KR20070098860A - 로드로 전달된 알에프 파워를 검출하는 방법 및 로드의복소 임피던스 - Google Patents

로드로 전달된 알에프 파워를 검출하는 방법 및 로드의복소 임피던스 Download PDF

Info

Publication number
KR20070098860A
KR20070098860A KR1020077015865A KR20077015865A KR20070098860A KR 20070098860 A KR20070098860 A KR 20070098860A KR 1020077015865 A KR1020077015865 A KR 1020077015865A KR 20077015865 A KR20077015865 A KR 20077015865A KR 20070098860 A KR20070098860 A KR 20070098860A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
load
fundamental frequency
signal
rod
harmonics
Prior art date
Application number
KR1020077015865A
Other languages
English (en)
Inventor
아메드 부타 임란
Original Assignee
이노베이션 엔지니어링, 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이노베이션 엔지니어링, 엘엘씨 filed Critical 이노베이션 엔지니어링, 엘엘씨
Publication of KR20070098860A publication Critical patent/KR20070098860A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/16—Measuring impedance of element or network through which a current is passing from another source, e.g. cable, power line
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R23/00—Arrangements for measuring frequencies; Arrangements for analysing frequency spectra
    • G01R23/02—Arrangements for measuring frequency, e.g. pulse repetition rate; Arrangements for measuring period of current or voltage
    • G01R23/15—Indicating that frequency of pulses is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values, by making use of non-linear or digital elements (indicating that pulse width is above or below a certain limit)
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R23/00—Arrangements for measuring frequencies; Arrangements for analysing frequency spectra
    • G01R23/16—Spectrum analysis; Fourier analysis
    • G01R23/20—Measurement of non-linear distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Transmitters (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 검출하는 방법 및 시스템이 개시되어 있다. 제 1 신호의 하나 또는 하나 이상의 특성들은 무선 주파수 (RF) 파워 발생기 의 출력에서 검출될 수도 있다. 제 1 신호는 기본 주파수를 가지고 있을 수도 있다. 제 1 신호의 하나 또는 하나 이상의 특성들은 디지털 샘플된 신호를 생성하기 위하여 샘플링 주파수에서 샘플될 수도 있다. 샘플링 주파수는 제 1 신호의 기본 주파수의 함수에 기초하여 결정될 수도 있다. RF 파워 발생기와 통신으로 연결된 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들은 디지털 샘플된 신호로부터 결정될 수도 있다.
파워, 임피던스

