JPH06342637A - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
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- JPH06342637A JPH06342637A JP3177684A JP17768491A JPH06342637A JP H06342637 A JPH06342637 A JP H06342637A JP 3177684 A JP3177684 A JP 3177684A JP 17768491 A JP17768491 A JP 17768491A JP H06342637 A JPH06342637 A JP H06342637A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/16—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 励起コイルに接続された結合回路網を必要と
することのない誘導励起イオン源またはプラズマ源を提
供せんとするものである。 【構成】 ガラス容器（５０）と、このガラス容器（５
０）を囲む高周波励起コイル（１）と、制御電極を有す
る増幅素子（７）とを具える。更に前記高周波励起コイ
ル（１）を制御電流の流れる増幅素子（７）の電極
（６）に接続し、交流電流による前記増幅素子（７）の
制御電極（１１）を内部管容量（１４）を経て前記高周
波励起コイル（１）に接続し、前記高周波励起コイル
（１）を有する前記ガラス容器（５０）を金属壁で構成
されたハウジング（１９）内に位置させとともに前記増
幅素子（７）をも前記ハウジング（１９）内に位置させ
るようにする。
することのない誘導励起イオン源またはプラズマ源を提
供せんとするものである。 【構成】 ガラス容器（５０）と、このガラス容器（５
０）を囲む高周波励起コイル（１）と、制御電極を有す
る増幅素子（７）とを具える。更に前記高周波励起コイ
ル（１）を制御電流の流れる増幅素子（７）の電極
（６）に接続し、交流電流による前記増幅素子（７）の
制御電極（１１）を内部管容量（１４）を経て前記高周
波励起コイル（１）に接続し、前記高周波励起コイル
（１）を有する前記ガラス容器（５０）を金属壁で構成
されたハウジング（１９）内に位置させとともに前記増
幅素子（７）をも前記ハウジング（１９）内に位置させ
るようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガラス容器と、このガラ
ス容器を囲む高周波励起コイルおよび制御電極を有する
増幅素子を具えるイオン源に関するものである。
ス容器を囲む高周波励起コイルおよび制御電極を有する
増幅素子を具えるイオン源に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】イオン源およびプラズマ源は例えば所定
の材料をエッチングするか、またはこれら材料を被覆す
るための種々の用途に必要である。原則として、既知の
イオン源およびプラズマ源はガス室を有し、このガス室
内で、ガス状物質を荷電粒子に分離し、次いでその特性
加速度により、または励起グリッドを用いてこれら荷電
粒子をエッチングまたは被覆すべき材料上に供給するよ
うにしている。
の材料をエッチングするか、またはこれら材料を被覆す
るための種々の用途に必要である。原則として、既知の
イオン源およびプラズマ源はガス室を有し、このガス室
内で、ガス状物質を荷電粒子に分離し、次いでその特性
加速度により、または励起グリッドを用いてこれら荷電
粒子をエッチングまたは被覆すべき材料上に供給するよ
うにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】イオン化すべきプラズ
マを収容する容器を有する誘導励起型イオン源は米国特
許第４，８４９，６７５号明細書から既知であり、この
場合、かかる容器を導波管により囲み、この導波管を高
周波発振器に連結するようにしている。この米国特許第
４，８４９，６７５号明細書には、導波管の２端を同一
電位にするとともに導波管の長さをｎ・（ｃ／２ｆ）と
し、ここにｎは零以外の数、ｃは電磁波の位相速度、ｆ
は高周波発振器の周波数とする。この高周波発振器の周
