DE4445762A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen absoluter Plasmaparameter - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen absoluter PlasmaparameterInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Bestimmen absoluter Plasmaparameter
nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und auf eine Vorrichtung insbesondere zum Messen
des Entladungsstroms an einem Plasmareaktor nach dem Oberbegriff des Anspruchs 7.
Unter einem Plasma wird in der Physik ein ionisiertes Gas verstanden. Bei diesem Prozeß
wird ein Gasmolekül ionisiert, d. h. in ein freies Elektron und ein positives Ion (ionisiertes
Molekül) aufgespalten. Dieser Prozeß wird auch als Elektronenstoßionisation bezeichnet.
Das Anlegen eines hochfrequenten Wechselfeldes führt zur Energieaufnahme durch die
Elektronen für einen unelastischen Stoß. Die Elektronen treffen auf andere Gasmoleküle, die
dann wieder, wie zuvor beschrieben, in freie Elektronen und positive Ionen aufgespalten
werden. Durch diesen Prozeß bildet sich im gesamten Reaktor ein Plasmazustand. Da die
Ladungsträger, nämlich die freien Elektronen und positiven Ionen, zu den Reaktorwänden
hin abfließen, rekombinieren Elektronen und Ionen auf der Wand. Dadurch bildet sich wie
der ein Gasmolekül, so daß sich im Reaktor letztlich ein Gleichgewicht einstellt.
Das hochfrequente Wechselfeld wird mittels einer Parallelplattenanordnung im Plasmareak
tor erzeugt, bei welcher eine getriebene Hochfrequenz(HF)-Elektrode einer Masseelektrode
gegenüberliegt. Die HF-Elektrode wird auch "heiße" Elektrode genannt. Nachfolgend wird
unter dem Begriff "Masseelektrode" die eigentliche, der HF-Elektrode unmittelbar gegen
überliegende, elektrisch die Masse darstellende Elektrode einschließlich der ebenfalls als
Masse wirkenden Teile der Reaktorwand verstanden. In aller Regel sind die Elektroden des
Plasmareaktors horizontal angeordnet, wobei sich die HF-Elektrode nahe und parallel zum
Reaktorboden erstreckt.
Unter einem HF-Niederdruckplasma wird nachfolgend ein Plasma mit einer Anregungsfre
quenz zwischen 10 und 100 MHz und einem Druck von 0,1 bis 100 Pa, vorzugsweise 0,1
bis 20 Pa, verstanden. Das Gas befindet sich also unter einem bestimmten konstanten Druck
(Vakuum) im Reaktor. Es kann auch kontinuierlich in den Reaktor eingeleitet und aus die
sem abgezogen werden.
Die Plasmaprozesse finden somit in einem evakuierten Reaktor statt. HF-Niederdruckplas
men werden im Bereich der Grundlagenforschung und vor allem auf dem Gebiet der Halb
leitertechnik verwendet. Bekannt sind z. B. Verfahren wie das Plasmaätzen (Plasma
Etching, PE), das reaktive Ionenätzen (Reactive Ion Etching, RIE) und das plasmaunter
stützte chemische Abscheiden (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD).
Für HF-Niederdruckplasmen sind im wesentlichen die nachfolgenden Methoden der Plas
madiagnostik bekannt.
Bei den optischen Methoden handelt es sich vor allem um emissionsspektrometrische Verfah
ren, wobei die Emission teilweise auch extern angeregt wird. Dem Vorteil einer kaum wahr
nehmbaren Beeinflussung des Meßobjektes steht bei diesen Verfahren jedoch der Nachteil
gegenüber, daß in aller Regel nur relative Meßergebnisse gewonnen werden können. Mas
senspektrometrische Verfahren gestatten die Bestimmung der relativen Intensität oder auch
die massenselektive Bestimmung der Ionenenergieverteilung. Die Bestimmung absoluter
Werte für Teilchen- oder Stromdichten ist wegen des kleinen Öffnungswinkels und der
nichtkonstanten Transmission im allgemeinen nicht möglich. Mit Hilfe von Langmuir-Son
den ist die Bestimmung lokaler Plasmaparameter, wie z. B. der Elektronen- und Ionen
stromdichte und der Elektronenenergie, möglich. In reaktiven oder schichtbildenden Plas
men können Langmuir-Sonden jedoch nur sehr beschränkt eingesetzt werden. Mit Hilfe der
Mikrowelleninterferometrie können integrale Plasmaparameter, wie z. B. die mittlere Elek
tronendichte, bestimmt werden. Die Frequenz der Mikrowellen liegt über der lokalen Elek
tronenplasmafrequenz, um die Wellenausbreitung im Plasma zu ermöglichen. Dieses Ver
fahren erfordert im allgemeinen eine starre Referenzleitung (in Form eines Hohlleiters) und
ist daher wenig flexibel. Außerdem ist für eine genaue Bestimmung der mittleren Elektro
nendichte die Kenntnis der räumlichen Elektronendichteverteilung notwendig. Diese müßte
zusätzlich beispielsweise mit einer Langmuir-Sonde ermittelt werden. Integrale Plasmapa
rameter können aber auch mit Hilfe von Resonanzsonden bestimmt werden. Diese nutzen
die Resonanzfähigkeit des Plasmas einschließlich seiner Randschichten zu umgebenden
Festkörpern. Die Plasmaresonanzfrequenz liegt in Abhängigkeit von der Dicke der Rand
schichten stets geringfügig unter der Elektronenplasmafrequenz. Resonanzsonden können
bei HF-Entladungen nicht eingesetzt werden, da die Entladung selbst ein breites Spektrum
an Oberwellen erzeugt und somit die Antwort der extremen Anregung über die Resonanz
sonde überdeckt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs erwähnten Art anzu
geben, mit dem absolute Plasmaparameter zuverlässig und reproduzierbar bestimmbar sind.
