DE4019729A1 - Ionenquelle - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Ionenquelle nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Ionen- und Plasmaquellen werden für zahlreiche Anwendungsfälle benötigt, beispielsweise
um bestimmte Materialien zu ätzen oder zu beschichten. In der Regel weisen die bekann
ten Ionen- und Plasmaquellen eine Gaskammer auf, in der gasförmige Materie in elektrisch
geladenen Teilchen aufgespalten wird, die dann aufgrund ihrer Eigenbeschleunigung oder
mit Hilfe von Extraktionsgittern auf das zu ätzende oder zu beschichtende Material ge
bracht werden.
Es ist bereits eine induktiv angeregte Ionenquelle bekannt, die einen Behälter für die Auf
nahme von zu ionisierendem Plasma aufweist, wobei dieser Behälter von einem Wellen
leiter umgeben ist, der mit einem Hochfrequenzgenerator in Verbindung steht (US-PS
48 49 675). Hierbei liegen die beiden Enden des Wellenleiters auf demselben Potential und
die Länge des Wellenleiters beträgt
wobei n eine von Null verschiedene ganze Zahl, c die Phasengeschwindigkeit der elektro
magnetischen Welle und f die Frequenz des Hochfrequenzgenerators ist. Die Freqenz des
Hochfrequenzgenerators wird mittels besonderer Abstimmittel auf die Eigenfrequenz des
Systems abgestimmt, das aus dem Wellenleiter, dem zu ionisierenden Plasma besteht, oder
auf eine harmonische Frequenz zu dieser Eigenfrequenz.
Der Hochfrequenzgenerator ist relativ aufwendig aufgebaut. Außerdem sind der Hoch
frequenzgenerator und die Anregungsspule der Ionenquelle räumlich voneinander getrennt
und nur über ein Ankoppelkabel miteinander verbunden. Um die Arbeitsfrequenz der
Ionenquelle an die Arbeitsfrequenz des Senders anzupassen, ist ein besonderes Ankoppel
netzwerk erforderlich.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine induktiv angeregte Ionen- oder Plasma
quelle zu schaffen, bei der ein mit der Anregungsspule in Verbindung stehendes An
koppelnetzwerk entfallen kann.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Der mit der Erfindung erzielte Vorteil besteht insbesondere darin, daß automatisch ein Ein
schwingen auf die optimale Arbeitsfrequenz erzielt wird. Außerdem läßt sich die gesamte
Ionenquelle als sehr kleines Bauelement realisieren.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im
folgenden näher beschrieben.
Es zeigt
Fig. 1 ein Prinzipschaltbild einer erfindungsgemäßen Anordnung;
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer räumlichen konstruktiven Ausführungs
form einer Erfindung.
In der Fig. 1 ist eine Schaltungsanordnung dargestellt, welche eine Hochfrequenz-Anre
gungsspule 1 zeigt, die aus zwei Lagen 2, 3 besteht, die um einen nicht dargestellten Plas
mabehälter aus Quarz geschlungen sind. Die Hochfrequenz-Anregungsspule 1 steht mit
ihrem einen Anschluß 4 über einen Koppelkondensator 5 mit dem Anode 6 einer Trioden
röhre 7 in Verbindung. Der andere Anschluß 8 der Anregungsspule 1 liegt an Masse 9. An
der Anode 6 steht über eine Induktivität 10 die positive Polarität einer Gleichspannung von
z. B. 3 KV an. Das Steuergitter 11 der Triodenröhre 7 ist über eine Induktivität 12 mit
einem π-Glied verbunden, das als Tiefpaßgrundglied wirkt und aus einer Längsinduktivität
13 und zwei Querkapazitäten 14, 15 besteht. An dieses π-Glied ist ein Potentiometer 16
angeschlossen, dessen Regelanschluß 17 zusammen mit einem normalen Anschluß des Po
tentiometers 16 mit einem Amperemeter 18 verbunden ist.
Aufgabe des π-Glieds 13, 14, 15 ist es, die Beeinflussung des Potentiometers 16 und des
Amperemeters 18 durch Störspannungen zu unterbinden, ohne die Vorspannungseinstel
lung des Gitters 11, die mit Gleichspannung erfolgt, zu beeinträchtigen. Außerdem soll das
π-Glied 13 bis 15 verhindern, daß Hochfrequenzen nach draußen gelangen.
Die bisher beschriebene Schaltungsanordnung ist von einem metallischen Gehäuse 19 um
geben, daß mehrere Durchführungskondensatoren 20 bis 23 in der Gehäusewand aufweist.
