DE3632340C2 - Induktiv angeregte Ionenquelle - Google Patents
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 40
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 13
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 12
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 208000036366 Sensation of pressure Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- CUZMQPZYCDIHQL-VCTVXEGHSA-L calcium;(2s)-1-[(2s)-3-[(2r)-2-(cyclohexanecarbonylamino)propanoyl]sulfanyl-2-methylpropanoyl]pyrrolidine-2-carboxylate Chemical compound [Ca+2].N([C@H](C)C(=O)SC[C@@H](C)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C([O-])=O)C(=O)C1CCCCC1.N([C@H](C)C(=O)SC[C@@H](C)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C([O-])=O)C(=O)C1CCCCC1 CUZMQPZYCDIHQL-VCTVXEGHSA-L 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
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Description
Die Erfindung betrifft eine induktiv angeregte Ionenquelle nach dem Ober
begriff des Patentanspruchs 1.
Mit Hilfe von Ionenquellen wird ein Strahl von Ionen, d. h. von elektrisch
geladenen Atomen oder Molekülen, erzeugt. Die den jeweiligen Anfor
derungen angepaßten verschiedenen Typen von Ionenquellen benutzen zur
Ionisation neutraler Atome oder Moleküle meist eine Form der Gasent
ladung.
Die älteste, sehr einfache Ionenquelle ist die Kanalstrahl-Ionenquelle
oder Kanalstrahlröhre. Hierbei "brennt" zwischen zwei Elektroden, die eine
Spannung von einigen 1000 Volt führen, eine Gasentladung bei einem
Druck von 10-1 bis 1 Pa, in der die Ionisation durch Elektronen- oder
Ionenstoß erfolgt. Diese Ionenquelle, bei der die Elektroden in das Plasma
eintauchen, wird auch Ionenquelle mit kapazitiver Anregung bezeichnet.
Eine andere Art der Ionenerzeugung wird mit Hilfe der Hochfrequenz-Ionen
quelle realisiert. Hierbei werden die Ionen durch eine Hochfrequenzentla
dung im MHz-Bereich bei etwa 10-2 Pa erzeugt, die zwischen zwei beson
ders geformten Elektroden brennt oder von einer äußeren Spule erzeugt
wird. Die Ionen werden mittels einer besonderen Extraktionsmethode aus
dem Plasma herausgezogen und fokussiert (H. Oechsner: Electron cyclotron
wave resonances and power absorption effects in electrodeless low press
ure H.F. plasmas with superimposed static magnetic field, Plasma Physics,
1974, Band 16, S. 835 bis 841).
Nachteilig ist bei den bekannten Ionenquelle mit induktiver Anregung in
dessen, daß sie eine erhebliche HF-Verlustleistung besitzen. Diese
HF-Verlustleistung tritt dadurch auf, daß die HF-Spule, die um das Gefäß ge
schlungen ist, in welchem sich das Plasma befindet, an den HF-Generator
angepaßt werden muß. Zwischen dem HF-Generator und der HF-Spule ist
zu diesem Zweck ein Anpaßnetzwerk vorgesehen, das die Generatorleistung
an die Verbraucherleistung, d. h. an die Spulenleistung anpaßt. Diese An
passung besteht darin, daß der Wellenwiderstand der durch das Plasma be
lasteten Spule in den Wellenwiderstand der Senderleitung transformiert
wird. In der Anpaßschaltung tritt hierbei eine Verlustleistung von 20% bis
50% der vom HF-Generator abgegebenen Gesamtleistung auf.
Es ist bereits eine induktiv angeregte Ionenquelle bekannt, die ein Gefäß für die Auf
nahme von zu ionisierenden Stoffen, insbesondere von Gasen, aufweist, wobei die zu
ionisierenden Stoffe von einem Wellenleiter umgeben sind, der mit einem Hoch
frequenzgenerator in Verbindung steht (US-PS 3 705 091 = DE-OS 25 31 812). Die
beiden Enden der Spule sind hierbei miteinander verbunden, so daß sie auf gleichem
Potential liegen. Außerdem ist der eine Anschluß der Hochfrequenzquelle an einer
Stelle der Spule angeschlossen, die sich zwischen den Enden der Spule befindet. Der
geerdete Anschluß der Hochfrequenzquelle liegt jedoch auf einem anderen Potential
als die Enden der Spule. Nachteilig ist bei dieser bekannten Ionenquelle, daß ein be
sonderes Anpassungsnetzwerk erforderlich ist.
Weiterhin ist es bekannt, Anpassungsnetzwerke für kapazitiv gekoppelte Hoch
frequenzplasmen zu berechnen, wie sie bei Sputterprozessen verwendet werden (H.