Der Erfindung liegt auch die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung insbesondere zum Mes
sen des Entladungsstroms an einem Plasmareaktor zu schaffen.
Diese Aufgabe wird verfahrensseitig durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs
1 gelöst.
Die Erfindung basiert auf einem hochfrequenten Meßsystem, das unempfindlich gegen
dünne, aber im allgemeinen optisch dichte Schichten ist, so daß das erfindungsgemäße Ver
fahren relativ unempfindlich gegen Verschmutzungen, Schichtbildung und reaktive Stoffe
ist. Daraus folgt ferner eine hohe Langzeitstabilität des Verfahrens und damit eine hohe Zu
verlässigkeit und Reproduzierbarkeit der mit dem erfindungsgemäßen Verfahren bestimm
ten absoluten Plasmaparameter.
Gemäß einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird aus dem zeitlichen
Verlauf des Entladungsstroms wenigstens eine Resonanzfrequenz der Entladung bestimmt,
auf welcher sich die Entladung durch infolge der Nichtlinearität der Raumladungsschicht vor
der HF-Elektrode erzeugte Oberwellen im Entladungsstrom selbst anregt. Bei dieser Reso
nanzfrequenz handelt es sich nicht um die eigentliche Plasmafrequenz, die die Resonanz im
Plasma selbst ohne Beteiligung der Randschichten beschreibt, sondern um eine um einen
Geometriefaktor darunterliegende geometrische Resonanz. Diese ist bei einer stark unsym
metrischen HF-Entladung besonders ausgeprägt. Günstig ist dabei, daß durch die Selbstan
regung eine erzwungene, d. h. externe, Anregung nicht erforderlich ist.
Vorteilhafterweise wird aus dem zeitlichen Verlauf des Entladungsstroms die Ionendichte
verteilung in der Raumladungsschicht vor der HF-Elektrode bestimmt, wobei der gemes
sene Entladungsstrom einen frequenzunabhängigen Tell des gesamten Entladungsstroms
bildet und wobei der frequenzunabhängige Teil des gesamten Entladungsstroms vorzugs
weise über die Flächenverhältnisse von als Masseelektrode wirkendem Teil des Reaktors zur
HF-Elektrode bestimmt wird. Günstig ist dabei, daß aus der ermittelten Ionendichtevertei
lung bei Kenntnis der zeitlich mittleren Potentialdifferenz zwischen Plasma und HF-Elek
trode die mittlere Ionenenergie der Ionen beim Auftreffen auf die Elektrodenoberfläche
ermittelt werden kann. Die mittlere Ionenenergie ist ein wichtiger Prozeßparameter beim
Bearbeiten eines sich auf der HF-Elektrode befindenden Substrats, wie z. B. einer Halblei
terplatte.
Günstig ist ferner, daß aus dem zeitlichen Verlauf des Entladungsstroms die Dämpfungs
konstante des durch Stöße der Elektronen mit Neutralteilchen des Plasmas gedämpft
schwingenden Systems bestimmt wird. Aus der Dämpfungskonstante läßt sich nämlich eine
effektive Elektronenanstoßrate (auch effektive Elektronenstoßfrequenz genannt) bestimmen,
welche ein Maß für die Stöße der Elektronen mit den Neutralteilchen des Plasmas ist.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird zur Be
stimmung des Absolutwertes der mittleren Schichtdicke der Raumladungsschicht vor der
HF-Elektrode und/oder zur Bestimmung der mittleren Ionenenergie ferner das an der HF-
Elektrode anliegende Potential oder zumindest dessen Gleichanteil bestimmt. Dadurch las
sen sich auf zuverlässige und letztlich kostengünstige Weise wichtige, das Plasma charakte
risierende Parameter ermitteln, die beispielsweise Rückschlüsse auf den Ätzprozeß zulassen.
Die vorgenannte Aufgabe wird auch durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des An
spruchs 7 gelöst.
Erfindungsgemäß ermöglicht die Meßelektrode, den Entladungsstrom an der Reaktorwand
zu messen, wobei die Meßelektrode einen virtuellen Teil der Wand darstellt. Die durch die
Meßelektrode bewirkte Potentialänderung (Spannungsabfall) soll erfindungsgemäß hinrei
chend klein gegenüber dem Potential zwischen Plasma und Masseelektrode sein. Die vorge
nannte Potentialänderung beträgt etwa zwischen 5 und 100 mV, vorzugsweise etwa 10 bis
20 mV, und liegt damit um mehrere Größenordnungen unter dem Plasmapotential.
Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist die Meß
elektrode mittels einer elektrisch isolierenden Vakuumdurchführung am Reaktor befestigt
und weist einen stabförmigen, außerhalb des Reaktors geerdeten elektrischen Leiter auf der
mit einem aus dem gemessenen Strom eine Spannung erzeugenden Stromwandler verbun
den ist. Diese Weiterbildung stellt eine erste Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vor
richtung mit einfachem konstruktivem Aufbau und der möglichen Verwendung handelsübli
cher Vakuumdurchführungen dar. Aufgrund der möglichen großen Elektrodenfläche hat
diese Meßelektrode eine relativ hohe Empfindlichkeit.
