TW202414534A - 基板處理方法及基板處理系統 - Google Patents

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TW202414534A
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gas
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TW112128362A
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English (en)
Inventor
中根由太
熊倉翔
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種能夠改善形成於基板上之含金屬抗蝕膜之表面粗糙度之技術。 本發明之基板處理方法包含以下步驟：(a)提供包含基底膜、與位於上述基底膜上且形成有圖案之含金屬抗蝕膜的基板；(b)於含金屬抗蝕膜之表面形成含金屬膜；及(c)將含金屬膜之殘渣與含金屬膜之至少一部分一起去除。

Description

基板處理方法及基板處理系統
本發明之例示性實施方式係關於一種基板處理方法及基板處理系統。
於專利文獻1中揭示有用以在半導體基板上形成可使用極紫外光(EUV)而圖案化之薄膜之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2021-523403號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明提供一種能夠改善形成於基板上之含金屬抗蝕膜之表面粗糙度之技術。 [解決問題之技術手段]
本發明之一個例示性實施方式中之基板處理方法包含以下步驟：(a)提供包含基底膜、與位於上述基底膜上且形成有圖案之含金屬抗蝕膜的基板；(b)於含金屬抗蝕膜之表面形成含金屬膜；及(c)將含金屬膜之殘渣與含金屬膜之至少一部分一起去除。 [發明之效果]
根據本發明之一個例示性實施方式，可提供一種能夠改善形成於基板上之含金屬抗蝕膜之表面粗糙度之技術。
以下，對本發明之各實施方式進行說明。
於一個例示性實施方式中，提供一種基板處理方法，其包含以下步驟：(a)提供包含基底膜、與位於上述基底膜上且形成有圖案之含金屬抗蝕膜的基板；(b)於含金屬抗蝕膜之表面形成含金屬膜；及(c)將含金屬膜之殘渣與含金屬膜之至少一部分一起去除。
於一個例示性實施方式中，含金屬抗蝕膜包含選自由Sn、Hf及Ti所組成之群中之至少1種金屬。
於一個例示性實施方式中，含金屬抗蝕膜包含Sn。
於一個例示性實施方式中，含金屬抗蝕膜係使用EUV微影而形成。
於一個例示性實施方式中，(b)步驟係藉由ALD而形成含金屬膜。
於一個例示性實施方式中，(b)步驟包含以下步驟：(b1)向含金屬抗蝕膜之表面供給包含含金屬前驅物之第1氣體而形成含金屬前驅物膜；及(b2)使包含氧化性氣體之第2氣體與含金屬前驅物膜發生反應而自含金屬前驅物膜形成含金屬膜。
於一個例示性實施方式中，(b2)步驟係自第2氣體產生電漿。
於一個例示性實施方式中，重複(b1)步驟及(b2)步驟。
於一個例示性實施方式中，於(b)步驟中，(b1)步驟係於在含金屬抗蝕膜之整個表面形成含金屬前驅物膜之前結束，及/或(b2)步驟係於第2氣體與含金屬前驅物膜之反應完成之前結束。
於一個例示性實施方式中，含金屬前驅物膜包含金屬錯合物。
於一個例示性實施方式中，含金屬前驅物膜包含與含金屬抗蝕膜所含之金屬相同種類之金屬。
於一個例示性實施方式中，氧化性氣體包含選自由氧氣、臭氧、水、過氧化氫及四氧化二氮所組成之群中之至少1種。
於一個例示性實施方式中，(b)步驟係藉由CVD而形成含金屬膜。
於一個例示性實施方式中，(b)步驟係藉由含金屬氣體與氧化性氣體之混合氣體而形成含金屬膜。
於一個例示性實施方式中，(b)步驟係自混合氣體產生電漿而形成含金屬膜。
於一個例示性實施方式中，(c)步驟係藉由ALE而去除含金屬膜。
於一個例示性實施方式中，(c)步驟包含以下步驟：(c1)使用包含鹵素氣體之第3氣體，對含金屬膜進行改質；及(c2)使用包含去除前驅物之第4氣體，將已改質之含金屬膜去除。
於一個例示性實施方式中，重複(c1)步驟及(c2)步驟。
於一個例示性實施方式中，鹵素氣體包含含氟氣體或含氯氣體。
於一個例示性實施方式中，去除前驅物包含選自由β-二酮及氯化合物所組成之群中之至少1種。
於一個例示性實施方式中，重複(b)步驟及(c)步驟。
於一個例示性實施方式中，(b)步驟與(c)步驟係於同一腔室內執行。
於一個例示性實施方式中，基板處理方法進而包含(d)對基底膜進行蝕刻之步驟。
於一個例示性實施方式中，(b)步驟、(c)步驟及(d)步驟係於同一腔室內執行。
於一個例示性實施方式中，基底膜包含選自由含矽膜、含碳膜及含金屬膜所組成之群中之至少1種。
於一個例示性實施方式中，提供一種基板處理系統，其具備具有腔室之基板處理裝置及控制部，控制部執行以下控制： (a)準備包含基底膜、與位於上述基底膜上且形成有圖案之含金屬抗蝕膜的基板； (b)於含金屬抗蝕膜之表面形成含金屬膜；及 (c)將含金屬膜之殘渣與含金屬膜之至少一部分一起去除。
以下，參照圖式對本發明之各實施方式詳細地進行說明。再者，對各圖式中相同或同樣之要素標註相同符號，並省略重複說明。除非另有說明，否則基於圖式所示之位置關係而說明上下左右等位置關係。圖式之尺寸比率並不表示實際之比率，又，實際之比率並不限於圖示之比率。
＜電漿處理系統之構成例＞ 以下，對電漿處理系統之構成例進行說明。圖1係用於說明電漿處理系統之構成例之圖。於一實施方式中，電漿處理系統包含電漿處理裝置1及控制部2。電漿處理系統係基板處理系統之一例，電漿處理裝置1係基板處理裝置之一例。電漿處理裝置1包含電漿處理腔室(亦簡稱為「腔室」)10、基板支持部11及電漿產生部12。電漿處理腔室10具有電漿處理空間。又，電漿處理腔室10具有用以將至少1種處理氣體供給至電漿處理空間之至少1個氣體供給口、及用以自電漿處理空間排出氣體之至少1個氣體排出口。氣體供給口連接於下述之氣體供給部20，氣體排出口連接於下述之排氣系統40。基板支持部11配置於電漿處理空間內，具有用以支持基板之基板支持面。
