JPS6126051A - アモルフアスシリコン電子写真用感光体の製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコン電子写真用感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6126051A JPS6126051A JP14700684A JP14700684A JPS6126051A JP S6126051 A JPS6126051 A JP S6126051A JP 14700684 A JP14700684 A JP 14700684A JP 14700684 A JP14700684 A JP 14700684A JP S6126051 A JPS6126051 A JP S6126051A
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- JP
- Japan
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- vacuum chamber
- layer
- substrate
- gas
- drum substrate
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、アモルファスシリコン電子写真用感光体の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
従来技術
従来、電子写真式複写機等の画像形成システムにおいて
は、感光体としてアルミニウムまたはアルミニウム系合
金から成る基板の表面に水素原子を含むアモルファスシ
リコン（以下ａ−，Ｓｉという）層を堆積させたａ−８
４感光体が使用されておシ、。
は、感光体としてアルミニウムまたはアルミニウム系合
金から成る基板の表面に水素原子を含むアモルファスシ
リコン（以下ａ−，Ｓｉという）層を堆積させたａ−８
４感光体が使用されておシ、。
このａ−Ｓｉ感光体は例えば第１図に示すようなプラノ
−ｒ ＯＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖｏｐｏｕｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置により製造される。即ち、
第１図において、１は真空チャンバー、２は真空チャン
バー１内を真空に排気するための補助的なメカニカルブ
ースターポンプ、３は真空チャンバー１内を真空に排気
するためのロータリーポンプ、４は真空チャンバー１内
にセットされ且つモータ５によシ回転せしめられ得るア
ルミニウムまたはアル、ミニラム系合金から成るドラム
基板、６はドラム基板４を設定温度に加熱するための温
度制御装置、７は真空チャンバー１内にセットされたド
ラム基板４を同心的に包囲するＩ’ＬＰ電極で、その外
側面圧は材料ガスを一人するための入ロアａが、またそ
の内側面には複数のガス噴出孔７ｂが備えられている。
−ｒ ＯＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖｏｐｏｕｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置により製造される。即ち、
第１図において、１は真空チャンバー、２は真空チャン
バー１内を真空に排気するための補助的なメカニカルブ
ースターポンプ、３は真空チャンバー１内を真空に排気
するためのロータリーポンプ、４は真空チャンバー１内
にセットされ且つモータ５によシ回転せしめられ得るア
ルミニウムまたはアル、ミニラム系合金から成るドラム
