JPH09172004A - エッチング方法 - Google Patents
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- JPH09172004A JPH09172004A JP8298722A JP29872296A JPH09172004A JP H09172004 A JPH09172004 A JP H09172004A JP 8298722 A JP8298722 A JP 8298722A JP 29872296 A JP29872296 A JP 29872296A JP H09172004 A JPH09172004 A JP H09172004A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体表面又は導電体表面をエッチングする
場合においても、エッチングの均一性を維持しつつプラ
ズマを適正に維持する。 【解決手段】 エッチングチャンバ内にアルゴンガスを
流入させ、電力を供給し、イオン化アルゴンを含有する
プラズマを発生させ、また、処理しようとする面にバイ
アスを与える。減圧下でエッチングは遂行される。しか
し、エッチングの工程中は、プラズマを維持しつつ適度
に高いエッチレイトを実現するように、充分なプラズマ
電力とする。
場合においても、エッチングの均一性を維持しつつプラ
ズマを適正に維持する。 【解決手段】 エッチングチャンバ内にアルゴンガスを
流入させ、電力を供給し、イオン化アルゴンを含有する
プラズマを発生させ、また、処理しようとする面にバイ
アスを与える。減圧下でエッチングは遂行される。しか
し、エッチングの工程中は、プラズマを維持しつつ適度
に高いエッチレイトを実現するように、充分なプラズマ
電力とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンやメタル
の表面をエッチングする方法に関する。特に、本発明
は、半導体ウエハやメタルウエハをクリーニングするた
めの、物理的エッチング方法に関する。
の表面をエッチングする方法に関する。特に、本発明
は、半導体ウエハやメタルウエハをクリーニングするた
めの、物理的エッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程の最
初のステップとして、自然酸化物（ネイティブオキサイ
ド）、ダストやその他の汚染物を半導体ウエハやアルミ
ニウムウエハの表面から取り除くことが望ましい。従来
からのプレクリーニングの方法にはスパッタリングエッ
チングの技術が含まれ、その技術では、プラズマ中の粒
子が、係る表面に物理的に衝突する。典型的には、係る
表面にバイアスをかけて、イオン化粒子を誘引し、これ
がしばしば、プラズマの中に比較的小さな部分を構成す
る。そして、これらイオン化粒子が係る表面を叩いて、
ウエハの露出面の小部分及びその上の汚染物を追い出す
ことにより、クリーニングが行われる。化学反応は生じ
ない。
初のステップとして、自然酸化物（ネイティブオキサイ
ド）、ダストやその他の汚染物を半導体ウエハやアルミ
ニウムウエハの表面から取り除くことが望ましい。従来
からのプレクリーニングの方法にはスパッタリングエッ
チングの技術が含まれ、その技術では、プラズマ中の粒
子が、係る表面に物理的に衝突する。典型的には、係る
表面にバイアスをかけて、イオン化粒子を誘引し、これ
がしばしば、プラズマの中に比較的小さな部分を構成す
る。そして、これらイオン化粒子が係る表面を叩いて、
ウエハの露出面の小部分及びその上の汚染物を追い出す
ことにより、クリーニングが行われる。化学反応は生じ
ない。
【０００３】このようなプラズマエッチング処理では、
高い圧力でのプラズマ発生のステップ、例えば５ミリト
ール（ｍＴ）の圧力での工程において、４００ｋＨｚで
３００Ｗの電力を供給する誘導電源を用いて、プラズマ
を点火する。典型的には、ウエハにＤＣバイアスを印加
し、１３．６ＭＨｚの電力１２５Ｗ〜３００Ｗを供給す
る。エッチングは、比較的低い圧力、例えば１ｍＴ未満
で遂行されるが、それは、ウエハ全面のエッチング均一
性を実現するためには低い圧力であることが重要である
と認識されているためである。しかし、エッチングのス
テップの低い圧力条件下では、プラズマをエッチングに
適切であるように維持することが非常に困難であり、何
故なら、プラズマのイオン化種の中でカソードで消費さ
れる割合が著しく高いからである。
高い圧力でのプラズマ発生のステップ、例えば５ミリト