電漿產生部12構成為自供給至電漿處理空間內之至少1種處理氣體產生電漿。電漿處理空間內所形成之電漿亦可為電容耦合電漿(CCP：Capacitively Coupled Plasma)、感應耦合電漿(ICP：Inductively Coupled Plasma)、ECR電漿(Electron-Cyclotron-resonance plasma，電子迴旋共振電漿)、螺旋波激發電漿(HWP：Helicon Wave Plasma)或表面波電漿(SWP：Surface Wave Plasma)等。又，亦可使用包含AC(Alternating Current，交流)電漿產生部及DC(Direct Current，直流)電漿產生部之各種類型之電漿產生部。於一實施方式中，AC電漿產生部中使用之AC信號(AC功率)具有100 kHz～10 GHz之範圍內之頻率。因此，AC信號包含RF(Radio Frequency，射頻)信號及微波信號。於一實施方式中，RF信號具有100 kHz～150 MHz之範圍內之頻率。
控制部2對使電漿處理裝置1執行本發明中所敍述之各種步驟之電腦可執行命令進行處理。控制部2可構成為控制電漿處理裝置1之各要素，以執行此處敍述之各種步驟。於一實施方式中，控制部2之一部分或全部亦可包含於電漿處理裝置1。控制部2例如亦可包含電腦2a。電腦2a例如亦可包含處理部(CPU：Central Processing Unit，中央處理單元)2a1、記憶部2a2、及通訊介面2a3。處理部2a1可構成為藉由自記憶部2a2讀出程式並執行所讀出之程式而進行各種控制動作。該程式可預先儲存於記憶部2a2，亦可於需要時經由媒體獲取。所獲取之程式儲存於記憶部2a2，由處理部2a1自記憶部2a2讀出並予以執行。媒體可為能夠由電腦2a讀取之各種記憶媒體，亦可為連接於通訊介面2a3之通訊線路。記憶部2a2亦可包含RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動器)、SSD(Solid State Drive，固態驅動器)或其等之組合。通訊介面2a3亦可經由LAN(Local Area Network，區域網路)等通訊線路而與電漿處理裝置1之間進行通訊。
以下，對作為電漿處理裝置1之一例之電容耦合型電漿處理裝置之構成例進行說明。圖2係用於說明電容耦合型電漿處理裝置之構成例之圖。電容耦合型之電漿處理裝置1包含電漿處理腔室10、氣體供給部20、電源30及排氣系統40。又，電漿處理裝置1包含基板支持部11及氣體導入部。氣體導入部構成為將至少1種處理氣體導入至電漿處理腔室10內。氣體導入部包含簇射頭13。基板支持部11配置於電漿處理腔室10內。簇射頭13配置於基板支持部11之上方。於一實施方式中，簇射頭13構成電漿處理腔室10之頂部(ceiling)之至少一部分。電漿處理腔室10具有由簇射頭13、電漿處理腔室10之側壁10a及基板支持部11界定之電漿處理空間10s。電漿處理腔室10接地。簇射頭13及基板支持部11與電漿處理腔室10之殼體電性絕緣。
基板支持部11包含本體部111及環組件112。本體部111具有用以支持基板W之中央區域111a、及用以支持環組件112之環狀區域111b。晶圓係基板W之一例。本體部111之環狀區域111b於俯視下包圍本體部111之中央區域111a。基板W配置於本體部111之中央區域111a上，環組件112係以包圍本體部111之中央區域111a上之基板W之方式配置於本體部111之環狀區域111b上。因此，中央區域111a亦被稱為用以支持基板W之基板支持面，環狀區域111b亦被稱為用以支持環組件112之環支持面。
於一實施方式中，本體部111包含基台1110及靜電吸盤1111。基台1110包含導電性構件。基台1110之導電性構件可作為下部電極發揮功能。靜電吸盤1111配置於基台1110之上。靜電吸盤1111包含陶瓷構件1111a及配置於陶瓷構件1111a內之靜電電極1111b。陶瓷構件1111a具有中央區域111a。於一實施方式中，陶瓷構件1111a亦具有環狀區域111b。再者，環狀靜電吸盤或環狀絕緣構件之類的包圍靜電吸盤1111之其他構件亦可具有環狀區域111b。於該情形時，環組件112可配置於環狀靜電吸盤或環狀絕緣構件之上，亦可配置於靜電吸盤1111與環狀絕緣構件兩者之上。又，亦可於陶瓷構件1111a內配置RF或DC電極，於該情形時，RF或DC電極作為下部電極發揮功能。於下述之偏壓RF信號或DC信號連接於RF或DC電極之情形時，RF或DC電極亦被稱為偏壓電極。再者，基台1110之導電性構件與RF或DC電極兩者亦可作為2個下部電極發揮功能。
環組件112包含1個或複數個環狀構件。於一實施方式中，1個或複數個環狀構件包含1個或複數個邊緣環及至少1個蓋環。邊緣環由導電性材料或絕緣材料形成，蓋環由絕緣材料形成。
又，基板支持部11亦可包含調溫模組，該調溫模組構成為將靜電吸盤1111、環組件112及基板中之至少1個調節為目標溫度。調溫模組可包含加熱器、傳熱介質、流路1110a或其等之組合。鹽水或氣體之類的傳熱流體於流路1110a中流動。於一實施方式中，於基台1110內形成流路1110a，於靜電吸盤1111之陶瓷構件1111a內配置1個或複數個加熱器。又，基板支持部11亦可包含構成為向基板W之背面與中央區域111a之間供給傳熱氣體之傳熱氣體供給部。
簇射頭13構成為將來自氣體供給部20之至少1種處理氣體導入至電漿處理空間10s內。簇射頭13具有至少1個氣體供給口13a、至少1個氣體擴散室13b、及複數個氣體導入口13c。供給至氣體供給口13a之處理氣體通過氣體擴散室13b自複數個氣體導入口13c導入至電漿處理空間10s內。又，簇射頭13包含上部電極。再者，氣體導入部亦可除了包含簇射頭13以外，還包含安裝在形成於側壁10a之1個或複數個開口部的1個或複數個側氣體注入部(SGI：Side Gas Injector)。