波数は特定の同調手段によって導波管およびイオン化す
べきプラズマを具えるシステムの特性周波数またはこの
特性周波数に対する高調波周波数に同調させるようにす
る。高周波発振器は比較的高価である。更に、高周波発
振器と、イオン源の励起コイルとは空間的に互いに分離
するとともに結合ケーブルを経てのみ接続し得るように
する。イオン源の動作周波数と発振器の動作周波数とを
整合させるためには、特定の結合回路網を必要とする。
マを収容する容器を有する誘導励起型イオン源は米国特
許第４，８４９，６７５号明細書から既知であり、この
場合、かかる容器を導波管により囲み、この導波管を高
周波発振器に連結するようにしている。この米国特許第
４，８４９，６７５号明細書には、導波管の２端を同一
電位にするとともに導波管の長さをｎ・（ｃ／２ｆ）と
し、ここにｎは零以外の数、ｃは電磁波の位相速度、ｆ
は高周波発振器の周波数とする。この高周波発振器の周
波数は特定の同調手段によって導波管およびイオン化す
べきプラズマを具えるシステムの特性周波数またはこの
特性周波数に対する高調波周波数に同調させるようにす
る。高周波発振器は比較的高価である。更に、高周波発
振器と、イオン源の励起コイルとは空間的に互いに分離
するとともに結合ケーブルを経てのみ接続し得るように
する。イオン源の動作周波数と発振器の動作周波数とを
整合させるためには、特定の結合回路網を必要とする。
【０００４】更に、複数の巻線よりなる誘導コイルによ
って囲まれた管状燃焼チャンバを具える高周波プラズマ
発生器はドイツ国特許第２，００４，８３９号明細書か
ら既知である。この場合には、誘導コイルは前記燃焼チ
ャンバから空間的に離間された発振器によって給電す
る。プラズマを有する前記燃焼チャンバの動作周波数を
前記発振器の動作周波数に調整するためには、可制御コ
イルを設け、これを誘導コイルに対し直列に配列する。
って囲まれた管状燃焼チャンバを具える高周波プラズマ
発生器はドイツ国特許第２，００４，８３９号明細書か
ら既知である。この場合には、誘導コイルは前記燃焼チ
ャンバから空間的に離間された発振器によって給電す
る。プラズマを有する前記燃焼チャンバの動作周波数を
前記発振器の動作周波数に調整するためには、可制御コ
イルを設け、これを誘導コイルに対し直列に配列する。
【０００５】また、全ての構成素子を囲むハウジングを
有し、マイクロウエーブを用いてプラズマを発生する装
置は米国特許第３，８１４，９８３号明細書から既知で
ある。この場合には、マイクロウエーブエネルギーを矩
形導波管を経て特定の波形伝搬構体に供給する。しか
し、この場合プラズマの励起は共振回路の一部分である
誘導コイルによっては行わない。
有し、マイクロウエーブを用いてプラズマを発生する装
置は米国特許第３，８１４，９８３号明細書から既知で
ある。この場合には、マイクロウエーブエネルギーを矩
形導波管を経て特定の波形伝搬構体に供給する。しか
し、この場合プラズマの励起は共振回路の一部分である
誘導コイルによっては行わない。
【０００６】本発明は励起コイルに接続された結合回路
網を必要としない誘導励起イオン源またはプラズマ源を
提供することをその目的とする。
網を必要としない誘導励起イオン源またはプラズマ源を
提供することをその目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はガラス容器と、
このガラス容器を囲む高周波励起コイルと、制御電極を
有する増幅素子とを具えるイオン源において、（ａ）前
記高周波励起コイルを制御電流の流れる増幅素子の電極
に接続し、（ｂ）交流電流による前記増幅素子の制御電
極を内部管容量を経て前記高周波励起コイルに接続し、
（ｃ）前記高周波励起コイルを有する前記ガラス容器お
よび前記増幅素子を金属壁で構成されたハウジング内に
共に位置させるようにしたことを特徴とする。
このガラス容器を囲む高周波励起コイルと、制御電極を
有する増幅素子とを具えるイオン源において、（ａ）前
記高周波励起コイルを制御電流の流れる増幅素子の電極
に接続し、（ｂ）交流電流による前記増幅素子の制御電
極を内部管容量を経て前記高周波励起コイルに接続し、
（ｃ）前記高周波励起コイルを有する前記ガラス容器お
よび前記増幅素子を金属壁で構成されたハウジング内に