ール（ｍＴ）の圧力での工程において、４００ｋＨｚで
３００Ｗの電力を供給する誘導電源を用いて、プラズマ
を点火する。典型的には、ウエハにＤＣバイアスを印加
し、１３．６ＭＨｚの電力１２５Ｗ〜３００Ｗを供給す
る。エッチングは、比較的低い圧力、例えば１ｍＴ未満
で遂行されるが、それは、ウエハ全面のエッチング均一
性を実現するためには低い圧力であることが重要である
と認識されているためである。しかし、エッチングのス
テップの低い圧力条件下では、プラズマをエッチングに
適切であるように維持することが非常に困難であり、何
故なら、プラズマのイオン化種の中でカソードで消費さ
れる割合が著しく高いからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】エッチングのステップ
の間に、追い出されたエッチング副生成物が、プラズマ
電源に近接するチャンバの内側に堆積することがある。
珪素酸化物等の誘電体が堆積しても、これが、電力がチ
ャンバ壁を介してプラズマへ結合することを妨害するこ
とはない。しかし、シリコンやアルミニウムのように半
導体又は導電体を含有する物質が堆積すれば、これが電
源とプラズマとの間の結合を妨害することとなり、エッ
チング中にプラズマが一貫して維持されなくなる場合が
ある。
の間に、追い出されたエッチング副生成物が、プラズマ
電源に近接するチャンバの内側に堆積することがある。
珪素酸化物等の誘電体が堆積しても、これが、電力がチ
ャンバ壁を介してプラズマへ結合することを妨害するこ
とはない。しかし、シリコンやアルミニウムのように半
導体又は導電体を含有する物質が堆積すれば、これが電
源とプラズマとの間の結合を妨害することとなり、エッ
チング中にプラズマが一貫して維持されなくなる場合が
ある。
【０００５】従って、半導体表面又は導電体表面をエッ
チングする場合においても、エッチングの均一性を維持
しつつプラズマを適正に維持する、エッチングプロセス
が必要である。
チングする場合においても、エッチングの均一性を維持
しつつプラズマを適正に維持する、エッチングプロセス
が必要である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、物理的なエッ
チングのメカニズムを用いて、導電体又は半導体をエッ
チングする方法を与えるものである。
チングのメカニズムを用いて、導電体又は半導体をエッ
チングする方法を与えるものである。
【０００７】本発明の１つの特徴に従えば、エッチング
チャンバ内にアルゴンガスが流入する。電力を供給し
て、イオン化アルゴンを含有するプラズマを発生させ、
また、処理しようとする面にバイアスを与える。減圧下
でエッチングは遂行される。しかし、エッチングの工程
中は、プラズマを維持しつつ適度に高いエッチレイトを
実現するように、充分なプラズマ電力とする。
チャンバ内にアルゴンガスが流入する。電力を供給し
て、イオン化アルゴンを含有するプラズマを発生させ、
また、処理しようとする面にバイアスを与える。減圧下
でエッチングは遂行される。しかし、エッチングの工程
中は、プラズマを維持しつつ適度に高いエッチレイトを
実現するように、充分なプラズマ電力とする。
【０００８】本発明の別の特徴では、プラズマを用いて
表面を物理的にエッチングする。誘導結合電源を用いて
プロセスチャンバ内の高い圧力ガスにプラズマを発生さ
せ、また、処理しようとする表面にはＤＣ電位によりバ
イアスを印加する。次いでガス圧を下げ、バイアスによ
り誘引されたイオン化種により、係る表面をエッチング
し、プラズマ電力対バイアス電力の比を、プラズマ発生
の工程と同じ比となるように維持する。
表面を物理的にエッチングする。誘導結合電源を用いて
プロセスチャンバ内の高い圧力ガスにプラズマを発生さ
せ、また、処理しようとする表面にはＤＣ電位によりバ
イアスを印加する。次いでガス圧を下げ、バイアスによ
り誘引されたイオン化種により、係る表面をエッチング
し、プラズマ電力対バイアス電力の比を、プラズマ発生
の工程と同じ比となるように維持する。
【０００９】プラズマ電力対バイアス電力の比は、約１
０：１であることが好まく、また、少なくとも１０：１
であってもよい。
０：１であることが好まく、また、少なくとも１０：１
であってもよい。
【００１０】本発明に従った方法は、半導体デバイスの
製造のプレクリーンのステップとして用いてもよい。