Description

로드로 전달된 알에프 파워를 검출하는 방법 및 로드의 복소 임피던스{Method of Detecting RF Power Delivered to a Load and Complex Impedance of the Load}
본 발명의 공개된 실시예들은 일반적으로 파워 및 임피던스 측정의 분야에 관한 것이다.
본 특허출원은 미국 임시 특허출원 번호 60/643,014호, 발명의 명칭: 고속 푸리에 변환 (FFT) 로드로 전달된 알에프 파워를 검출하는 방법 및 로드의 복소 임피던스, 2005 년 1월 11일 출원, 을 전체적으로 참조자료로서 우선권을 주장한다.
전형적인 RF 플라즈마 발생기 배열에서, 고 전력 RF 원천 (RF 전력발생기) 는 플라즈마 체임버로의 파워 통로를 따라 공급되는 공지된 주파수에서의 RF 신호를 발생한다.
전형적으로, RF 전력 발생기와 플라즈마 체임버 사이의 심한 임피던스 부정합은 존재한다. 따라서, 임피던스 매칭 네트워크는 종래에 RF 전력 발생기와 플라즈마 체임버 사이에 삽입되었다.
플라즈마 챔버의 비선형성, 라인 및/또는 임피던스 매칭 네트워크에서의 손 실로 인하여, 완전한 RF 신호가 플라즈마 챔버로 도달하지 못하게 된다.
이와 같은바, RF 신호의 전압과 전류를 검출하기 위하여 플라즈마 체임버의 파워 입력부에 탐침 (probe) 을 설치하여 사용하고 있다. 전류와 전압을 정확하게 측정할 수 있게 되어, 사용자는 양질의 플라즈마의 더 좋은 지표를 얻을 수 있게 되고, 플라즈마 체임버 내에서 실리콘 웨이퍼 또는 그밖의 디바이스에 대한 에칭(Etching) 특성을 더 좋게 제어할 수 있다.
종래에 RF 파의 전압과 전류를 검출하기 위한 여러 가지 방법들이 제시되어 왔다. 예를 들면, U.S 특허 RE 38,273 (U.S Reissued Patent Number 38,283 to Gerrish et al.) 에서는 플라즈마 RF 전압과 전류를 검출하기 위하여 플라즈마 체임버의 입력부에 샘플링 탐침 (Sampling probe) 의 사용이 기술되었다. RF 신호의 전류와 전압은 헤테로다인 (Heterodyn) 신호를 발생시키는, 또 하나의 다른 신호와 혼합되어 있다. 상기의 신호는 주신호의 주파수와 0.2KHz 에서 20KHz 정도 차이가 있다. 헤테로다인 신호는 전압과 전류의 크기 그리고 상대적 위상각 정보를 계산하기 위하여, FFT(Fast Fourier Transform ) 알고리즘을 이용하여 처리된다.
U.S 특허 5,565,737 (to Keane) 에서는 플라즈마 RF 전압과 전류를 검출하기 위하여 플라즈마 체임버의 입력부에 에일리어싱 (Aliasing) 샘플러 탐침을 사용하는 것을 제시하고 있다. 샘플러 탐침은 RF 기본 주파수 보다 더 느린 샘플링 주파수를 갖는 샘플링 신호를 이용한다. 샘플링 신호는 기본 주파수에 대하여 독립적인 에일리어싱 주파수와 기본 주파수의 합계를 양의 정수로 나눔으로써 측정된다.
상술한 바와 같은 방법 및 시스템은 다음과 같은 문제점이 있다. 즉, 플라즈마 챔버와 RF 파워 발생기 (또는 다른 구성 요소) 간의 임피던스 부정합으로 인하여, RF 파워 발생기로부터 발생된 신호가 심각하게 저하될 수 있다는 것이다.
또한, 플라즈마 체임버의 입력부와 RF 파워 발생기의 출력부 사이에 임피던스 정합 회로망을 삽입하여 사용할 경우 또 다른 문제점이 발생된다.
이러한 경우에는, RF 파워 발생기의 출력단과 플라즈마 체임부의 입력단 사이에 연결된 구성요소들 및 회로의 손실 및/또는 임피던스 정합 회로망 내에서 어느 하나의 조절로 인하여, 플라즈마 체임버로 전달되는 RF 파워가 변할 수 있다는 것이다.
상술한 바와 같이, RF 파워 발생기의 출력이 임피던스 정합 회로망의 제어 루프 (Control loop) 와 RF 파워 발생기의 제어 루프 간의 상호 영향으로 인하여, 불안정해 질 수 있다. 또한, RF 기본 주파수로부터 독립되어 있는 에일리어싱 주파수를 사용하는 것은 균일하지 못한 샘플 신호를 발생시키는 결과를 낳을 수 있다.
U.S 특허 6,046,594 (to Mavretic) 에서는 로드 임피던스, 소모 전력 등과 같은 로드 (Load) 에 대한 정보를 결정하기 위하여, 한 세트의 고조파 주파수 (Harmonic frequencies) 에 있어서 로드와 전력원 사이의 전기적 특성 (전류, 전압 및 위상 등) 을 측정하는 방법과 장치를 제시하고 있다. 상기의 경우는, 첫 번째 회로가 전력원과 로드 간의 신호의 전기적 특성을 검출한다; 두 번째 회로는 상기 신호와 관련되어 있는 고조파 주파수에서의 한 세트의 전기적 특성을 나타내는 데 이터를 제공한다. 그리고 세 번째 회로가 상기 데이터를 수신하고 고조파 주파수에서의 로드에 대한 정보를 결정한다. 그러나 상기와 같은 방식에 의하면, 특정 고조파 주파수에서의 필터링 (Filtering) 이 요구되다. 특정 고조파 주파수에 대한 정보는 제공할 수도 있는 반면, 기본 주파수 또는 다른 고조파 주파수들에 대한 정보는 얻을 수 없는 문제점이 있다.
따라서, 신호가 RF 전력 발생기의 RF 출력부에 단단히 연결되는 위치에서, 그리고 플라즈마 체임버의 입력부와 RF 파워 발생기 사이의 RF 경로에서의 손실에 의한 영향을 적게 받는, 검출된 신호를 샘플링하기 위한 방법과 시스템이 필요하다.
또한, 검출된 신호의 기본 주파수에 종속하는 샘플링 주파수에서, 상기 검출된 신호를 샘플링하기 위한 방법 및 시스템이 필요하다.
또한, 샘플링 프로세서로부터, 하나 이상의 고조파 주파수 및 기본 주파수와 관계되는 정보를 얻을 수 있는 검출된 신호를 샘플링하기 위한 방법 및 시스템이 필요하다.
본 발명은 상기와 같은 여러 가지 문제점을 해결하기 위하여 안출되었다.