共に位置させるようにしたことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明イオン源ではガラス容器（５０）と、こ
のガラス容器（５０）を囲む高周波励起コイル（１）
と、制御電極を有する増幅素子（７）とを具える。更
に、前記高周波励起コイル（１）を制御電流の流れる増
幅素子（７）の電極（６）に接続し、交流電流による前
記増幅素子（７）の制御電極（１１）を内部管容量（１
４）を経て前記高周波励起コイル（１）に接続し、前記
高周波励起コイル（１）を有する前記ガラス容器（５
０）を金属壁で構成されたハウジング（１９）内に位置
させとともに前記増幅素子（７）をも前記ハウジング
（１９）内に位置させるようにする。
のガラス容器（５０）を囲む高周波励起コイル（１）
と、制御電極を有する増幅素子（７）とを具える。更
に、前記高周波励起コイル（１）を制御電流の流れる増
幅素子（７）の電極（６）に接続し、交流電流による前
記増幅素子（７）の制御電極（１１）を内部管容量（１
４）を経て前記高周波励起コイル（１）に接続し、前記
高周波励起コイル（１）を有する前記ガラス容器（５
０）を金属壁で構成されたハウジング（１９）内に位置
させとともに前記増幅素子（７）をも前記ハウジング
（１９）内に位置させるようにする。
【０００９】本発明によれば、最適の動作周波数の確立
を自動的に達成し得る利点を有する。更に、イオン源全
体を極めて小型に構成することができる。
を自動的に達成し得る利点を有する。更に、イオン源全
体を極めて小型に構成することができる。
【００１０】
【実施例】図面を参照して本発明の実施例を説明する。
図１は石英プラズマ容器（図示せず）をループ状に囲む
２巻線層２、３よりなる高周波励起コイル１を有する回
路を示す。この高周波励起コイル１はその１端４を結合
コンデンサ５を経て３極真空管７の陽極６に接続する。
高周波励起コイル１の他端８は接地点９に接続する。陽
極６にはインダクタ１０を経て例えば３ＫＶの直流電圧
の正極端部を接続する。３極真空管７の制御グリッド１
１はインダクタ１２を経て低域通過基本フィルタ区分と
して作用するπ型回路区分に接続し、このπ型回路区分
は直列インダクタ１３および２つの並列コンデンサ１
４、１５により構成する。このπ型回路区分にはポテン
ショメータ１６を接続し、その可変端子１７をポテンシ
ョメータ１６の基準端子とともに電流計１８に接続す
る。
図１は石英プラズマ容器（図示せず）をループ状に囲む
２巻線層２、３よりなる高周波励起コイル１を有する回
路を示す。この高周波励起コイル１はその１端４を結合
コンデンサ５を経て３極真空管７の陽極６に接続する。
高周波励起コイル１の他端８は接地点９に接続する。陽
極６にはインダクタ１０を経て例えば３ＫＶの直流電圧
の正極端部を接続する。３極真空管７の制御グリッド１
１はインダクタ１２を経て低域通過基本フィルタ区分と
して作用するπ型回路区分に接続し、このπ型回路区分
は直列インダクタ１３および２つの並列コンデンサ１
４、１５により構成する。このπ型回路区分にはポテン
ショメータ１６を接続し、その可変端子１７をポテンシ
ョメータ１６の基準端子とともに電流計１８に接続す
る。
【００１１】かかるπ型回路区分１３、１４、１５によ
って、制御グリッド１１の直流電圧によるバイアス電圧
設定を行うことなく、前記ポテンショメータ１６および
電流計１８が基準電圧の影響を受けるの防止する。更
に、このπ型回路区分１３〜１５によって高周波が外部
に漏洩するのを防止する。
って、制御グリッド１１の直流電圧によるバイアス電圧
設定を行うことなく、前記ポテンショメータ１６および
電流計１８が基準電圧の影響を受けるの防止する。更
に、このπ型回路区分１３〜１５によって高周波が外部
に漏洩するのを防止する。
【００１２】上述したように構成した回路はハウジング
の壁部を貫通する数個の貫通型コンデンサ２０〜２３を
有する金属ハウジング１９によって囲むようにする。こ
れら貫通型コンデンサ２０〜２３は、例えば４４０Ｖの
定格直流電圧、２５０Ｖの交流電圧および１６Ａの基準
電流に対し用いるようにする。この場合、 例えば6.3Ｖ
の電位の加熱電圧は貫通型コンデンサ２１、２２を経て
供給し、貫通型コンデンサ２０には制御グリッド電流Ｕ
F が流れるようにする。接地点２４に接続された金属ハ
ウジング１９とこの金属ハウジング１９を貫通する低周