Norström: "Experimental and design information for calculating impedance matching
networks for use in rf sputtering and plasma chemistry", Vacuum, Vol. 29, No. 10,
1979, S. 341-350). Mit Hilfe dieser Berechnungsmethode ist es zwar möglich, ver
schiedenartig konfigurierte Anpassungsnetzwerke mit gleicher Wirkung zu ermitteln,
doch kann auf ein besonderes Anpassungsnetzwerk nicht verzichtet werden.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, bei einer induktiv ange
regten Ionenquelle nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 eine An
ordnung zu schaffen, welche auf ein besonderes Anpaß-Netzwerk verzichtet.
Diese Aufgabe wird gemäß den kennzeichnenden Merkmalen des Patentan
spruchs 1 gelöst.
Der mit der Erfindung erzielte Vorteil besteht insbesondere darin, daß die
Leistungsverluste einer induktiv angeregten Ionenquelle erheblich reduziert
werden können. Außerdem ist es möglich, das Kühlwasser problemlos auf
Erdpotential zu- und abzuführen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und
wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Darstellung der äußeren mechanischen Form
der erfindungsgemäßen Ionenquelle;
Fig. 2 eine Prinzipdarstellung der erfindungsgemäßen elektrischen Schal
tungsanordnung;
Fig. 3 eine Schnittdarstellung durch die erfindungsgemäße Ionenquelle mit
den zugehörigen elektrischen Anschlüssen.
In der Fig. 1 ist ein evakuiertes Gefäß 1 dargestellt, das mit einer elek
trisch leitenden Hochfrequenz-Spule 2 umgeben und mit einer oberen kreis
ringförmigen Abschlußplatte 3 abgeschlossen ist. Die Enden 5, 6 der Hoch
frequenzspule 2 sind über entsprechende Durchbrüche in der unteren Ab
schlußplatte 4 auf ein nicht dargestelltes Kühlsystem geführt. Dieses Kühl
system bewirkt, daß durch das Ende 5 der als Hohlrohr ausgebildeten Hoch
frequenzspule 2 eine Kühlflüssigkeit eingeführt und durch das Ende 6 die
ser Spule 2 wieder herausgeführt wird. Das Ein- und Ausströmen der Kühl
flüssigkeit ist hierbei durch die Pfeile 7 und 8 angedeutet. Als Kühlflüssig
keit wird vorzugsweise Wasser verwendet. Die Hochfrequenzspule 2 hat in
dem Ausführungsbeispiel 9 Windungen, einen Durchmesser von ca. 120 mm
und eine Höhe von ca. 130 mm. Ihre Länge beträgt λ/2, wobei λ auf die
Frequenz eines Hochfrequenzgenerators bezogen ist. Unter Spulenlänge wird
die Länge des ausgezogenen Spulendrahts verstanden und nicht etwa die
Spulenlänge. Es versteht sich, daß die Hochfrequenz-Spule 2 auch andere
als die hier angegebenen Abmessungen haben kann. Außerdem muß sie
nicht um das Gefäß 1 geschlungen sein, sondern kann sich beispielsweise
auch an der Innenwand des Gefäßes 1 befinden oder in die Gefäßwand in
tegriert sein. An der Unterseite des Gefäßes 1 ist ein Stutzen 9 vorgese
hen, durch den das zu ionisierende Gas in das Gefäß 1 gelangt. Die elek
trische Einkopplung der HF-Leistung erfolgt über ein mit einem Hoch
frequenz-Generator verbundenes Kabel 10, das mit einer Schelle 11 an die
Spule 2 angeschlossen ist.
In der Fig. 2 ist, von den Abschlußplatten 3, 4 abgesehen, im wesentlichen
die elektrische Schaltung der erfindungsgemäßen Ionenquelle dargestellt.
Sind die Abschlußplatten 3, 4 ihrerseits gut leitend miteinander verbunden,
so können die Spulenenden 5, 6 auch an einer eigenen Platte 3, 4 allein befe
stigt sein. Man erkennt in der Fig. 2 einen über eine Leitung 22 geerdeten
Hochfrequenz-Generator 12, der über das Kabel 10 an die Hoch
frequenz-Spule 2 angeschlossen ist. Der elektrische Anschlußpunkt des Generators
12 ist mit 13 bezeichnet. An einer anderen Stelle der Spule 2 befindet
sich ein weiterer elektrischer Anschlußpunkt 14, an den ein Kondensator
15 mit veränderlicher Kapazität angeschlossen ist. Dieser Kondensator kann
jedoch auch weggelassen werden, wen die Resonanzfrequenz des aus der
Spule 2 und dem eingeschlossenen Plasma bestehenden Resonanzkreises
genau auf die Frequenz des
Hochfrequenz-Generators 12 abgestimmt ist. Der HF-Generator 12, die
untere Abschlußplatte 4 und der Kondensator 15 sind über die Leitungen
22, 21, 23 mit Erde bzw. Masse verbunden. Die Erdung erfolgt vorzugsweise
über ein kurzes, breites und gut leitendes Kabel, das z. B. aus Silber be
steht.