본 발명에 따른 방법, 시스템 및 재료를 기술하기에 앞서, 본 발명에 따른 특정 방법론, 시스템 및 물질은 당업자에 의하여 다양하게 변형될 수 있는 만큼 본 발명의 사상 및 범위는 상기의 특정 방법론, 시스템 및 물질에 한정되어져서는 안된다. 또한, 본 발명의 상세한 설명을 위하여 사용되는 용어는 본 발명의 범위를 한정하기 위한 것이 아니라, 단지 본 발명의 번역과 구체화를 위한 목적일 뿐임이 이해되어져야 한다.
또한, 본 발명의 명세서에서 단수를 나타내기 위하여 사용되는 단어는 문맥상 명확히 한정하는 경우가 아니라면 복수의 의미 역시 포함됨을 일러둔다.
예를 들면, "로드 (load)" 에 대한 언급은 적어도 하나 이상의 "로드 (load)" 를 의미하고 본 발명이 속하는 기술분야에서 일반적으로 알려진 동의·유사어 역시 이에 포함된다. 또한, 본 발명의 명세서에서 사용되는 전문 기술 용어에 있어서, 특별히 정의하고 있는 경우가 아니라면, 상기 용어가 본 발명에 속하는 기술분야에서 일반적으로 사용되는 의미와 동일한 의미로 사용되어진다.
비록 여기서 기술된 것과 유사하거나 동일한 방법, 재료, 및 장치가 실용적으로 또는 구현을 시험을 위하여 사용될 수 있을지라도, 우선권 있는 방법, 재료 및 장치가 기술되고 있다. 여기서 언급된 모든 공개 기술은 모든 참조 문헌에 의하여 구체화되어 있다.
실시예에서, 로드의 특성들을 검출하는 방법은, 무선주파수 (RF) 전력 발생기의 출력에서 기본 주파수를 가지는 신호의 하나 또는 그이상의 특성들을 검출하는 단계; 디지털의 샘플된 신호를 생성하기 위하여 샘플링 주파수에서 제 1 신호의 하나이상의 특징을 샘플링하는 단계; 및 상기 디지털 샘플된 신호로부터 로드의 하나이상의 특징들을 결정하는 단계를 포함한다. 상기 샘플링 주파수는 검출된 신호의 기본 주파수의 함수 (function) 에 기초하여 결정될 수도 있다. 상기 로드는 RF 전력발생기와 통신상태일 수도 있다.
실시예에서, 로드의 하나 또는 그 이상의 특성들을 결정하기 위한 시스템은 무선 주파수 (RF) 파워 발생기; 상기 RF 파워 발생기와 통신하는 로드; 상기 RF 파워 발생기의 출력과 연결된 검출 디바이스; 상기 검출 디바이스와 통신하는 아날로그-투-디지털 (A-D) 컨버터; 및 상기 A-D 컨버터와 통신하는 디지털 신호 프로세서 (DSP) 를 포함할 수도 있다. 상기 검출 디바이스는 신호의 하나 또는 그 이상의 특성을 검출할 수도 있다. 상기 A-D 컨버터는 상기 신호의 하나 또는 그 이상의 특성들을 디지털 형식으로 변환할 수도 있다. 상기 DSP 는 상기 신호의 하나 또는 그 이상의 특성들의 디지털 형식으로부터 상기 로드의 하나 또는 그 이상의 특성들을 결정할 수도 있다.
도 1 은 본 발명의 실시예에 따른 전압 및/또는 전류 검출장치를 사용하는 예시적인 검출된 신호를 도시한다.
도 2 는 본 발명의 실시예에 따른 도 1 의 검출된 신호로부터 샘플된 예시적인 신호를 도시한다.
도 3 은 본 발명의 실시예에 따른 검출 및 프로세싱 회로에 대한 예시적인 시스템의 블록 다이어그램을 도시한다.
RF 발생기는 RF 파워 (power)를 로드로 전달하기 위하여 사용될 수도 있다. 실시예에서, RF 발생기 (generator) 는 동축케이블을 통하여 RF 파워를 로드에 직접적으로 전달할 수도 있다. 다른 실시예에서는, RF 발생기는 트랜스포메이션(transformation) 네트워크를 통하여 RF 파워를 로드로 직접적으로 전달할 수도 있다. 직접적으로 또는 간접적으로 파워를 로드로 전달하는 다른 수단들은 현재 개시된 기술의 영역내에서 또한 사용될 수도 있다.
실시예에서, 로드는 하나 또는 하나 이상의 플라즈마 체임버, 가스 튜브, 저항성이 있는 로드 및/또는, 커패시터 및/또는 인덕터와 같은, 저항성이 있고/또는 반응을 나타내는 요소들을 포함하는 컴플렉스 로드를 포함할 수도 있다. 추가적 또는 대안적인 로드 디바이스들은 현재 개시된 기술의 범위내에서 또한 사용되어 질 수도 있다.
도 3 의 도면부호 305 와 같은, 전압 및/또는 전류 검출 디바이스는 RF 파워 또는 임피던스가 측정되어지는 포인트에 위치할 수도 있다. 예를 들어, 전압 및/또는 전류 검출 장치 (305) 는 RF 발생기의 출력단, 발생기의 내부 또는 RF 발생기와 로드 사이의 어느 포인트에 놓여질 수도 있다.
RF 파워 발생기에 의해 전달된 전압 및/또는 전류와 같은, 신호 특성들은 전압 및/또는 전류 검출 디바이스 (305) 를 통하여 아날로그 신호들로서 검출될 수도 있다. 실시예에서, 전압 및/또는 전류 검출 디바이스 (305) 를 RF 발생기의 출력단에 위치시키는 것은 적절한 전기회로내의 다른 위치들에 디바이스를 위치시키는 것보다 더욱더 안정적인 검출된 신호의 결과를 가져오게 할 수도 있다.
디바이스를 RF 발생기의 출력단에 위치시키는 것은 (1) 물리적으로 출력단을 접촉하는 위치들; (2) 디바이스가 출력단과 검출디바이스의 위치 사이의 사소한 라인 손실을 가지는 출력단과 전기적으로 접촉하는 위치들; 및 전체적인 라인 손실이 RF 발생기 출력단과 플라즈마 발생기 입력단 사이에서 발생하는 위치를 포함하고, 검출장치는 RF 발생기 출력단으로부터 플라즈마 발생기 입력단까지 라인 손실이 전체 라인손실의 오직 1/2 인 지점에 놓여져 있다.
도 1 은 본 발명의 실시예에 따른 전압 및/또는 전류 검출 디바이스를 사용하는 예시적인 검출된 신호를 도시한다.
검출된 신호는 아날로그-디지털 컨버터 (도 3의 도면부호 310) 와 같은, 샘플링 회로로 전달될 수도 있다. 샘플링 회로 (310) 샘플링 주파수에서 전압 및/또는 전류 신호들을 샘플링할 수도 있다. 실시예에서 샘플링 주파수는 검출된 신호의 기본주파수 이하 일수도 있고, 검출된 신호의 기본주파수의 함수 (function) 일 수도 있다.
