EP0462377A2 - Ionenquelle - Google Patents

Ionenquelle Download PDF

Info

Publication number
EP0462377A2
EP0462377A2 EP91106642A EP91106642A EP0462377A2 EP 0462377 A2 EP0462377 A2 EP 0462377A2 EP 91106642 A EP91106642 A EP 91106642A EP 91106642 A EP91106642 A EP 91106642A EP 0462377 A2 EP0462377 A2 EP 0462377A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
ion source
excitation coil
source according
tube
reinforcing element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
EP91106642A
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP0462377A3 (en
EP0462377B1 (de
Inventor
Jürgen Dr. Müller
Roland Dr. Gesche
Manfred Dipl.-Ing. Zipf (Fh)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Original Assignee
Leybold AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leybold AG filed Critical Leybold AG
Publication of EP0462377A2 publication Critical patent/EP0462377A2/de
Publication of EP0462377A3 publication Critical patent/EP0462377A3/de
Application granted granted Critical
Publication of EP0462377B1 publication Critical patent/EP0462377B1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00—Ion beam tubes
    • H01J27/02—Ion sources; Ion guns
    • H01J27/16—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation

Definitions

  • the invention relates to an ion source according to the preamble of patent claim 1.
  • Ion and plasma sources are required for numerous applications, for example to etch or coat certain materials.
  • the known ion and plasma sources have a gas chamber in which gaseous matter is split into electrically charged particles, which are then brought onto the material to be etched or coated due to their own acceleration or with the aid of extraction grids.
  • An inductively excited ion source which has a container for receiving plasma to be ionized, this container being surrounded by a waveguide which is connected to a high-frequency generator (US Pat. No. 4,849,675).
  • a high-frequency generator US Pat. No. 4,849,675
  • the two ends of the waveguide are at the same potential and the length of the waveguide is where n is an integer other than zero, c is the phase velocity of the electromagnetic wave and f is the frequency of the high frequency generator.
  • the frequency of the high-frequency generator is tuned by means of special tuning means to the natural frequency of the system, which consists of the waveguide, the plasma to be ionized, or a harmonic frequency to this natural frequency.
  • the high-frequency generator is relatively complex.
  • the high-frequency generator and the excitation coil of the ion source are spatially separated from one another and only connected to one another via a coupling cable.
  • a special coupling network is required to adapt the working frequency of the ion source to the working frequency of the transmitter.
  • a high-frequency plasma generator with a tubular combustion chamber which is surrounded by an induction coil having several turns (DE-B-20 04 839).
  • This induction coil is fed by an oscillator which is arranged separately from the combustion chamber.
  • an adjustable coil is provided, which is connected in series with the actual induction coil.
  • Another known device for generating plasma which works with microwaves, has a housing, from which all essential components are enclosed (US-A-3 814 983).
  • the microwave energy is applied to a special wave propagation structure via a rectangular waveguide.
  • the plasma is not excited with an induction coil, which is part of an oscillating circuit.
  • the invention has for its object to provide an inductively excited ion or plasma source, in which a coupling network connected to the excitation coil can be eliminated.
  • the advantage achieved with the invention is, in particular, that a settling to the optimal working frequency is automatically achieved.
  • the entire ion source can be implemented as a very small component.
  • a circuit arrangement which shows a high-frequency excitation coil 1, which consists of two layers 2, 3, around a plasma container, not shown are made of quartz.
  • the high-frequency excitation coil 1 is connected with its one connection 4 via a coupling capacitor 5 to the anode 6 of a triode tube 7.
  • the other terminal 8 of the excitation coil 1 is connected to ground 9.
  • the control grid 11 of the triode tube 7 is connected via an inductor 12 to a ⁇ element, which acts as a low-pass element and consists of a longitudinal inductor 13 and two transverse capacitors 14, 15.
  • a potentiometer 16 is connected to this ⁇ element, the control connection 17 of which is connected to an ammeter 18.
  • the task of the ⁇ element 13, 14, 15 is to prevent the potentiometer 16 and the ammeter 18 from being influenced without impairing the bias setting of the grating 11, which is carried out with direct voltage.
  • the ⁇ element 13 to 15 is to prevent high frequencies from getting outside.
  • the circuit arrangement described so far is surrounded by a metallic housing 19 which has a plurality of feed-through capacitors 20 to 23 in the housing wall.
  • These feedthrough capacitors 20 to 23 are e.g. B. designed for nominal voltages of 440 V DC, 250 V AC and 16 A nominal current.