Die Spule hat, hochfrequenzmäßig betrachtet, nicht nur eine Induktivität,
sondern auch eine inhärente Kapazität. Induktivität und Kapazität bilden zu
sammen die Resonanz-Frequenz der Spule 2, wobei sich die Induktivität
und die Kapazität über den sogenannten Induktionsbelag und den Kapazi
tätsbelag bestimmen. Die Spule 2 ist folglich als ein Wellenleiter aufzu
fassen, auf dem sich Wellen vom Lecher-Typ ausbreiten (vergl. K. Simonyi:
Theoretische Elektrotechnik, Berlin 1956, S. 313-363 oder H.-G. Unger:
Elektromagnetische Wellen auf Leitungen, Heidelberg, 1980). Die Wen
delung der Spule 2 ist gegenüber ihrer Drahtlänge hierbei als eine unter
geordnete Einflußgröße zu betrachten.
Auf die Resonanzfrequenz der Hochfrequenz-Spule 2, die durch die im Ge
fäß 1 befindlichen Ionen beeinflußt werden kann, wird die Ausgangsfre
quenz des HF-Generators 12 gelegt. Somit wird die gesamte verbrauchte
Leistung im Resonanz-Kreis und nicht an einer Impedanz-Anpassung ver
braucht; d. h. es tritt praktisch keine Verlustleistung auf. Eine Leistungsan
passung in dem Sinn, daß die Leistung des Hochfrequenz-Generators 12
optimal auf die Spule 2 gegeben wird, ist hiermit noch nicht verbunden.
Diese Leistungsanpassung ist jedoch mittels einer geeigneten Wahl des An
schlußpunktes 13 der Leitung 10 an die Spule 2 möglich. Der Anschluß
punkt 13 wird so ausgewählt, daß der Quotient aus Spannung und Strom an
dem Punkt 13 gleich dem Wellenwiderstand der Leitung 10 ist. Mißt man
diesen Quotienten fortlaufend und vergleicht ihn mit dem bekannten Wel
lenwiderstand, so kann mit Hilfe einer Regelschaltung ein elektrischer An
trieb so gesteuert werden, daß er den Punkt 13 stets in eine Position
bringt, in welcher die oben erwähnte Bedingung gilt. Auf diese Weise ist
es möglich, die Leistungsanpassung zu automatisieren.
Bei der Darstellung der Fig. 2 ist der Hochfrequenz-Generator 12 keines
wegs kurzgeschlossen, wie es bei einer niederfrequenzmäßigen Betrachtung
den Anschein haben könnte. Vielmehr ist das gerade Stück der Spule 2,
das vom Anschlußpunkt 13 bis zur Platte 4 reicht, mit einem Induktivitäts-
und einem Kapazitätsbelag behaftet, der einen hochfrequenzmäßigen Kurz
schluß verhindert.
Statt die Frequenz des Frequenzgenerators 12 auf die Eigen- oder Reso
nanzfrequenz der Spule 2 zu legen, ist es auch möglich, die Resonanzfre
quenz der Spule 2 an die vorgegebene Frequenz des Hochfrequenz-Genera
tors 12 anzupassen. Hierzu ist der Kondensator 15 vorgesehen, der an die
Spule 2 angeschlossen ist. Durch Verstellen dieses Kondensators 15, der an
den Symmetriepunkt 14 der Spule 2 angeschlossen ist, wird die Resonanz
frequenz des Systems Spule 2 / Kondensator 15 verändert. Mittels dieser
Änderung der Resonanzfrequenz kann der Einfluß der Ionen auf die
Spulen-Resonanzfrequenz ausgeglichen werden.
Wird die Spule 2 bzw. das System Spule 2 / Kondensator 15 mit einer
Wechselspannung beaufschlagt, deren Frequenz gleich der Resonanzfrequenz
der Spule 2 bzw. des Systems Spule 2 / Kondensator 15 oder einer Harmo
nischen hiervon ist, so sind die momentanen Ströme und Spannungen auf
der Spule 2 wie ganzzahlige Vielfache von halben Wellenlängen verteilt.
Dabei kommen auf den Spulenenden 5, 6 stets Strombäuche und Spannungs
knoten zu liegen; d. h. die Spulenenden 5, 6 befinden sich auf Erdpotential.