샘플링 주파수는 샘플된 신호의 1 주기에 대해 바람직한 수의 샘플 포인트들을 선택하는 것에 의해 결정될 수도 있다. 예를 들어, 샘플 포인트들의 수는, 1 주기 동안에 샘플된 신호의 샘플들의 전체 숫자가 2n , (n 은 부의 정수가 아님)에 의해 나누어질 수 있도록 선택되어질 수도 있다. 예를 들어, 만일 n=6 이라면, 64 샘플 포인트들은 샘플된 신호의 주기마다 발생될 수도 있다. 그와 같은 실시예에서, 샘플링 주파수는 방정식
Figure 112007050600260-PCT00001
(f 0 는 검출된 신호의 기본주파수이고,f s 는 샘플링 주파수이다.)을 사용하여 결정될 수도 있다.
도 2 는 본 발명의 실시예에 따른 도 1 의 검출된 신호로부터 샘플된 예시적인 신호들을 도시한다.
샘플링 회로 (310) 는 예를 들어, 아날로그 전압 및/또는 전류 신호를 디지털 신호들로 전환하기 위하여 사용될 수도 있다. 디지털 형식들인, 샘플된 전압과 전류 신호들은 디지털 신호 처리기 (DSP) (315) 로 전달될 수도 있다. 고속의 푸리우에 전환 (FFT) 과 같은, 알고리즘이 DSP (315) 에서 샘플된 전압 및/또는 전류 신호를 사용하여 수행될 수도 있다.
실시예에서, 만일 전압과 전류신호들 모두가 샘플이 된다면, 신호들은 하나의 DSP (도 3에 도시) 또는 2개의 DSP (도시 않함) 들로 제공될 수도 있다. 만일 2 개의 DSP 들이 사용되어 진다면, 클럭 주파수 및 사이클은 DSP 들 사이에서 동시에 발생할 수도 있다. 2 개 이상의 DSP 가 본 발명의 개시된 기술의 범위내에서 사용될 수도 있다.
하나 또는 하나 이상의 DSP (315) 들의 출력은 디지털 형식일 수가 있다. 실시예에서, 하나 또는 하나 이상의 DSP (315) 들의 출력은 하나 또는 그 이상의 주파수들에서 샘플된 전압 및/또는 전류 신호들의 진폭을 포함할 수도 있다. 실시예에서, 하나 또는 그 이상의 DSP (315) 들의 출력은 2 개 또는 그 이상의 신호들 사이의 위상각 (phase angle) 을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 하나 또는 그 이상의 DSP (315) 들의 출력은 다음의 하나 또는 그 이상을 포함할 수도 있다.
｜Vf0｜ = 기본주파수에서의 전압진폭
｜If0｜ = 기본주파수에서의 전류진폭
｜Vf2｜ = 제 2 고조 주파수에서의 전압진폭
｜If2｜ = 제 2 고조 주파수에서의 전류진폭
｜Vf3｜ = 제 3 고조 주파수에서의 전압진폭
｜If3｜ = 제 3 고조 주파수에서의 전류진폭
θVf0 - If0 = 기본 주파수에서 전압과 전류 사이의 위상각
θVf2 - If2 = 제 2 고조 주파수에서 전압과 전류 사이의 위상각
θVf3 - If3 = 제 3 고조 주파수에서의 전압과 전류 사이의 위상각
추가적이거나 또는 대안적인 진폭들 및/또는 위상각들은 하나 또는 하나 이상의 DSP 들에 의해 결정될 수도 있다.
하나 또는 그 이상의 DSP (315) 들의 출력에 근거하여, 하나 또는 그 이상의 다음의 값들이 결정될 수도 있다.
P D = 기본 주파수에서 로드로 전달된 파워
P F = 기본 주파수에서 로드에서 포워드 파워
P R = 기본 주파수에서 로드로부터 반사된 (reflected) 파워
｜Z f0 ｜= 기본 주파수에서 로드 임피던스의 크기
Z f0 = 복소수 형태의 기본 주파수에서의 로드 임피던스
Z ch = 복소수 형태의 기본 주파수에서의 플라즈마 체임버의 입력에서의 임피던스
이 임피던스는 Z f0 및 길이 및 RF 파워 발생기 및 플라즈마 체임버로의 입력 사이의 연결의 특성 임피던스에 기초하여 계산될 수 있다. 만일 임피던스 매칭 네트워크가 RF 파워 발생기와 플라즈마 체임버로의 입력 사이에 사용된다면, 임피던스 매칭 네트워크를 구성하는 요소들의 값들에 관한 추가적인 정보는 또한 필요하다.
유사하게, 파워 및 임피던스 계산은 하나 또는 그 이상의 DSP (315) 들에 의해 발생되는 다른 데이터를 사용하여 또한 수행될 수도 있다. 예를 들어, 파워 및 임피던스 계산은 하나 또는 그 이상의 고주파 주파수들에 대해 결정될 수도 있다. 추가적이거나 또는 대안적인 파워 및/또는 임피던스 계산은 하나 또는 그 이상의 DSP (315) 에 의해 결정될 수도 있다.
RF 파워 및 임피던스를 측정하기 위하여 FFT 알고리즘을 사용하는 장점은 FFT 알고리즘은 관심있는 주파수에서 다른 주파수들의 효과를 분리할 수도 있다. 그 결과 더 높은 측정 정확도의 결과를 가져온다.
상기 결정된 하나 또는 그 이상의 파워 및/또는 임피던스 측정은, 예를 들 어, 반도체 제조 공정과 같은 프로세스에 관련된 정보를 결정하기 위하여 사용될 수도 있다. 실시예에서, 기본 주파수 및/또는 하나 또는 그 이상의 고조파들에서 파워 및 임피던스는 반도체 제조 공정과 관련된 정보를 결정하기 위하여 사용되어 질 수도 있다. 실시예에서, 혼합된 제품주파수들은 추가적으로 또는 대안적으로 반도체 제조 공정과 관련된 정보를 결정하기 위하여 사용될 수도 있다.
실시예에서, 시간에 대해 하나 또는 그 이상의 파워 및/또는 임피던스 측정에 대한 변화들은 제조공정 변화들을 결정하기 위하여 사용되어 질 수도 있다. 실시예에서, 하나 또는 그 이상의 파워 및/또는 임피던스 측정들은 로드를 특성화하기 위하여 사용되어 질 수도 있다. 대안적이거나/또는 추가적인 운영들은 본 발명의 개시된 기술범위 내에서 상기 기술된 정보를 사용하여 수행될 수도 있다.
상기 개시되거나 여러가지 기술들 및 다른 특징들 및 함수들 및 대안들은 많은 종류의 다른 서로 다른 방법들, 시스템들 및 적용들로 바람직하게 결합될 수도 있다.
본 발명의 바람직한 실시례가 특정 용어들을 사용하여 기술되어 왔지만, 그러한 기술은 오로지 설명을 하기 위한 것이며, 다음의 청구범위의 기술적 사상 및 범위로부터 이탈되지 않고서 여러 가지 변경 및 변화가 가해질 수 있는 것으로 이해되어져야 한다.