波ラインとの間には例えば４７００ｐＦのキャパシタン
スおよび３ＫＶの誘電体強度を有する阻止コンデンサ２
９〜３２を配置する。前記π型回路区分１３、１４、１
５の一端と前記金属ハウジング１９との間および前記陽
極６の高電圧給電ライン３５と前記金属ハウジング１９
との間には他の阻止コンデンサ３３、３４をそれぞれ接
続する。また３極真空管７のすぐ近くの２つの陰極抵抗
線２６、２７間には阻止コンデンサ４２を接続する。
の壁部を貫通する数個の貫通型コンデンサ２０〜２３を
有する金属ハウジング１９によって囲むようにする。こ
れら貫通型コンデンサ２０〜２３は、例えば４４０Ｖの
定格直流電圧、２５０Ｖの交流電圧および１６Ａの基準
電流に対し用いるようにする。この場合、 例えば6.3Ｖ
の電位の加熱電圧は貫通型コンデンサ２１、２２を経て
供給し、貫通型コンデンサ２０には制御グリッド電流Ｕ
F が流れるようにする。接地点２４に接続された金属ハ
ウジング１９とこの金属ハウジング１９を貫通する低周
波ラインとの間には例えば４７００ｐＦのキャパシタン
スおよび３ＫＶの誘電体強度を有する阻止コンデンサ２
９〜３２を配置する。前記π型回路区分１３、１４、１
５の一端と前記金属ハウジング１９との間および前記陽
極６の高電圧給電ライン３５と前記金属ハウジング１９
との間には他の阻止コンデンサ３３、３４をそれぞれ接
続する。また３極真空管７のすぐ近くの２つの陰極抵抗
線２６、２７間には阻止コンデンサ４２を接続する。
【００１３】前記金属ハウジング１９の上部左側隅部に
は排気用モータ３６を設け、このモータから前記金属ハ
ウジング１９を貫通して外部に電気接続ライン３７、３
８、３９を導出する。３極真空管７の制御グリッド１１
のプリセットはポテンショメータ１６によって３極真空
管７の内部抵抗を経て行う。この３極真空管７内の電流
通路は、まず最初、陰極加熱電圧ＵF および陽極直流電
圧Ｕa を供給する際陰極４０および陽極６間の電子流を
経て発生する。電流を制御し得る３極真空管７の制御グ
リッド１１は前記陽極６に対し負電位である。この電位
が低ければ低いほど陽極６から陰極４０に到達する電子
は少なくなる。
は排気用モータ３６を設け、このモータから前記金属ハ
ウジング１９を貫通して外部に電気接続ライン３７、３
８、３９を導出する。３極真空管７の制御グリッド１１
のプリセットはポテンショメータ１６によって３極真空
管７の内部抵抗を経て行う。この３極真空管７内の電流
通路は、まず最初、陰極加熱電圧ＵF および陽極直流電
圧Ｕa を供給する際陰極４０および陽極６間の電子流を
経て発生する。電流を制御し得る３極真空管７の制御グ
リッド１１は前記陽極６に対し負電位である。この電位
が低ければ低いほど陽極６から陰極４０に到達する電子
は少なくなる。
【００１４】前記陽極６／制御グリッド１１／ポテンシ
ョメータ１６の通路はグリッドバイアス電圧設定に対す
る電圧ドライバを表わす。この電圧ドライバに供給され
る電圧は陽極直流電圧Ｕa である。
ョメータ１６の通路はグリッドバイアス電圧設定に対す
る電圧ドライバを表わす。この電圧ドライバに供給され
る電圧は陽極直流電圧Ｕa である。
【００１５】インダクタ１２、１３は直流電流に対する
短絡回路を表わすため、グリッド電流は導電ライン２８
を経て電流計１８により測定することができる。
短絡回路を表わすため、グリッド電流は導電ライン２８
を経て電流計１８により測定することができる。
【００１６】高周波励起コイル１の交流電圧信号は真空
管の内部容量４１を経て制御グリッド１１に到達するた
め、これにより真空管７および高周波励起コイル１を具
える構造は影響を受けるようになる。この構造は常時存
在する電圧雑音を経て発振し始めるため、これらの発振
は構造全体の特性周波数によって決まるようになる。
管の内部容量４１を経て制御グリッド１１に到達するた
め、これにより真空管７および高周波励起コイル１を具
える構造は影響を受けるようになる。この構造は常時存
在する電圧雑音を経て発振し始めるため、これらの発振
は構造全体の特性周波数によって決まるようになる。
【００１７】この特性周波数は連続的に変化し得るとと
もに励起コイル１のインダクタンス、前記プラズマチャ
ンバの電気特性および前記内部容量４１によって決ま
る。これがため、前記励起コイル１および真空管７は双