氣體供給部20亦可包含至少1個氣體源21及至少1個流量控制器22。於一實施方式中，氣體供給部20構成為將至少1種處理氣體從各自對應之氣體源21經由各自對應之流量控制器22供給至簇射頭13。各流量控制器22例如亦可包含質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。進而，氣體供給部20亦可包含對至少1種處理氣體之流量進行調變或脈衝化之至少1個流量調變器件。
電源30包含經由至少1個阻抗匹配電路與電漿處理腔室10耦合之RF電源31。RF電源31構成為將源RF信號及偏壓RF信號之類的至少1個RF信號(RF功率)供給到至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。藉此，由供給至電漿處理空間10s之至少1種處理氣體形成電漿。因此，RF電源31可作為電漿產生部12之至少一部分發揮功能。又，藉由將偏壓RF信號供給到至少1個下部電極，而於基板W產生偏壓電位，從而能夠將所形成之電漿中之離子成分饋入至基板W。
於一實施方式中，RF電源31包含第1 RF產生部31a及第2 RF產生部31b。第1 RF產生部31a構成為經由至少1個阻抗匹配電路與至少1個下部電極及/或至少1個上部電極耦合，並產生電漿產生用之源RF信號(源RF功率)。於一實施方式中，源RF信號具有10 MHz～150 MHz之範圍內之頻率。於一實施方式中，第1 RF產生部31a亦可構成為產生具有不同頻率之複數個源RF信號。所產生之1個或複數個源RF信號被供給到至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。
第2 RF產生部31b構成為經由至少1個阻抗匹配電路與至少1個下部電極耦合，並產生偏壓RF信號(偏壓RF功率)。偏壓RF信號之頻率可與源RF信號之頻率相同，亦可不同。於一實施方式中，偏壓RF信號具有較源RF信號之頻率低之頻率。於一實施方式中，偏壓RF信號具有100 kHz～60 MHz之範圍內之頻率。於一實施方式中，第2 RF產生部31b亦可構成為產生具有不同頻率之複數個偏壓RF信號。所產生之1個或複數個偏壓RF信號被供給到至少1個下部電極。又，於多種實施方式中，亦可將源RF信號及偏壓RF信號中之至少1個脈衝化。
又，電源30亦可包含與電漿處理腔室10耦合之DC電源32。DC電源32包含第1 DC產生部32a及第2 DC產生部32b。於一實施方式中，第1 DC產生部32a構成為連接於至少1個下部電極，並產生第1 DC信號。所產生之第1 DC信號被施加到至少1個下部電極。於一實施方式中，第2 DC產生部32b構成為連接於至少1個上部電極，並產生第2 DC信號。所產生之第2 DC信號被施加到至少1個上部電極。
於多種實施方式中，亦可將第1及第2 DC信號脈衝化。於該情形時，將基於DC之電壓脈衝之序列施加到至少1個下部電極及/或至少1個上部電極。電壓脈衝可具有矩形、梯形、三角形或其等之組合之脈衝波形。於一實施方式中，於第1 DC產生部32a與至少1個下部電極之間連接有用以自DC信號產生電壓脈衝之序列之波形產生部。因此，第1 DC產生部32a及波形產生部構成電壓脈衝產生部。於第2 DC產生部32b及波形產生部構成電壓脈衝產生部之情形時，電壓脈衝產生部連接於至少1個上部電極。電壓脈衝可具有正極性，亦可具有負極性。又，電壓脈衝之序列亦可於1週期內包含1個或複數個正極性電壓脈衝及1個或複數個負極性電壓脈衝。再者，第1及第2 DC產生部32a、32b亦可追加設置於RF電源31，亦可代替第2 RF產生部31b而設置第1 DC產生部32a。
排氣系統40例如可連接於設置在電漿處理腔室10之底部之氣體排出口10e。排氣系統40亦可包含壓力調整閥及真空泵。藉由壓力調整閥調整電漿處理空間10s內之壓力。真空泵亦可包含渦輪分子泵、乾式泵或其等之組合。
＜基板處理方法之一例＞ 圖3係表示一個例示性實施方式之基板處理方法(以下，亦稱為「本處理方法」)之一例之流程圖。如圖3所示，本處理方法包含：步驟ST1，其係提供包含含金屬抗蝕膜之基板；步驟ST2，其係於含金屬抗蝕膜之表面形成含金屬膜；及步驟ST3，其係對含金屬膜進行蝕刻。本處理方法亦可包含判斷步驟ST4。各步驟中之處理可由圖1所示之電漿處理系統執行。以下，以控制部2控制電漿處理裝置1之各部而對基板W執行本處理方法之情況為例進行說明。
(步驟ST1：基板之提供) 於一實施方式中，於步驟ST1中，向電漿處理裝置1之腔室10內提供基板W。基板W被提供至基板支持部11之中央區域111a上。繼而，基板W由靜電吸盤1111保持於基板支持部11。
基板W配置於基板支持部11之中央區域111a之後，可藉由調溫模組將基板支持部11之溫度調整為設定溫度。設定溫度例如可為300℃以下之溫度，可為100℃以上300℃以下之溫度(於一例中為常溫)。於一例中，調整或維持基板支持部11之溫度包含將沿流路1110a流動之傳熱流體之溫度調整或維持為設定溫度或與設定溫度不同之溫度。於一例中，調整或維持基板支持部11之溫度包含對靜電吸盤1111與基板W之背面之間之傳熱氣體(例如He)之壓力進行控制。再者，傳熱流體開始於流路1110a中流動之時機既可在基板W載置於基板支持部11之前，亦可在基板W載置於基板支持部11之後，還可同時。又，於本處理方法中，基板支持部11之溫度可於步驟ST1之前調整為設定溫度。即，可於基板支持部11之溫度調整為設定溫度之後，於基板支持部11上準備基板W。於一實施方式中，於本處理方法之後續步驟中，基板支持部11之溫度維持為步驟ST1中調整後之設定溫度。
圖4係表示步驟ST1中提供之基板W之剖面結構之一例之圖。如圖4所示，於一實施方式中，基板W具有基底膜UF、及形成於基底膜UF上之含金屬抗蝕膜RF。基板W可用於製造半導體器件。半導體器件例如包含(Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體)、3D(三維)-NAND(Not AND，反及)快閃記憶體等記憶體器件及邏輯器件。