Claims (16)

  1. 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 검출하는 방법에 있어서, 상기 방법은,
    무선주파수 (RF) 전력 발생기의 출력에서 제 1 신호의 하나 또는 하나이상의 특징들을 검출하는 단계;
    디지털의 샘플된 신호를 생성하기 위하여 샘플링 주파수에서 제 1 신호의 하나 또는 하나이상의 특성을 샘플링하는 단계; 및
    상기 샘플링 주파수는 제 1 신호의 기본 주파수의 함수 (function) 에 기초하여 결정되고,
    상기 디지털 샘플된 신호로부터 로드의 하나 또는 하나이상의 특성들을 결정하는 단계를 포함하고,
    상기 로드는 RF 파워 발생기와 통신상태인 것을 특징으로 하는 로드의 하나 또는 하나이상의 특성들을 검출하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 신호의 하나 또는 하나 이상의 특성들은, 전압 및 전류 중 어느 하나 또는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 로드의 하나 또는 하나이상의 특성들을 검출하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 샘플링 주파수는
    Figure 112007050600260-PCT00002
    의 형식 (n 은 '부'가 아닌 정수 (non-negative integer) 이고, f0 는 제 1 신호의 기본주파수이고,) 을 가지는 함수에 기초하여 결정되는 것을 특징으로 하는 로드의 하나 또는 하나이상의 특성들을 검출하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 디지털 샘플된 신호로부터 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 결정하는 단계는, 디지털 신호 처리기를 사용하여 상기 디지털 샘플된 신호로부터 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 결정하는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 로드의 하나 또는 하나이상의 특성들을 검출하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 로드의 하나 또는 그 이상의 특징들은,
    기본 주파수에서 로드 전압의 진폭;
    기본 주파수의 고조파에서 로드 전압의 진폭;
    기본 주파수에서 로드 전류의 진폭;
    상기 기본 주파수의 고조파에서 로드전류의 진폭;
    기본 주파수에서 로드 전압과 로드 전류 사이의 위상각; 및
    기본 주파수의 고조파에서 로드 전압과 로드 전류 사이의 위상각;
    들중 하나 또는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 검출하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들은,
    상기 기본 주파수에서 상기 로드로 전달된 파워;
    상기 기본 주파수의 고조파에서 상기 로드로 전달된 파워;
    상기 기본 주파수에서 상기 로드에 포워드 파워;
    상기 기본 주파수의 고조파에서 상기 로드에 포워드 파워;
    상기 기본 주파수에서 상기 로드로부터 반사된 파워;
    상기 기본 주파수의 고조파에서 상기 로드로부터 반사된 파워;
    상기 기본주파수에서 상기 로드 임피던스의 크기;
    상기 기본주파수의 고조파에서 상기 로드 임피던스의 크기;
    상기 기본주파수에서 상기 로드 임피던스에 대한 복소수 형태(complex form); 및
    상기 기본주파수의 고조파에서 상기 로드 임피던스에 대한 복소수 형태;
    들 중 하나 또는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 검출하는 방법.
  7. 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 결정하기 위한 시스템으로,
    상기 시스템은,
    무선 주파수 (RF) 파워 발생기;
    상기 RF 파워 발생기와 통신하는 로드;
    상기 RF 파워 발생기의 출력에 위치하는 검출 디바이스;
    상기 검출 디바이스와 통신하는 아날로그-투-디지털 (A-D) 컨버터; 및
    상기 A-D 컨버터와 통신하는 디지털 신호 프로세서 (DSP) 를 포함하고,
    상기 검출 디바이스는 제 1 신호의 하나 또는 하나 이상의 특성을 검출하고, 상기 A-D 컨버터는 상기 제 1 신호의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 디지털 형식으로 변환하고, 상기 DSP 는 상기 제 1 신호의 하나 또는 하나 이상의 특성들의 디지털 형식으로부터 상기 로드의 하나 또는 그 이상의 특성들을 결정하는 것을 특징으로 하는 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 결정하기 위한 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 로드는 플라즈마 체임버를 포함하는 것을 특징으로 하는 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 결정하기 위한 시스템.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 로드는 가스 튜브로 구성된 것을 특징으로 하는 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 결정하기 위한 시스템.
  10. 상기 로드는 저항성의 로드로 구성되는 것을 특징으로 하는 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 결정하기 위한 시스템.
  11. 상기 로드는 하나 또는 그 이상의 리액티브 요소들로 구성되는 것을 특징으로 하는 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 결정하기 위한 시스템.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 신호는 기본주파수를 나타내는 것을 특징으로 하는 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 결정하기 위한 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 A-D 컨버터는
    Figure 112007050600260-PCT00003
    의 형식 (n 은 부의 정수가 아니고(non-negative integer), f 0 는 기본주파수임) 을 가지는 샘플링 주파수를 가지는 샘플링 디바이스로 구성되는 것을 특징으로 하는 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 결정하기 위한 시스템.
  14. 제 7 항에 있어서,
    상기 로드의 하나 또는 그 이상의 특성들은,
    기본 주파수에서 로드 전압의 진폭;
    기본 주파수의 고조파에서 로드 전압의 진폭;
    기본 주파수에서 로드 전류의 진폭;
    상기 기본 주파수의 고조파에서 로드전류의 진폭;
    상기 기본 주파수에서 로드 전압과 로드 전류 사이의 위상각; 및
    상기 기본 주파수의 고조파에서 로드 전압과 로드 전류 사이의 위상각;
    들중 하나 또는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 결정하기 위한 시스템.
  15. 제 7 항에 있어서,
    상기 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들은,
    상기 기본 주파수에서 상기 로드로 전달된 파워;
    상기 기본 주파수의 고조파에서 상기 로드로 전달된 파워;
    상기 기본 주파수에서 상기 로드에 포워드 파워;
    상기 기본 주파수에 고조파에서 상기 로드에 포워드 파워;
    상기 기본 주파수에서 상기 로드로부터 반사된 파워;
    상기 기본 주파수의 고조파에서 상기 로드로부터 반사된 파워;
    상기 기본주파수에서 상기 로드 임피던스의 크기;
    상기 기본주파수의 고조파에서 상기 로드 임피던스의 크기;
    상기 기본주파수에서 상기 로드 임피던스에 대한 복소수 형태(complex form); 및
    상기 기본주파수의 고조파에서 상기 로드 임피던스에 대한 복소수 형태;
    들 중 하나 또는 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 결정하기 위한 시스템.
  16. 제 7 항에 있어서,
    상기 로드의 하나 또는 그 이상의 특성들을 결정하기 위한 시스템은 상기 RF 파워 발생기 및 상기 로드와 통신하고 있는 임피던스 매칭 네트워크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 로드의 하나 또는 하나 이상의 특성들을 결정하기 위한 시스템.
KR1020077015865A 2005-01-11 2006-01-11 로드로 전달된 알에프 파워를 검출하는 방법 및 로드의복소 임피던스 KR20070098860A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US64301405P 2005-01-11 2005-01-11
US60/643,014 2005-01-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070098860A true KR20070098860A (ko) 2007-10-05