基板、６はドラム基板４を設定温度に加熱するための温
度制御装置、７は真空チャンバー１内にセットされたド
ラム基板４を同心的に包囲するＩ’ＬＰ電極で、その外
側面圧は材料ガスを一人するための入ロアａが、またそ
の内側面には複数のガス噴出孔７ｂが備えられている。
８はＲＦ電極７への給電を行なうことＫよシ該几Ｆ電極
７とドラム基板４との間にグロー放電を生ぜしめるため
の高周波電源であシ、このように構成されたプラズマＣ
ＶＤ装置を用いてａ−Ｓｉ感光体を製造する場合、先づ
研磨洗浄したドラム基板４をプラズマＣＶＤ装置の真空
チャンバー１内にセットしてからメカニカルブースター
ポンプ２及びロータリーポンプ３によシ該真空チャンバ
ー１内の排気を行ない、続いて温度制御装置６によシト
ラム基板４を所定の設定温度に加熱し、次に該真空チャ
ンバー１内にＲＦ電極７を介して即ち入ロアａよシ該Ｒ
Ｆ電極７内部を通ってその内側面のガス噴出孔７ｂから
ＳｉＨ４ｅ ’ Ｂ２ Ｈｓ ＋ Ｐ Ｈ３等の材料ガ
スを導入した後、高周波電源８により該真空チャンバー
１内で該几Ｆ電極７とドラム基板４との間にグロー放電
を生ぜしめることによう該材料ガスを５ｉ−Ｈ等のラジ
カル（遊離基）に分散せしめてドラム基板４上にａ−ｊ
９ｉ層を堆積せしめ、かくしてａ−３ｉ感光体が製造さ
れる。しかしながら、このようにして製造されたａ−Ｂ
１感光体は、真空チャンバー１内にセットしてからａ−
３ｉ層を堆積せしめるまでの間に残留するＳｉ系の粉末
。
７とドラム基板４との間にグロー放電を生ぜしめるため
の高周波電源であシ、このように構成されたプラズマＣ
ＶＤ装置を用いてａ−Ｓｉ感光体を製造する場合、先づ
研磨洗浄したドラム基板４をプラズマＣＶＤ装置の真空
チャンバー１内にセットしてからメカニカルブースター
ポンプ２及びロータリーポンプ３によシ該真空チャンバ
ー１内の排気を行ない、続いて温度制御装置６によシト
ラム基板４を所定の設定温度に加熱し、次に該真空チャ
ンバー１内にＲＦ電極７を介して即ち入ロアａよシ該Ｒ
Ｆ電極７内部を通ってその内側面のガス噴出孔７ｂから
ＳｉＨ４ｅ ’ Ｂ２ Ｈｓ ＋ Ｐ Ｈ３等の材料ガ
スを導入した後、高周波電源８により該真空チャンバー
１内で該几Ｆ電極７とドラム基板４との間にグロー放電
を生ぜしめることによう該材料ガスを５ｉ−Ｈ等のラジ
カル（遊離基）に分散せしめてドラム基板４上にａ−ｊ
９ｉ層を堆積せしめ、かくしてａ−３ｉ感光体が製造さ
れる。しかしながら、このようにして製造されたａ−Ｂ
１感光体は、真空チャンバー１内にセットしてからａ−
３ｉ層を堆積せしめるまでの間に残留するＳｉ系の粉末
。
フレークが該ドラム基板４上に付着してしまい、そのま
まａ−Ｓｉ層の゛堆積を行なうと前記連系の粉末、フレ
ークが付着した部分でａ−３ｉ層のドラム基板４への密
着性が低くなるのでこの部分でａ−Ｂｒ層の剥離や亀裂
が生じやすくなったり、前記シリコン系の粉末、フレー
クが小さい場合は、そのままの状態でａ−Ｓｉ層中に埋
め込まれ感光体として使用した場合に黒い点状欠陥、白
ヌケ等の画像欠陥の原因となっていた。またａ−Ｓｉ感
光体のドラムへの流れ込み電流■ｃに対する表面電位Ｖ
Ｓ の関係は第２図に実線Ａで示すようになっているの
で、通常複写機において画像濃度を上げるためにＩＣを
増やすことによってｙｓ を上げるようにしているが
、この場合ＩＣを増大し過ぎると帯電チャージャーから
ドラム基板表面に火花放電が飛びやすくなＪ）ａ−３ｉ
層の放電破壊が起こったシ、またＶＳがａ−Ｂｒ層の絶
縁耐圧以上になると絶縁破壊が起こってしまう。さらに
これらのａ−Ｓｉ層の破壊は直接的な画像欠陥の原因と
なり、ａ−Ｓｉ感光体の交換が必要となる。
まａ−Ｓｉ層の゛堆積を行なうと前記連系の粉末、フレ