  • the feed-through capacitors 21, 22 are used to supply heating voltage U F , which, for. B. 6.3 V AC, while the feed-through capacitor 20, the control grid current I G flows.
  • block capacitors 29 to 32 which, for. B. have a capacitance of 4700 pF and a dielectric strength of 3 kV.
  • Block capacitors 33, 34 are located between a connection of the ⁇ element 13, 14, 15 and the housing wall 19 and between the anode high-voltage supply 35 and the housing wall 19. Also between the two cathode heating wires 26, 27 there is a tube 7 in the immediate vicinity Block capacitor 42 is provided.
  • a fan motor 36 is shown, from which electrical connecting lines 37, 38, 39 are led through the housing 19 to the outside.
  • the presetting of the grid 11 of the tube 7 takes place with the aid of the potentiometer 16 and via the internal resistance of the tube 7.
  • the current conduction within the tube 7 takes place mainly via the electron flow between cathode 40 and anode 6 when the cathode heating voltage U F and the anode direct voltage U a were created.
  • the tube grid 11, with which the current flow can be controlled, is at a negative potential with respect to the anode 6. The lower this potential is, the less electrons get from cathode 40 to anode 6.
  • the section anode 6 - grid 11 - potentiometer 16 represents a voltage divider for setting the grid bias voltage.
  • the voltage applied to this voltage divider is the anode direct voltage U a .
  • the inductors 12, 13 represent a short circuit for direct current, so that the grid current can be measured via the ammeter 18.
  • the alternating voltage signal of the high-frequency excitation coil 1 reaches the grid 11 via an inner tube capacitance 41, as a result of which the arrangement of the tube 7 and the high-frequency excitation coil 1 is influenced. Since this arrangement begins to oscillate due to the presence of voltage noise, these oscillations are determined by the natural frequency of the overall arrangement.
  • Coil 1 and tube 7 thus together form the core of an oscillator which oscillates freely and whose resonance frequency - since coil 1 and tube 7 remain practically unchanged in terms of their structure - is changed by the properties of the plasma chamber.
  • FIG. 2 shows the mechanically constant structure of the arrangement shown in FIG. 1. Those components which correspond functionally to one another are given the same reference numbers in FIG. 2 as in FIG. 1. It can be seen from FIG. 2 that the tube 7 and the excitation coil 1 are jointly enclosed by the metallic housing 19.
  • the excitation coil 1 is placed around a glass vessel 50 which has a gas supply connection 51 which is connected to a gas supply 53 arranged outside the housing 19. This gas supply 53 is screwed onto the housing 19 with a knurled screw 54.
  • a pressure ring 55 sits on a metallic border 56 of the glass vessel 50 and is connected to this glass vessel 50 via an elastic sealing ring 56.
  • the turns of the coil 1 are water-cooled and are therefore connected to cooling water feeds 57, 58.
  • extraction grids 59, 60, 61 are arranged, with which the flow of charged or uncharged particles can be controlled.
  • 62, 63 denotes a base of the ion chamber, which is connected to the housing 19 by means of screws 64, 65 and is connected to a working chamber (not shown). In this working chamber are the materials that are bombarded by charged particles.
  • the interface to the working chamber is characterized by a seal 66.
  • the tube 7 is arranged with its connections 67, 68 on a base 69, which in turn is connected to the housing 19.
  • a separate support insulator 70 is provided for the coil 12 and is also connected to the housing 19.
  • the grid resistor 16 can be adjusted by means of a rotary wheel 71. With 72, 73 sockets for connecting the heating voltage U F are designated. It is important for the present invention that the connecting line 74 between the anode 6 of the tube 7 and the excitation coil 1 is very short.
  • the fan motor 36 cannot be seen in FIG. 2. However, it is important since the tube 7 used is a radiation-cooled triode, in which the fan must be switched on before starting up. This tube 7 is preferably operated in C mode, which is achieved by a correspondingly large negative bias. A C amplifier is a selective amplifier with high efficiency.
  • the plasma space is largely realized by the glass vessel 50, which, for. B. is 63 mm high with a wall thickness of 3 mm and has a diameter of 46 mm.
  • a dense wire mesh can be provided in the gas inlet connection 51, which prevents the plasma from braking in the gas supply.
  • control element e.g. B. a transistor or a thyristor can be used.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Ionenquelle mit einem Gasbehälter (50) und einer diesen Behälter (50) umgebenden HF-Anregungsspule (1) sowie mit einem Verstärkungselement (7), das eine Steuerelektrode aufweist. Hierbei ist die HF-Anregungsspule (1) mit einer Elektrode (6) des Verstärkungselements (7) verbunden, während die Steuerelektrode dieses Verstärkungselements (7) mit dieser HF-Anregungsspule (1) wechselstrommäßig verbunden ist. Der Gasbehälter (50) mit der HF-Anregungsspule (1) und das Verstärkungselement (7) befinden sich gemeinsam in einem Gehäuse (19) mit metallischen Wänden. <IMAGE>