Family

ID=36678134

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077015865A KR20070098860A (ko) 2005-01-11 2006-01-11 로드로 전달된 알에프 파워를 검출하는 방법 및 로드의복소 임피던스

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7298128B2 (ko)
EP (1) EP1836716A4 (ko)
JP (1) JP2008527378A (ko)
KR (1) KR20070098860A (ko)
CN (1) CN100543481C (ko)
WO (1) WO2006076357A2 (ko)

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7822565B2 (en) * 2007-12-31 2010-10-26 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for monitoring characteristics of RF power
US7970562B2 (en) * 2008-05-07 2011-06-28 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for monitoring power
US20100123502A1 (en) * 2008-07-09 2010-05-20 Bhutta Imran A System for providing a substantially uniform potential profile
US9291649B2 (en) * 2012-08-16 2016-03-22 Mks Instruments, Inc. On the enhancements of planar based RF sensor technology
US9196459B2 (en) 2014-01-10 2015-11-24 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US10455729B2 (en) 2014-01-10 2019-10-22 Reno Technologies, Inc. Enclosure cooling system
US9745660B2 (en) * 2014-05-02 2017-08-29 Reno Technologies, Inc. Method for controlling a plasma chamber
US9865432B1 (en) 2014-01-10 2018-01-09 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9496122B1 (en) 2014-01-10 2016-11-15 Reno Technologies, Inc. Electronically variable capacitor and RF matching network incorporating same
US9755641B1 (en) 2014-01-10 2017-09-05 Reno Technologies, Inc. High speed high voltage switching circuit
US10431428B2 (en) 2014-01-10 2019-10-01 Reno Technologies, Inc. System for providing variable capacitance
US9844127B2 (en) 2014-01-10 2017-12-12 Reno Technologies, Inc. High voltage switching circuit
US9697991B2 (en) 2014-01-10 2017-07-04 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US12119206B2 (en) 2015-02-18 2024-10-15 Asm America, Inc. Switching circuit
US10340879B2 (en) 2015-02-18 2019-07-02 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US9306533B1 (en) 2015-02-20 2016-04-05 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9729122B2 (en) 2015-02-18 2017-08-08 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US11017983B2 (en) 2015-02-18 2021-05-25 Reno Technologies, Inc. RF power amplifier
US9525412B2 (en) 2015-02-18 2016-12-20 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US11342161B2 (en) 2015-06-29 2022-05-24 Reno Technologies, Inc. Switching circuit with voltage bias
US11150283B2 (en) 2015-06-29 2021-10-19 Reno Technologies, Inc. Amplitude and phase detection circuit
US11335540B2 (en) 2015-06-29 2022-05-17 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11081316B2 (en) 2015-06-29 2021-08-03 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US10984986B2 (en) 2015-06-29 2021-04-20 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US10692699B2 (en) 2015-06-29 2020-06-23 Reno Technologies, Inc. Impedance matching with restricted capacitor switching
US11342160B2 (en) 2015-06-29 2022-05-24 Reno Technologies, Inc. Filter for impedance matching
DE102015212242A1 (de) * 2015-06-30 2017-01-05 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zum Abtasten eines mit einem Plasmaprozess in Beziehung stehenden Signalgemischs
KR102358009B1 (ko) * 2015-11-10 2022-02-04 삼성전자주식회사 빔 투사 장치 및 빔 투사 장치를 이용하여 빔을 투사하는 방법
JP6898338B2 (ja) 2016-09-29 2021-07-07 株式会社ダイヘン インピーダンス整合装置
JP6773283B2 (ja) 2016-11-17 2020-10-21 株式会社ダイヘン インピーダンス整合装置
US11315758B2 (en) 2017-07-10 2022-04-26 Reno Technologies, Inc. Impedance matching using electronically variable capacitance and frequency considerations
US11114280B2 (en) 2017-07-10 2021-09-07 Reno Technologies, Inc. Impedance matching with multi-level power setpoint
US10714314B1 (en) 2017-07-10 2020-07-14 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US10727029B2 (en) 2017-07-10 2020-07-28 Reno Technologies, Inc Impedance matching using independent capacitance and frequency control
US11393659B2 (en) 2017-07-10 2022-07-19 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11398370B2 (en) 2017-07-10 2022-07-26 Reno Technologies, Inc. Semiconductor manufacturing using artificial intelligence
US11101110B2 (en) 2017-07-10 2021-08-24 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11476091B2 (en) 2017-07-10 2022-10-18 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network for diagnosing plasma chamber
