＩＯの面積が可変されるようにし
た。真空排気口ａＳが部分（１７ａ）に設けられる場合
、その反対側の部分（１７ｂ）の開口部ｑＯの面積を大
きくし、中間の部分（１７ｃ）（１７ｄ ）の開口部の
面積はその次に大きく、部分（１７ａ）の開口部の面積
は最も小さくなるように調節される。
基板（Ｉ９にエツチング処理を施す場合、真空室（１）
内へ対向電極（６）の小孔（９）を介して導入し、該真
空室（１）内の圧力を例えば１Ｏ−３Ｔｏｒｒ程度に調
整し、磁界発生ユニット（ＩＧを作動させると共に高周
波電源０ｂから基板電極（３）に高周波を印加すると、
プラズマが基板電極（３）と対向電極（６）との間隔ａ
ｖ内に発生し、基板ａ９のエツチングが行なわれるが、
エツチングガスの流れは邪魔板（Ｉ７）の開口部（ＩＧ
の開口面積の調節で基板（１９１の表面上を均一に流す
ことが出来るので、均一なエツチングを行なえる。
内へ対向電極（６）の小孔（９）を介して導入し、該真
空室（１）内の圧力を例えば１Ｏ−３Ｔｏｒｒ程度に調
整し、磁界発生ユニット（ＩＧを作動させると共に高周
波電源０ｂから基板電極（３）に高周波を印加すると、
プラズマが基板電極（３）と対向電極（６）との間隔ａ
ｖ内に発生し、基板ａ９のエツチングが行なわれるが、
エツチングガスの流れは邪魔板（Ｉ７）の開口部（ＩＧ
の開口面積の調節で基板（１９１の表面上を均一に流す
ことが出来るので、均一なエツチングを行なえる。
第５図の曲線Ａは基板ｌ′Ｉ！Ｉ）のエツチング分布を
示すもので、基板（′１ｇ）の周辺部では約１０％程度
平均値よりエツチング量が多くなるだけであり、比較的
均一なエツチングを行なえるが、邪魔板のない従来の装
置では第６図の曲線Ｂに示すように、排気口側の基板面
のエツチング量は２０％以上も多く、均一性の良いエツ
チングは行なえない。
示すもので、基板（′１ｇ）の周辺部では約１０％程度
平均値よりエツチング量が多くなるだけであり、比較的
均一なエツチングを行なえるが、邪魔板のない従来の装
置では第６図の曲線Ｂに示すように、排気口側の基板面
のエツチング量は２０％以上も多く、均一性の良いエツ
チングは行なえない。
また、エツチングガスに代え、成膜用の原料ガスを真空
室（１）内へ導入し、加熱した基板ａ９に成膜を施すこ
とも可能であり、この場合にも比較的均一な膜厚で基板
０９上に薄膜を形成することが出来る。
室（１）内へ導入し、加熱した基板ａ９に成膜を施すこ
とも可能であり、この場合にも比較的均一な膜厚で基板
０９上に薄膜を形成することが出来る。
（発明の効果）
以上のように、本発明によるときは、基板電極を設けた
台部の周囲の排気口が接続された凹部内に、開口面積が
可変の開口部を存する邪魔板を設けて凹部から排気口へ
の制御通路を形成するようにしたので、基板電極に載せ
られた基板の面上を流れるガスを均一化することが出来
、該基板のエツチング等の処理を均一に施せる等の効果
がある。
台部の周囲の排気口が接続された凹部内に、開口面積が
可変の開口部を存する邪魔板を設けて凹部から排気口へ
の制御通路を形成するようにしたので、基板電極に載せ
られた基板の面上を流れるガスを均一化することが出来
、該基板のエツチング等の処理を均一に施せる等の効果
がある。
第１図は従来例の裁断側面図、第２図は本発明の実施例
の裁断側面図、第３図は第２図の■−■線部分の裁断平
面図、第４図は第３図の■−ＩＶ線部分の展開図、第５
図は第２図示の装置によるエツチング分布の４ｐ１定図
、第６図は第１図示の装置によるエツチング分布の測定
図である。 （１）・・真空室 （２）・・・台 部 （６）・・・対向電極 ａ９・・・真空排気口 （１７）・・・邪魔板 ａ９・・・基 板 （１ａ）・・・周 壁 （３）・・・基板電極 （ＩΦ・・・凹 部 ｌ′ＩＧ・・・開口部 ａδ・・・制御通路 特 許 出 願 人 代 理 人 日本真空技術株式会社 北 村 欣 −に゛ 外３名 第１ 図 第５図 第６図
の裁断側面図、第３図は第２図の■−■線部分の裁断平
面図、第４図は第３図の■−ＩＶ線部分の展開図、第５
図は第２図示の装置によるエツチング分布の４ｐ１定図
、第６図は第１図示の装置によるエツチング分布の測定
図である。 （１）・・真空室 （２）・・・台 部 （６）・・・対向電極 ａ９・・・真空排気口 （１７）・・・邪魔板 ａ９・・・基 板 （１ａ）・・・周 壁 （３）・・・基板電極 （ＩΦ・・・凹 部 ｌ′ＩＧ・・・開口部 ａδ・・・制御通路 特 許 出 願 人 代 理 人 日本真空技術株式会社 北 村 欣 −に゛ 外３名 第１ 図 第５図 第６図
Claims (1)
- 真空室の周壁を該真空室内に台状に突出させて基板電
極が設けられる台部を形成し、該台部の周囲の該周壁と
の間に形成される凹部に真空排気口を接続し、該真空室
内に該基板電極と対向する平板状の対向電極を設けて両
電極間に発生するプラズマにより該基板電極上に載置さ
れた基板を処理するようにしたものに於て、該台部の周
囲の凹部内に、開口面積を可変し得る開口部を備えた環
状の邪魔板を設け、該凹部内から該邪魔板の開口部を介
して前記真空排気口へと連通する制御通路を構成したこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1136865A JP2981749B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1136865A JP2981749B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH032377A true JPH032377A (ja) | 1991-01-08 |
| JP2981749B2 JP2981749B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=15185332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1136865A Expired - Lifetime JP2981749B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2981749B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO1998000858A1 (en) * | 1996-07-03 | 1998-01-08 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
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-
1989
- 1989-05-30 JP JP1136865A patent/JP2981749B2/ja not_active Expired - Lifetime
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