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Ionenquelle nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
  • Ionen- und Plasmaquellen werden für zahlreiche Anwendungsfälle benötigt, beispielsweise um bestimmte Materialien zu ätzen oder zu beschichten. In der Regel weisen die bekannten Ionen- und Plasmaquellen eine Gaskammer auf, in der gasförmige Materie in elektrisch geladene Teilchen aufgespalten wird, die dann aufgrund ihrer Eigenbeschleunigung oder mit Hilfe von Extraktionsgittern auf das zu ätzende oder zu beschichtende Material gebracht werden.
  • Es ist bereits eine induktiv angeregte Ionenquelle bekannt, die einen Behälter für die Aufnahme Von zu ionisierendem Plasma aufweist, wobei dieser Behälter von einem Wellenleiter umgeben ist, der mit einem Hochfrequenzgenerator in Verbindung steht (US-PS 4 849 675). Hierbei liegen die beiden Enden des Wellenleiters auf demselben Potential und die Länge des Wellenleiters beträgt
    Figure imgb0001
    wobei n eine von Null verschiedene ganze Zahl, c die Phasengeschwindigkeit der elektromagnetischen Welle und f die Frequenz des Hochfrequenzgenerators ist. Die Frequenz des Hochfrequenzgenerators wird mittels besonderer Abstimmittel auf die Eigenfrequenz des Systems abgestimmt, das aus dem Wellenleiter, dem zu ionisierenden Plasma besteht, oder auf eine harmonische Frequenz zu dieser Eigenfrequenz.
  • Der Hochfrequenzgenerator ist relativ aufwendig aufgebaut. Außerdem sind der Hochfrequenzgenerator und die Anregungsspule der Ionenquelle räumlich voneinander getrennt und nur über ein Ankoppelkabel miteinander verbunden. Um die Arbeitsfrequenz der Ionenquelle an die Arbeitsfrequenz des Senders anzupassen, ist ein besonderes Ankoppelnetzwerk erforderlich.
  • Weiterhin ist ein Hochfrequenz-Plasmagenerator mit einer rohrförmigen Brennkammer bekannt, die von einer mehrere Windungen aufweisenden Induktionsspule umgeben ist (DE-B-20 04 839). Diese Induktionsspule wird von einem Oszillator gespeist, der getrennt von der Brennkammer angeordnet ist. Zur Anpassung der Arbeitsfrequenz der Brennkammer mit dem Plasma an die Arbeitsfrequenz des Oszillators ist eine regelbare Spule vorgesehen, die in Reihe zur eigentlichen Induktionsspule geschaltet ist.
  • Eine andere bekannte Vorrichtung zum Erzeugen von Plasma, die mit Mikrowellen arbeitet, weist ein Gehäuse auf, von dem alle wesentlichen Komponenten eingeschlossen werden (US-A-3 814 983). Hierbei wird die Mikrowellenenergie über einen Rechteckhohlleiter auf eine besondere Wellenausbreitungsstruktrur gegeben. Die Anregung des Plasmas erfolgt indessen nicht mit einer Induktionsspule, die Teil eines Schwingkreises ist.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine induktiv angeregte Ionen- oder Plasmaquelle zu schaffen, bei der ein mit der Anregungsspule in Verbindung stehendes Ankoppelnetzwerk entfallen kann.
  • Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
  • Der mit der Erfindung erzielte Vorteil besteht insbesondere darin, daß automatisch ein Einschwingen auf die optimale Arbeitsfrequenz erzielt wird. Außerdem läßt sich die gesamte Ionenquelle als sehr kleines Bauelement realisieren.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
    • Fig. 1
    ein Prinzipschaltbild einer erfindungsgemäßen Anordnung;
    Fig. 2
    eine schematische Darstellung einer räumlichen konstruktiven Ausführungsform einer Erfindung.