Das Kühlwasser kann also problemlos auf Erdpotential zu- und abgeführt
werden. Bei Resonanz gibt es auf der Spule immer mindestens zwei Punkte,
an denen das Verhältnis von Spannung und Strom gleich dem Wellenwider
stand der Leitung 10 ist. Schließt man die Leitung 10 an einen solchen
Punkt 13 an, so wird die Leistung des Hochfrequenzgenerators 12 verlust
frei eingekoppelt. Durch Verschieben dieses Einkoppelpunktes 13 ist es
möglich, Veränderungen der Eigenfrequenz der Spule 2, die sich durch ver
schiedene Plasmadichten, d. h. verschiedene Belastungen der Spule 2, erge
ben, auszugleichen.
Durch die erfindungsgemäße Anordnung wird die gesamte auftretende mag
netische Feldenergie in der Spule 2 konzentriert, so daß deren Magnetfeld
das Plasma sehr effektiv zusammenhält und komprimiert. Natürlich kann
die Spule auch anders, z. B. mäanderförmig, ausgebildet sein, um andere
Feldkonfigurationen, z. B. ein "cusp"-Feld oder multipolares Feld zu erzeu
gen, wie es in der Fig. 2 der EP-A-0169744 gezeigt ist.
In der Fig. 3 ist die erfindungsgemäße Anordnung noch einmal im Schnitt
dargestellt. Das Gefäß 1, das zylindrisch ausgebildet ist und aus einem
chemisch inerten Material besteht, ist von der Spule 2 umgeben und weist
an seinem oberen Ende ein Extraktionsgittersystem 16 auf, das mit einem
Extraktionsnetzteil 17 verbunden ist. An dem unteren Ende des Gefäßes 1
ist der Einlaßstutzen 9 mit seinem Gaszufuhrkanal 18 vorgesehen. Wird im
Entladungsraum 19 des Gefäßes 1 ein Druck zwischen etwa 2 × 10-2 Pa
und 50 Pa eingestellt, so kann über die Anschaltung des Hoch
frequenz-Generators 12 eine Entladung gezündet werden. Die hierbei entstehenden
Ionen werden durch das Extraktionsgittersystem 16 abgesaugt, wenn an
diesem Gittersystem 16 eine geeignete Spannung des Extraktionsnetzteils
17 anliegt. Das Extraktionsgittersystem 16 liegt - im Gegensatz zu den
kreisringförmigen Abschlußplatten 3, 4, die über die Leitungen 20, 21 geer
det sind und im Gegensatz zum Hochfrequenz-Generator 12, der über die
Leitung 22 geerdet ist - nicht an Erdpotential.
Obwohl bei der Erfindung Resonanzerscheinungen eine wichtige Rolle spie
len, unterscheidet sie sich dennoch von anderen Schaltungen für induktiv
gekoppeltes Niederdruckplasma, die ebenfalls mit Resonanzen arbeiten, er
heblich. Bei dem oben bereits angegebenen bekannten Resonanzinduktor
muß eine Anpassung mittels Kapazitäten und Induktivitäten vorgenommen
werden. Aber auch bei einer Speisung der Spule bzw. des Induktors über
eine unsymmetrische Leitung, beispielsweise ein Koaxialkabel, muß dieses
Kabel symmetriert und an die Induktorimpedanz angepaßt werden. Bei der
vorliegenden Erfindung entfallen Anpassungsnetzwerke und Impedanztransfor
mationen. Weder ist eine Impedanztransformation mittels HF-Übertrager,
noch über eine π-Transformation oder eine T-Transformation erforderlich.
Claims (14)
1. Induktiv angeregte Ionenquelle mit einem Gefäß, in dem sich zu ionisierende Stof
fe, insbesondere Gase, oder ein Plasma befinden, wobei diese Stoffe oder das Plasma
von einem Wellenleiter umgeben sind, dessen beide Enden auf gleichem Potential
liegen und der an einer Stelle zwischen seinen beiden Enden mit einem Anschluß
(10) des Hochfrequenzgenerators in Verbindung steht, dadurch gekennzeichnet,
daß die Länge des Wellenleiters (2) gleich einer Zahl n multipliziert mit c und divi
diert durch 2f ist, wobei n eine natürliche Zahl ungleich Null, c eine die Phasenge
schwindigkeit einer elektromagnetischen Welle bezeichnende Konstante und f die
Frequenz des Hochfrequenzgenerators (12) bedeuten, und daß dieser Hochfrequenz
generator auf die Eigenfrequenz des Systems oder eine harmonische Frequenz hier
von abgestimmt ist, das aus dem Wellenleiter und dem zu ionisierenden Stoff oder
Plasma besteht.