製造のプレクリーンのステップとして用いてもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】概説的には、本発明は、プラズマ
を用いて導電体及び半導体を物理的にエッチングする方
法に関するものである。本発明に従った方法では、カソ
ードでのエッチング種の消費に着目し、プラズマ電力対
バイアス電力の比を充分高い比に維持して、適切なプラ
ズマ及びエッチング種を維持できるようにする。従っ
て、プロセスチャンバ内部に導電性や半導電性のエッチ
ング副生成物が堆積してプラズマ電力のプラズマへの結
合が阻害されている場合でも、プラズマエッチングが維
持される。
を用いて導電体及び半導体を物理的にエッチングする方
法に関するものである。本発明に従った方法では、カソ
ードでのエッチング種の消費に着目し、プラズマ電力対
バイアス電力の比を充分高い比に維持して、適切なプラ
ズマ及びエッチング種を維持できるようにする。従っ
て、プロセスチャンバ内部に導電性や半導電性のエッチ
ング副生成物が堆積してプラズマ電力のプラズマへの結
合が阻害されている場合でも、プラズマエッチングが維
持される。
【００１２】本発明に従った方法は、大きく分けて２つ
のステップで遂行される。高い圧力でのプラズマ点火及
び処理面へのバイアス印加のステップと、低い圧力下の
エッチングのステップとである。これらのそれぞれを、
順に説明する。
のステップで遂行される。高い圧力でのプラズマ点火及
び処理面へのバイアス印加のステップと、低い圧力下の
エッチングのステップとである。これらのそれぞれを、
順に説明する。
【００１３】プロセスチャンバ内が定常状態に達すれ
ば、プラズマの点火が行われる。つまり、物理的エッチ
ングのためのプラズマを維持することが可能なガスの流
入が、ガス流れが安定するまで行われる。点火のための
電力は、ＲＦコイル等の誘導結合電源を用いて供給して
もよい。
ば、プラズマの点火が行われる。つまり、物理的エッチ
ングのためのプラズマを維持することが可能なガスの流
入が、ガス流れが安定するまで行われる。点火のための
電力は、ＲＦコイル等の誘導結合電源を用いて供給して
もよい。
【００１４】エッチングしようとする表面、例えばシリ
コンウエハやアルミニウムウエハは、チャンバ内でカソ
ードないしペデスタル上に支持され、このカソードない
しペデスタルにはバイアスが供給され、イオン化アルゴ
ン等の電荷を有するエッチング遂行のための種をプラズ
マから誘引する。カソードないしペデスタルを介してウ
エハにＤＣ電位を印加することにより、係る表面にバイ
アス電力が印加される。この表面へのバイアス電圧の大
きさは、電荷を有するエッチング種を誘引するに充分な
大きさで、且つ、プラズマを劣化させ一貫して維持でき
なくなるようなことにならないような大きさにすべきで
ある。バイアス電力の印加は、プラズマ点火前のプラズ
マチャンバ内へガスの流入の際に行われてもよく、又
は、プラズマ電力の印加と同時に行われてもよい。
コンウエハやアルミニウムウエハは、チャンバ内でカソ
ードないしペデスタル上に支持され、このカソードない
しペデスタルにはバイアスが供給され、イオン化アルゴ
ン等の電荷を有するエッチング遂行のための種をプラズ
マから誘引する。カソードないしペデスタルを介してウ
エハにＤＣ電位を印加することにより、係る表面にバイ
アス電力が印加される。この表面へのバイアス電圧の大
きさは、電荷を有するエッチング種を誘引するに充分な
大きさで、且つ、プラズマを劣化させ一貫して維持でき
なくなるようなことにならないような大きさにすべきで
ある。バイアス電力の印加は、プラズマ点火前のプラズ
マチャンバ内へガスの流入の際に行われてもよく、又
は、プラズマ電力の印加と同時に行われてもよい。
【００１５】定量的には、エッチングのステップ中にプ
ラズマが安定に維持され、且つ、均一性及びプロセスス
ループットの観点から適切なエッチレイトが実現される
ような、プラズマ電力対バイアス電力の比が適切であ
る。即ち、４００ｋＨｚのプラズマ電力が約４００Ｗの
場合は、１３．６ＭＨｚのバイアス電力は、一般には、
約１００Ｗが適している。好ましいプラズマ電力対バイ
アス電力の比の範囲は、４：１〜１２：１である。
ラズマが安定に維持され、且つ、均一性及びプロセスス
ループットの観点から適切なエッチレイトが実現される
ような、プラズマ電力対バイアス電力の比が適切であ
る。即ち、４００ｋＨｚのプラズマ電力が約４００Ｗの
場合は、１３．６ＭＨｚのバイアス電力は、一般には、
約１００Ｗが適している。好ましいプラズマ電力対バイ