Diese Durchführungskondensatoren 20 bis 23 sind z. B. für Nennspannungen von 440 V
Gleichspannung, 250 V Wechselspannung und 16 A Nennstrom ausgelegt. Über die
Durchführungskondensatoren 21, 22 erfolgt die Versorgung mit Heizspannung UF, die
z. B. 6,3 V Wechselspannung beträgt, während über den Durchführungskondensator 20 der
Steuergitterstrom IG fließt. Zwischen dem metallischen Gehäuse 19, das an Masse 24
liegt, und den Niederfrequenzleitungen 25 bis 28, die durch die Gehäusewand 19 geführt
sind, liegen Blockkondensatoren 29 bis 32, die z. B. von 4700 pF und eine
Spannungsfestigkeit von 3 KV besitzen. Weitere Blockkondensatoren 33, 34 liegen
zwischen einem Anschluß des π-Glieds 13, 14, 15 und der Gehäusewand 19 sowie
zwischen der Anoden-Hochspannungszuführung 35 und der Gehäusewand 19. Auch
zwischen den beiden Kathodenheizdrähten 26, 27 ist in unmittelbarer Nähe der Röhre 7 ein
Blockkondensator 42 vorgesehen.
In der linken oberen Ecke des Gehäuses 19 ist ein Lüftermotor 36 dargestellt, von dem
elektrische Anschlußleitungen 37, 38, 39 durch das Gehäuse 19 nach außen geführt sind.
Die Voreinstellung des Gitters 11 der Röhre 7 erfolgt mit Hilfe des Potentiometers 16 und
über den inneren Widerstand der Röhre 7. Die Stromleitung innerhalb der Röhre 7 erfolgt
hauptsächlich über den Elektronenfluß zwischen Kathode 40 und Anode 6, wenn die
Kathodenheizspannung UF und die Anodengleichspannung Ua angelegt wurden. Das
Röhrengitter 11, mit dem der Stromfluß gesteuert werden kann, liegt in bezug auf die
Anode 6 auf negativem Potential. Je niedriger dieses Potential ist, um so weniger Elektro
nen gelangen von der Kathode 40 zur Anode 6.
Die Strecke Anode 6 - Gitter 11 - Potentiometer 16 stellt einen Spannungsteiler zur Gitter
vorspannungseinstellung dar. Die an diesem Spannungsteiler anliegende Spannung ist die
Anodengleichspannung Ua.
Die Induktivitäten 12, 13 stellen für Gleichstrom einen Kurzschluß dar, so daß über das
Amperemeter 18 der Gitterstrom gemessen werden kann.
Das Wechselspannungssignal der Hochfrequenz-Anregungsspule 1 gelangt über eine
innere Röhrenkapazität 41 auf das Gitter 11, wodurch die Anordnung aus Röhre 7 und
Hochfrequenz-Anregungsspule 1 beeinflußt wird. Da diese Anordnung durch immer vor
handenes Spannungsrauschen zu schwingen beginnt, werden diese Schwingungen durch
die Eigenfrequenz der Gesamtanordnung festgelegt.
Diese Eigenfrequenz kann sich fortlaufend verändern und wird durch die Induktivität der
Spule 1, die elektrischen Eigenschaften der Plasmakammer und die Röhrenkapazität 41 be
stimmt. Spule 1 und Röhre 7 bilden somit gemeinsam das Kernstück eines Oszilators, der
frei schwingt und dessen Resonanzfrequenz - da Spule 1 und Röhre 7 von ihrem Aufbau
her praktisch unverändert bleiben - durch die Eigenschaften der Plasmakammer geändert
wird.
In der Fig. 2 ist der mechanisch konstruktive Aufbau der in der Fig. 1 gezeigten Anord
nung dargestellt. Diejenigen Bauteile, welche funktionsmäßig einander entsprechen, sind
in der Fig. 2 mit denselben Bezugszahlen versehen wie in der Fig. 1. Man kann aus der
Fig. 2, daß die Röhre 7 und die Anregungsspule 1 gemeinsam von dem metallischen Ge
häuse 19 umchlossen sind. Die Anregungsspule 1 ist um ein Glasgefäß 50 gelegt, das
einen Gaszuführungsstutzen 51 aufweist, der mit einer außerhalb des Gehäuses 19 ange
ordneten Gaszuführung 53 in Verbindung steht. Diese Gaszuführung 53 ist mit einer Rän
delschräube 54 auf das Gehäuse 19 geschraubt. Ein Druckring 55 sitzt auf einer me
tallischen Einfassung 52 des Glasgefäßes 50 und steht über einen elastischen Dichtungs
ring 56 mit diesem Glasgefäß 50 in Verbindung. Die Windungen der Spule 1 sind wasser
gekühlt und deshalb mit Kühlwasserzuführungen 57, 58 verbunden.