2. Induktiv angeregte Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
als Wellenleiter (2) eine gewickelte Spule (25, 26) vorgesehen ist.
3. Induktiv angeregte Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Enden (5, 6) des Wellenleiters (2) und der andere Anschluß (22) des Hochfrequenz
generators (2) auf gleichem Potential, insbesondere Erdpotential, liegen.
4. Induktiv angeregte Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Frequenz des Hochfrequenzgenerators (12) auf die Eigenfrequenz des aus dem
Wellenleiter (2) und dem zu ionisierenden Stoff bestehenden Systems abgestimmt ist.
5. Induktiv angeregte Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Eigenfrequenz des aus Wellenleiter (2) und zu ionisierendem Stoff bestehenden
Systems auf die Frequenz des Hochfrequenzgenerators (12) abgestimmt ist.
6. Induktiv angeregte Ionenquelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
die Abstimmung der Eigenfrequenz des aus dem Wellenleiter (2) und dem zu ionisie
renden Stoff bestehenden Systems mit Hilfe eines variablen Kondensators (15) er
folgt.
7. Induktiv angeregte Ionenquelle nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
der Anschluß des Kondensators (15) im elektrischen Symmetriepunkt (14) des
Wellenleiters (2) erfolgt.
8. Induktiv angeregte Ionenquelle nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
als Wellenleiter (2) eine Spule vorgesehen ist und daß der eine Anschluß des
Kondensators (15) an der Spule und der andere Anschluß dieses Kondensators (15)
an Erde liegt.
9. Induktiv angeregte Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Wellenleiter eine als Hohlrohr ausgebildete Spule (2) ist, durch die ein Kühlmittel
strömt.
10. Induktiv angeregte Ionenquelle nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß
das Kühlmittel Wasser ist.
11. Induktiv angeregte Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Punkt (13) für die Einspeisung der Hochfrequenzleistung des Hochfrequenzgene
rators (12) in den Wellenleiter (2) so gewählt wird, daß an ihm der Quotient aus
Spannung und Stromstärke im jeweiligen Betriebszustand der Ionenquelle gleich dem
Wellenwiderstand der Generatorleitung (10) ist.
12. Induktiv angeregte Ionenquelle nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die Einstellung des Punktes (13) für die Einspeisung der Hochfrequenzleistung
automatisch erfolgt.
13. Induktiv angeregte Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das Gefäß (1) die Form eines Hohlzylinders aufweist und mit einer oberen und einer
unteren Abschlußplatte (3 bzw. 4) abgeschlossen ist, wobei die obere Abschlußplatte
(3) mit einem Extraktionsgitter (16) und die untere Abschlußplatte (4) mit einem
Öffnungsstutzen (9) für die Gaszufuhr versehen ist und wobei die Enden (5, 6) des
Wellenleiters (2) über eine Abschlußplatte (3 bzw. 4) geerdet sind.
14. Induktiv angeregte Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Wellenleiter (2) zusätzlich von einem Gleichstrom durchflossen ist, der ein die
Ionen führendes Magnetfeld erzeugt.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3632340A DE3632340C2 (de) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | Induktiv angeregte Ionenquelle |
| DE87110646T DE3789478D1 (de) | 1986-09-24 | 1987-07-23 | Induktiv angeregte Ionenquelle. |
| EP87110646A EP0261338B1 (de) | 1986-09-24 | 1987-07-23 | Induktiv angeregte Ionenquelle |
| US07/079,649 US4849675A (en) | 1986-09-24 | 1987-07-30 | Inductively excited ion source |
| JP62236423A JPS63184233A (ja) | 1986-09-24 | 1987-09-22 | 誘導励起式イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3632340A DE3632340C2 (de) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | Induktiv angeregte Ionenquelle |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3632340A1 DE3632340A1 (de) | 1988-03-31 |
| DE3632340C2 true DE3632340C2 (de) | 1998-01-15 |
Family
ID=6310179
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3632340A Expired - Fee Related DE3632340C2 (de) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | Induktiv angeregte Ionenquelle |
| DE87110646T Expired - Fee Related DE3789478D1 (de) | 1986-09-24 | 1987-07-23 | Induktiv angeregte Ionenquelle. |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE87110646T Expired - Fee Related DE3789478D1 (de) | 1986-09-24 | 1987-07-23 | Induktiv angeregte Ionenquelle. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4849675A (de) |