  • In der Fig. 1 ist eine Schaltungsanordnung dargestellt, welche eine Hochfrequenz-Anregungsspule 1 zeigt, die aus zwei Lagen 2, 3 besteht, die um einen nicht dargestellten Plasmabehälter aus Quarz geschlungen sind. Die Hochfrequenz-Anregungsspule 1 steht mit ihrem einen Anschluß 4 über einen Koppelkondensator 5 mit der Anode 6 einer Triodenröhre 7 in Verbindung. Der andere Anschluß 8 der Anregungsspule 1 liegt an Masse 9. An der Anode 6 steht über eine Induktivität 10 die positive Polarität einer Gleichspannung von z. B. 3 kV an. Das Steuergitter 11 der Triodenröhre 7 ist über eine Induktivität 12 mit einem π-Glied verbunden, das als Tiefpaßgrundglied wirkt und aus einer Längsinduktivität 13 und zwei Querkapazitäten 14, 15 besteht. An dieses π-Glied ist ein Potentiometer 16 angeschlossen, dessen Regelanschluß 17 mit einem Amperemeter 18 verbunden ist.
  • Aufgabe des π-Glieds 13, 14, 15 ist es, die Beeinflussung des Potentiometers 16 und des Amperemeters 18 zu unterbinden, ohne die Vorspannungseinstellung des Gitters 11, die mit Gleichspannung erfolgt, zu beeinträchtigen. Außerdem soll das π-Glied 13 bis 15 verhindern, daß Hochfrequenzen nach draußen gelangen.
  • Die bisher beschriebene Schaltungsanordnung ist von einem metallischen Gehäuse 19 umgeben, das mehrere Durchführungskondensatoren 20 bis 23 in der Gehäusewand aufweist. Diese Durchführungskondensatoren 20 bis 23 sind z. B. für Nennspannungen von 440 V Gleichspannung, 250 V Wechselspannung und 16 A Nennstrom ausgelegt. Über die Durchführungskondensatoren 21, 22 erfolgt die Versorgung mit Heizspannung UF, die z. B. 6,3 V Wechselspannung beträgt, während über den Durchführungskondensator 20 der Steuergitterstrom IG fließt. Zwischen dem metallischen Gehäuse 19, das an Masse 24 liegt, und den Niederfrequenzleitungen 25 bis 28, die durch die Gehäusewand 19 geführt sind, liegen Blockkondensatoren 29 bis 32, die z. B. eine Kapazität von 4700 pF und eine Spannungsfestigkeit von 3 kV besitzen. Weitere Blockkondensatoren 33, 34 liegen zwischen einem Anschluß des π-Glieds 13, 14, 15 und der Gehäusewand 19 sowie zwischen der Anoden-Hochspannungszuführung 35 und der Gehäusewand 19. Auch zwischen den beiden Kathodenheizdrähten 26, 27 ist in unmittelbarer Nähe der Röhre 7 ein Blockkondensator 42 vorgesehen.
  • In der linken oberen Ecke des Gehäuses 19 ist ein Lüftermotor 36 dargestellt, von dem elektrische Anschlußleitungen 37, 38, 39 durch das Gehäuse 19 nach außen geführt sind. Die Voreinstellung des Gitters 11 der Röhre 7 erfolgt mit Hilfe des Potentiometers 16 und über den inneren Widerstand der Röhre 7. Die Stromleitung innerhalb der Röhre 7 erfolgt hauptsächlich über den Elektronenfluß zwischen Kathode 40 und Anode 6, wenn die Kathodenheizspannung UF und die Anodengleichspannung Ua angelegt wurden. Das Röhrengitter 11, mit dem der Stromfluß gesteuert werden kann, liegt in Bezug auf die Anode 6 auf negativem Potential. Je niedriger dieses Potential ist, um so weniger Elektronen gelangen von der Kathode 40 zur Anode 6.
  • Die Strecke Anode 6 - Gitter 11 - Potentiometer 16 stellt einen Spannungsteiler zur Gittervorspannungseinstellung dar. Die an diesem Spannungsteiler anliegende Spannung ist die Anodengleichspannung Ua.
  • Die Induktivitäten 12, 13 stellen für Gleichstrom einen Kurzschluß dar, so daß über das Amperemeter 18 der Gitterstrom gemessen werden kann.