Am Boden des Glasgefäßes sind drei Extraktionsgitter 59, 60, 61 angeordnet, mit denen
der Strom geladener oder ungeladener Teilchen gesteuert werden kann. Mit 62, 63 ist ein
Sockel der Ionenkammer bezeichnet, der über Schrauben 64, 65 mit dem Gehäuse 19 ver
bunden ist und mit einer nicht dargestellten Arbeitskammer in Verbindung steht. In dieser
Arbeitskammer befinden sich die Materialien, die durch geladene Teilchen bombardiert
werden.
Die Schnittstelle zur Arbeitskammer ist durch eine Dichtung 66 charakterisiert. Die Röhre
7 ist mit ihren Anschlüssen 67, 68 auf einem Sockel 69 angeordnet, der seinerseits mit dem
Gehäuse 19 verbunden ist. Für die Spule 12 ist ein eigener Stützisolator 70 vorgesehen, der
ebenfalls mit dem Gehäuse 19 verbunden ist.
Der Gitterwiderstand 16 kann durch ein Drehrad 71 verstellt werden. Mit 72, 73 sind
Buchsen für den Anschluß der Heizspannung UF bezeichnet. An diese Buchsen 72, 73
führen jeweils eine Leitung, von denen die eine mit der Bezugszahl 26 und die andere mit
der Bezugszahl 27 versehen ist. Wichtig für die vorliegende Erfindung ist der Umstand,
daß die Verbindungsleitung 74 zwischen der Anode 6 der Röhre 7 und der Anregungsspule
1 sehr kurz ist.
Der Lüftermotor 36 ist in der Fig. 2 nicht zu erkennen. Er ist jedoch wichtig, da es sich bei
der verwendeten Röhre 7 um eine strahlungsgekühlte Triode handelt, bei der vor Inbetrieb
nahme das Gebläse eingeschaltet werden muß. Vorzugsweise wird diese Röhre 7 im C-Be
trieb gefahren, was durch eine entsprechend große negative Vorspannung erreicht wird.
Ein C-Verstärker ist ein Selektivverstärker mit hohem Wirkungsgrad.
Der Plasmaraum wird zum großen Teil durch das Glasgefäß 50 realisiert, das z. B. bei
einer Wandstärke von 3 mm hoch ist und einen Durchmesser von 46 mm aufweist.
Im Gaseinlaßstutzen 51 kann ein dichtes Drahtgeflecht vorgesehen sein, das ein Bremsen
des Plasmas in der Gaszuführung verhindert.
Statt einer Röhre kann grundsätzlich auch ein anderes Steuerelement, z. B. ein Transistor
oder ein Thyristor, verwendet werden.
Claims (10)
1. Ionenquelle mit einem Glasbehälter (50) und einer diesen Behälter (50) umgebenden
HF-Anregungsspule (1) sowie mit einem Verstärkungselement (7), das eine Steuer
elektrode aufweist, gekennzeichnet durch die Kombination folgender Merkmale:
- a) die HF-Anregungsspule (1) ist mit einer Elektrode (z. B. 6) des Verstärkungselements (7) verbunden, über welche der gesteuerte Strom fließt;
- b) die Steuerelektrode (11) des Verstärkungselements (7) ist wechselstrommäßig (z. B. über 41) mit der HF-Anregungsspule (1) verbunden;
- c) der Gasbehälter (50) mit der HF-Anregungsspule (1) und das Verstärkungselement (7) befinden sich gemeinsam in einem Gehäuse (19) mit metallischen Wänden.
2. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen der
einen Elektrode (6) des Verstärkungselements (7) und der HF-Anregungsspule (1) klein
ist.
3. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand etwa gleich
oder kleiner ist als die Querabmessung der HF-Anregungsspule (1).
4. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verstärkungselement
eine Röhre (7) ist.
5. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verstärkungselement
ein Transistor ist.
6. Ionenquelle nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Röhre (7) eine Triode
ist.
7. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Frequenz der durch
HF-Spule (1) und Plasmaraum (50, 2) bestimmte Anordnung durch die elektrischen Eigen
schaften des Plasmas wesentlich mitbestimmt wird.
8. Ionenquelle nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Hochfrequenzröhre (7)
als C-Verstärker geschaltet ist, so daß nur die Spitzen der Gitterwechselspannung verstärkt
werden.
9. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die HF-Anregungsspule
(1) von einem Kühlmittel durchströmt wird.
10. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß elektrische Leitungen
(26, 27, 35) über Durchführungskondensatoren (29 bis 32) in das Gehäuse (19) eingeführt
sind.
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