アス電力の比の範囲は、４：１〜１２：１である。
【００１６】エッチングのステップの間は、プラズマか
らのイオン化アルゴンが露出面に衝突し、運動量の移動
により、小部分を取り去る。即ち、エッチング種とエッ
チング面とは、化学反応を生じない。エッチングのステ
ップでは、エッチングの均一性を高めるために圧力を比
較的小さくしてもよいが、プラズマ電力対バイアス電力
の比がプラズマ点火のステップ時と実質的に同じに維持
される。
らのイオン化アルゴンが露出面に衝突し、運動量の移動
により、小部分を取り去る。即ち、エッチング種とエッ
チング面とは、化学反応を生じない。エッチングのステ
ップでは、エッチングの均一性を高めるために圧力を比
較的小さくしてもよいが、プラズマ電力対バイアス電力
の比がプラズマ点火のステップ時と実質的に同じに維持
される。
【００１７】ウエハ全面でのエッチング均一性を実現す
る目的で圧力を下げた場合でも、プラズマ発生のステッ
プとエッチングのステップで、プラズマ電力対バイアス
電力の比を一定に維持することにより、これらステップ
間をスムーズに移行することができる。
る目的で圧力を下げた場合でも、プラズマ発生のステッ
プとエッチングのステップで、プラズマ電力対バイアス
電力の比を一定に維持することにより、これらステップ
間をスムーズに移行することができる。
【００１８】プラズマ点火のステップは、比較的高いガ
ス圧力、典型的には少なくとも約５ｍＴの圧力を用いて
完了し、エッチングのステップは、典型的には少なくと
も約１ｍＴで行われる。点火のステップでは、プラズマ
点火に先立ちチャンバ内の流れを安定させるに充分長い
時間、チャンバ内へのガスの導入を維持することが望ま
しい。エッチングのステップの直前にガス流れを小さく
して、エッチングステップのための圧力減少を助けても
よい。
ス圧力、典型的には少なくとも約５ｍＴの圧力を用いて
完了し、エッチングのステップは、典型的には少なくと
も約１ｍＴで行われる。点火のステップでは、プラズマ
点火に先立ちチャンバ内の流れを安定させるに充分長い
時間、チャンバ内へのガスの導入を維持することが望ま
しい。エッチングのステップの直前にガス流れを小さく
して、エッチングステップのための圧力減少を助けても
よい。
【００１９】図１は、本発明に従った方法を用いてエッ
チングを行った後の、６インチシリコンウエハの表面の
典型的な等高線マップを例示する。ここで、等高線の間
隔は、１オングストロームである。エッチングの均一性
を測定したところ、１．９％プラスマイナス３．５％
（最大／最小）であった（１シグマ、標準偏差）。エッ
チレイトは約１５８オングストローム／分であった。
チングを行った後の、６インチシリコンウエハの表面の
典型的な等高線マップを例示する。ここで、等高線の間
隔は、１オングストロームである。エッチングの均一性
を測定したところ、１．９％プラスマイナス３．５％
（最大／最小）であった（１シグマ、標準偏差）。エッ
チレイトは約１５８オングストローム／分であった。
【００２０】図２は、本発明に従った方法を用いたシリ
コンウエハのエッチングに対する典型的なバイアスのプ
ロットを例示する。プロセス条件は、以下のようであっ
た。バイアス電力は４０Ｗ（１３．６ＭＨｚ）、プラズ
マ電力は３９０Ｗ（４００ｋＨｚ）（プラズマ電力対バ
イアス電圧の比は、〜９．８：１）、点火のステップで
はアルゴン５ｍＴ、エッチングのステップではアルゴン
０．５ｍＴである。エッチングステップの間（およそｔ
＝３０で始まる）、約−５０ＶのＤＣバイアスが実質的
に維持されているが、これは、低い圧力でもエッチング
ステップが安定していることを反映したものである。Ｄ
Ｃバイアスが変動したりゼロに漸近することが、プラズ
マが不安定であることを表している。
コンウエハのエッチングに対する典型的なバイアスのプ
ロットを例示する。プロセス条件は、以下のようであっ
た。バイアス電力は４０Ｗ（１３．６ＭＨｚ）、プラズ
マ電力は３９０Ｗ（４００ｋＨｚ）（プラズマ電力対バ
イアス電圧の比は、〜９．８：１）、点火のステップで
はアルゴン５ｍＴ、エッチングのステップではアルゴン
０．５ｍＴである。エッチングステップの間（およそｔ
＝３０で始まる）、約−５０ＶのＤＣバイアスが実質的
に維持されているが、これは、低い圧力でもエッチング
ステップが安定していることを反映したものである。Ｄ
Ｃバイアスが変動したりゼロに漸近することが、プラズ
マが不安定であることを表している。
【００２１】本発明に従った方法は、従来からプラズマ