方で自由に発振する発振器の主要部を構成し、その発振
周波数は前記プラズマチャンバの電気特性により変化す
る。その理由は、実際上、前記励起コイル１および真空
管７が構造的に変化しないからである。
もに励起コイル１のインダクタンス、前記プラズマチャ
ンバの電気特性および前記内部容量４１によって決ま
る。これがため、前記励起コイル１および真空管７は双
方で自由に発振する発振器の主要部を構成し、その発振
周波数は前記プラズマチャンバの電気特性により変化す
る。その理由は、実際上、前記励起コイル１および真空
管７が構造的に変化しないからである。
【００１８】図２は図１に示される構造の機械的構成を
示す。図２に示される互いに機能的に関連する構成部分
には図１に示すものと同一の符号を付して示す。図２か
ら明らかなように、真空管７および励起コイル１は共に
金属ハウジング１９によって囲むようにする。励起コイ
ル１はガス供給部５１を有するガラス容器５０の周りに
配設し、このガラス供給部５１は金属ハウジング１９の
外側に設けられたガラス供給部５３に連結されている。
このガラス供給部５３は親ねじ５４により前記金属ハウ
ジング１９に螺着する。ガラス容器５０の金属エンクロ
ージュア５２には圧力リング５５を設けるとともに、こ
れを弾性Ｏリング５６を経て前記ガラス容器５０に結合
する。前記励起コイル１の巻線は水で冷却し、従って冷
却水供給部５７、５８に連結する。
示す。図２に示される互いに機能的に関連する構成部分
には図１に示すものと同一の符号を付して示す。図２か
ら明らかなように、真空管７および励起コイル１は共に
金属ハウジング１９によって囲むようにする。励起コイ
ル１はガス供給部５１を有するガラス容器５０の周りに
配設し、このガラス供給部５１は金属ハウジング１９の
外側に設けられたガラス供給部５３に連結されている。
このガラス供給部５３は親ねじ５４により前記金属ハウ
ジング１９に螺着する。ガラス容器５０の金属エンクロ
ージュア５２には圧力リング５５を設けるとともに、こ
れを弾性Ｏリング５６を経て前記ガラス容器５０に結合
する。前記励起コイル１の巻線は水で冷却し、従って冷
却水供給部５７、５８に連結する。
【００１９】ガラス容器の底部には３つの取出しグリッ
ド５９、６０、６１を配置し、これにより荷電粒子また
は荷電していない粒子の流れを制御し得るようにする。
また、ねじ６４、６５により金属ハウジング１９に連結
され、かつ、動作チャンバ（図示せず）に連通されるイ
オンチャンバを装着部材６２、６３によって装着する。
この動作チャンバには荷電粒子により衝撃される材料を
位置させる。
ド５９、６０、６１を配置し、これにより荷電粒子また
は荷電していない粒子の流れを制御し得るようにする。
また、ねじ６４、６５により金属ハウジング１９に連結
され、かつ、動作チャンバ（図示せず）に連通されるイ
オンチャンバを装着部材６２、６３によって装着する。
この動作チャンバには荷電粒子により衝撃される材料を
位置させる。
【００２０】前記動作チャンバの境界は封止部材６６に
よって密封する。真空管７の端部６７、６８を設置部材
６９上に配置し、この設置部材を金属ハウジング１９に
連結する。前記インダクタコイル１２は前記金属ハウジ
ング１９に連結された支持絶縁体７０に固着する。
よって密封する。真空管７の端部６７、６８を設置部材
６９上に配置し、この設置部材を金属ハウジング１９に
連結する。前記インダクタコイル１２は前記金属ハウジ
ング１９に連結された支持絶縁体７０に固着する。
【００２１】絶縁体グリッド抵抗１６は回転ホイール７
１によって調整自在とする。７２、７３は前記加熱電圧
ＵP への接続を行うジャックである。これらジャック７
２、７３はそれぞれ給電ラインに接続可能とし、これら
給電ラインのうちの一方を２６で示し、他方を２７で示
す。本発明によれば、真空管７の陽極６と励起コイル１
との間の接続ライン７４を極めて短くしたことが極めて
重要である。
１によって調整自在とする。７２、７３は前記加熱電圧
ＵP への接続を行うジャックである。これらジャック７
２、７３はそれぞれ給電ラインに接続可能とし、これら
給電ラインのうちの一方を２６で示し、他方を２７で示
す。本発明によれば、真空管７の陽極６と励起コイル１
との間の接続ライン７４を極めて短くしたことが極めて
重要である。