Vorteilhafterweise ist ein mittels einer elektrisch isolierenden Vakuumdurchfahrung am Re
aktor befestigter Meßaufnehmer vorgesehen, der einen mit der Meßelektrode verbundenen
Innenleiter, einen diesen mantelförmig umgebenden Isolierkörper, die Isolierung der Meß
elektrode und einen mit der Reaktorwand verbundenen Außenleiter aufweist. Dieser Meß
aufnehmer stellt eine zweite Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung dar.
Günstig ist dabei, daß ein solcher Meßaufnehmer eine hohe Bandbreite hinsichtlich der zu
messenden Frequenz hat. Diese reicht von der Anregungsfrequenz des Plasmas, z. B. von
13,56 MHz, bis über die Plasmaresonanzfrequenz, so daß Messungen des Entladungsstro
mes mit einer Frequenz von mehr als 300 MHz bis etwa 500 MHz möglich sind.
Vorteilhafterweise ist die Vakuumdurchfürung bei der vorerwähnten zweiten Ausfüh
rungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung beidseitig mit einem Koaxialanschluß verse
hen, der mit einem entsprechenden, mit dem Innenleiter, dem Isolierkörper und dem Außen
leiter verbundenen Gegenauschluß verbindbar ist. Damit ist es möglich, den Meßaufnehmer
auch im Reaktor bis an die eigentliche Meßelektrode heran als Koaxialkabel auszubilden,
um die vorgenannte möglichst hohe Bandbreite zu erreichen. Der Meßaufnehmer kann des
halb auf einfache und kostengünstige Weise ein "abgeschnittenes" Koaxialkabel mit einer
unmittelbar daran angefügten Meßelektrode darstellen. Ein Trennen von Meßelektrode und
Vakuumdurchführung ist durch die Koaxialanschlüsse ohne weiteres möglich, so daß die
Einzelteile des Meßaufnehmers, sollte dies gewünscht sein, schnell ausgetauscht werden
können.
Ausführungsbeispiele des Erfindungsgegenstandes werden nachfolgend anhand der Zeich
nung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaubild, in dem der gemessene Teil des Entladungsstrom über der normierten
Zeit aufgetragen ist;
Fig. 2 ein Schaubild, in dem das Fourier-Spektrum des gemessenen Stroms über der normierten
Frequenz aufgetragen ist;
Fig. 3 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zum Bestimmen absoluter Plasma
parameter;
Fig. 4 eine schematische, teilweise geschnittene Ansicht einer Vorrichtung zum Messen
des hochfrequenten Entladungsstroms an einem Reaktor gemäß einer ersten Aus
führungsform;
Fig. 5 eine schematische, teilweise geschnittene Ansicht einer Vorrichtung zum Messen
des hochfrequenten Entladungsstroms an einem Reaktor gemäß einer zweiten Aus
führungsform; und
Fig. 6 eine schematische, teilweise geschnittene Ansicht einer Vorrichtung zum Messen
des hochfrequenten Entladungsstroms an einem Reaktor gemäß einer dritten Aus
führungsform.
Eine Vorrichtung 1 zum Bestimmen absoluter Plasmaparameter unsymmetrischer Hochfre
quenz (HF)-Niederdruckplasmen ist schematisch in Fig. 3 gezeigt.
In einem Reaktor 2, nachfolgend auch Plasmareaktor genannt, befindet sich eine Elektrode
3, die sich horizontal unter Belassung eines Abstandes parallel zur Oberwand 4 des Reak
tors 2 erstreckt und elektrisch mit der Oberwand verbunden ist. Ferner weist der Reaktor 2
Seitenwände 5, 6 auf die einerseits mit der Oberwand 4, andererseits mit einer Bodenwand
7 verbunden sind.
Nahe der Bodenwand 7 und parallel zu dieser erstreckt sich in horizontaler Richtung die
Hochfrequenz (HF)-Elektrode 10, die elektrisch über eine Leitung 11 mit einem Anpaß
netzwerk 12 und über eine weitere Leitung 13 mit einem Generator 14 verbunden ist. Der
Generator 14 erzeugt eine Spannung mit sinusförmigem Verlauf. Die Leitung 11 weist zu
mindest im Bereich ihrer Durchführung durch die Bodenwand 7 eine Isolierung 15 auf so
daß die HF-Elektrode 10 und die Leitung 11 elektrisch nicht mit der Bodenwand 7 verbun
den sind. Wie bereits weiter oben erwähnt, wird die Elektrode 3 einschließlich der Wände 4,
5, 6 und 7 des Reaktors 2 nachfolgend als Masseelektrode bezeichnet. In dem Reaktor 2
befindet sich im Bereich 16 zwischen der HF-Elektrode 10 und der Elektrode 3 das Plasma
17. Es wird darauf hingewiesen, daß in Fig. 3 der Bereich 16 lediglich aus zeichnerischen
Gründen in Form von geraden Linien dargestellt ist.
An der Seitenwand 5 ist ein Meßaufnehmer 20 befestigt, mit dessen Hilfe ein Teil des hoch
frequenten Entladungsstroms, nämlich der Teil des Stroms, der auf die in der Seitenwand 5
sitzende Meßelektrode 21 trifft, gemessen wird. Der Meßaufnehmer 20 ist mit einem Ana
log/Digital (A/D)-Wandler 22, beispielsweise einem digitalen Speicheroszilloskop, verbun
den. Der A/D-Wandler 22 ist an eine Datenverarbeitungsanlage 23, beispielsweise einen
Personal Computer, angeschlossen.
Die von dem Meßaufnehmer 20 gemessenen analogen Signale gelangen über die Leitung 24
zum A/D-Wandler 22, welcher die analogen Signale (Daten) in digitale Signale umwandelt
und über die Leitung 25 zur Datenverarbeitungsanlage 23 weitergibt. Die Steuerung des
A/D-Wandlers 22 erfolgt mittels der Datenverarbeitungsanlage 23 über die Leitung 26.
Über einen Spannungsteiler 27, vorzugsweise einen Tastkopf, ist die das Anpaßnetzwerk 12
mit der HF-Elektrode 10 verbindende Leitung 11 mit Hilfe der Leitung 30 an den AT)-
Wandler 22 angeschlossen.
Nachfolgend wird das erfindungsgemäße Verfahren mit Bezug auf die Fig. 1 bis 3 näher be
schrieben.
Durch das Anlegen eines hochfrequenten Wechselfeldes werden die sich in dem Reaktor 2
befindenden Gasmoleküle ionisiert, d. h. in freie Elektronen und positive Ionen aufgespalten.
Im Plasmazustand bilden sich im Reaktor 2 Stromlinien 31 mit jeweils in bezug auf die
Symmetrieachse 32 radialer und axialer Komponente aus. Der besseren Übersicht halber
sind in Fig. 3 lediglich zwei Stromlinien 31 dargestellt. Die Stromlinien verlaufen von der
HF-Elektrode 10 zur Masseelektrode (Elektrode 3, Oberwand 4, Seitenwände 5, 6, Bo
denwand 7). Sie stehen sowohl auf der HF-Elektrode als auch auf dem betreffenden Teil der
Masseelektrode senkrecht. Der Einfachheit halber sind in Fig. 3 die Stromlinien 31 lediglich
innerhalb des Bereichs 16 dargestellt.
Mit Hilfe der Meßelektrode 21 des Meßaufnehmers 20 wird ein Teil des hochfrequenten
Entladungsstroms, nämlich der auf die Meßelektrode 21 auftreffende Teil des Entladungs
stroms, gemessen. In Fig. 1 ist dieser gemessene Teil des Entladungsstroms Ip über der
normierten Zeit aufgetragen. Für die normierte Zeit gilt die Beziehung:
ϕ = ωo × t
wobei ωo die Anregungsfrequenz [1/s] und t die Zeit [s] bezeichnen. Dieses Schaubild gilt
für einen Druck p von 10 Pa und für eine Anregungsfrequenz von 13,56 MHz.
Ferner ist in Fig. 1 das Elektrodenpotential U, welches an die HF-Elektrode 10 und die
Elektrode 3 angelegt wird, über der normierten Zeit aufgetragen.
Fig. 1 verdeutlicht einen sägezahnlichen Verlauf mit überlagerten Schwingungen des
über der normierten Zeit aufgetragenen gemessenen Entladungsstroms. Ein solcher Verlauf
bedeutet innerhalb der Periodendauer einer Schwingung zunächst einen steilen Anstieg und
einen sich daran anschließenden allmählichen Abfall des gemessenen Stroms. Dieser säge
zahnähnliche Verlauf ergibt sich infolge nichtlinearer Verzerrungen aufgrund der Nichtli
nearität einer Raumladungsschicht 33 vor (in der Darstellung gemäß Fig. 3 über) der HF-
Elektrode 10. Durch die Nichtlinearität der Raumladungsschicht werden im Entladungs
strom Oberwellen erzeugt. Durch die Abhängigkeit der Schichtdicke der Raumladungs
schicht von der Potentialdifferenz zwischen dem Plasma und der HF-Elektrode wirkt die
Raumladungsschicht als nichtlineare Kapazität. Die nichtlineare Wirkung der Raumladungs
schicht wird deutlich durch die Ionendichteverteilung in der Raumladungsschicht vor der
HF-Elektrode 10 beeinflußt.
Das über der normierten Zeit in Fig. 1 aufgetragene Elektrodenpotential U zeigt einen an ei
ne sinusförmige Schwingung angenäherten Verlauf. Der besseren Darstellung halber ist die
ser etwa sinusförmige Verlauf in Fig. 1 punktiert dargestellt.
Durch die träge Masse der Elektronen und die rückstellende Kraft aufgrund der elektrischen
Felder in den Raumladungsschichten zwischen dem Plasma und der Masseelektrode auf der
einen Seite bzw. zwischen dem Plasma und der HF-Elektrode auf der anderen Seite stellt die
Entladung im Plasma und den Raumladungsschichten ein schwingungsfähiges System dar,
dessen Eigenfrequenz unterhalb der Elektronenplasmafrequenz (auch Langmuir-Frequenz
genannt) liegt. Durch die Stöße der Elektronen mit den Gas-Neutralteilchen wird das Sy
stem gedämpft, so daß dieses letztlich eine gedämpfte Schwingung ausführt.
Durch die zuvor beschriebene Nichtlinearität der Raumladungsschicht vor der HF-Elektrode
und die daraus resultierenden Oberwellen im Entladungsstrom regt sich das Plasma selbst zu
Schwingungen an, die in der Nähe der Resonanzfrequenz besonders stark ausgeprägt sind.
Dadurch ergibt sich im in Fig. 2 dargestellten Fourier-Spektrum des gemessenen Entla
dungsstroms ein Maxinium etwa im Bereich der 10. bis 11. Oberwelle. Da in Fig. 2 das
Fourier-Spektrum über der normierten Frequenz ω/ωo aufgetragen ist, folgt daraus, daß die
Resonanzfrequenz ωr etwa zehnmal so groß wie die Anregungsfrequenz ωo ist. Es wird
darauf hingewiesen, daß die vorerwähnte Resonanzfrequenz nicht mit der Elektronenplas
mafrequenz ωpe gleichzusetzen ist.
Aus Fig. 1 ist ersichtlich, daß innerhalb der Periodendauer einer Schwingung etwa 10 über
lagerte Schwingungen ausgeführt werden. Dies deckt sich in etwa mit der Darstellung in
Fig. 2, gemäß der die Resonanzfrequenz etwa im Bereich der 10. bis 11. Oberwelle auftritt.
Die zuvor beschriebene Eigenanregung des Systems ist bei einer stark unsymmetrischen
Hochfrequenzentladung besonders ausgeprägt. Bei einer solchen Entladung dominiert die
Raumladungsschicht 33 vor der HF-Elektrode 10. Demgegenüber kann die Raumladungs
schicht vor der Masseelektrode vernachlässigt werden. Da sich die Eigenanregung wenig
stens bis zur 10. Oberwelle erstreckt, ist eine externe Anregung des Systems nicht erforder
lich.
Erfindungsgemäß wird der hochfrequente Entladungsstrom in Form analoger Signale an ei
nem als Masseelektrode wirkenden Teil des Reaktors 2 mit Hilfe der Meßelektrode 21 des
Meßaufnehmers 20 gemessen und über die Leitung 24 zum A/D-Wandler 22 geleitet. Dort
werden die gemessenen analogen Signale in digitale Signale umgewandelt. Letztere werden
über die Leitung 25 zur Datenverarbeitungsanlage 23 geleitet. Mittels eines mathematischen
Algorithmus werden die Plasmaparameter aus den von dem A/D-Wandler abgegebenen Si
gnalen berechnet.
Der mathematische Algorithmus beruht auf einer geeigneten Darstellung für den Span
nungsabfall über der Raumladungsschicht vor der HF-Elektrode nach dem Verschiebungs
fluß an der Oberfläche der Elektrode in der das System beschreibenden Differentialglei
chung. Letztere erfaßt auch die träge Masse der Elektronen, ihre Stöße mit den Neutralteil
chen des Gases und den Ionenstrom zur Wand (Masseelektrode) bzw. zur HF-Elektrode.
Durch eine anschließende Fourier-Transformation kann der die zu bestimmenden Parameter
enthaltende Parametersatz durch algebraische Umformungen gewonnen werden.
Aus dem zeitlichen Verlauf des gemessenen Entladungsstroms läßt sich die bereits oben er
wähnte wenigstens eine Resonanzfrequenz bestimmen, auf welcher sich die Entladung durch
infolge der Nichtlinearität der Raumladungsschicht vor der HF-Elektrode erzeugte Oberwel
len im Entladungsstrom selbst anregt. Wegen der Zweidimensionalität des Stromflusses
(jede Stromlinie 31 in Fig. 3 hat eine axiale und eine radiale Komponente) und der Nichtli
nearität der Raumladungsschicht können auch mehrere Resonanzfrequenzen auftreten. Bei
höheren Drücken ergibt sich lediglich eine Resonanzfrequenz. Ferner läßt sich aus dem zeit
lichen Verlauf des Entladungsstroms die Ionendichteverteilung in der Raumladungsschicht
vor der HF-Elektrode bestimmen, wobei der gemessene Entladungsstrom einen frequenzun
abhängigen Teil des gesamten Entladungsstrom bildet. Dieser frequenzunabhängige Teil des
gesamten Entladungsstroms wird über die Flächenverhältnisse von als Masseelektrode wir
kendem Teil des Reaktors zur HF-Elektrode bestimmt. Außerdem läßt sich aus dem zeitli
chen Verlauf des Entladungsstroms die Dämpfungskonstante des gedämpft schwingenden
Systems bestimmen. Sofern zusätzlich das an der HF-Elektrode anliegende Potential oder
zumindest dessen Gleichanteil beispielsweise an einer Stelle 34 außerhalb des Reaktors 2 in
Fig. 3 gemessen wird, können ferner der Absolutwert der mittleren Schichtdicke der Raum
ladungsschicht vor der HF-Elektrode und die mittlere Ionenenergie bestimmt werden.
Mit Hilfe des zuvor beschriebenen Verfahrens können somit wichtige Plasmaparameter in
absoluten Größen bestimmt werden, die die Betriebsbedingungen im Reaktor eindeutig
charakterisieren. Mit Hilfe dieser Parameter lassen sich deshalb Rückschlüsse auf den Plas
mazustand und den konkreten Anwendungsfall, beispielsweise einen Ätzprozeß von Halblei
terscheiben, ziehen. Es ist somit möglich, unsymmetrische Hochfrequenz-Niederdruckplas
men reproduzierbar, d. h. zuverlässig, und schnell zu charakterisieren. Mit Hilfe des erfin
dungsgemäßen Verfahrens kann deshalb auch eine "In-situ"-Kontrolle der Plasmaparameter
erfolgen. Durch die ausschließliche Messung eines hochfrequenten Stromes verursachen
Verschmutzungen oder Schichtabscheidungen auf der Meßelektrode unterhalb von etwa 0,1
mm keinen nennenswerten Fehler. Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch an Plasmen
mit kombinierter Anregung, d. h. einer HF-Anregung und einer Anregung mittels Mikro
welle, angewendet werden, da die Anregungsfrequenz der Mikrowellen mit etwa 2,45 GHz
im allgemeinen wesentlich über der zuvor genannten HF-Anregung liegt.
Nachfolgend wird eine erfindungsgemäße Vorrichtung anhand mehrerer Ausführungsbei
spiele beschrieben, welche insbesondere zum Messen des hochfrequenten Entladungsstroms
an einem als Masseelektrode wirkenden Teil des Plasmareaktors geeignet ist.
Eine Vorrichtung 35 zum Messen des hochfrequenten Entladungsstroms an dem Plasmare
aktor 2 ist beispielhaft in den Fig. 4 bis 6 gezeigt, wobei das Ausführungsbeispiel gemäß Fig.
6 auch in Fig. 3 schematisch angedeutet und enthalten ist.
Erfindungsgemäß weist die Meßelektrode 21 auf ihrer Umfangsfläche 36 eine elektrische
Isolierung 37 auf welche vorzugsweise ringförmig ausgebildet ist. Die Meßelektrode 21 ist
derart in einer Ausnehmung 40 der als Teil der Masseelektrode 3 bis 7 wirkenden Reaktor
wand 5 angeordnet, daß sich die Isolierung 37 wenigstens zwischen Meßelektrode 21 und
der Wand 5 des Reaktors 2 befindet und die Stirnfläche 41 der Meßelektrode 21 mit der
zum Reaktorinnenraum 42 gerichteten Innenwand 43 des Reaktors 2 fluchtet. Dadurch bil
den die Meßelektrode 21 und die Isolierung 37 einen Teil der Reaktorwand. Erfindungsge
mäß ist ferner die Stirnfläche 41 der Meßelektrode 21 so bemessen, daß die durch die
Meßelektrode 21 bewirkte Potentialänderung im Reaktor 2 vernachlässigbar klein gegen
über dem Potential zwischen Plasma 17 und Masseelektrode 3 bis 7 ist.
Gemäß einem ersten, in Fig. 4 gezeigten Ausführungsbeispiel der Vorrichtung 35 ist die
Meßelektrode 21 mittels einer elektrisch isolierenden und in Fig. 4 lediglich gestrichelt an
gedeuteten Vakuumdurchführung 44 an der Wand 5 des Reaktors 2 befestigt. Die Meßelek
trode 21 weist einen stabförmigen, außerhalb des Reaktors 2 geerdeten elektrischen Leiter
45 auf der mit einem aus dem gemessenen Strom I eine Spannung U erzeugenden Strom
wandler 46 verbunden ist. Letzterer ist über eine Leitung 47 wieder mit Masse, d. h. mit der
Wand 5 des Reaktors, verbunden. Diese Spannung U wird, wie zuvor beschrieben, als Ein
gangsgröße zum A/D-Wandler 22 geleitet und gelangt von dort als digitales Signal zur
weiteren Verarbeitung in die Datenverarbeitungsanlage 23.
Der Vorteil dieser Ausführungsform ist der einfache konstruktive Aufbau und die Verwen
dung handelsüblicher Vakuumdurchführungen. Die Vorrichtung dieser ersten Ausführungs
form weist eine relativ hohe Empfindlichkeit wegen der hier möglichen großen Elektroden
fläche auf. Die Bandbreite dieser Vorrichtung ist durch die obere Grenzfrequenz des
Stromwandlers und parasitäre Induktivitäten der Zuleitungen sowie durch Streukapazitäten
auf etwa 150 MHz begrenzt.
Gemäß einer anderen, nicht näher gezeigten Ausführungsform ist es auch möglich, in Fig. 4
den Stromwandler 46 durch einen Abschlußwiderstand 50, wie er beispielsweise in Fig. 5
gezeigt ist, von vorzugsweise 50 Ohm zu ersetzen.
Es wird daraufhingewiesen, daß im Innenraum der Vakuumdurchführung 44 ebenso wie im
Reaktorinnenraum 42 ein Vakuum anliegt. Dieses ist gasdicht gegenüber der umgebenden
Atmosphäre abgedichtet.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung 35 ist schematisch
teilweise im Schnitt in Fig. 5 dargestellt, wobei nachfolgend für gleiche oder ähnliche Ele
mente dieselben Bezugszeichen wie im ersten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 4 verwendet
werden.
Auch bei diesem Ausführungsbeispiel ist ein mittels der Vakuumdurchführung 44 an der
Wand 5 des Reaktors 2 befestigter Meßaufnehmer 20 vorgesehen, der einen mit der Meß
elektrode 21 verbundenen Innenleiter 51, einen diesen mantelförmig umgebenden Isolier
körper 52, die Isolierung 37 der Meßelektrode 21 und einen mit der Wand 5 des Reaktors 2
verbundenen Außenleiter 53 aufweist. Dieser Meßaufnehmer 20 ist damit vergleichbar wie
ein Koaxialkabel mit einem konstanten Wellenwiderstand von vorzugsweise 50 Ohm aufge
baut, wobei der Innenleiter 51 den von der Meßelektrode 21 gemessenen Strom I zum reel
len Abschlußwiderstand 50 weiterleitet. Dieser ist über die Leitung 47 mit dem Außenleiter
53 und der Wand 5 des Reaktors, also mit Masse, elektrisch verbunden. Der Strom im In
nen- und Außenleiter ist vom Betrag her gleich groß. Bei einem derartigen Meßaufnehmer
treten deshalb keine externen Magnetfelder auf.
Der Meßaufnehmer 20 ist gemäß Fig. 5 auf nicht näher gezeigte Weise mit einem Koaxial
kabel 54 verbunden. Diese Verbindung kann beispielsweise über sogenannte BNC-An
schlüsse, also über eine Buchsen-Stecker-Anordnung, erfolgen. Es ist auch möglich, daß
sich die Vakuumdurchführung 44 lediglich bis in Höhe des äußeren Endes des Meßaufneh
mers 20 erstreckt und diesem gegenüber abgedichtet ist. Die Isolierung 37 besteht ebenso
wie der Isolierkörper 52 vorzugsweise aus Teflon (PTFE).
Der in den Fig. 5 und 6 gezeigte Meßaufnehmer 20 ist gemäß Fig. 3 an den Ana
log/Digital-Wandler 22 mit einem Abschlußwiderstand 50 von vorzugsweise 50 Ohm
über das den Innenleiter 51, den Isolierkörper 52 und den Außenleiter 53 aufweisende
Koaxialkabel 54 angeschlossen, dessen Wellenwiderstand demjenigen des Meßaufneh
mers 20 und dem Abschlußwiderstand 50 entspricht.
Da die erfindungsgemäße Vorrichtung 35 gemäß Fig. 5 bis an die eigentliche Meßelektrode
21 heran als Koaxialkabel ausgebildet ist, kann mit diesem Meßaufnehmer eine hohe Band
breite bezüglich der Frequenz des zu messenden Entladungsstroms realisiert werden. Damit
ist von der Meßelektrode bis beispielsweise zum Eingang des A/D-Wandlers 22 eine reflexionsfreie
Übertragung des Meßsignals mit hoher Bandbreite möglich. Bei einem Abschlußwiderstand
50 von beispielsweise 50 Ohm, welcher dem Wellenwiderstand des Kabels ent
spricht, ist der Eingangswiderstand des Meßaufnehmers 20 klein gegen die Kapazität der
Meßelektrode 21, so daß die durch die Meßelektrode bewirkte Potentialänderung im Reak
tor vernachlässigbar klein gegenüber dem Potential zwischen Plasma und Masseelektrode
ist. Für technische Plasmen und die dabei verwendeten Anregungsfrequenzen unterhalb von
50 MHz beträgt der Durchmesser der Meßelektrode 21 etwa 5 mm.
Eine weitere, bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung 35 ist
schematisch teilweise im Schnitt in Fig. 6 dargestellt.
Die hier gezeigte Vakuumdurchführung 44 ist mit einem Abschluß 55 versehen, der mittels
nicht näher gezeigter Klemmen 56 über eine Ringdichtung 57 mit einem flanschartigen An
satz 60 am freien Ende der Vakuumdurchführung 44 fest verbunden ist. Der Abschluß 55
weist beidseitig einen Koaxialanschluß 61 aufs wobei der eine Anschluß vorzugsweise als
Stecker und der andere Anschluß vorzugsweise als Buchse ausgebildet ist. Der zur Reak
torwand 5 weisende Koaxialanschluß 61 ist mit einem entsprechenden in Fig. 6 nicht näher
gezeigten Gegenanschluß 62 verbunden. Die Elemente dieser Verbindung (Innenleiter 51,
Isolierkörper 52, Außenleiter 53) entsprechen denjenigen des Ausführungsbeispiels gemäß
Fig. 5. Daraus folgt, daß der Innenleiter 51 unmittelbar mit der eigentlichen Meßelektrode
21 und der Außenleiter 53 über ein Wandelement 63 mit der Wand 5 des Reaktors 2 elek
trisch verbunden sind. Zwischen dem Innenleiter 51 und der Meßelektrode 21 einerseits und
dem Außenieiter 53 mit dem Wandelement 63 andererseits erstrecken sich der Isolierkörper
52 und die Isolierung 37. Diese sind ebenso wie der Abschluß 55 vorzugsweise aus Teflon
gefertigt. Gemäß Fig. 6 ist der zylindrische Teil der Vakuumdurchführung 44 mit der Sei
tenwand 5 des Reaktors verschweißt.
Bei dem letztgenannten Ausführungsbeispiel fließt der Entladungsstrom von der Meßelek
trode 21 über den Innenieiter 51 und die in Fig. 3 gezeigte Leitung 24 zum A/D-Wandler 22
und von dort über die Leitung 24, welche ebenfalls als Koaxialkabel ausgebildet ist, über
den Außenleiter 53 und das Wandelement 63 zurück zu der als Teil der Masseelektrode
wirkenden Seitenwand 5 des Reaktors 2. Es ist klar, daß die Ringdichtung 57 als Vakuum
dichtung ausgebildet ist und daß ein einwandfreier elektrischer Kontakt zwischen der Man
telfläche des Wandelements 63 und der Seitenwand 5 des Reaktors besteht.
Die Vorrichtung gemäß dem letztgenannten Ausführungsbeispiel ist in der Lage, die Anre
gung im Entladungsstrom mit hoher Bandbreite bis etwa 500 MHz zu messen. Diese Mes
sung erfolgt relativ unabhängig von der Entfernung zwischen dem Meßaufnehmer 20 und
dem A/D-Wandler 22.