ークが付着した部分でａ−３ｉ層のドラム基板４への密
着性が低くなるのでこの部分でａ−Ｂｒ層の剥離や亀裂
が生じやすくなったり、前記シリコン系の粉末、フレー
クが小さい場合は、そのままの状態でａ−Ｓｉ層中に埋
め込まれ感光体として使用した場合に黒い点状欠陥、白
ヌケ等の画像欠陥の原因となっていた。またａ−Ｓｉ感
光体のドラムへの流れ込み電流■ｃに対する表面電位Ｖ
Ｓ の関係は第２図に実線Ａで示すようになっているの
で、通常複写機において画像濃度を上げるためにＩＣを
増やすことによってｙｓ を上げるようにしているが
、この場合ＩＣを増大し過ぎると帯電チャージャーから
ドラム基板表面に火花放電が飛びやすくなＪ）ａ−３ｉ
層の放電破壊が起こったシ、またＶＳがａ−Ｂｒ層の絶
縁耐圧以上になると絶縁破壊が起こってしまう。さらに
これらのａ−Ｓｉ層の破壊は直接的な画像欠陥の原因と
なり、ａ−Ｓｉ感光体の交換が必要となる。
目 的
本発明は以上の点に鑑み、ａ−８ｉ層が基板に安定的に
即ち密着性が低下することなく堆積され、また表面欠陥
のないアモルファスシリコン電子写真用感光体の製造方
法を提供することを目的としている。
即ち密着性が低下することなく堆積され、また表面欠陥
のないアモルファスシリコン電子写真用感光体の製造方
法を提供することを目的としている。
概要
この目的は、プラズマＣＶＤ装置によるａ−３ｉ電子写
真用感光体の製造方法において、基板加熱中の任意の時
間に好ましくはａ−Ｂ皿堆積直前に先づ該真空チャンバ
ー内にＣＦ４ガスまたはＣＦ４＋Ｏ２ガスを導入し且つ
該真空チャンバー内にグロー放電を生ぜしめることによ
りドラム基板上に付熱したＳＩ系の粉、フレーク等をエ
ツチング除去し、次に真空に排気後肢真空チャンバー内
にＨ２ガスを導入し且つ該真空チャンバー内にＩ％Ｆグ
ロー放電を生ぜしめることによりＨ２プラズマ処理を行
なう段階を備えたことを特徴とする、アモルファスシリ
コン電子写真用感光体の製造方法によシ解決される。
真用感光体の製造方法において、基板加熱中の任意の時
間に好ましくはａ−Ｂ皿堆積直前に先づ該真空チャンバ
ー内にＣＦ４ガスまたはＣＦ４＋Ｏ２ガスを導入し且つ
該真空チャンバー内にグロー放電を生ぜしめることによ
りドラム基板上に付熱したＳＩ系の粉、フレーク等をエ
ツチング除去し、次に真空に排気後肢真空チャンバー内
にＨ２ガスを導入し且つ該真空チャンバー内にＩ％Ｆグ
ロー放電を生ぜしめることによりＨ２プラズマ処理を行
なう段階を備えたことを特徴とする、アモルファスシリ
コン電子写真用感光体の製造方法によシ解決される。
即ち、本発明によれば、
ａ）ドラム基板を研磨洗浄処理する；
ｂ）研磨洗浄したドラム基板をプラズマＣＶＤ装置の真
空チャンバー内にセットして該真空チャンバー内が真空
状態となるように排気を行なう； Ｃ）該ドラム基板を設定温度に加熱する：ｄ）基板′加
熱中の任意の時間に好ましくはａ−８ｉ層の堆積直前に １）先づ該真空チャンノ々−内にＣＦ４ガスまたはＣＦ
４＋Ｏ２ガスを導入し且つ該真空チャンバー内にグロー
放電を生ぜしめることにより該ドラム基板上に付着した
ＳＬ系の粉。
空チャンバー内にセットして該真空チャンバー内が真空
状態となるように排気を行なう； Ｃ）該ドラム基板を設定温度に加熱する：ｄ）基板′加
熱中の任意の時間に好ましくはａ−８ｉ層の堆積直前に １）先づ該真空チャンノ々−内にＣＦ４ガスまたはＣＦ
４＋Ｏ２ガスを導入し且つ該真空チャンバー内にグロー
放電を生ぜしめることにより該ドラム基板上に付着した
ＳＬ系の粉。
フレーク等をエツチング除去し
１１）次に真空チャンバー内を真空に排気した稜該真空
チャンバー内にＦ■２ガスを導入し且つ該真空チャ／パ
ー内にグロー放電゛を生ぜしめることによりＨ２プラズ