US10483090B2 (en) 2017-07-10 2019-11-19 Reno Technologies, Inc. Restricted capacitor switching
US11521833B2 (en) 2017-07-10 2022-12-06 Reno Technologies, Inc. Combined RF generator and RF solid-state matching network
US11289307B2 (en) 2017-07-10 2022-03-29 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
CN110870040B (zh) 2017-07-13 2022-05-03 应用材料公司 衬底处理方法和设备
US11290080B2 (en) 2017-11-29 2022-03-29 COMET Technologies USA, Inc. Retuning for impedance matching network control
JP7211806B2 (ja) 2018-12-26 2023-01-24 株式会社ダイヘン インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合方法
JP7112952B2 (ja) 2018-12-26 2022-08-04 株式会社ダイヘン インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合方法
JP7105184B2 (ja) 2018-12-27 2022-07-22 株式会社ダイヘン インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合方法
JP7105183B2 (ja) 2018-12-27 2022-07-22 株式会社ダイヘン インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合方法
JP7105185B2 (ja) 2018-12-28 2022-07-22 株式会社ダイヘン インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合方法
JP7253415B2 (ja) 2019-03-22 2023-04-06 株式会社ダイヘン インピーダンス整合装置及びインピーダンス整合方法
JP2020161974A (ja) 2019-03-26 2020-10-01 株式会社ダイヘン Ｐｉｎダイオードの駆動回路及び閾値決定方法
US11538662B2 (en) 2019-05-21 2022-12-27 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method with reduced memory requirements
US11114279B2 (en) 2019-06-28 2021-09-07 COMET Technologies USA, Inc. Arc suppression device for plasma processing equipment
US11527385B2 (en) 2021-04-29 2022-12-13 COMET Technologies USA, Inc. Systems and methods for calibrating capacitors of matching networks
US11596309B2 (en) 2019-07-09 2023-03-07 COMET Technologies USA, Inc. Hybrid matching network topology
US11107661B2 (en) 2019-07-09 2021-08-31 COMET Technologies USA, Inc. Hybrid matching network topology
CN114144853B (zh) 2019-08-28 2024-12-27 科米特技术美国股份有限公司 高功率低频线圈
JP7423233B2 (ja) 2019-09-26 2024-01-29 株式会社ダイヘン 高周波電源装置及び高周波電力の出力方法
JP7299130B2 (ja) 2019-10-11 2023-06-27 株式会社ダイヘン 高周波電源回路
JP7437142B2 (ja) 2019-11-25 2024-02-22 株式会社ダイヘン 高周波電源システム
JP7474591B2 (ja) 2019-12-27 2024-04-25 株式会社ダイヘン 高周波電源システム
JP7465657B2 (ja) 2019-12-27 2024-04-11 株式会社ダイヘン インピーダンス調整装置
JP7557267B2 (ja) 2019-12-27 2024-09-27 株式会社ダイヘン インピーダンス調整装置及びインピーダンス調整方法
JP7450387B2 (ja) 2019-12-27 2024-03-15 株式会社ダイヘン インピーダンス調整装置
US12027351B2 (en) 2020-01-10 2024-07-02 COMET Technologies USA, Inc. Plasma non-uniformity detection
US11521832B2 (en) 2020-01-10 2022-12-06 COMET Technologies USA, Inc. Uniformity control for radio frequency plasma processing systems
US11830708B2 (en) 2020-01-10 2023-11-28 COMET Technologies USA, Inc. Inductive broad-band sensors for electromagnetic waves
US11887820B2 (en) 2020-01-10 2024-01-30 COMET Technologies USA, Inc. Sector shunts for plasma-based wafer processing systems
US11670488B2 (en) 2020-01-10 2023-06-06 COMET Technologies USA, Inc. Fast arc detecting match network
US11605527B2 (en) 2020-01-20 2023-03-14 COMET Technologies USA, Inc. Pulsing control match network
US11961711B2 (en) 2020-01-20 2024-04-16 COMET Technologies USA, Inc. Radio frequency match network and generator
US11461660B1 (en) * 2020-03-19 2022-10-04 Rockwell Collins, Inc. Frequency-domain impedance sensing system and method for neural network prediction of impending failure modes
JP7442365B2 (ja) * 2020-03-27 2024-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システム、基板処理装置の制御方法および基板処理システムの制御方法
US11373844B2 (en) 2020-09-28 2022-06-28 COMET Technologies USA, Inc. Systems and methods for repetitive tuning of matching networks
US12057296B2 (en) 2021-02-22 2024-08-06 COMET Technologies USA, Inc. Electromagnetic field sensing device
US11923175B2 (en) 2021-07-28 2024-03-05 COMET Technologies USA, Inc. Systems and methods for variable gain tuning of matching networks
US11657980B1 (en) 2022-05-09 2023-05-23 COMET Technologies USA, Inc. Dielectric fluid variable capacitor
US12040139B2 (en) 2022-05-09 2024-07-16 COMET Technologies USA, Inc. Variable capacitor with linear impedance and high voltage breakdown
US12051549B2 (en) 2022-08-02 2024-07-30 COMET Technologies USA, Inc. Coaxial variable capacitor
US12132435B2 (en) 2022-10-27 2024-10-29 COMET Technologies USA, Inc. Method for repeatable stepper motor homing