  • Das Wechselspannungssignal der Hochfrequenz-Anregungsspule 1 gelangt über eine innere Röhrenkapazität 41 auf das Gitter 11, wodurch die Anordnung aus Röhre 7 und Hochfrequenz-Anregungsspule 1 beeinflußt wird. Da diese Anordnung durch immer vorhandenes Spannungsrauschen zu schwingen beginnt, werden diese Schwingungen durch die Eigenfrequenz der Gesamtanordnung festgelegt.
  • Diese Eigenfrequenz kann sich fortlaufend verändern und wird durch die Induktivität der Spule 1, die elektrischen Eigenschaften der Plasmakammer und die Röhrenkapazität 41 bestimmt. Spule 1 und Röhre 7 bilden somit gemeinsam das Kernstück eines Oszillators, der frei schwingt und dessen Resonanzfrequenz - da Spule 1 und Röhre 7 von ihrem Aufbau her praktisch unverändert bleiben - durch die Eigenschaften der Plasmakammer geändert wird.
  • In der Fig. 2 ist der mechanisch konstrucktive Aufbau der in der Fig. 1 gezeigten Anordnung dargestellt. Diejenigen Bauteile, welche funktionsmäßig einander entsprechen, sind in der Fig. 2 mit denselben Bezugszahlen versehen wie in der Fig. 1. Man erkennt aus der Fig. 2, daß die Röhre 7 und die Anregungsspule 1 gemeinsam von dem metallischen Gehäuse 19 umschlossen sind. Die Anregungsspule 1 ist um ein Glasgefäß 50 gelegt, das einen Gaszuführungsstutzen 51 aufweist, der mit einer außerhalb des Gehäuses 19 angeordneten Gaszuführung 53 in Verbindung steht. Diese Gaszuführung 53 ist mit einer Rändelschraube 54 auf das Gehäuse 19 geschraubt. Ein Druckring 55 sitzt auf einer metallischen Einfassung 56 des Glasgefäßes 50 und steht über einen elastischen Dichtungsring 56 mit diesem Glasgefäß 50 in Verbindung. Die Windungen der Spule 1 sind wassergekühlt und deshalb mit Kühlwasserzuführungen 57, 58 verbunden.
  • Am Boden des Glasgefäßes sind drei Extraktionsgitter 59, 60, 61 angeordnet, mit denen der Strom geladener oder ungeladener Teilchen gesteuert werden kann. Mit 62, 63 ist ein Sockel der Ionenkammer bezeichnet, der über Schrauben 64, 65 mit dem Gehäuse 19 verbunden ist und mit einer nicht dargestellten Arbeitskammer in Verbindung steht. In dieser Arbeitskammer befinden sich die Materialien, die durch geladene Teilchen bombardiert werden.
  • Die Schnittstelle zur Arbeitskammer ist durch eine Dichtung 66 charakterisiert. Die Röhre 7 ist mit ihren Anschlüssen 67, 68 auf einem Sockel 69 angeordnet, der seinerseits mit dem Gehäuse 19 verbunden ist. Für die Spule 12 ist ein eigener Stützisolator 70 vorgesehen, der ebenfalls mit dem Gehäuse 19 verbunden ist.
  • Der Gitterwiderstand 16 kann durch ein Drehrad 71 verstellt werden. Mit 72, 73 sind Buchsen für den Anschluß der Heizspannung UF bezeichnet. Wichtig für die vorliegende Erfindung ist der Umstand, daß die Verbindungsleitung 74 zwischen der Anode 6 der Röhre 7 und der Anregungsspule 1 sehr kurz ist.
  • Der Lüftermotor 36 ist in der Fig. 2 nicht zu erkennen. Er ist jedoch wichtig, da es sich bei der verwendeten Röhre 7 um eine strahlungsgekühlte Triode handelt, bei der vor Inbetriebnahme das Gebläse eingeschaltet werden muß. Vorzugsweise wird diese Röhre 7 im C-Betrieb gefahren, was durch eine entsprechend große negative Vorspannung erreicht wird. Ein C-Verstärker ist ein Selektivverstärker mit hohem Wirkungsgrad.
  • Der Plasmaraum wird zum großen Teil durch das Glasgefäß 50 realisiert, das z. B. bei einer Wandstärke von 3 mm 63 mm hoch ist und einen Durchmesser von 46 mm aufweist. Im Gaseinlaßstutzen 51 kann ein dichtes Drahtgeflecht vorgesehen sein, das ein Bremsen des Plasmas in der Gaszuführung verhindert.
  • Statt einer Röhre kann grundsätzlich auch ein anderes Steuerelement, z. B. ein Transistor oder ein Thyristor, verwendet werden.