基底膜UF可包含選自由含矽膜、含碳膜及含金屬膜所組成之群中之至少1種。基底膜UF並不限於1層，可為複數層。基底膜UF可為2層或3層。基底膜UF可由上往下具有第1層、第2層、第3層。基底膜UF之第1層可為旋塗玻璃(SOG)膜、SiC膜、SiON膜、含Si抗反射膜(SiARC)或有機膜。第2層可為旋塗式碳(SOC)膜、非晶形碳膜或含矽膜。第3層可為含矽膜。含矽膜可為氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜、碳氮化矽膜、多晶矽膜或含碳矽膜。第3層可由複數種含矽膜積層而構成。例如，第3層可由氧化矽膜與氮化矽膜交替地積層而構成。又，第3層亦可由氧化矽膜與多晶矽膜交替地積層而構成。又，第3層亦可為包含氮化矽膜、氧化矽膜及多晶矽膜之積層膜。又，第3層可由氧化矽膜與碳氮化矽膜積層而構成。又，第3層亦可為包含氧化矽膜、氮化矽膜、碳氮化矽膜之積層膜。
含金屬抗蝕膜RF係含有金屬之膜。含金屬抗蝕膜RF可包含選自由Sn、Hf及Ti所組成之群中之至少1種金屬。於一例中，含金屬抗蝕膜RF含有Sn，可包含氧化錫(SnO)、氫氧化錫(Sn-OH鍵)。含金屬抗蝕膜RF亦可包含有機物。
含金屬抗蝕膜RF形成為具有凹凸(凹部、凸部)之指定圖案。含金屬抗蝕膜RF可藉由微影步驟而形成。含金屬抗蝕膜RF可為使用EUV微影而形成之膜(含有金屬之EUV抗蝕膜)。於一實施方式中，首先，於基底膜UF上形成含有金屬之光阻膜。繼而，經由曝光遮罩對該光阻膜選擇性地照射光(例如，EUV光等)。藉此，於光阻膜形成已曝光之第1區域、及未曝光之第2區域。繼而，對光阻膜進行顯影，將光阻膜之一區域(例如第2區域)去除，而形成含金屬抗蝕膜RF，該含金屬抗蝕膜RF形成有具有凹凸之圖案。步驟ST1可包含形成含金屬抗蝕膜RF之步驟(膜形成步驟、曝光步驟、顯影步驟等)之至少一部分。形成含金屬抗蝕膜RF之步驟之至少一部分可由電漿處理裝置1進行。
圖5係模式性地表示本處理方法之各步驟ST1、ST2、ST3中之含金屬抗蝕膜RF之X-X剖面(以圖4所示之X-X線切斷所得之剖面)之一例的說明圖。圖5中之(a)表示步驟ST1中所形成之含金屬抗蝕膜RF之橫截面之一例。該例示出了於含金屬抗蝕膜RF之側面形成有凹部H1。即，該例示出了含金屬抗蝕膜RF之表面具有粗糙度。再者，凹部H1係為了說明而簡化並強調表達凹處者，大小或形狀並不限於此。本處理方法之目的之一在於改善凹部H1之類的含金屬抗蝕膜RF之表面粗糙度。
(步驟ST2：含金屬膜之形成) 於一實施方式中，於步驟ST2中，在含金屬抗蝕膜RF之表面形成含金屬膜MF。圖6係表示於步驟ST2中形成有含金屬膜MF之基板W之剖面結構之一例的圖。圖5中之(b)表示步驟ST2中所形成之含金屬膜MF之橫截面之一例。於步驟ST2中，含金屬膜MF將位於含金屬抗蝕膜RF之側面之凹部H1填埋，並且形成於含金屬抗蝕膜RF之表面。藉此，使含金屬抗蝕膜RF之表面平坦化，粗糙度有所改善。含金屬膜MF可包含與含金屬抗蝕膜RF含有之金屬相同種類之金屬。含金屬膜MF可包含與含金屬抗蝕膜RF含有之金屬不同之金屬。含金屬膜MF可包含選自由Sn、Hf及Ti所組成之群中之至少1種金屬。於一例中，含金屬膜MF可含有Sn。
步驟ST2中之含金屬膜MF之形成可使用原子層沈積法(Atomic Layer Deposition：以下稱為ALD法)法、CVD(Chemical Vaper Deposition，化學氣相沈積)法等各種方法而執行。以下，對形成含金屬膜MF之各種方法進行說明。
(ALD法) 於一實施方式中，於ALD法中，藉由使指定材料以自我控制之方式吸附於形成在基板W之表面之含金屬抗蝕膜RF且使其發生反應而形成含金屬膜MF。如圖7所示，於一實施方式中，使用ALD法之步驟ST2包含形成含金屬前驅物膜之步驟ST21、第1沖洗步驟ST22、自含金屬前驅物膜形成含金屬膜MF之步驟ST23、第2沖洗步驟ST24、及判斷步驟ST25。圖8係模式性地表示在步驟ST21～步驟ST24中於基板W之表面產生之現象之一例的說明圖。再者，第1沖洗步驟ST22、第2沖洗步驟ST24可進行，亦可不進行。
於步驟ST21中，如圖8所示，向含金屬抗蝕膜RF之表面供給包含含金屬前驅物之第1氣體G1，形成含金屬前驅物膜PF。含金屬前驅物可包含與含金屬抗蝕膜RF所含之金屬相同種類之金屬。含金屬抗蝕膜RF包含Sn，含金屬前驅物可包含Sn。含Sn物質之例可包含錫烷化合物、含氧錫化合物、含氮錫化合物、鹵化錫化合物等。錫烷化合物之例可包含錫烷、四甲基錫烷、三丁基錫烷、苯基三甲基錫烷、四乙烯基錫烷、二甲基二氯錫烷、丁基三氯錫烷、三氯苯基錫烷等。含氧錫化合物之例可包含甲醇三丁基錫、叔丁醇錫、二乙酸二丁基錫、乙酸三苯基錫、氧化三丁基錫、乙酸三苯基錫、氫氧化三苯基錫、二氫氧化丁基氯錫、乙醯丙酮錫等。含氮錫化合物之例可包含二甲基胺基三甲基錫、三(二甲基胺基)叔丁基錫、疊氮基三甲基錫、四(二甲基胺基)錫、N,N'-二叔丁基-2,3-二醯胺基丁烷錫(II)等。鹵化錫化合物之例可包含氯化錫、溴化錫、碘化錫、二甲基二氯化錫、丁基三氯化錫、苯基三氯化錫等。此外，含金屬前驅物可包含Hf、Ti等。於一實施方式之步驟ST21中，於電漿處理裝置1中，自簇射頭13向腔室10內供給第1氣體G1。繼而，於腔室10內，使第1氣體G1之含金屬前驅物吸附於含金屬抗蝕膜RF之表面，而形成含金屬前驅物膜PF。含金屬前驅物膜PF可為金屬錯合物。該金屬錯合物之例可包含胺基錫等。含金屬前驅物膜PF可包含與含金屬抗蝕膜RF所含之金屬相同種類之金屬。含金屬前驅物膜PF所含之金屬之例除了Sn以外，可包含Hf、Ti等。
於步驟ST21中，亦可自第1氣體G1產生電漿。於該情形時，於電漿處理裝置1中，將1個或複數個RF信號自RF電源31供給至上部電極及/或下部電極，而於電漿處理空間10s產生電漿。