| EP (1) | EP0261338B1 (de) |
| JP (1) | JPS63184233A (de) |
| DE (2) | DE3632340C2 (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10008484A1 (de) * | 2000-02-24 | 2001-09-20 | Ccr Gmbh Beschichtungstechnolo | Kühlbare Hochfrequenz-Luftspule |
Families Citing this family (70)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3708716C2 (de) * | 1987-03-18 | 1993-11-04 | Hans Prof Dr Rer Nat Oechsner | Hochfrequenz-ionenquelle |
| US5556501A (en) * | 1989-10-03 | 1996-09-17 | Applied Materials, Inc. | Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor |
| US6068784A (en) * | 1989-10-03 | 2000-05-30 | Applied Materials, Inc. | Process used in an RF coupled plasma reactor |
| DE3942560C2 (de) * | 1989-12-22 | 1996-05-02 | Dressler Hochfrequenztechnik G | Hochfrequenz-Generator für einen Plasma erzeugenden Verbraucher |
| US5383019A (en) * | 1990-03-23 | 1995-01-17 | Fisons Plc | Inductively coupled plasma spectrometers and radio-frequency power supply therefor |
| DE4019729A1 (de) * | 1990-06-21 | 1992-01-02 | Leybold Ag | Ionenquelle |
| US5017751A (en) * | 1990-06-21 | 1991-05-21 | Gte Laboratories Incorporated | Inductively-coupled RF plasma torch |
| CA2047571C (en) * | 1990-07-24 | 2001-12-18 | Ian Lawrence Turner | Inductively coupled plasma spectroscopy |
| US6251792B1 (en) | 1990-07-31 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch processes |
| US5707486A (en) * | 1990-07-31 | 1998-01-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor using UHF/VHF and RF triode source, and process |
| US20020004309A1 (en) * | 1990-07-31 | 2002-01-10 | Kenneth S. Collins | Processes used in an inductively coupled plasma reactor |
| US6545420B1 (en) * | 1990-07-31 | 2003-04-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes |
| US6077384A (en) | 1994-08-11 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode |
| US6036877A (en) | 1991-06-27 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
| US6165311A (en) | 1991-06-27 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| US6063233A (en) | 1991-06-27 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| US6488807B1 (en) | 1991-06-27 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Magnetic confinement in a plasma reactor having an RF bias electrode |
| US6518195B1 (en) | 1991-06-27 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor using inductive RF coupling, and processes |
| US5207760A (en) * | 1991-07-23 | 1993-05-04 | Trw Inc. | Multi-megawatt pulsed inductive thruster |
| US5288969A (en) * | 1991-08-16 | 1994-02-22 | Regents Of The University Of California | Electrodeless plasma torch apparatus and methods for the dissociation of hazardous waste |
| US5308461A (en) * | 1992-01-14 | 1994-05-03 | Honeywell Inc. | Method to deposit multilayer films |
| US5216330A (en) * | 1992-01-14 | 1993-06-01 | Honeywell Inc. | Ion beam gun |
| AU5017293A (en) * | 1992-09-01 | 1994-03-29 | University Of North Carolina At Chapel Hill, The | High pressure magnetically assisted inductively coupled plasma |
| DE4241927C2 (de) * | 1992-12-11 | 1994-09-22 | Max Planck Gesellschaft | Zur Anordnung in einem Vakuumgefäß geeignete selbsttragende isolierte Elektrodenanordnung, insbesondere Antennenspule für einen Hochfrequenz-Plasmagenerator |
| DE4242894A1 (de) * | 1992-12-18 | 1994-06-23 | Leybold Ag | Vorrichtung zur Mehrfacheinspeisung von HF-Leistung in Kathodenkörpern |
| CA2116821C (en) * | 1993-03-05 | 2003-12-23 | Stephen Esler Anderson | Improvements in plasma mass spectrometry |
| US6238533B1 (en) | 1995-08-07 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | Integrated PVD system for aluminum hole filling using ionized metal adhesion layer |
| US5962923A (en) | 1995-08-07 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor device having a low thermal budget metal filling and planarization of contacts, vias and trenches |
| TW279240B (en) | 1995-08-30 | 1996-06-21 | Applied Materials Inc | Parallel-plate icp source/rf bias electrode head |
| EP0774772A1 (de) * | 1995-11-17 | 1997-05-21 | Applied Materials, Inc. | Verfahren zum physikalischen Ätzen von elektrisch leitenden Siliziumoberflächen |