処理装置を用いて遂行してもよい。プラズマプレクリー
ニングに適したチャンバは、アプライドマテリアルズ社
によるプラズマ処理システム「エンデュラ」や「センチ
ュラ」（共に商品名）で用いているプラズマプレクリー
ニングチャンバが含まれる。
処理装置を用いて遂行してもよい。プラズマプレクリー
ニングに適したチャンバは、アプライドマテリアルズ社
によるプラズマ処理システム「エンデュラ」や「センチ
ュラ」（共に商品名）で用いているプラズマプレクリー
ニングチャンバが含まれる。
【００２２】図３では、本発明の方法の遂行が可能な模
範的なエッチプレクリーニングチャンバを例示する。エ
ッチングプロセスは、ガス流入口１２及び１４を介して
アルゴンが流入されるチャンバ１０の中で行われる。Ｒ
Ｆジェネレータ１６により発生したプラズマ電力は、チ
ャンバの上部２０の周りに巻かれたコイル１８を介して
供給される。必要に応じて、ポンプ１３に接続した流出
口１５を介して、チャンバが減圧される。チャンバ内で
ウエハ２６を支持するカソード２４に電気的に接続する
ＲＦジェネレータ２２により、バイアス電力が供給され
る。
範的なエッチプレクリーニングチャンバを例示する。エ
ッチングプロセスは、ガス流入口１２及び１４を介して
アルゴンが流入されるチャンバ１０の中で行われる。Ｒ
Ｆジェネレータ１６により発生したプラズマ電力は、チ
ャンバの上部２０の周りに巻かれたコイル１８を介して
供給される。必要に応じて、ポンプ１３に接続した流出
口１５を介して、チャンバが減圧される。チャンバ内で
ウエハ２６を支持するカソード２４に電気的に接続する
ＲＦジェネレータ２２により、バイアス電力が供給され
る。
【００２３】プラズマ処理システム「エンデュラ」や
「センチュラ」に関する容量５〜１０リットルのプレク
リーニングチャンバでは、プラズマ発生前のガス流量
は、典型的には、０ｓｃｃｍ〜１１０ｓｃｃｍであり、
好ましくは約１００ｓｃｃｍである。定常状態に達する
まで、このガス流れが実質的に維持される。エッチング
に際してガス流量を約５ｓｃｃｍまで下げてもよい。点
火／バイアス印加のステップ（ほぼ３秒間）及びエッチ
ングのステップ（ほぼ６０秒間）で、プラズマ電力対バ
イアス電圧の比を高い値で実質的に同じ値に維持する。
「センチュラ」に関する容量５〜１０リットルのプレク
リーニングチャンバでは、プラズマ発生前のガス流量
は、典型的には、０ｓｃｃｍ〜１１０ｓｃｃｍであり、
好ましくは約１００ｓｃｃｍである。定常状態に達する
まで、このガス流れが実質的に維持される。エッチング
に際してガス流量を約５ｓｃｃｍまで下げてもよい。点
火／バイアス印加のステップ（ほぼ３秒間）及びエッチ
ングのステップ（ほぼ６０秒間）で、プラズマ電力対バ
イアス電圧の比を高い値で実質的に同じ値に維持する。
【００２４】ここに説明した具体例及び実施例は、本発
明の説明のためのものであり、本発明の制限のためのも
のではない。いわゆる当業者が直ちにできる変形は本発
明の範囲に含まれると解される。
明の説明のためのものであり、本発明の制限のためのも
のではない。いわゆる当業者が直ちにできる変形は本発
明の範囲に含まれると解される。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
れば、半導体表面又は導電体表面をエッチングする場合
においても、エッチングの均一性を維持しつつプラズマ
を適正に維持する、エッチングプロセスが提供される。
れば、半導体表面又は導電体表面をエッチングする場合
においても、エッチングの均一性を維持しつつプラズマ
を適正に維持する、エッチングプロセスが提供される。
【図１】本発明に従った方法を用いて実現された酸化物
エッチングの、典型的な等高線マップである。
エッチングの、典型的な等高線マップである。
【図２】本発明に従った方法を用いたシリコンウエハの
エッチングによるプレクリーニング中における、典型的
なＤＣバイアスのグラフである。
エッチングによるプレクリーニング中における、典型的
なＤＣバイアスのグラフである。
【図３】本発明に従った方法を遂行することが可能な装
置の構成図である。
置の構成図である。
１０…チャンバ、１２，１４…ガス流入口、１３…ポン
プ、１５…流出口、１６…ＲＦジェネレータ、１８…コ
イル、２０…チャンバ上部、２２…ＲＦジェネレータ、
２４…カソード、２６…ウエハ。
プ、１５…流出口、１６…ＲＦジェネレータ、１８…コ
イル、２０…チャンバ上部、２２…ＲＦジェネレータ、
２４…カソード、２６…ウエハ。
Claims (9)