於步驟ST22中，藉由排氣系統40而將腔室10內之氣體排出。此時，可對基板W供給惰性氣體等。藉此，沖洗過多之含金屬前驅物等氣體。
於步驟ST23中，如圖8所示，向含金屬抗蝕膜RF之表面供給包含氧化性氣體之第2氣體G2，使第2氣體G2與含金屬前驅物膜PF發生反應，而自含金屬前驅物膜PF形成含金屬膜MF。第2氣體G2係與吸附於含金屬抗蝕膜RF之表面之含金屬前驅物發生反應之氣體。第2反應氣體G2之氧化性氣體可包含選自由氧氣、臭氧、水、過氧化氫水及四氧化二氮所組成之群中之至少1種。於步驟ST23中，於電漿處理裝置1中，自簇射頭13向腔室10內供給第2氣體G2。繼而，於腔室10內第2氣體G2與含金屬前驅物膜PF發生反應而形成含金屬膜MF。於步驟ST23中，亦可自第2氣體G2產生電漿。於該情形時，於電漿處理裝置1中，將1個或複數個RF信號自RF電源31供給至上部電極及/或下部電極，而於電漿處理空間10s產生電漿。再者，亦可將腔室外所產生之電漿(remote plasma，遠程電漿)導入至腔室內。於步驟ST21、ST23中，亦可不產生電漿。
於步驟ST24中，藉由排氣系統40將腔室10內之氣體排出。此時，可對基板W供給惰性氣體等。藉此，沖洗過多之第2氣體G2等氣體。
於步驟ST25中，判定是否滿足用以結束步驟ST2之指定條件。指定條件可為將步驟ST21至步驟ST24設為1個循環之處理已進行了預先設定之指定次數。指定次數可為1次、未達5次、5次以上、10次以上。於步驟ST25中，判斷為不滿足指定條件時，返回至步驟ST21，判斷為滿足指定條件時，結束步驟ST2。例如，指定條件亦可為與步驟ST24後之包含含金屬膜MF之含金屬抗蝕膜RF之尺寸相關之條件。即，可於步驟ST24之後，判斷含金屬抗蝕膜RF之尺寸(含金屬膜MF之厚度)是否已達到指定之值或範圍，並重複步驟ST21至步驟ST24之循環直至達到該指定之值或範圍為止。含金屬抗蝕膜RF之尺寸可利用光學測定裝置來測定。
(亞共形ALD法) 於一實施方式中，於亞共形ALD法中，設定處理條件使得在ALD法中，於基板W之表面上未完成自我控制之吸附或反應，從而形成含金屬膜MF。於一實施方式中，於亞共形ALD法中，在上述ALD法中進行以下之(i)、(ii)中之至少任一者之處理。 (i)於在含金屬抗蝕膜RF之整個表面形成含金屬前驅物膜PF之前結束步驟ST21； (ii)於第2氣體G2與含金屬前驅物膜PF之反應完成之前結束步驟ST24。 亞共形ALD法中之其他處理可與上述ALD法相同。於亞共形ALD法中，與上述ALD法同樣地，可使用電漿，亦可不使用電漿。
(CVD法) 於一實施方式中，於CVD法中，藉由含金屬氣體與氧化性氣體之混合氣體而形成含金屬膜MF。作為一例，自混合氣體產生電漿而形成含金屬膜MF。
於一實施方式中，自電漿處理裝置1中之簇射頭13向腔室10內供給包含含金屬氣體與氧化性氣體之混合氣體。含金屬氣體可包含與含金屬抗蝕膜RF所含之金屬相同種類之金屬。含金屬抗蝕膜RF包含Sn，含金屬氣體可包含Sn。含Sn物質之例可包含錫烷化合物、含氧錫化合物、含氮錫化合物、鹵化錫化合物等。錫烷化合物之例可包含錫烷、四甲基錫烷、三丁基錫烷、苯基三甲基錫烷、四乙烯基錫烷、二甲基二氯錫烷、丁基三氯錫烷、三氯苯基錫烷等。含氧錫化合物之例可包含甲醇三丁基錫、叔丁醇錫、二乙酸二丁基錫、乙酸三苯基錫、氧化三丁基錫、乙酸三苯基錫、氫氧化三苯基錫、二氫氧化丁基氯錫、乙醯丙酮錫等。含氮錫化合物之例可包含二甲基胺基三甲基錫、三(二甲基胺基)叔丁基錫、疊氮基三甲基錫、四(二甲基胺基)錫、N,N'-二-叔丁基-2,3-二醯胺基丁烷錫(II)等。鹵化錫化合物之例可包含氯化錫、溴化錫、碘化錫、二甲基二氯化錫、丁基三氯化錫、苯基三氯化錫等。氧化性氣體可包含選自由氧氣、臭氧、水、過氧化氫水及四氧化二氮所組成之群中之至少1種氣體。
繼而，將1個或複數個RF信號自RF電源31供給至上部電極及/或下部電極。於簇射頭13與基板支持部11之間產生高頻電場，自電漿處理空間10s內之混合氣體產生電漿。繼而，電漿中所產生之金屬或包含金屬之活性種吸附於基板W之表面而於基板W之表面形成含金屬膜MF。
於CVD法中，可不使用電漿而使用熱(熱CVD法)來形成含金屬膜MF。
(步驟ST3：對含金屬膜進行蝕刻) 於一實施方式中，於驟ST3中，將含金屬膜MF之殘渣與形成於含金屬抗蝕膜RF之表面之含金屬膜MF之至少一部分一起蝕刻(去除)。圖9係表示於步驟ST3中對含金屬膜MF進行蝕刻後之基板W之剖面結構之一例的圖。圖5中之(c)表示於步驟ST3中對含金屬膜MF進行蝕刻後之含金屬抗蝕膜RF之橫截面之一例。於步驟ST3中，將位於含金屬抗蝕膜RF之表面之含金屬膜MF均等地去除指定寬度。再者，於步驟ST3中，可以露出含金屬抗蝕膜RF之方式去除含金屬膜MF，於該情形時，含金屬抗蝕膜RF恢復成形成含金屬膜MF之前之原來之尺寸。又，亦可以不露出含金屬抗蝕膜RF之方式去除含金屬膜MF，於該情形時，含金屬抗蝕膜RF較形成含金屬膜MF之前之原來之尺寸大。
步驟ST3中之含金屬膜MF之蝕刻可使用原子層蝕刻(Atomic Layer Etching：以下，記載為ALE)法、先前之電漿蝕刻法等各種方法而執行。以下，對使用ALE法之情況進行說明。
(ALE法) 於一實施方式中，於ALE法中，使指定材料以自我控制之方式吸附於形成在基板W之表面之含金屬膜MF，且使其發生改質反應並去除改質部分，藉此對含金屬膜MF進行蝕刻。如圖10所示，於一實施方式中，使用ALE法之步驟ST3包含對含金屬膜MF進行改質之步驟ST31、第1沖洗步驟ST32、將經改質之含金屬膜MF去除之步驟ST33、第2沖洗步驟ST34、及判斷步驟ST35。圖11係模式性地表示在步驟ST31～步驟ST34中於基板W之表面產生之現象之一例的說明圖。再者，第1沖洗步驟ST32、第2沖洗步驟ST34可進行，亦可不進行。