| US5977715A (en) * | 1995-12-14 | 1999-11-02 | The Boeing Company | Handheld atmospheric pressure glow discharge plasma source |
| JP3186066B2 (ja) * | 1996-01-23 | 2001-07-11 | フラウンホーファー ゲゼルシャフト ツア フォルデルンク デア アンゲヴァンテン フォルシュンク エー ファウ | イオンの広範囲注入のためのイオン源 |
| DE19618734C2 (de) * | 1996-01-23 | 1999-08-26 | Fraunhofer Ges Forschung | Ionenquelle für eine Ionenstrahlanlage |
| US5877471A (en) * | 1997-06-11 | 1999-03-02 | The Regents Of The University Of California | Plasma torch having a cooled shield assembly |
| US5869832A (en) * | 1997-10-14 | 1999-02-09 | University Of Washington | Device and method for forming ions |
| US6107626A (en) * | 1997-10-14 | 2000-08-22 | The University Of Washington | Device and method for forming ions |
| JP4947834B2 (ja) * | 1997-11-26 | 2012-06-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ダメージフリー被覆刻設堆積法 |
| US7253109B2 (en) * | 1997-11-26 | 2007-08-07 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a tantalum nitride/tantalum diffusion barrier layer system |
| US20050272254A1 (en) * | 1997-11-26 | 2005-12-08 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low resistivity barrier layers for copper interconnects |
| US6284110B1 (en) | 1999-04-14 | 2001-09-04 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for radio frequency isolation of liquid heat transfer medium supply and discharge lines |
| US6239553B1 (en) | 1999-04-22 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | RF plasma source for material processing |
| US6441555B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-08-27 | Lam Research Corporation | Plasma excitation coil |
| US6401652B1 (en) | 2000-05-04 | 2002-06-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor inductive coil antenna with flat surface facing the plasma |
| US6462481B1 (en) | 2000-07-06 | 2002-10-08 | Applied Materials Inc. | Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna |
| US6414648B1 (en) | 2000-07-06 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna |
| US6409933B1 (en) | 2000-07-06 | 2002-06-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna |
| US6694915B1 (en) | 2000-07-06 | 2004-02-24 | Applied Materials, Inc | Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna |
| US6685798B1 (en) * | 2000-07-06 | 2004-02-03 | Applied Materials, Inc | Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna |
| US6304036B1 (en) | 2000-08-08 | 2001-10-16 | Archimedes Technology Group, Inc. | System and method for initiating plasma production |
| DE10058326C1 (de) * | 2000-11-24 | 2002-06-13 | Astrium Gmbh | Induktiv gekoppelte Hochfrequenz-Elektronenquelle mit reduziertem Leistungsbedarf durch elektrostatischen Einschluss von Elektronen |
| JP2002210330A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-07-30 | Pearl Kogyo Kk | 半導体プロセス用排ガス処理装置 |
| US6855225B1 (en) * | 2002-06-25 | 2005-02-15 | Novellus Systems, Inc. | Single-tube interlaced inductively coupling plasma source |
| DE10231739B4 (de) * | 2002-07-13 | 2004-10-28 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Induktions-Plasmabrennervorrichtung |
| DE10231738B4 (de) * | 2002-07-13 | 2005-03-17 | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. | Anpassungsvorrichtung für eine Induktions-Plasmabrennervorrichtung und Verfahren zur elektrischen Steuerung und Regelung einer Induktions-Plasmabrennervorrichtung |
| US6876155B2 (en) * | 2002-12-31 | 2005-04-05 | Lam Research Corporation | Plasma processor apparatus and method, and antenna |
| US7064322B2 (en) * | 2004-10-01 | 2006-06-20 | Agilent Technologies, Inc. | Mass spectrometer multipole device |
| US20060081185A1 (en) * | 2004-10-15 | 2006-04-20 | Justin Mauck | Thermal management of dielectric components in a plasma discharge device |
| KR100599094B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2006-07-12 | 삼성전자주식회사 | 코일의 권선수 조절에 의한 전자기 유도 가속장치 |
| KR100599092B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2006-07-12 | 삼성전자주식회사 | 구동 주파수 조절에 의한 전자기유도 가속장치 |
| US9137884B2 (en) * | 2006-11-29 | 2015-09-15 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for plasma processing |
| JP4955027B2 (ja) * | 2009-04-02 | 2012-06-20 | クリーン・テクノロジー株式会社 | 排ガス処理装置における磁場によるプラズマの制御方法 |
| US8884178B2 (en) * | 2010-10-20 | 2014-11-11 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for igniting and sustaining plasma |