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4542336A (en) * 1983-05-11 1985-09-17 Simmonds Precision Products, Inc. Method and apparatus for sampling broad band spectra in fuel quantity measurement systems
US4967159A (en) * 1989-02-23 1990-10-30 Abbott Laboratories Self-balancing reflectometer
US5127405A (en) * 1990-02-16 1992-07-07 The Boc Group, Inc. Biomedical fiber optic probe with frequency domain signal processing
JP3021093B2 (ja) * 1991-06-17 2000-03-15 株式会社ダイヘン プラズマインピーダンス測定装置
FR2702903B1 (fr) * 1993-03-17 1995-05-24 Europ Agence Spatiale Récepteur de signaux radiofréquences.
US5576629A (en) * 1994-10-24 1996-11-19 Fourth State Technology, Inc. Plasma monitoring and control method and system
DE4445762A1 (de) * 1994-12-21 1996-06-27 Adolf Slaby Inst Forschungsges Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen absoluter Plasmaparameter
FI100921B (fi) * 1995-01-19 1998-03-13 Nokia Telecommunications Oy Spektrinmittausvastaanotin
US5565737A (en) 1995-06-07 1996-10-15 Eni - A Division Of Astec America, Inc. Aliasing sampler for plasma probe detection
US5770922A (en) * 1996-07-22 1998-06-23 Eni Technologies, Inc. Baseband V-I probe
US6046594A (en) * 1997-02-11 2000-04-04 Advanced Energy Voorhees, Inc. Method and apparatus for monitoring parameters of an RF powered load in the presence of harmonics
US5808415A (en) * 1997-03-19 1998-09-15 Scientific Systems Research Limited Apparatus for sensing RF current delivered to a plasma with two inductive loops
JPH11191499A (ja) * 1997-12-26 1999-07-13 Jeol Ltd プラズマ発生装置
US6449568B1 (en) * 1998-02-27 2002-09-10 Eni Technology, Inc. Voltage-current sensor with high matching directivity
JP2001016779A (ja) * 1999-06-25 2001-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置用インピーダンス整合器
US6887339B1 (en) * 2000-09-20 2005-05-03 Applied Science And Technology, Inc. RF power supply with integrated matching network
US6841124B2 (en) * 2000-10-02 2005-01-11 Ethicon, Inc. Sterilization system with a plasma generator controlled by a digital signal processor
US6522121B2 (en) * 2001-03-20 2003-02-18 Eni Technology, Inc. Broadband design of a probe analysis system
US6657394B2 (en) 2001-04-06 2003-12-02 Eni Technology, Inc. Reflection coefficient phase detector
US6608446B1 (en) * 2002-02-25 2003-08-19 Eni Technology, Inc. Method and apparatus for radio frequency (RF) metrology
US6707255B2 (en) * 2002-07-10 2004-03-16 Eni Technology, Inc. Multirate processing for metrology of plasma RF source
US20040044486A1 (en) * 2002-09-03 2004-03-04 Tignor Michael S. Non-linear electronics for sensing maximum dynamic range
JP2006510918A (ja) * 2002-09-23 2006-03-30 ターナー エンタープライジーズ アンド アソシエイツ プロセス制御のためのトランスデューサパッケージ
US6873114B2 (en) * 2002-09-26 2005-03-29 Lam Research Corporation Method for toolmatching and troubleshooting a plasma processing system
US6819096B2 (en) * 2003-01-31 2004-11-16 Advanced Energy Industries, Inc. Power measurement mechanism for a transformer coupled plasma source
US7643803B2 (en) * 2005-06-29 2010-01-05 Intel Corporation Power estimation of a transmission

Also Published As

Publication number Publication date
US20060170367A1 (en) 2006-08-03
JP2008527378A (ja) 2008-07-24
US7298128B2 (en) 2007-11-20
EP1836716A2 (en) 2007-09-26
CN100543481C (zh) 2009-09-23
CN101151542A (zh) 2008-03-26
EP1836716A4 (en) 2009-12-23
WO2006076357A2 (en) 2006-07-20
WO2006076357A3 (en) 2007-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20070098860A (ko) 로드로 전달된 알에프 파워를 검출하는 방법 및 로드의복소 임피던스
KR101858265B1 (ko) Ｒｆ 전압에 기초한 플라즈마 프로세싱 시스템 제어
TWI496513B (zh) 電漿產生系統之電弧偵測裝置及其偵測方法
KR101322384B1 (ko) Ｒｆ 파워의 특성을 모니터하기 위한 시스템, 방법 및 장치
CA2906480C (en) Apparatus and method for measuring electrical properties of matter
JPH08339896A (ja) プラズマ装置
JPH1041097A (ja) プラズマ装置およびｒｆ電力波の電流と電圧の振幅と相対位相の情報誘導の方法
JP2014525124A (ja) 可変周波数モードおよび／またはパルス発生モードで動作している電力発生器の電力を測定するための方法および装置
CN105807132B (zh) 一种检测加速器射频谐振腔失谐频率的方法及装置
Mahreen et al. A joint calibration technique for improving measurement accuracy of voltage and current probes during synchronous operation for RF-based plasma devices
JP2014077770A (ja) 交番磁場を使用した非破壊検査装置およびその検査方法
US20110148434A1 (en) System and method for distortion analysis
TWI409467B (zh) 均方根（ｒｍｓ）測量裝置及方法
JP3027572B1 (ja) プラズマ処理用インピーダンス測定装置
CN114236454B (zh) 一种宽频电阻分压器的误差校准方法及装置
CN116859163A (zh) 一种基于定向感应探测器的电网传导干扰测量方法与系统
Georgakopoulos Uncertainties in the measurement of AC voltage using a programmable Josephson voltage standard and a phase-sensitive null detector
CN220795349U (zh) 电流检测电路和电流检测设备
JP2003315395A (ja) ベクトル・ネットワーク・アナライザおよびその位相測定方法
CN219456329U (zh) 一种宽带射频功率测量链路与装置
Baranov et al. Measurement of the current transfer ratio for current shunts
JP2009281801A (ja) 被測定物特性測定装置
Lee et al. Development of a high-speed impedance measurement system for dual-frequency capacitive-coupled pulsed-plasma
Behr et al. Operation of the AC Quantum Voltmeter at kHz frequency
Malmbekk et al. Calibrating a Voltmeter with a PJVS Using a DAC as a Real-Time Calibrated Transfer Standard

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20070711

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20110107

Comment text: Request for Examination of Application

PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20120221

Patent event code: PE09021S01D

E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20121112

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20120221

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I