- 【請求項１】 プロセスチャンバ内で導電性の表面を物
理的にエッチングするための方法であって、 （ａ）チャンバ内にアルゴンガスを流入させて定常状態
をつくるステップと、 （ｂ）チャンバ内で該表面にバイアスをかけるステップ
と、 （ｃ）電力を与えて、該定常状態と同じ定常状態の下
で、イオン化アルゴンを含有するプラズマを発生させる
ステップと、 （ｄ）該イオン化アルゴンを用いて減圧下で該表面を均
一にエッチングするステップとを有し、プラズマを発生
させる前記電力が、該表面をエッチングする前記ステッ
プの間プラズマを維持するに充分な電力である方法。 - 【請求項２】 該表面をエッチングする前記ステップ
（ｄ）の間の圧力が、チャンバ内へのアルゴン流量を減
少することにより減少する請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 プラズマ電力対バイアス電力の比が、約
４：１〜約１２：１である請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 プラズマ電力対バイアス電力の比が、少
なくとも約１０：１である請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 プラズマを用いてメタルの表面又は半導
体の表面を物理的にエッチングする方法であって、 （ａ）ＤＣ電位を印加して該表面にバイアスをかけるス
テップと、 （ｂ）誘導結合電源を用いて、プロセスチャンバ内の高
い圧力のガスでプラズマを発生させるステップと、 （ｃ）プラズマ電力対バイアス電力の比を、プラズマを
発生させる前記ステップ（ｂ）と同じに維持しつつ、ガ
ス圧力を低減し、該表面へのバイアス印加により誘引さ
れたイオン化種により、該表面をエッチングするステッ
プとを有する方法。 - 【請求項６】 半導体デバイスを製造する方法であっ
て、プロセスチャンバ内で半導体ウエハの表面をプレク
リーニングするステップを有し、プレクリーニングの前
記ステップは、 （ａ）高い圧力の下でイオン化アルゴンを含有するプラ
ズマを発生させ、他方、チャンバ内への高いアルゴン流
入量を維持しつつ同時にチャンバ内のウエハにバイアス
をかける工程と、 （ｂ）低い圧力下でイオン化アルゴンで該表面を衝突さ
せ該表面をクリーニングする工程と、 （ｃ）前記工程（ｂ）と同時に、プラズマ電力対バイア
ス電力の比を、前記工程（ａ）と同じに維持する工程と
を有する方法。 - 【請求項７】 プラズマ電力対バイアス電力の比が、約
４：１〜約１２：１である請求項５又は６のいずれかに
記載の方法。 - 【請求項８】 プラズマ電力対バイアス電力の比が、約
１０：１である請求項７に記載の方法。 - 【請求項９】 前記工程（ｂ）が、１ｍＴ未満の圧力で
行われる請求項６に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US56008395A | 1995-11-17 | 1995-11-17 | |
| US08/560083 | 1995-11-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09172004A true JPH09172004A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=24236301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8298722A Withdrawn JPH09172004A (ja) | 1995-11-17 | 1996-11-11 | エッチング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0774772A1 (ja) |
| JP (1) | JPH09172004A (ja) |
| KR (1) | KR970030456A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005031839A1 (ja) * | 2003-09-30 | 2007-11-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5723377B2 (ja) | 2009-11-09 | 2015-05-27 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 半導体のためのエッチングプロセス |