於步驟ST31中，如圖11所示，向含金屬膜MF之表面供給包含鹵素氣體之第3氣體G3，對含金屬膜MF進行改質。鹵素氣體可為含氟氣體或含氯氣體。含氟氣體可為包含選自由HF、XeF 2、CF 4、NF 3、SF 6所組成之群中之至少1種之氣體。可自HF、XeF 2產生電漿，亦可不產生電漿。亦可自CF 4、NF 3、SF 6產生電漿。
於一實施方式中，於步驟ST31中，在電漿處理裝置1中自簇射頭13向腔室10內供給第3氣體G3。藉由步驟ST31，第3氣體G3之鹵素氣體與含金屬膜MF發生反應，而對含金屬膜MF進行改質。於步驟ST31中，亦可自第3氣體G3產生電漿。於該情形時，於電漿處理裝置1中，將1個或複數個RF信號自RF電源31供給至上部電極及/或下部電極，於電漿處理空間10s產生電漿。
於步驟ST32中，藉由排氣系統40將腔室10內之氣體排出。此時，可對基板W供給惰性氣體等。藉此，沖洗過多之第3氣體G3等氣體。
於步驟ST33中，如圖11所示，向經改質之含金屬膜MF之表面供給包含去除前驅物之第4氣體G4，而去除含金屬膜MF。去除前驅物可為與經改質之含金屬膜MF之表面之分子藉由化學反應而形成揮發性化合物之化合物。第4反應氣體G4之去除前驅物可包含選自由β-二酮(乙醯丙酮等)及氯化合物所組成之群中之至少1種。第4反應氣體G4之去除前驅物可為含氯金屬前驅物。含氯金屬前驅物之例可包含DMAC(二甲基氯化鋁：Al(CH 3) 2Cl)、SiCl 4、TiCl 4 、三氯化鋁(AlCl 3)、三氯化硼(BCl 3)、二氯矽烷(SiH 2Cl 2)、三氯矽烷(SiHCl 3)、氯二甲基矽烷(SiHCl(CH 3) 2)、氯三甲基矽烷(SiCl(CH 3) 3)、二氯二甲基矽烷(SiCl 2(CH 3) 2)、三氯甲基矽烷(SiCl 3(CH 3))。於步驟ST33中，於電漿處理裝置1中，自簇射頭13向腔室10內供給第4氣體G4。藉由步驟ST33，第4氣體G4與經改質之含金屬膜MF發生反應而去除含金屬膜MF。於步驟ST33中，亦可自第4氣體G4產生電漿。於該情形時，於電漿處理裝置1中，將1個或複數個RF信號自RF電源31供給至上部電極及/或下部電極，而於電漿處理空間10s產生電漿。
於步驟ST34中，藉由排氣系統40將腔室10內之氣體排出。此時，可對基板W供給惰性氣體等。藉此，沖洗過多之第4氣體G4等氣體。
於步驟ST35中，判定是否滿足用以結束步驟ST3之指定條件。指定條件可為將步驟ST31至步驟ST34設為1個循環之處理已進行了預先設定之指定次數。指定次數可為1次、未達5次、5次以上、10次以上。於步驟ST35中，判斷為不滿足指定條件時，返回至步驟ST31，判斷為滿足指定條件時，結束步驟ST3。例如，指定條件亦可為與步驟ST34後之包含殘留之含金屬膜MF之含金屬抗蝕膜RF之尺寸相關的條件。即，可於步驟ST34之後，判斷包含殘留之含金屬膜MF之含金屬抗蝕膜RF之尺寸是否已達到指定之值或範圍，並重複步驟ST31至步驟ST34之循環直至達到該指定之值或範圍為止。含金屬抗蝕膜RF之尺寸可利用光學測定裝置來測定。
上述步驟ST3可在與步驟ST2相同之電漿處理裝置1之腔室10內進行，亦可於不同之電漿處理裝置1之腔室10內進行。
於步驟ST4中，判定是否滿足用以結束本處理方法之指定條件。指定條件可為將步驟ST2及步驟ST3設為1個循環之處理已進行了預先設定之指定次數。指定次數可為1次、複數次、2次、3次、未達5次、5次以上、10次以上。於步驟ST4中，判斷為不滿足指定條件時，返回至步驟ST2，判斷為滿足指定條件時，結束本處理方法。例如，指定條件亦可為與步驟ST3後之含金屬抗蝕膜RF之尺寸或表面粗糙度相關之條件。即，可於步驟ST3之後，判斷包含殘留之含金屬膜MF之含金屬抗蝕膜RF之尺寸或表面粗糙度是否已達到指定之值或範圍，並重複步驟ST2及步驟ST3之循環直至達到該指定之值或範圍為止。含金屬抗蝕膜RF之尺寸或表面粗糙度可利用光學測定裝置來測定。
根據本例示性實施方式，本處理方法包含：(a)步驟(ST1)，其係提供包含基底膜UF、與位於上述基底膜UF上且形成有圖案之含金屬抗蝕膜RF的基板W；(b)步驟(ST2)，其係於含金屬抗蝕膜RF之表面形成含金屬膜MF；及(c)步驟(ST3)，其係對含金屬膜MF之至少一部分進行蝕刻。於該情形時，含金屬抗蝕膜RF之表面之凹部H1由含金屬膜MF填埋，其後，對多餘之含金屬膜MF進行蝕刻。藉此，能夠使形成於基板W上之含金屬抗蝕膜RF之表面平坦化，從而能夠改善含金屬抗蝕膜RF之表面粗糙度。
於一實施方式中，如圖12所示，本處理方法可進而包含對基底膜UF進行蝕刻之步驟ST5。於一實施方式中，步驟ST5係於步驟S2、步驟S3、ST4之後進行。圖13係表示於步驟ST5中對基底膜UF進行蝕刻後之基板W之剖面結構之一例的圖。
於一實施方式中，於步驟ST5中，將含金屬抗蝕膜RF作為遮罩而對基底膜UF進行蝕刻。於步驟ST5中，對基底膜UF中未被含金屬抗蝕膜RF覆蓋之部分(露出於含金屬抗蝕膜RF之開口(凹部)OP中之部分)於深度方向上進行蝕刻。步驟ST5可在與步驟ST2及步驟ST3相同之電漿處理裝置1之腔室10內進行。再者，步驟ST5亦可在與步驟ST2及步驟ST3不同之電漿處理裝置1之腔室10內進行。
於步驟ST5中，首先，自電漿處理裝置1中之簇射頭13向腔室10內供給處理氣體。處理氣體包含產生對基底膜UF進行蝕刻所需之活性種之氣體。
繼而，將1個或複數個RF信號自RF電源31供給至上部電極及/或下部電極。藉此，由處理氣體於電漿處理空間10s內產生電漿。又，可將偏壓信號供給至基板支持部11之下部電極。藉由將偏壓RF信號供給至下部電極，而於基板W產生偏壓電位，從而能夠將所形成之電漿中之離子成分饋入至基板W。藉此，可促進基底膜UF之蝕刻。再者，對基底膜UF進行蝕刻之方法並無特別限定。
再者，本處理方法除了可利用如圖2所示之單片式電漿處理裝置執行以外，亦可利用半分批式電漿處理裝置執行。半分批式電漿處理裝置例如構成為包含：腔室，其包含相對於中心軸沿圓周方向排列之複數個區域；及基板支持部，其構成為能夠支持複數個基板W；藉由基板支持部旋轉而基板W依次通過複數個區域。
