JPS59136739A - 非晶質シリコン電子写真感光体の再生方法 - Google Patents

非晶質シリコン電子写真感光体の再生方法

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JPS59136739A
JPS59136739A JP1114083A JP1114083A JPS59136739A JP S59136739 A JPS59136739 A JP S59136739A JP 1114083 A JP1114083 A JP 1114083A JP 1114083 A JP1114083 A JP 1114083A JP S59136739 A JPS59136739 A JP S59136739A
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JP
Japan
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photoreceptor
vessel
etching
stopped
image
Prior art date
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Pending
Application number
JP1114083A
Other languages
English (en)
Inventor
Toyoki Kazama
風間 豊喜
Hideo Takiguchi
滝口 英雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS59136739A publication Critical patent/JPS59136739A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、非晶質シリコン感光ノーを設けた電子写真
感光体の表面欠陥を有するものの再生方法に関する。
従来の感光体材料としては、5e−Te + As−8
e 。
ZnO,+ CdS 、 opc (有機感光体)等が
知られているが、かかる感光体材料には、夫々長所、短
所がある。例えばSe−Te系は感光体として優れた特
性を有しているが、耐熱性に難点がある。AB−8e系
は耐熱性に優れているが、光疲労が大きい。ZnO。
CdS系は分散系であるためK、湿度等の耐環境性に欠
ける。opaは耐刷性に劣る。このような各種感光体材
料の欠点を捕う材料として非晶質ンリコン感光体が関心
を集めている。
たしかに非晶質シリコン(以)−a −8i )感光体
は耐刷性、耐熱性9分光感度等の点て優れた可能性をも
っているが、現状ではコストが尚いっコストの高い要因
のひとつは原料ガス(例えば1slH’+sIF< )
の価格である。例えばSiH4ガスは代表的感光体材料
であるSeの数士倍程度の価格がする。
コストを低減する一手段としては、便用済みの感光体か
ら感光体材料を再生することがあげられる。
従来の感光体は有毒であるという点だけでなく、コスト
的面からも、原材料の回収を試みてきている。例えば5
e−TO等ではガラス転移点(約50℃)以上に昇温し
て、アルミニューム基体から・・クリを促進してSθ−
Te原材料を回収することは容易に実行しうる。しかし
このような熱的原料回収方法は、a−6i感九体にとっ
ては全く無意味である。
何故なら熱的に回収したa−8iは、不純物を含んだ固
体であって、再利用するためには何等か塾の高コストで
ある高純度化過程をへる必要があるためである。
それ故、コストを低減する別の方法として使用不能であ
る感光体を再生して使用できるようにすることが考えな
ければならない。電子写真感光体は複写機あるいはプリ
ンタに取シ付は使用している間に表面に傷あるいは汚れ
などの欠陥が生じて画像分解能が低下し、使用不能にな
ることが多い。
また、製造工程中の取り扱いによシそのような表面欠陥
が生じて不良となることもある。従来はそのような感光
体は廃品として廃棄していた。しかしそのような感光体
を再生し、再使用することができればa−8i熱感光の
コスト低減に極めて有効である。
従って本発明は表面欠陥を有する感光体を再生し、良好
な画像分解能を示す感光体として使用可能にする再生方
法を提供することを目的とする。
この目的は表面欠陥を有するa −8i熱感光の表面層
をエツチングして表面欠陥を除去し感光体として使用可
能にすることによって達成される。
以下図と実験例を引用して本発明について説明する。第
1図において、真空槽lの内部に感光ドラム2がドラム
支持台3に支詩されており、ドラム支持台3と共に回転
駆動用モータ4によって回転する。感光ドラム2の表面
に刻向する放電電極5は放篭成源6に接続されている。
感光ドラム2は必要に応じヒータ7によって昇温できる
。真空槽lはポンプ8によって排気される。真空槽1に
はガス導管を介してモノシラン(5IH4)ボンベ9、
ジボラン(B2H6)などのドーピングガスポンベlO
1四弗化炭素(c工ra )ボンベ11が接続されてい
る。
実験列 1) 第1図に示す装置において反応ガスとして8iH41B
2H6および水素を用いて感光ドラム2の上に厚さ約1
8μmのa−9i膜を形成した。この感光体を複写機に
設置し、画像出しを行なったところ解像度の高い良質の
画像をえた。
次にこの感光体の表面をす2000のエミリーで軽く研