| KR20120097382A (ko) | 2009-11-09 | 2012-09-03 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 반도체의 이방성 식각 방법 |
| CN102647845B (zh) * | 2011-02-22 | 2016-04-20 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体点火的装置、方法和半导体设备 |
| US10892143B2 (en) | 2016-10-21 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Technique to prevent aluminum fluoride build up on the heater |
| CN110246737B (zh) * | 2018-03-08 | 2021-07-06 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种半导体晶圆结构的刻蚀方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3617459A (en) * | 1967-09-15 | 1971-11-02 | Ibm | Rf sputtering method and apparatus for producing insulating films of varied physical properties |
| DE3632340C2 (de) * | 1986-09-24 | 1998-01-15 | Leybold Ag | Induktiv angeregte Ionenquelle |
| KR920002864B1 (ko) * | 1987-07-20 | 1992-04-06 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 플라즈마 처리방법 및 그 장치 |
| US5223457A (en) * | 1989-10-03 | 1993-06-29 | Applied Materials, Inc. | High-frequency semiconductor wafer processing method using a negative self-bias |
| US5279669A (en) * | 1991-12-13 | 1994-01-18 | International Business Machines Corporation | Plasma reactor for processing substrates comprising means for inducing electron cyclotron resonance (ECR) and ion cyclotron resonance (ICR) conditions |
-
1996
- 1996-11-08 EP EP96308118A patent/EP0774772A1/en not_active Withdrawn
- 1996-11-11 JP JP8298722A patent/JPH09172004A/ja not_active Withdrawn
- 1996-11-15 KR KR1019960054195A patent/KR970030456A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005031839A1 (ja) * | 2003-09-30 | 2007-11-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム |
| JP5233005B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2013-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970030456A (ko) | 1997-06-26 |
| EP0774772A1 (en) | 1997-05-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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