マ処理を行なう；ｅ）真空チャンバー内にＳｉ Ｈ４ｔ
Ｂ２ Ｈ６＋ ＰＨ３等の材料ガスを導入し且つ該真
空チャンノ々−内にグロー放電を生ぜしめることにより
該ドラム基板上にアモルファスシリコン層を堆積せしめ
る； という工程を順次行なうことにより、アモルイアスンリ
コン電子写真用感光体が製造される。而もドラム基板を
真空チャンバー内にセットしてからａ−Ｓｉ層を堆積せ
しめるまでの間に該ドラム基板上に付着した３ｉ系の粉
末、フレーク等のエツチング機構は次のようになる。段
階 ｄ）の１）において真空ナヤンパー内に導入された
ＣＦ４ガスはグロー放電による次の平衡状態にある； ＣＦ４ ＋ ｅ４−− ｃｐ３＋ Ｆ ＋ ２ｅによシ
、ここで生じるフッ素ラジカルＦ＊がドラム基板上に付
着した３ｉ と反応し、 ＳＩ＋４Ｆ＊−＋５ＩＦ４↑ の如く揮発性の高い５ＩＦ４を生成することにより、エ
ツチング除去される。尚、このときドラム基板上にはフ
ルオロカーボン系の生成物が付着してしまうので、ＣＦ
４ガスに０２ガスを添加することによシ該生成物をＣＯ
または００２として除去してもよく、この０□ガスの添
加はＦ の再結合を防止し且つ ＊ ＣＦ３ ＋ Ｏ＋ ｅ→ ０ＣＦ２ ＋ Ｆの
反応を促進してＦ を増加せしめることにより、前記エ
ツチングの速度を上げるが、この際アルミニウムまたは
アルミニウム系合金から成るドラム基板の表面が０２ガ
スにより酸化し、アルマイト化してしまい、これは例え
ば５〜１００μｍのａ−３ｉ層を堆積させるような場合
にはａ−Ｓｉ層の密着性を低下させる原因となシ該ａ−
８ｉ層の剥離、亀裂が生じやすくなる。このため次に、
段階 ｄ）の１１）において１］２ゾラズマ処理を行な
うことによシ、ＣＦ４ガスによるエツチングの際にドラ
ム基板上に付着したフルオロカーボン系の生成物は、水
素ラジカルと反応してフッ化水素ＨＦとして除去され、
またＣ Ｆ４ ＋Ｏ２ガスによるエツチングの際にドラ
ム基板表面に生じた酸化膜は水素の還元作用によシ除去
され、ドラム基板の表面は清浄な状態で続いてａ−Ｓｉ
層が堆積せしめられる。
チャンバー内にＦ■２ガスを導入し且つ該真空チャ／パ
ー内にグロー放電゛を生ぜしめることによりＨ２プラズ
マ処理を行なう；ｅ）真空チャンバー内にＳｉ Ｈ４ｔ
Ｂ２ Ｈ６＋ ＰＨ３等の材料ガスを導入し且つ該真
空チャンノ々−内にグロー放電を生ぜしめることにより
該ドラム基板上にアモルファスシリコン層を堆積せしめ
る； という工程を順次行なうことにより、アモルイアスンリ
コン電子写真用感光体が製造される。而もドラム基板を
真空チャンバー内にセットしてからａ−Ｓｉ層を堆積せ
しめるまでの間に該ドラム基板上に付着した３ｉ系の粉
末、フレーク等のエツチング機構は次のようになる。段
階 ｄ）の１）において真空ナヤンパー内に導入された
ＣＦ４ガスはグロー放電による次の平衡状態にある； ＣＦ４ ＋ ｅ４−− ｃｐ３＋ Ｆ ＋ ２ｅによシ
、ここで生じるフッ素ラジカルＦ＊がドラム基板上に付
着した３ｉ と反応し、 ＳＩ＋４Ｆ＊−＋５ＩＦ４↑ の如く揮発性の高い５ＩＦ４を生成することにより、エ
ツチング除去される。尚、このときドラム基板上にはフ
ルオロカーボン系の生成物が付着してしまうので、ＣＦ
４ガスに０２ガスを添加することによシ該生成物をＣＯ
または００２として除去してもよく、この０□ガスの添
加はＦ の再結合を防止し且つ ＊ ＣＦ３ ＋ Ｏ＋ ｅ→ ０ＣＦ２ ＋ Ｆの
反応を促進してＦ を増加せしめることにより、前記エ
ツチングの速度を上げるが、この際アルミニウムまたは
アルミニウム系合金から成るドラム基板の表面が０２ガ
スにより酸化し、アルマイト化してしまい、これは例え
ば５〜１００μｍのａ−３ｉ層を堆積させるような場合