圖14係用於說明半分批式之電漿處理裝置1a之構成例之側視圖。圖15係用於說明半分批式之電漿處理裝置1a之內部構成之一例之俯視圖。於圖14及圖15中，將氣體導入部等之一部分構成省略而表示。如圖14及圖15所示，半分批式之電漿處理裝置1a可構成為包含：腔室10a，其包含4個區域R1～R4；及基板支持部11a，其構成為能夠支持4片基板W1～W4。區域R1～R4可構成為使得供給至各區域之處理氣體及自各區域排出之氣體不混入。於電漿處理裝置1a中，基板支持部11a可構成為支持4片基板W1～W4，藉由以中心軸X為中心進行旋轉，而能夠依次通過第1區域R1至第4區域R4。又，電漿處理裝置1a可構成為於第1區域R1中執行步驟ST21及步驟ST22，於第2區域R2中執行步驟ST23及步驟ST24，於第3區域R3中執行步驟ST31及步驟ST32，於第4區域R4中執行步驟ST33及步驟ST34。於電漿處理裝置1a中，只要供執行步驟ST23之第2區域R2及供執行步驟ST33之第4區域R4具備電漿產生部，則第1區域R1及第3區域R3並非必須具備電漿產生部。根據此種半分批式之電漿處理裝置1a，可縮短各步驟間之時間，從而能夠大幅度改善對基板W之處理之產出量。
本發明之實施方式進而包含以下之態樣。
(附註1) 一種基板處理方法，其包含以下步驟：(a)提供包含基底膜、與位於上述基底膜上且形成有圖案之含金屬抗蝕膜的基板； (b)於上述含金屬抗蝕膜之表面形成含金屬膜；及 (c)將上述含金屬膜之殘渣與上述含金屬膜之至少一部分一起去除。
(附註2) 如附註1之基板處理方法，其中上述含金屬抗蝕膜包含選自由Sn、Hf及Ti所組成之群中之至少1種金屬。
(附註3) 如附註1之基板處理方法，其中上述含金屬抗蝕膜包含Sn。
(附註4) 如附註1至3中任一項之基板處理方法，其中上述含金屬抗蝕膜係使用EUV微影而形成。
(附註5) 如附註1至4中任一項之基板處理方法，其中上述(b)步驟係藉由ALD而形成上述含金屬膜。
(附註6) 如附註1至4中任一項之基板處理方法，其中上述(b)步驟包含以下步驟： (b1)向上述含金屬抗蝕膜之表面供給包含含金屬前驅物之第1氣體而形成含金屬前驅物膜；及 (b2)使包含氧化性氣體之第2氣體與上述含金屬前驅物膜發生反應而自上述含金屬前驅物膜形成上述含金屬膜。
(附註7) 如附註6之基板處理方法，其中上述(b2)步驟係自上述第2氣體產生電漿。
(附註8) 如附註6或7之基板處理方法，其中重複上述(b1)步驟及上述(b2)步驟。
(附註9) 如附註6至8中任一項之基板處理方法，其中於上述(b)步驟中， 上述(b1)步驟係於在上述含金屬抗蝕膜之整個表面形成上述含金屬前驅物膜之前結束，及/或 上述(b2)步驟係於上述第2氣體與上述含金屬前驅物膜之反應完成之前結束。
(附註10) 如附註6至9中任一項之基板處理方法，其中上述含金屬前驅物膜包含金屬錯合物。
(附註11) 如附註6至10中任一項之基板處理方法，其中上述含金屬前驅物包含與上述含金屬抗蝕膜所含之金屬相同種類之金屬。
(附註12) 如附註6至11中任一項之基板處理方法，其中上述氧化性氣體包含選自由氧氣、臭氧、水、過氧化氫及四氧化二氮所組成之群中之至少1種。
(附註13) 如附註1至4中任一項之基板處理方法，其中上述(b)步驟係藉由CVD而形成上述含金屬膜。
(附註14) 如附註1至4中任一項之基板處理方法，其中上述(b)步驟係藉由含金屬氣體與氧化性氣體之混合氣體而形成上述含金屬膜。
(附註15) 如附註14之基板處理方法，其中上述(b)步驟係自上述混合氣體產生電漿而形成上述含金屬膜。
(附註16) 如附註1至15中任一項之基板處理方法，其中上述(c)步驟係藉由ALE而去除上述含金屬膜。
(附註17) 如附註1至15中任一項之基板處理方法，其中上述(c)步驟包含以下步驟： (c1)使用包含鹵素氣體之第3氣體，對上述含金屬膜進行改質；及 (c2)使用包含去除前驅物之第4氣體，將上述已改質之上述含金屬膜去除。
(附註18) 如附註17之基板處理方法，其中重複上述(c1)步驟及上述(c2)步驟。
(附註19) 如附註17或18之基板處理方法，其中上述鹵素氣體包含含氟氣體或含氯氣體。
(附註20) 如附註17至19中任一項之基板處理方法，其中上述去除前驅物包含選自由β-二酮及氯化合物所組成之群中之至少1種。
(附註21) 如附註1至20中任一項之基板處理方法，其中重複上述(b)步驟及上述(c)步驟。
(附註22) 如附註1至21之基板處理方法，其中上述(b)步驟與上述(c)步驟係於同一腔室內執行。
(附註23) 如附註1至22中任一項之基板處理方法，其進而包含(d)對上述基底膜進行蝕刻之步驟。
(附註24) 如附註23之基板處理方法，其中上述(b)步驟、上述(c)步驟及上述(d)步驟係於同一腔室內執行。
(附註25) 如附註23或24之基板處理方法，其中上述基底膜包含選自由含矽膜、含碳膜及含金屬膜所組成之群中之至少1種。
(附註26) 一種基板處理系統，其具備具有腔室之基板處理裝置及控制部， 上述控制部執行以下控制： (a)準備包含基底膜、與位於上述基底膜上且形成有圖案之含金屬抗蝕膜的基板； (b)於上述含金屬抗蝕膜之表面形成含金屬膜；及 (c)將上述含金屬膜之殘渣與上述含金屬膜之至少一部分一起去除。
以上之各實施方式係出於說明之目的而記載，並不意圖限定本發明之範圍。各實施方式可於不脫離本發明之範圍及主旨之情況下進行各種變化。例如，可將某實施方式中之一部分構成要素追加至其他實施方式。又，可將某實施方式中之一部分構成要素替換成其他實施方式中對應之構成要素。