Claims (10)

  1. Ionenquelle mit einem Glasbehälter (50) und einer diesen Behälter (50) umgebenden HF-Anregungsspule (1) sowie mit einem Verstärkungselement (7), das eine Steuerelektrode aufweist, gekennzeichnet durch die Kombination folgender Merkmale:
    a) die HF-Anregungsspule (1) ist mit einer Elektrode (z. B. 6) des Verstärkungselements (7) verbunden, über welche der gesteuerte Strom fließt;
    b) die Steuerelektrode (11) des Verstärkungselements (7) ist wechselstrommäßig (z. B. über 41) mit der HF-Anregungsspule (1) verbunden;
    c) der Gasbehälter (50) mit der HF-Anregungsspule (1) und das Verstärkungselement (7) befinden sich gemeinsam in einem Gehäuse (19) mit metallischen Wänden.
  2. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen der einen Elektrode (6) des Verstärkungselements (7) und der HF-Anregungsspule (1) klein ist.
  3. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand etwa gleich oder kleiner ist als die Querabmessung der HF-Anregungsspule (1).
  4. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verstärkungselement eine Röhre (7) ist.
  5. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verstärkungselement ein Transistor ist.
  6. Ionenquelle nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Röhre (7) eine Triode ist.
  7. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Frequenz der durch HF-Spule (1) und Plasmaraum (50, 1) bestimmte Anordnung durch die elektrischen Eigenschaften des Plasmas bestimmt wird.
  8. Ionenquelle nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Hochfrequenzröhre (7) als C-Verstärker geschaltet ist, so daß nur die Spitzen der Gitterwechselspannung verstärkt werden.
  9. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die HF-Anregungsspule (1) von einem Kühlmittel durchströmt wird.
  10. Ionenquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß elektrische Leitungen (26, 27, 35) über Durchführungskondensatoren (29 bis 32) in das Gehäuse (19) eingeführt sind.
EP91106642A 1990-06-21 1991-04-25 Ionenquelle Expired - Lifetime EP0462377B1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4019729 1990-06-21
DE4019729A DE4019729A1 (de) 1990-06-21 1990-06-21 Ionenquelle