にはａ−Ｓｉ層の密着性を低下させる原因となシ該ａ−
８ｉ層の剥離、亀裂が生じやすくなる。このため次に、
段階 ｄ）の１１）において１］２ゾラズマ処理を行な
うことによシ、ＣＦ４ガスによるエツチングの際にドラ
ム基板上に付着したフルオロカーボン系の生成物は、水
素ラジカルと反応してフッ化水素ＨＦとして除去され、
またＣ Ｆ４ ＋Ｏ２ガスによるエツチングの際にドラ
ム基板表面に生じた酸化膜は水素の還元作用によシ除去
され、ドラム基板の表面は清浄な状態で続いてａ−Ｓｉ
層が堆積せしめられる。
さらに上記方法で製造されたａ−ｊ９ｉ９ｉ感光電子写
真式複写機で使用する場合の該感光体のドラムへの流れ
込み電流ＩＣに対する表面電位ＶＳ の関係は、第２図
において破線Ｂまたは鎖線Ｃで示すようになっており、
画像濃度を上げるためにＩＣを増大せしめても■Ｓは絶
縁破壊電圧までには達せず、而もＢ、Ｃで示すような特
性曲線の立上り位置は、Ｈ２プラズマ処理によってドラ
ム基板表面とａ−Ｓｉ層のオーム性接触を制御し得ると
考えられるので、ｌ−１２プラズマ処理における放電ノ
ξワー。
真式複写機で使用する場合の該感光体のドラムへの流れ
込み電流ＩＣに対する表面電位ＶＳ の関係は、第２図
において破線Ｂまたは鎖線Ｃで示すようになっており、
画像濃度を上げるためにＩＣを増大せしめても■Ｓは絶
縁破壊電圧までには達せず、而もＢ、Ｃで示すような特
性曲線の立上り位置は、Ｈ２プラズマ処理によってドラ
ム基板表面とａ−Ｓｉ層のオーム性接触を制御し得ると
考えられるので、ｌ−１２プラズマ処理における放電ノ
ξワー。
Ｉ４２ガス流量、処理時間によって容易に制御可能であ
る。かくして、ａ−３ｉ感光体の■ｃ −ＶＳ特性を制
御することによシ実機中で充分に画像濃度を上げ而もｙ
ｓ を絶縁破壊電圧以下に抑制することができるので、
より高品質で長寿命のａ−３ｉ感光体が得られる。
る。かくして、ａ−３ｉ感光体の■ｃ −ＶＳ特性を制
御することによシ実機中で充分に画像濃度を上げ而もｙ
ｓ を絶縁破壊電圧以下に抑制することができるので、
より高品質で長寿命のａ−３ｉ感光体が得られる。
また本発明方法は、ドラム基板の加熱時に並行−してＣ
Ｆ４ガスまたはＣＦ４＋Ｏ２ガスによるエツチング処理
及び■−１２プラズマ処理が行なわれるので特に作業時
間が延びるようなことがなく、而も真空チャンバー内に
一度ドラム基板をセットした後は真空状態を保持したま
までＣＦ４ガスまたはＣＦ４＋Ｏ２ガスによるエツチン
グ処理、Ｈ２プラズマ処理並びに３−Ｓｉ層の堆積が材
料ガスを変更するのみで連続的に行なわれ得るので操作
が単純である。
Ｆ４ガスまたはＣＦ４＋Ｏ２ガスによるエツチング処理
及び■−１２プラズマ処理が行なわれるので特に作業時
間が延びるようなことがなく、而も真空チャンバー内に
一度ドラム基板をセットした後は真空状態を保持したま
までＣＦ４ガスまたはＣＦ４＋Ｏ２ガスによるエツチン
グ処理、Ｈ２プラズマ処理並びに３−Ｓｉ層の堆積が材
料ガスを変更するのみで連続的に行なわれ得るので操作
が単純である。
実施例
以下に、第１図のプラズマ０ＶＤ装置によシ本発明に従
って製造したａ −８＋感光体の一実施例を説明する。
って製造したａ −８＋感光体の一実施例を説明する。
１． ０Ｆ４ガスによるエツチング処理の条件ＣＦ４ガ
ス流量 ３０−１００ ｃｃ／ｍｉｎ真空度 ０．５
〜５Ｔｏｒｒ ＲＦ ノξワ −１ｏ ｏ〜５ ｏ ０ｗ２ Ｈ２
プシズマ処理の条件 】Ｊ２ガス流量 ５０〜３ｏｏｃｃ／ｌＴｌＩｎ真
空度 ０−１〜５Ｔｏｒｒ Ｒｐパワー １００〜５００ｗ３、結果 ａ）基礎静電特性（分光感度、暗減衰率等）良 好 ｂ）Ｉｃ−Ｖｓ特性 Ｉｃ 立上り位置でのＶｓ＝７ＱＯＶ Ｃ）画像 黒い点状欠陥、白ヌケ等の画像欠陥は なく、良質な画像が安定して倚られた。