1:電漿處理裝置 1a:電漿處理裝置 2:控制部 2a:電腦 2a1:處理部 2a2:記憶部 2a3:通訊介面 10:電漿處理腔室 10a:側壁 10e:氣體排出口 10s:電漿處理空間 11:基板支持部 11a:基板支持部 12:電漿產生部 13:簇射頭 13a:氣體供給口 13b:氣體擴散室 13c:氣體導入口 20:氣體供給部 21:氣體源 22:流量控制器 30:電源 31:RF電源 31a:第1 RF產生部 31b:第2 RF產生部 32:DC電源 32a:第1 DC產生部 32b:第2 DC產生部 40:排氣系統 111:本體部 111a:中央區域 111b:環狀區域 112:環組件 1110:基台 1110a:流路 1111:靜電吸盤 1111a:陶瓷構件 1111b:靜電電極 G1:第1氣體 G2:第2氣體 G3:第3氣體 G4:第4氣體 H1:凹部 MF:含金屬膜 OP:開口 PF:含金屬前驅物膜 RF:含金屬抗蝕膜 R1～R4:區域 ST1:步驟 ST2:步驟 ST3:步驟 ST4:步驟 ST5:步驟 ST21:步驟 ST22:步驟 ST23:步驟 ST24:步驟 ST25:步驟 ST31:步驟 ST32:步驟 ST33:步驟 ST34:步驟 ST35:步驟 UF:基底膜 W:基板 W1～W4:基板 X:中心軸
圖1係用於說明熱處理系統之構成例之圖。 圖2係用於說明電容耦合型電漿處理裝置之構成例之圖。 圖3係表示一個例示性實施方式之基板處理方法之一例的流程圖。 圖4係表示步驟ST1中提供之基板之剖面結構之一例的圖。 圖5(a)～(c)係模式性地表示各步驟ST1、ST2、ST3中之含金屬抗蝕膜之X-X剖面之一例的說明圖。 圖6係表示步驟ST2中形成有含金屬膜之基板之剖面結構之一例的圖。 圖7係表示使用ALD法之步驟ST2之一例之流程圖。 圖8係模式性地表示在步驟ST21～步驟ST24中於基板之表面產生之現象之一例的說明圖。 圖9係表示於步驟ST3中對含金屬膜進行蝕刻後之基板之剖面結構之一例的圖。 圖10係表示使用ALE法之步驟ST3之一例之流程圖。 圖11係模式性地表示在步驟ST31～步驟ST34中於基板之表面產生之現象之一例的說明圖。 圖12係表示包含步驟ST5時之基板處理方法之一例之流程圖。 圖13係表示於步驟ST5中對基底膜進行蝕刻後之基板之剖面結構之一例的圖。 圖14係用於說明半分批式電漿處理裝置之構成例之側視圖。 圖15係用於說明半分批式電漿處理裝置之內部構成之一例之俯視圖。
ST1:步驟
ST2:步驟
ST3:步驟
ST4:步驟

Claims (26)

  1. 一種基板處理方法，其包含以下步驟： (a)提供包含基底膜、與位於上述基底膜上且形成有圖案之含金屬抗蝕膜的基板； (b)於上述含金屬抗蝕膜之表面形成含金屬膜；及 (c)將上述含金屬膜之殘渣與上述含金屬膜之至少一部分一起去除。
  2. 如請求項1之基板處理方法，其中上述含金屬抗蝕膜包含選自由Sn、Hf及Ti所組成之群中之至少1種金屬。
  3. 如請求項1之基板處理方法，其中上述含金屬抗蝕膜包含Sn。
  4. 如請求項1之基板處理方法，其中上述含金屬抗蝕膜係使用EUV微影而形成。
  5. 如請求項1之基板處理方法，其中上述(b)步驟係藉由ALD而形成上述含金屬膜。
  6. 如請求項1之基板處理方法，其中上述(b)步驟包含以下步驟： (b1)向上述含金屬抗蝕膜之表面供給包含含金屬前驅物之第1氣體而形成含金屬前驅物膜；及 (b2)使包含氧化性氣體之第2氣體與上述含金屬前驅物膜發生反應而自上述含金屬前驅物膜形成上述含金屬膜。
  7. 如請求項6之基板處理方法，其中上述(b2)步驟係自上述第2氣體產生電漿。
  8. 如請求項6之基板處理方法，其中重複上述(b1)步驟及上述(b2)步驟。
  9. 如請求項6之基板處理方法，其中於上述(b)步驟中， 上述(b1)步驟係於在上述含金屬抗蝕膜之整個表面形成上述含金屬前驅物膜之前結束，及/或 上述(b2)步驟係於上述第2氣體與上述含金屬前驅物膜之反應完成之前結束。
  10. 如請求項6之基板處理方法，其中上述含金屬前驅物膜包含金屬錯合物。
  11. 如請求項6之基板處理方法，其中上述含金屬前驅物包含與上述含金屬抗蝕膜所含之金屬相同種類之金屬。
  12. 如請求項6之基板處理方法，其中上述氧化性氣體包含選自由氧氣、臭氧、水、過氧化氫及四氧化二氮所組成之群中之至少1種。
  13. 如請求項1之基板處理方法，其中上述(b)步驟係藉由CVD而形成上述含金屬膜。
  14. 如請求項1之基板處理方法，其中上述(b)步驟係藉由含金屬氣體與氧化性氣體之混合氣體而形成上述含金屬膜。
  15. 如請求項14之基板處理方法，其中上述(b)步驟係自上述混合氣體產生電漿而形成上述含金屬膜。
  16. 如請求項1之基板處理方法，其中上述(c)步驟係藉由ALE而去除上述含金屬膜。
  17. 如請求項1之基板處理方法，其中上述(c)步驟包含以下步驟： (c1)使用包含鹵素氣體之第3氣體，對上述含金屬膜進行改質；及 (c2)使用包含去除前驅物之第4氣體，將上述已改質之上述含金屬膜去除。
  18. 如請求項17之基板處理方法，其中重複上述(c1)步驟及上述(c2)步驟。
  19. 如請求項17之基板處理方法，其中上述鹵素氣體包含含氟氣體或含氯氣體。
  20. 如請求項17之基板處理方法，其中上述去除前驅物包含選自由β-二酮及氯化合物所組成之群中之至少1種。
  21. 如請求項1之基板處理方法，其中重複上述(b)步驟及上述(c)步驟。
  22. 如請求項21之基板處理方法，其中上述(b)步驟與上述(c)步驟係於同一腔室內執行。
  23. 如請求項1之基板處理方法，其進而包含(d)對上述基底膜進行蝕刻之步驟。
  24. 如請求項23之基板處理方法，其中上述(b)步驟、上述(c)步驟及上述(d)步驟係於同一腔室內執行。
  25. 如請求項23之基板處理方法，其中上述基底膜包含選自由含矽膜、含碳膜及含金屬膜所組成之群中之至少1種。
  26. 一種基板處理系統，其具備具有腔室之基板處理裝置及控制部， 上述控制部執行以下控制： (a)準備包含基底膜、與位於上述基底膜上且形成有圖案之含金屬抗蝕膜的基板； (b)於上述含金屬抗蝕膜之表面形成含金屬膜；及 (c)將上述含金屬膜之殘渣與上述含金屬膜之至少一部分一起去除。
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