Claims (11)
1. Verfahren zum Bestimmen absoluter Plasmaparameter unsymmetrischer Hochfre
quenz(HF)-Niederdruckplasmen,
gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
gekennzeichnet durch die folgenden Schritte:
- a) Messen des in einem Plasmareaktor erzeugten hochfrequenten Entladungs stroms in Form analoger Signale an einem als Masseelektrode wirkenden Teil des Reaktors;
- b) Umwandeln der unter a) gemessenen analogen Signale in digitale Signale; und
- c) Berechnen der Plasmaparameter aus den unter b) erhaltenen digitalen Signalen mittels eines mathematischen Algorithmus.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß aus dem zeitlichen Ver
lauf des Entladungsstroms wenigstens eine Resonanzfrequenz der Entladung bestimmt
wird, auf welcher sich die Entladung durch infolge der Nichtlinearität der Raumla
dungsschicht vor der HF-Elektrode erzeugte Oberwellen im Entladungsstrom selbst
anregt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß aus dem zeitli
chen Verlauf des Entladungsstroms die Ionendichteverteilung in der Raumladungs
schicht vor der HF-Elektrode bestimmt wird, wobei der gemessene Entladungsstrom
durch eine näherungsweise frequenzunabhängige Teilung des gesamten Entladungs
stroms entsteht.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die frequenzunabhängige
Teilung des gesamten Entladungsstroms über die Geometrieverhältnisse von als Mas
seelektrode wirkendem Teil des Reaktors zur HF-Elektrode bestimmt wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß aus dem zeitlichen Verlauf des Entladungsstroms die Dämpfungskonstante des
durch Stöße der Elektronen mit Neutralteilchen des Plasmas gedämpft schwingenden
Systems bestimmt wird.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Bestimmung des Absolutwertes der mittleren Schichtdicke der Raumladungs
schicht vor der HF-Elektrode und/oder zur Bestimmung der mittleren Ionenenergie
ferner das an der HF-Elektrode anliegende Potential oder zumindest dessen Gleichan
teil gemessen wird.
7. Vorrichtung insbesondere zum Messen des hochfrequenten Entladungsstroms an ei
nem als Masseelektrode wirkenden Teil eines Plasmareaktors,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine Meßelektrode (21) auf ihrer Umfangsfläche (36) eine elektrische Isolierung (37) aufweist und derart in einer Ausnehmung (40) der zumindest als Teil der Mas seelektrode (3 bis 7) wirkenden Reaktorwand (5) angeordnet ist, daß sich die Isolie rung (37) wenigstens zwischen Meßelektrode (21) und Reaktorwand (5) befindet und die Stirnfläche (41) der Meßelektrode (21) mit der zum Reaktorinnenraum (42) ge richteten Innenwand (43) des Reaktors (2) etwa fluchtet, und
daß die Stirnfläche (41) der Meßelektrode (21) so bemessen ist, daß die durch die Meßelektrode (21) bewirkte Potentialänderung im Reaktor (2) vernachlässigbar klein gegenüber dem Potential zwischen Plasma (17) und Masseelektrode (3 bis 7) ist.
dadurch gekennzeichnet,
daß eine Meßelektrode (21) auf ihrer Umfangsfläche (36) eine elektrische Isolierung (37) aufweist und derart in einer Ausnehmung (40) der zumindest als Teil der Mas seelektrode (3 bis 7) wirkenden Reaktorwand (5) angeordnet ist, daß sich die Isolie rung (37) wenigstens zwischen Meßelektrode (21) und Reaktorwand (5) befindet und die Stirnfläche (41) der Meßelektrode (21) mit der zum Reaktorinnenraum (42) ge richteten Innenwand (43) des Reaktors (2) etwa fluchtet, und
daß die Stirnfläche (41) der Meßelektrode (21) so bemessen ist, daß die durch die Meßelektrode (21) bewirkte Potentialänderung im Reaktor (2) vernachlässigbar klein gegenüber dem Potential zwischen Plasma (17) und Masseelektrode (3 bis 7) ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Meßelektrode (21)
mittels einer elektrisch isolierenden Vakuumdurchrührung (44) am Reaktor (2) befe
stigt ist und einen stabförmigen, außerhalb des Reaktors (2) geerdeten elektrischen
Leiter (45) aufweist, der mit einem aus dem gemessenen Strom (1) eine Spannung (U)
erzeugenden Stromwandler (46) verbunden ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein mittels einer elek
trisch isolierenden Vakuumdurchführung (44) am Reaktor (2) befestigter Meßaufnehmer
(20) vorgesehen ist, der einen mit der Meßelektrode (21) verbundenen Innen
leiter (51), einen diesen mantelförmig umgebenden Isolierkörper (52), die Isolierung
(37) der Meßelektrode (21) und einen mit der Reaktorwand (5) verbundenen Außen
leiter (53) aufweist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Meßaufnehmer
(20) an einen Analog/Digital-Wandler (22) mit einem Abschlußwiderstand (50) von
vorzugsweise 50 Ohm über ein den Innenleiter (51), den Isolierkörper (52) und den
Außenleiter (53) aufweisendes Koaxialkabel (54) angeschlossen ist, dessen Wellenwi
derstand demjenigen des Meßaufnehmers (20) und dem Abschlußwiderstand (50) ent
spricht.
11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Vakuum
durchführung (44) beidseitig mit einem Koaxialanschluß (61) versehen ist, der mit ei
nem entsprechenden, mit dem Innenleiter (51), dem Isolierkörper (52) und dem Au
ßenleiter (53) verbundenen Gegenanschluß (62) verbindbar ist.
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Publication number | Publication date |
---|---|
ES2109045T3 (es) | 1998-01-01 |
US5705931A (en) | 1998-01-06 |
JP2872954B2 (ja) | 1999-03-24 |
JPH08222396A (ja) | 1996-08-30 |
DE69500694D1 (de) | 1997-10-16 |
DE69500694T2 (de) | 1998-03-26 |
ATE158134T1 (de) | 1997-09-15 |
US5861752A (en) | 1999-01-19 |
EP0719077A1 (de) | 1996-06-26 |
EP0719077B1 (de) | 1997-09-10 |
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