ス流量 ３０−１００ ｃｃ／ｍｉｎ真空度 ０．５
〜５Ｔｏｒｒ ＲＦ ノξワ −１ｏ ｏ〜５ ｏ ０ｗ２ Ｈ２
プシズマ処理の条件 】Ｊ２ガス流量 ５０〜３ｏｏｃｃ／ｌＴｌＩｎ真
空度 ０−１〜５Ｔｏｒｒ Ｒｐパワー １００〜５００ｗ３、結果 ａ）基礎静電特性（分光感度、暗減衰率等）良 好 ｂ）Ｉｃ−Ｖｓ特性 Ｉｃ 立上り位置でのＶｓ＝７ＱＯＶ Ｃ）画像 黒い点状欠陥、白ヌケ等の画像欠陥は なく、良質な画像が安定して倚られた。
発明の効果
以上述べたように本発明によれば、基板加熱中の任意の
時間に好ましくはａ−Ｓｉ層の堆積直前に先づＣＦ４ガ
スまたはＣＦ４＋Ｏ２ガスによるエツチング処理に行な
い。次にＨ２プラズマ処理を行なうようにしたから、ド
ラム基板を真空チャンバー内にセットしてからａ−Ｓｉ
層を堆積せしめるまでの間にドラム基板上に付着するＳ
ｉ系の粉、フレーク 。
時間に好ましくはａ−Ｓｉ層の堆積直前に先づＣＦ４ガ
スまたはＣＦ４＋Ｏ２ガスによるエツチング処理に行な
い。次にＨ２プラズマ処理を行なうようにしたから、ド
ラム基板を真空チャンバー内にセットしてからａ−Ｓｉ
層を堆積せしめるまでの間にドラム基板上に付着するＳ
ｉ系の粉、フレーク 。
等が確実に除去され得るので、ａ−８１層がドラム基板
に安定的に密着して堆積せしめられ得、またＩＣ−ｖＳ
特性をＨ２プラズマ処理により制御し得るので絶縁破壊
電圧以下のＶＳで充分な画像濃度が得られ、かくして画
像欠陥のない良質で寿命の長いａ−３ｉ電子写真用感光
体が提供される。
に安定的に密着して堆積せしめられ得、またＩＣ−ｖＳ
特性をＨ２プラズマ処理により制御し得るので絶縁破壊
電圧以下のＶＳで充分な画像濃度が得られ、かくして画
像欠陥のない良質で寿命の長いａ−３ｉ電子写真用感光
体が提供される。
第１図は、プラズマＯＶＤ 装置の一例を示す概略図、
第２図は１ｃ、−ｙｓ特性を示すグラフである。 １・・・真空チャンバー、２・・・メカニカルブースタ
ーポンプ、３・・・ロータリーポンプ、４・・・ドラム
基板ζ５・・・モータ、６・・・温度制御装置、７・・
４Ｆ電極、８・・・高周波電源。
第２図は１ｃ、−ｙｓ特性を示すグラフである。 １・・・真空チャンバー、２・・・メカニカルブースタ
ーポンプ、３・・・ロータリーポンプ、４・・・ドラム
基板ζ５・・・モータ、６・・・温度制御装置、７・・
４Ｆ電極、８・・・高周波電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 研磨洗浄したドラム基板をプラズマＣＶＤ装置の真空チ
ャンバー内にセットして該真空チャンバーの真空排気を
行なう段階と、続いて該ドラム基板を設定温度に加熱す
る段階と、次に該真空チャンバー内にＳｉＨ＿４、Ｂ＿
２Ｈ＿６、ＰＨ＿３等の材料ガスを導入し且つ該真空チ
ャンバー内にグロー放電を生ぜしめることにより該ドラ
ム基板上にアモルファスシリコン層を堆積せしめる段階
とを含む、アモルファスシリコン電子写真用感光体の製
造方法において、 基板加熱中の任意の時間に好ましくはａ−Ｓｉ層の堆積
直前に先づ該真空チャンバー内にＣＦ＿４ガスまたはＣ
Ｆ＿４＋Ｏ＿２ガスを導入し且つ該真空チャンバー内に
グロー放電を生ぜしめることにより該ドラム基板上に付
着したＳｉ系の粉、フレーク等をエッチング除去し、次
に真空排気後該真空チャンバー内にＨ＿２ガスを導入し
且つ該真空チャンバー内にグロー放電を生ぜしめること
によりＨ＿２プラズマ処理を行なう段階とを備えたこと
を特徴とする、アモルファスシリコン電子写真用感光体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14700684A JPS6126051A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | アモルフアスシリコン電子写真用感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14700684A JPS6126051A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | アモルフアスシリコン電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126051A true JPS6126051A (ja) | 1986-02-05 |
| JPH0514904B2 JPH0514904B2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=15420426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14700684A Granted JPS6126051A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | アモルフアスシリコン電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6126051A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62214175A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-19 | Fujitsu Ltd | 減圧ｃｖｄ処理装置のクリーニング法 |
| JPH0291658A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-03-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59136739A (ja) * | 1983-01-25 | 1984-08-06 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 非晶質シリコン電子写真感光体の再生方法 |
-
1984
- 1984-07-17 JP JP14700684A patent/JPS6126051A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59136739A (ja) * | 1983-01-25 | 1984-08-06 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 非晶質シリコン電子写真感光体の再生方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62214175A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-19 | Fujitsu Ltd | 減圧ｃｖｄ処理装置のクリーニング法 |
| JPH0291658A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-03-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0514904B2 (ja) | 1993-02-26 |
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