Publications (3)

Publication Number Publication Date
EP0462377A2 true EP0462377A2 (de) 1991-12-27
EP0462377A3 EP0462377A3 (en) 1992-05-13
EP0462377B1 EP0462377B1 (de) 1996-05-22

Family

ID=6408764

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP91106642A Expired - Lifetime EP0462377B1 (de) 1990-06-21 1991-04-25 Ionenquelle

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5124526A (de)
EP (1) EP0462377B1 (de)
JP (1) JPH06342637A (de)
DE (2) DE4019729A1 (de)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5216330A (en) * 1992-01-14 1993-06-01 Honeywell Inc. Ion beam gun
US5308461A (en) * 1992-01-14 1994-05-03 Honeywell Inc. Method to deposit multilayer films
DE4242894A1 (de) * 1992-12-18 1994-06-23 Leybold Ag Vorrichtung zur Mehrfacheinspeisung von HF-Leistung in Kathodenkörpern
KR100456465B1 (ko) * 2000-03-20 2004-11-10 현대종합금속 주식회사 내균열성이 우수한 페라이트계 스테인레스 스틸 용접용플럭스 충전 와이어
US7459899B2 (en) 2005-11-21 2008-12-02 Thermo Fisher Scientific Inc. Inductively-coupled RF power source
US8994270B2 (en) 2008-05-30 2015-03-31 Colorado State University Research Foundation System and methods for plasma application
US9288886B2 (en) 2008-05-30 2016-03-15 Colorado State University Research Foundation Plasma-based chemical source device and method of use thereof
WO2009146439A1 (en) 2008-05-30 2009-12-03 Colorado State University Research Foundation System, method and apparatus for generating plasma
WO2011123124A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Colorado State University Research Foundation Liquid-gas interface plasma device
US8222822B2 (en) 2009-10-27 2012-07-17 Tyco Healthcare Group Lp Inductively-coupled plasma device
EP2552340A4 (de) 2010-03-31 2015-10-14 Univ Colorado State Res Found Plasmavorrichtung mit flüssig-gas-schnittstelle
US9532826B2 (en) 2013-03-06 2017-01-03 Covidien Lp System and method for sinus surgery
US9555145B2 (en) 2013-03-13 2017-01-31 Covidien Lp System and method for biofilm remediation

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3530335A (en) * 1969-02-03 1970-09-22 Humphreys Corp Induction plasma generator with high velocity sheath
US3814983A (en) * 1972-02-07 1974-06-04 C Weissfloch Apparatus and method for plasma generation and material treatment with electromagnetic radiation
US3958883A (en) * 1974-07-10 1976-05-25 Baird-Atomic, Inc. Radio frequency induced plasma excitation of optical emission spectroscopic samples
EP0261338A2 (de) * 1986-09-24 1988-03-30 Leybold Aktiengesellschaft Induktiv angeregte Ionenquelle

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4381453A (en) * 1980-12-31 1983-04-26 International Business Machines Corporation System and method for deflecting and focusing a broad ion beam
US4629940A (en) * 1984-03-02 1986-12-16 The Perkin-Elmer Corporation Plasma emission source
DE3729347A1 (de) * 1986-09-05 1988-03-17 Mitsubishi Electric Corp Plasmaprozessor
US4795880A (en) * 1986-09-11 1989-01-03 Hayes James A Low pressure chemical vapor deposition furnace plasma clean apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3530335A (en) * 1969-02-03 1970-09-22 Humphreys Corp Induction plasma generator with high velocity sheath
US3814983A (en) * 1972-02-07 1974-06-04 C Weissfloch Apparatus and method for plasma generation and material treatment with electromagnetic radiation
US3958883A (en) * 1974-07-10 1976-05-25 Baird-Atomic, Inc. Radio frequency induced plasma excitation of optical emission spectroscopic samples
EP0261338A2 (de) * 1986-09-24 1988-03-30 Leybold Aktiengesellschaft Induktiv angeregte Ionenquelle

Also Published As

Publication number Publication date
DE4019729A1 (de) 1992-01-02
EP0462377A3 (en) 1992-05-13
US5124526A (en) 1992-06-23
EP0462377B1 (de) 1996-05-22
JPH06342637A (ja) 1994-12-13
DE59107831D1 (de) 1996-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0261338B1 (de) Induktiv angeregte Ionenquelle
DE69207212T2 (de) Hochfrequenz-ionenquelle
EP0593924B1 (de) Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas mittels Kathodenzerstäubung
EP0462377B1 (de) Ionenquelle
EP0349555B1 (de) Hochfrequenz-ionenquelle
DE69116260T2 (de) Elektrostatischer Teilchenbeschleuniger mit linearen axialen und radialen Feldern
DE68926167T2 (de) Hochauflösendes plasmamassenspektrometer
DE7228091U (de) Ionenquelle mit hochfrequenz-hohlraumresonator
DE882769C (de) Verfahren und Einrichtung zur Trennung geladener Teilchen von verschiedenem e/m-Verhaeltnis
EP0546293B1 (de) Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
DE69112166T2 (de) Plasmaquellenvorrichtung für Ionenimplantierung.
EP0544107B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
WO2001063981A1 (de) Hochfrequenz-plasmaquelle
WO2001063982A1 (de) Hochfrequenz-anpanetzwerk
DE892343C (de) Apparatur zur Ableitung elektrostatischer Aufladungen von den Oberflaechen elektrisch schlecht leitender Materialien
DE4337119C2 (de) VHF-Plasmaquelle
DE1541926A1 (de) Mikrowellenroehre mit gekreuzten elektrischen und magnetischen Feldern
DE1179309B (de) Hochfrequenz-Ionenquelle
DE3508466C2 (de) Hochfrequenzplasma-CVD-Vorrichtung
DE4301188C2 (de) Vorrichtung zum Beschichten oder Ätzen von Substraten
DE2016038B2 (de) Ionenquelle
DE10008482A1 (de) Hochfrequenz-Plasmaquelle
DE1228750B (de) Zerstaeubungs-Ionengetterpumpe
DE3703207C2 (de)
DE19641439C2 (de) ECR-Ionen-Quelle

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): CH DE FR GB LI NL SE

PUAL Search report despatched

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009013

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): CH DE FR GB LI NL SE

17P Request for examination filed

Effective date: 19920530

17Q First examination report despatched

Effective date: 19950310

GRAH Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOS IGRA

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): CH DE FR GB LI NL SE

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: NV

Representative=s name: PATENTANWALTSBUERO FELDMANN AG

REF Corresponds to:

Ref document number: 59107831

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19960627

ET Fr: translation filed
GBT Gb: translation of ep patent filed (gb section 77(6)(a)/1977)

Effective date: 19960625

RAP2 Party data changed (patent owner data changed or rights of a patent transferred)

Owner name: BALZERS UND LEYBOLD DEUTSCHLAND HOLDING AKTIENGESE

NLT2 Nl: modifications (of names), taken from the european patent patent bulletin

Owner name: BALZERS UND LEYBOLD DEUTSCHLAND HOLDING AKTIENGESE

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: NO OPPOSITION FILED WITHIN TIME LIMIT

26N No opposition filed
PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 19980312

Year of fee payment: 8

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SE

Payment date: 19980319

Year of fee payment: 8

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 19980320

Year of fee payment: 8

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Payment date: 19980324

Year of fee payment: 8

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 19980325

Year of fee payment: 8

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CH

Payment date: 19980403

Year of fee payment: 8

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 19990425

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: SE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 19990426

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 19990430

Ref country code: CH

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 19990430

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 19991101

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 19990425

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 19991231

NLV4 Nl: lapsed or anulled due to non-payment of the annual fee

Effective date: 19991101

EUG Se: european patent has lapsed

Ref document number: 91106642.1

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: ST

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20000201