【００２２】排気用モータ３６は図２には示さないが、
このモータは重要である。その理由は、使用する真空管
７が、送風を動作開始前にスイッチオンする必要のある
放射−冷却型３極管であるからである。この真空管７は
充分大きな負のバイアス電圧を必要とするＣ級動作で作
動させるのが好適である。Ｃ−級増幅器は高効率で作動
する選択型増幅器である。
このモータは重要である。その理由は、使用する真空管
７が、送風を動作開始前にスイッチオンする必要のある
放射−冷却型３極管であるからである。この真空管７は
充分大きな負のバイアス電圧を必要とするＣ級動作で作
動させるのが好適である。Ｃ−級増幅器は高効率で作動
する選択型増幅器である。
【００２３】プラズマ領域はガラス容器５０を貫通し、
例えば高さが６３ｍｍ、壁厚が３ｍｍ、直径が４６ｍｍ
と大きく延在するように画成する。ガス導入部５１には
密実なワイヤメッキを施してガス送給時にプラズマが減
速するのを防止し得るようにする。
例えば高さが６３ｍｍ、壁厚が３ｍｍ、直径が４６ｍｍ
と大きく延在するように画成する。ガス導入部５１には
密実なワイヤメッキを施してガス送給時にプラズマが減
速するのを防止し得るようにする。
【００２４】原則的には真空管の代わりに他の制御素
子、例えばトランジスタまたはサイリスタを用いること
もできる。
子、例えばトランジスタまたはサイリスタを用いること
もできる。
【００２５】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、最適の
動作周波数を自動的に確立し得る利点がある。更に、イ
オン源全体を極めて小型に構成することができる利点を
有する。
動作周波数を自動的に確立し得る利点がある。更に、イ
オン源全体を極めて小型に構成することができる利点を
有する。
【図１】本発明イオン源の基本構成を示す回路図であ
る。
る。
【図２】本発明イオン源の１実施例の構成を示す断面図
である。
である。
１ 高周波励起コイル ２、３ 巻線層 ４、８ 端子 ５ 結合コンデンサ ６ 陽極 ７ ３極真空管 ９ 接地端子 １０、１２ インダクタ １１ 制御グリッド １３ 直列インダクタ １４、１５ 並列コンデンサ １６ ポテンショメータ １７ 可変端子 １８ 電流計 １９ 金属ハウジング ２０、２１、２２、２３、 貫通型コンデンサ ２４ 接地端子 ２６、２７ 陰極抵抗ライン（給電ライン） ２８ 導電ライン ２９〜３４、４２ 阻止コンデンサ ３６ 排気モータ ３７、３８、３９ 電気接続ライン ４０ 陰極 ４１ 真空管内部容量 ５０ ガラス容器 ５１ ガス供給部 ５２ 金属容器 ５３ ガス供給部 ５４ 親ねじ ５５ 圧力リング ５６ 弾性Ｏリング ５７、５８ 冷却水供給部 ５９、６０、６１ 取出しグリッド ６２、６３ 装着部材 ６４、６５ ねじ ６６ 封止部材 ６７、６８ 端部 ６９ 設置部材 ７０ 支持絶縁体 ７１ 回転ホイール ７２、７３ ジャック ７４ 接続ライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ローランド ゲッシュ ドイツ連邦共和国 デー−6453 セリゲン スタッ ト フライヘル−フォイ−スタイ ン−リング 26 (72)発明者 マンフレッド ジップフ ドイツ連邦共和国 デー−8756 ナシュミ ュール ７
Claims (10)
- 【請求項１】 ガラス容器（５０）と、このガラス容器
（５０）を囲む高周波励起コイル（１）と、制御電極を
有する増幅素子（７）とを具えるイオン源において、
（ａ）前記高周波励起コイル（１）を制御電流の流れる
増幅素子（７）の電極（６）に接続し、（ｂ）交流電流
による前記増幅素子（７）の制御電極（１１）を内部管
容量（１４）を経て前記高周波励起コイル（１）に接続
し、（ｃ）前記高周波励起コイル（１）を有する前記ガ
ラス容器（５０）および前記増幅素子（７）を金属壁で
構成されたハウジング（１９）内に共に位置させるよう
にしたことを特徴とするイオン源。 - 【請求項２】 前記増幅素子（７）の電極（６）と前記
高周波励起コイル（１）との間の距離を僅かな距離とし
たことを特徴とする請求項１に記載のイオン源。 - 【請求項３】 前記距離は前記高周波励起コイル（１）
の横方向寸法にほぼ等しいかまたはこれよりも短くする
ようにしたことを特徴とする請求項１に記載のイオン