| WO2012151639A1 (en) * | 2011-05-12 | 2012-11-15 | Roderick William Boswell | Plasma micro-thruster |
| CN105340059B (zh) * | 2013-06-17 | 2019-03-22 | 应用材料公司 | 用于等离子体反应器的增强等离子体源 |
| JP6476020B2 (ja) * | 2015-03-10 | 2019-02-27 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 誘導結合プラズマ発生装置及び誘導結合プラズマ分析装置 |
| RU2585340C1 (ru) * | 2015-06-03 | 2016-05-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" | Газоразрядный узел высокочастотного ионного двигателя |
| EP3145275B1 (de) * | 2015-09-18 | 2022-04-20 | Technische Hochschule Mittelhessen | Induktionsheizspule |
| WO2019096564A1 (en) * | 2017-11-17 | 2019-05-23 | Evatec Ag | Rf power delivery to vacuum plasma processing |
| RU2749668C1 (ru) * | 2020-12-22 | 2021-06-16 | Общество с ограниченной ответственностью «ПЛАЗТРЕК» (ООО «ПЛАЗТРЕК») | Источник ионов |
| DE202021100710U1 (de) * | 2021-02-12 | 2021-02-19 | TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG | Leistungsversorgungseinrichtung und Plasmasystem |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3705091A (en) * | 1971-10-05 | 1972-12-05 | Lfe Corp | Gas discharge apparatus |
| DE2112888B2 (de) * | 1971-02-23 | 1973-03-22 | Aktiengesellschaft Brown Boveri & Cie., Baden (Schweiz) | Hochfrequenz-induktionsplasmabrenner und verfahren zur herstellung |
| DE2531812A1 (de) * | 1974-08-02 | 1976-02-19 | Lfe Corp | Gasentladungsgeraet |
| DE2544275A1 (de) * | 1975-10-03 | 1977-04-14 | Bbc Brown Boveri & Cie | Fluessigkeitsgekuehlte induktionsspule |
| EP0169744A2 (de) * | 1984-07-26 | 1986-01-29 | United Kingdom Atomic Energy Authority | Ionenquelle |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3084281A (en) * | 1956-11-30 | 1963-04-02 | Carroll B Mills | Ion source |
| JPS4110320Y1 (de) * | 1964-01-20 | 1966-05-16 | ||
| JPH0650110B2 (ja) * | 1985-09-13 | 1994-06-29 | 株式会社東芝 | Rf型イオン源 |
| GB8522976D0 (en) * | 1985-09-17 | 1985-10-23 | Atomic Energy Authority Uk | Ion sources |
-
1986
- 1986-09-24 DE DE3632340A patent/DE3632340C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-07-23 EP EP87110646A patent/EP0261338B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-23 DE DE87110646T patent/DE3789478D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-07-30 US US07/079,649 patent/US4849675A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-09-22 JP JP62236423A patent/JPS63184233A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2112888B2 (de) * | 1971-02-23 | 1973-03-22 | Aktiengesellschaft Brown Boveri & Cie., Baden (Schweiz) | Hochfrequenz-induktionsplasmabrenner und verfahren zur herstellung |
| US3705091A (en) * | 1971-10-05 | 1972-12-05 | Lfe Corp | Gas discharge apparatus |
| DE2245753A1 (de) * | 1971-10-05 | 1973-04-12 | Lfe Corp | Vorrichtung zum durchfuehren einer reaktion zwischen einem gas und einem material in einem elektromagnetischen feld |
| DE2531812A1 (de) * | 1974-08-02 | 1976-02-19 | Lfe Corp | Gasentladungsgeraet |
| DE2544275A1 (de) * | 1975-10-03 | 1977-04-14 | Bbc Brown Boveri & Cie | Fluessigkeitsgekuehlte induktionsspule |
| EP0169744A2 (de) * | 1984-07-26 | 1986-01-29 | United Kingdom Atomic Energy Authority | Ionenquelle |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| FR-Z: J. de Physique, Colloque C7,Supplement an No. 7, Bd. 40, 1979, S.C7-477 bis C7-478 * |
| NL-Z: Nuclear Instruments and Methods, Vol. 16, 1962, S.227 - 232 * |
| Vacuum, Bd. 29 (1979) S. 341-350 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10008484A1 (de) * | 2000-02-24 | 2001-09-20 | Ccr Gmbh Beschichtungstechnolo | Kühlbare Hochfrequenz-Luftspule |
| DE10008484C2 (de) * | 2000-02-24 | 2003-07-17 | Ccr Gmbh Beschichtungstechnolo | Kühlbare Hochfrequenz-Luftspule |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0261338B1 (de) | 1994-03-30 |
| US4849675A (en) | 1989-07-18 |
| EP0261338A2 (de) | 1988-03-30 |
| DE3789478D1 (de) | 1994-05-05 |
| EP0261338A3 (en) | 1989-07-26 |
| JPS63184233A (ja) | 1988-07-29 |
| DE3632340A1 (de) | 1988-03-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
| 8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: LEYBOLD AG, 6450 HANAU, DE |
|
| 8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01J 27/16 |
|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: BALZERS UND LEYBOLD DEUTSCHLAND HOLDING AG, 63450 |
|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |