JPS62214175A - 減圧ｃｖｄ処理装置のクリーニング法 - Google Patents
減圧ｃｖｄ処理装置のクリーニング法Info
- Publication number
- JPS62214175A JPS62214175A JP5543486A JP5543486A JPS62214175A JP S62214175 A JPS62214175 A JP S62214175A JP 5543486 A JP5543486 A JP 5543486A JP 5543486 A JP5543486 A JP 5543486A JP S62214175 A JPS62214175 A JP S62214175A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- treatment chamber
- plasma
- wafer
- gaseous
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 22
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 16
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 208000037998 chronic venous disease Diseases 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
減圧ＣＶＤ装置に残留する不所望の堆積物をＮＦ、のプ
ラズマによってエツチング除去すると、その処理に伴っ
て装置内壁に弗素ガスが吸着するので、さらにＨ，＋Ｎ
、ガスのプラズマ処理によって、吸着した弗素を除去す
る。
ラズマによってエツチング除去すると、その処理に伴っ
て装置内壁に弗素ガスが吸着するので、さらにＨ，＋Ｎ
、ガスのプラズマ処理によって、吸着した弗素を除去す
る。
本発明は半導体装置の製造に用いられる減圧処理装置の
クリーニング処理に関わり、特に減圧ＣＶＤ装置などに
残留する堆積物をプラズマエツチングで除去した後、装
置の内壁に吸着する弗素を除去するクリーニング処理に
関わる。
クリーニング処理に関わり、特に減圧ＣＶＤ装置などに
残留する堆積物をプラズマエツチングで除去した後、装
置の内壁に吸着する弗素を除去するクリーニング処理に
関わる。
半導体装置の製造に於いて、ポリＳ’ｉ層やＳｉＯ□層
を堆積形成するのにＣＶＤ法が用いられる。近年、その
処理室の圧力を滅じ、さらに原料ガスをプラズマ化して
ＣＶＤ処理し、良好な特性の皮膜を堆積させることが行
われるようになった。
を堆積形成するのにＣＶＤ法が用いられる。近年、その
処理室の圧力を滅じ、さらに原料ガスをプラズマ化して
ＣＶＤ処理し、良好な特性の皮膜を堆積させることが行
われるようになった。
この種のＣＶＤ装置では、堆積処理後に半導体基板の支
持台などに残留する不要の堆積物を、プラズマ発生機能
を利用して、エツチング除去することが出来る。例えば
ＷＦ、を原料とし、プラズマＣＶＤ法によってタングス
テン層あるいは珪化タングステン層を堆積した場合、ウ
ェファ支持台などにもこれ等の生成物が堆積するので、
所定の回数のＣＶＤ処理を行った後、処理室にＮＦ、ガ
スを導入し、プラズマを発生させてこれ等の堆積物をエ
ツチング除去する。
持台などに残留する不要の堆積物を、プラズマ発生機能
を利用して、エツチング除去することが出来る。例えば
ＷＦ、を原料とし、プラズマＣＶＤ法によってタングス
テン層あるいは珪化タングステン層を堆積した場合、ウ
ェファ支持台などにもこれ等の生成物が堆積するので、
所定の回数のＣＶＤ処理を行った後、処理室にＮＦ、ガ
スを導入し、プラズマを発生させてこれ等の堆積物をエ
ツチング除去する。
通常は上記の処理だけでウェファを装填しての処理に戻
る。しかし本発明者〜達の得た新規な知見によれば、上
記のＮＦ３ガスによるプラズマ処理工程、或いはそれ以
前の処理工程で、処理室の壁面などに弗素が吸着し、ウ
ェファを装填してのプラズマ処理時にこれが放出されて
製造した半導体装置の特性に好ましくない影響を及ぼす
ようである。
る。しかし本発明者〜達の得た新規な知見によれば、上
記のＮＦ３ガスによるプラズマ処理工程、或いはそれ以
前の処理工程で、処理室の壁面などに弗素が吸着し、ウ
ェファを装填してのプラズマ処理時にこれが放出されて
製造した半導体装置の特性に好ましくない影響を及ぼす
ようである。
プラズマＣＶＤ装置では、生成物の堆積を避けるため壁
面等を冷却しているが、そのため弗素の吸着が起こり易
くなっているという事情もある。
面等を冷却しているが、そのため弗素の吸着が起こり易
くなっているという事情もある。
ＮＦ、ガスによるプラズマ処理を行っただけで通常の工
程を再開すると、例えば堆積した珪化タングステン層が
気泡を抱き込んだり、剥離し易（なるといったことが起
こる。
程を再開すると、例えば堆積した珪化タングステン層が
気泡を抱き込んだり、剥離し易（なるといったことが起
こる。
既述したように、本発明者の見解によれば、これは処理
室内壁に吸着した弗素に起因するものであるから、ＣＶ
Ｄ工程を開始する前にこれを除去することが必要である
。
室内壁に吸着した弗素に起因するものであるから、ＣＶ
Ｄ工程を開始する前にこれを除去することが必要である
。
この吸着弗素による好ましくない効果は、特許請求の範
囲の範囲の項に記された本発明の方法によって解消され
る。後出の実施例に従って要約すれば、本発明の方法は
、ＮＦ、ガスによるプラズマ処理によって処理室内に残
留する堆積物をエツチング除去した後、水素ガスと窒素
ガスの混合ガスを処理室に導入し、プラズマを発生させ
て処理室内壁に吸着した弗素を解放除去するものである
。
囲の範囲の項に記された本発明の方法によって解消され
る。後出の実施例に従って要約すれば、本発明の方法は
、ＮＦ、ガスによるプラズマ処理によって処理室内に残
留する堆積物をエツチング除去した後、水素ガスと窒素
ガスの混合ガスを処理室に導入し、プラズマを発生させ
て処理室内壁に吸着した弗素を解放除去するものである
。
水素ガスと窒素ガスの混合ガスを処理室に導入し、プラ
ズマを発生させると、イオン化した水素が弗素と反応し
てＨＦとなり、排気装置によって室外に排出される。そ
の後、減圧でＣＶＤ処理を行っても、吸着弗素による好
ましくない効果が現れることはない。
ズマを発生させると、イオン化した水素が弗素と反応し
てＨＦとなり、排気装置によって室外に排出される。そ
の後、減圧でＣＶＤ処理を行っても、吸着弗素による好
ましくない効果が現れることはない。
第１図は本発明を効果的に実施し得るプラズマＣＶＤ装
置を示す図である。
置を示す図である。
ここで１は処理室、２は原料ガスの放出口で、シャワー
と呼ばれる部分、３はＣＶＤ処理の際ウェファが載置さ
れる支持台、４は処理室を所定の圧力に下げ或いは反応
生成物を排出するための排気口、５はウェファを加熱す
るためのヒータ、６はウェファの出入口、７は予備排気
のための準備室である。図では省略されているが、処理
室の壁面を冷却するための冷却水配管も通常の装置には
設けられている。
と呼ばれる部分、３はＣＶＤ処理の際ウェファが載置さ
れる支持台、４は処理室を所定の圧力に下げ或いは反応
生成物を排出するための排気口、５はウェファを加熱す
るためのヒータ、６はウェファの出入口、７は予備排気
のための準備室である。図では省略されているが、処理
室の壁面を冷却するための冷却水配管も通常の装置には
設けられている。
半導体装置の製造工程で、例えばＷＳｉｘを堆積。
する場合は、原料供給装置８からＷＦ６と５ｉＨｎを供
給し、支持台上のウェファに向けてシャワーから放出さ
れる。処理室の圧力をＱ、 ３ ｔｏｒｒ程度の低圧に
保ち、高周波電源８から１３．５６！ＦＨｚ。
給し、支持台上のウェファに向けてシャワーから放出さ
れる。処理室の圧力をＱ、 ３ ｔｏｒｒ程度の低圧に
保ち、高周波電源８から１３．５６！ＦＨｚ。
３００Ｗ程度の高周波電力を供給すると、流入したガス
はプラズマ化し、ＷＳｉ、が生成し堆積する。
はプラズマ化し、ＷＳｉ、が生成し堆積する。
所定の枚数を処理すると、支持台やシャワー等に堆積し
た不要のＷＳｉ、を除去するために、原料ガス供給部か
らＮ Ｆ ３とＮ２の混合ガスを送り込み、高周波電界
を印加してプラズマを発生させる。このプラズマにより
堆積したＷＳｔ、がエツチングされ、排気口から室外に
排出される。この処理は通常行われるものと同じであっ
てよい。
た不要のＷＳｉ、を除去するために、原料ガス供給部か
らＮ Ｆ ３とＮ２の混合ガスを送り込み、高周波電界
を印加してプラズマを発生させる。このプラズマにより
堆積したＷＳｔ、がエツチングされ、排気口から室外に
排出される。この処理は通常行われるものと同じであっ
てよい。
本発明ではこの後さらにＨｔ Ｉ！：Ｎ ｔの混合ガス
を送り込み、プラズマ処理を行う。ＨｚとＮ、の混合比
は１：５程度で、圧力や高周波電力の条件は上述の場合
と同様である。処理時間は装置の大きさや履歴によって
増減すべきであるが３０分程度である。
を送り込み、プラズマ処理を行う。ＨｚとＮ、の混合比
は１：５程度で、圧力や高周波電力の条件は上述の場合
と同様である。処理時間は装置の大きさや履歴によって
増減すべきであるが３０分程度である。
この処理では
Ｆ＋Ｈ−ＨＦ↑
なる反応によって、吸着した弗素が取り出され、排出さ
れるものと考えられる。
れるものと考えられる。
以上の処理を行った後、ウェファプロセスの−・環であ
る通常のＣＶＤ処理を行う。
る通常のＣＶＤ処理を行う。
３ｉ単結晶上にＷＳｉ、をプラズマＣＶＤ法で堆積した
後、これをアニールすると表面に小さな突起が多数発生
することがある。これは堆積層内に気泡が生じたもので
、堆積層と下地との接着力が弱いと、内蔵されたＨ２等
のガスが表面に抜けないで界面に集まり、気泡になると
考えられる。
後、これをアニールすると表面に小さな突起が多数発生
することがある。これは堆積層内に気泡が生じたもので
、堆積層と下地との接着力が弱いと、内蔵されたＨ２等
のガスが表面に抜けないで界面に集まり、気泡になると
考えられる。
処理室内壁から弗素が放出される状態でＣＶＤ処理を行
うと、壁面から放出された弗素の影響で接着力が弱まり
、気泡の発生をもたらす。本発明の処理を行うと弗素の
放出がないので、この種の不良が発生しない。この状況
を次表に示す。
うと、壁面から放出された弗素の影響で接着力が弱まり
、気泡の発生をもたらす。本発明の処理を行うと弗素の
放出がないので、この種の不良が発生しない。この状況
を次表に示す。
ここで良品というのは、２００ｎｍのＷ Ｓ ｔ ｘを
堆積した後、Ｎ２中で１０００℃、３０分のアニールを
行って気泡発生の無かったものである。
堆積した後、Ｎ２中で１０００℃、３０分のアニールを
行って気泡発生の無かったものである。
この数値からも明らかなように、本発明はウェファプロ
セスの歩留りを大幅に改善するものである。
セスの歩留りを大幅に改善するものである。
図は本発明を効果的に実施し得るプラズマＣＶＤ装置を
示す図であって、 図に於いて、 １は処理室、 ２はシャワー、 ３は支持台、 ４は排気口、 ５はヒータ、 ６はウェファ出入口、 ７は準備室、 ８は原料供給部、 ９は高周波電源である。 ァうズ゛−”ＩｃＶＤ凝置
示す図であって、 図に於いて、 １は処理室、 ２はシャワー、 ３は支持台、 ４は排気口、 ５はヒータ、 ６はウェファ出入口、 ７は準備室、 ８は原料供給部、 ９は高周波電源である。 ァうズ゛−”ＩｃＶＤ凝置
Claims (2)
- （１）減圧処理装置を使用した後、該処理装置に弗素を
含み大気圧に比し十分低圧である気体を導入してプラズ
マを発生させ、 装置内の気体を、水素を含み大気圧に比し十分低圧であ
る気体に置換し、 再びプラズマを発生させることを特徴とする減圧処理装
置のクリーニング法。 - （２）前記弗素を含む気体がＮＦ＿３であり、前記水素
を含む気体が水素と窒素の混合気体であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の減圧処理装置のクリー
ニング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61055434A JPH07100865B2 (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 減圧ｃｖｄ処理装置のクリーニング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61055434A JPH07100865B2 (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 減圧ｃｖｄ処理装置のクリーニング法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62214175A true JPS62214175A (ja) | 1987-09-19 |
| JPH07100865B2 JPH07100865B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=12998483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61055434A Expired - Lifetime JPH07100865B2 (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 減圧ｃｖｄ処理装置のクリーニング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07100865B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63267430A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-04 | Toshiba Corp | 反応室内の清浄方法 |
| JPH01152274A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Iwatani Internatl Corp | 膜形成操作系におけるフッ化塩素クリーニング後の汚染除去方法 |
| JPH01240667A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素製造装置内の炭素不要物の除去方法 |
| JPH02176392A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-09 | Tel Sagami Ltd | 縦型熱処理装置及び熱処理方法 |
| JPH02185977A (ja) * | 1989-01-12 | 1990-07-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 膜形成用真空装置 |
| JPH032377A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-08 | Ulvac Corp | プラズマ処理装置 |
| EP0437110A2 (en) * | 1990-01-08 | 1991-07-17 | Lsi Logic Corporation | Tungsten deposition process for low contact resistivity to silicon |
| JPH07201749A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Applied Materials Inc | 薄膜形成方法 |
| US5647953A (en) * | 1995-12-22 | 1997-07-15 | Lam Research Corporation | Plasma cleaning method for removing residues in a plasma process chamber |
| US6071573A (en) * | 1997-12-30 | 2000-06-06 | Lam Research Corporation | Process for precoating plasma CVD reactors |
| EP1154037A1 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-14 | Applied Materials, Inc. | Methods for improving chemical vapor deposition processing |
| US6626185B2 (en) | 1996-06-28 | 2003-09-30 | Lam Research Corporation | Method of depositing a silicon containing layer on a semiconductor substrate |
| US6770214B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-08-03 | Lam Research Corporation | Method of reducing aluminum fluoride deposits in plasma etch reactor |
| SG113617A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-08-29 | Air Prod & Chem | Cleaning cvd chambers following deposition of porogen-containing materials |
| JP2009027011A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6126051A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-05 | Stanley Electric Co Ltd | アモルフアスシリコン電子写真用感光体の製造方法 |
| JPS62200361A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-04 | Sharp Corp | 電子写真感光体の製造方法 |
-
1986
- 1986-03-13 JP JP61055434A patent/JPH07100865B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6126051A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-05 | Stanley Electric Co Ltd | アモルフアスシリコン電子写真用感光体の製造方法 |
| JPS62200361A (ja) * | 1986-02-27 | 1987-09-04 | Sharp Corp | 電子写真感光体の製造方法 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63267430A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-04 | Toshiba Corp | 反応室内の清浄方法 |
| JPH01152274A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Iwatani Internatl Corp | 膜形成操作系におけるフッ化塩素クリーニング後の汚染除去方法 |
| JPH0348268B2 (ja) * | 1987-12-09 | 1991-07-23 | Iwatani & Co | |
| JPH01240667A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素製造装置内の炭素不要物の除去方法 |
| JPH02176392A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-09 | Tel Sagami Ltd | 縦型熱処理装置及び熱処理方法 |
| JPH02185977A (ja) * | 1989-01-12 | 1990-07-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 膜形成用真空装置 |
| JPH032377A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-08 | Ulvac Corp | プラズマ処理装置 |
| EP0437110A2 (en) * | 1990-01-08 | 1991-07-17 | Lsi Logic Corporation | Tungsten deposition process for low contact resistivity to silicon |
| JPH07201749A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Applied Materials Inc | 薄膜形成方法 |
| US5647953A (en) * | 1995-12-22 | 1997-07-15 | Lam Research Corporation | Plasma cleaning method for removing residues in a plasma process chamber |
| US6626185B2 (en) | 1996-06-28 | 2003-09-30 | Lam Research Corporation | Method of depositing a silicon containing layer on a semiconductor substrate |
| US6071573A (en) * | 1997-12-30 | 2000-06-06 | Lam Research Corporation | Process for precoating plasma CVD reactors |
| EP1154037A1 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-14 | Applied Materials, Inc. | Methods for improving chemical vapor deposition processing |
| US6770214B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-08-03 | Lam Research Corporation | Method of reducing aluminum fluoride deposits in plasma etch reactor |
| SG113617A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-08-29 | Air Prod & Chem | Cleaning cvd chambers following deposition of porogen-containing materials |
| JP2009027011A (ja) * | 2007-07-20 | 2009-02-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07100865B2 (ja) | 1995-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3072989B1 (ja) | 半導体基板上に薄膜を形成する成膜装置における成膜方法 | |
| US5421957A (en) | Low temperature etching in cold-wall CVD systems | |
| US5326723A (en) | Method for improving stability of tungsten chemical vapor deposition | |
| US6767836B2 (en) | Method of cleaning a CVD reaction chamber using an active oxygen species | |
| JPS62214175A (ja) | 減圧ｃｖｄ処理装置のクリーニング法 | |
| KR20180130596A (ko) | 플라즈마 프로세싱 챔버에서의 인-시튜 챔버 세정 효율 향상을 위한 플라즈마 처리 프로세스 | |
| TWI254363B (en) | Chamber cleaning method | |
| US9216609B2 (en) | Radical etching apparatus and method | |
| JP3004696B2 (ja) | 化学的蒸着装置の洗浄方法 | |
| US20010052350A1 (en) | Method for cleaning interior of etching chamber | |
| US6395192B1 (en) | Method and apparatus for removing native oxide layers from silicon wafers | |
| JP2002299316A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP4059792B2 (ja) | 半導体製造方法 | |
| JP3820212B2 (ja) | Ｃｖｄチャンバクリーニング後にｃｖｄチャンバをコンディショニングする方法 | |
| KR100362906B1 (ko) | 고체 표면, 기판 및 반도체 제조 장치의 처리 방법 및이들을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JPH09172081A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6626187B2 (en) | Method of reconditioning reaction chamber | |
| JP2002060950A (ja) | 化学的気相堆積処理を改善する方法 | |
| JP2002289589A (ja) | エッチング方法 | |
| JP2003100743A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH02111867A (ja) | シリコン基体への金属の堆積方法 | |
| JP2001110785A (ja) | 処理方法 | |
| JPH10147877A (ja) | ガスクリーニング方法 | |
| JPH07235530A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JP2000323475A (ja) | 半導体基板上に薄膜を形成する成膜装置における成膜方法 |