源。 - 【請求項４】 前記増幅素子を真空管（７）としたこと
を特徴とする請求項１に記載のイオン源。 - 【請求項５】 前記増幅素子をトランジスタとしたこと
を特徴とする請求項１に記載のイオン源。 - 【請求項６】 前記真空管（７）を３極管としたことを
特徴とする請求項４に記載のイオン源。 - 【請求項７】 前記高周波コイル（１）およびプラズマ
領域（５０、１）により決まる構成部分の周波数は主と
して前記プラズマの電気特性と相俟って決めるようにし
たことを特徴とする請求項１に記載のイオン源。 - 【請求項８】 前記高周波真空管（７）はＣ級増幅器と
し、そのグリッド交流電圧のピークのみを増幅するよう
にしたことを特徴とする請求項４に記載のイオン源。 - 【請求項９】 前記高周波励起コイル（１）には冷却媒
体を流すようにしたことを特徴とする請求項１に記載の
イオン源。 - 【請求項１０】 導電ライン（２６、２７、３５）をフ
ィードバックコンデンサ（２９〜３２）を経て前記ハウ
ジング（１９）内に導入するようにしたことを特徴とす
る請求項１に記載のイオン源。
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|---|---|---|---|
| DE4019729.8 | 1990-06-21 | ||
| DE4019729A DE4019729A1 (de) | 1990-06-21 | 1990-06-21 | Ionenquelle |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06342637A true JPH06342637A (ja) | 1994-12-13 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3177684A Pending JPH06342637A (ja) | 1990-06-21 | 1991-06-21 | イオン源 |
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| EP (1) | EP0462377B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06342637A (ja) |
| DE (2) | DE4019729A1 (ja) |
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| US5216330A (en) * | 1992-01-14 | 1993-06-01 | Honeywell Inc. | Ion beam gun |
| DE4242894A1 (de) * | 1992-12-18 | 1994-06-23 | Leybold Ag | Vorrichtung zur Mehrfacheinspeisung von HF-Leistung in Kathodenkörpern |
| KR100456465B1 (ko) * | 2000-03-20 | 2004-11-10 | 현대종합금속 주식회사 | 내균열성이 우수한 페라이트계 스테인레스 스틸 용접용플럭스 충전 와이어 |
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| WO2011123125A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Colorado State University Research Foundation | Liquid-gas interface plasma device |
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| WO2009146439A1 (en) | 2008-05-30 | 2009-12-03 | Colorado State University Research Foundation | System, method and apparatus for generating plasma |