磨して表面に傷をつけた。再びこれを複写機に設置し、
画像出しを行なったところ画像に研磨跡が表れた。そこ
でこの感光体を第1図の真空槽1に設置し、ガスエツチ
ングを行なった。まず、ポンプ8によって真空槽1を排
気し、次にヒータ7によって感光ドラム2を100℃ま
で昇温する。
次いてボンベ11のOF4ガスを真空槽1の中に導入゛
 する。ガス圧が約ITo’rr  で安定したら、感
光ドラム2を放電電極5の間に放電電源6から高周波′
亀力約100Wを供給し、プラズマエツチングを開始す
る。その際エツチングの均一性を確保するために、感光
ドラム2はモータ4により10r 、 p、Mで回転し
た。約1時間ガスエツチングを行なった後、放電を停止
し、cyaの′供給を止めて排気した。ヒータ7および
排気ポンプ8を止め、真空槽1の真空を破って感光体2
を大気中にと9出した。
感光体の膜厚は大体1μm程度減っていた。これを複写
機に設置して画出しを行なったところ、以前の研磨跡は
ほとんど確認できないほど良質の画像に回復した。
実施例 実験例1)と同様の条件でa −8i熱感光を形成した
。複写機に設置して画像出しを行なったところ、やけシ
高分解能の良質の画像をえた。次にこれを食塩を加えた
沸騰水で煮沸した。水を拭きとり乾燥窒素で乾燥した後
、複写機に設置して画像出しを行なったところ像の分解
能が低下した。この感光体を再び実施例1)と同じ条件
セ四弗化炭素を用いてガスエツチングを加えた後、画像
出しを行なったところ、良質の画像に回復した。
実施例 実験例2)と同様にa −8i熱感光を塩水中で煮沸し
たとζろ画像分解能が低下した。これを水:弗酸=10
:1の液に浸して表面層をエツチングした。この際基体
のアルミのエツチングを避けるためにアルミ面には樹脂
のカバーを設け、弗酸液を感光体表面にのみ当るように
してエツチングを行なった。次にこれを室温乾燥窒素中
で乾燥の後、乾燥空気中150℃で完全に乾燥した。感
光体が冷却した後に複写機に設置し、画像出しを行なっ
た所、分解能に回復が認められた。
以上の実験例から明らかなように本発明によれば、使用
中あるいは製造工程中に傷あるいは汚染されたa−8i
悪感光に対して、その表面層をエツチングすることによ
って安価に再生することができる。エツチング用のガス
はOF4の他に六弗化硫黄(5F6)四弗化珪素(SI
F4)、塩化水素(Hcl) 。
六弗化エタン(Q2F6)、パーフロロプロパン(Q5
Fe) 。
三弗化塩化メタン(C!0IF5 ) 、三弗化メタン
((J(FJ )等を使用できる。a−8i悪感光とし
ては、H,Fを含む他に炭素、窒素、ゲルマ二本ラム錫
を副成分として含有していても本発明は有効である。a
−8i層の不純物は、はう素のみではなく、Al + 
Ga lIn +Tl、、P +As 、 512Bi
  、 Zn、C!d 、 Hg 。
Cu + Ag + Au + Pt + Pa lF
e + Co + Ni等が含有されていても本発明は
有効である。
又感光体表面が5i021 Si3N4 、 Al2O
3、BN等の絶縁体でおおわれていたとしても、エツチ
ング後再びそれら絶縁体で被覆すればよい。エツチング
する膜厚は傷、汚染の程度に応じて適宜選定される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のだめの装置要部の断面図で
ある。 1・・真空槽、2 感光ドラム、3・・・ドラム支持台
、4 回転駆動用モータ、5・・放電電極、6・・・放
電電源、8 ・排気ポンプ、11・・・四弗化炭素ボン
ベ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)表面欠陥を有する感光体の表面層をエツチングして
    表面欠陥を除去し感光体として使用可能にすることを特
    徴とする非晶質シリコン電子写真感光体の再生方法。 2、特許請求の範囲第1項記載の方法において、エツチ
    ングを四弗化炭素を用いたプラズマエツチングによp行
    うことを特徴とする非晶質7リコン電子写真感光体の再
    生方法。 3)特許請求の範囲第1項記載の方法において、エツチ
    ングを弗酸を用いて行うことを特徴とする非晶質シリコ
    ン電子写真感光体の再生方法。
JP1114083A 1983-01-25 1983-01-25 非晶質シリコン電子写真感光体の再生方法 Pending JPS59136739A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6126051A (ja) * 1984-07-17 1986-02-05 Stanley Electric Co Ltd アモルフアスシリコン電子写真用感光体の製造方法
JPH0234862A (ja) * 1988-04-25 1990-02-05 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用感光体の再生方法
JPH05341547A (ja) * 1989-12-26 1993-12-24 Xerox Corp 非晶質ケイ素像形成部材の再生方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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