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| US8222822B2 (en) | 2009-10-27 | 2012-07-17 | Tyco Healthcare Group Lp | Inductively-coupled plasma device |
| AU2010349784B2 (en) | 2010-03-31 | 2015-01-15 | Colorado State University Research Foundation | Liquid-gas interface plasma device |
| US9532826B2 (en) | 2013-03-06 | 2017-01-03 | Covidien Lp | System and method for sinus surgery |
| US9555145B2 (en) | 2013-03-13 | 2017-01-31 | Covidien Lp | System and method for biofilm remediation |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3814983A (en) * | 1972-02-07 | 1974-06-04 | C Weissfloch | Apparatus and method for plasma generation and material treatment with electromagnetic radiation |
| US3958883A (en) * | 1974-07-10 | 1976-05-25 | Baird-Atomic, Inc. | Radio frequency induced plasma excitation of optical emission spectroscopic samples |
| US4381453A (en) * | 1980-12-31 | 1983-04-26 | International Business Machines Corporation | System and method for deflecting and focusing a broad ion beam |
| US4629940A (en) * | 1984-03-02 | 1986-12-16 | The Perkin-Elmer Corporation | Plasma emission source |
| DE3729347A1 (de) * | 1986-09-05 | 1988-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | Plasmaprozessor |
| US4795880A (en) * | 1986-09-11 | 1989-01-03 | Hayes James A | Low pressure chemical vapor deposition furnace plasma clean apparatus |
| DE3632340C2 (de) * | 1986-09-24 | 1998-01-15 | Leybold Ag | Induktiv angeregte Ionenquelle |
-
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- 1990-06-21 DE DE4019729A patent/DE4019729A1/de not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-02-28 US US07/662,259 patent/US5124526A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-04-25 EP EP91106642A patent/EP0462377B1/de not_active Expired - Lifetime
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- 1991-06-21 JP JP3177684A patent/JPH06342637A/ja active Pending
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