JPS5987462A - 非晶質感光ドラムの製造方法 - Google Patents
非晶質感光ドラムの製造方法Info
- Publication number
- JPS5987462A JPS5987462A JP19795982A JP19795982A JPS5987462A JP S5987462 A JPS5987462 A JP S5987462A JP 19795982 A JP19795982 A JP 19795982A JP 19795982 A JP19795982 A JP 19795982A JP S5987462 A JPS5987462 A JP S5987462A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- amorphous
- sample
- monosilane
- drum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非晶質感光ドラムの製造方法に関する本発明の
目的は感光特性が優れ、膜質の均一な非晶５ｔ Ｋ’を
光ドラムを得ることである。
目的は感光特性が優れ、膜質の均一な非晶５ｔ Ｋ’を
光ドラムを得ることである。
モノシラン（８１Ｈ４）、あるいは四フッ化硅素（Ｓｉ
Ｆ、）をプラズマ分解して得られるアモルファスシリコ
ンを初めとする非晶質半導体は。
Ｆ、）をプラズマ分解して得られるアモルファスシリコ
ンを初めとする非晶質半導体は。
光伝導度が高い、月料費が安価、基板の自由度が大、等
の理由たら低価格太陽電池、電子写真感光体、萄膜トラ
ンジスタ、撮像デバイス等の有望材料として注目を集め
ている。
の理由たら低価格太陽電池、電子写真感光体、萄膜トラ
ンジスタ、撮像デバイス等の有望材料として注目を集め
ている。
特に電子写真感光体としては従来使用されているアモル
ファスセレゾに比べ、感光特性が向上する他、耐熱性及
び耐摩耗性が飛躍的に向上することから、複写機本体の
小型化、メンテナンスフリー化に大きく貢献するものと
期待されている。
ファスセレゾに比べ、感光特性が向上する他、耐熱性及
び耐摩耗性が飛躍的に向上することから、複写機本体の
小型化、メンテナンスフリー化に大きく貢献するものと
期待されている。
その主たる製造方法は真空槽内に所定のガスを導入して
所定の内圧とし、該真空槽内におけるグロー放電により
膜形成を行なうプラズマＯＶＤ法である。
所定の内圧とし、該真空槽内におけるグロー放電により
膜形成を行なうプラズマＯＶＤ法である。
第１図にプラズマＯＶＤ装置の概要を示す。図において
１．２．５は各々モノシラン、ホスフィン、ジボランで
あり、各ガスとも水素ガスで希釈している。４，５．６
はマス７０−コントローラでガス流量の精密制御を行な
う。７は真空槽、８はシャワーで高周波の一方の電極を
兼用している。９はす七ブタ、１０は基板加熱ヒータ、
１１は高周波電源（通常１３．５／ＩＭＨｚ）、１２は
試料基板である。１３は排気口で真空ポンプ系に接続さ
れている。排気口１５により真空排気を行ないながらマ
スフローコントローラ４によりモノシランガスを導入し
所定の内圧（０，１〜５Ｔｏｒｒ）とした後、高周波電
源１１により電力を供給すると、電極８とサセプタ９と
の間でグロー放電を起こしプラズマを発生する。このグ
ロー放電によりモノシランが分解され、試料基板１２の
表面に非晶質シリコン膜が形成される。
１．２．５は各々モノシラン、ホスフィン、ジボランで
あり、各ガスとも水素ガスで希釈している。４，５．６
はマス７０−コントローラでガス流量の精密制御を行な
う。７は真空槽、８はシャワーで高周波の一方の電極を
兼用している。９はす七ブタ、１０は基板加熱ヒータ、
１１は高周波電源（通常１３．５／ＩＭＨｚ）、１２は
試料基板である。１３は排気口で真空ポンプ系に接続さ
れている。排気口１５により真空排気を行ないながらマ
スフローコントローラ４によりモノシランガスを導入し
所定の内圧（０，１〜５Ｔｏｒｒ）とした後、高周波電
源１１により電力を供給すると、電極８とサセプタ９と
の間でグロー放電を起こしプラズマを発生する。このグ
ロー放電によりモノシランが分解され、試料基板１２の
表面に非晶質シリコン膜が形成される。
試料基板としてはガラス、金属（ステンレス。
モリブデン、アルミニウム等）、高分子フィルム等が使
用される。
用される。
該非晶質シリコン膜に不純物ドープを行なう場合、モノ
シランガスと同時にマス７０−コントローラ５又は６に
よりホスフィン又はジボランを流す。前者の場合Ｎ形弁
晶質シリコン膜が形成され、後者の場合Ｐ形弁晶質シリ
コン膜が形成される。なおホスフィンの代わりにアルシ
ン（ＡｓＨ３）を用いても同様である。
シランガスと同時にマス７０−コントローラ５又は６に
よりホスフィン又はジボランを流す。前者の場合Ｎ形弁
晶質シリコン膜が形成され、後者の場合Ｐ形弁晶質シリ
コン膜が形成される。なおホスフィンの代わりにアルシ
ン（ＡｓＨ３）を用いても同様である。
感光ドラムとしては通常アルミニウムが使用されるため
実験用試料基板としてアルミニウム板を使用し、膜描造
（単層構造、二層構造・・・・・・）に応じて所要の原
料ガスを使用する。
実験用試料基板としてアルミニウム板を使用し、膜描造
（単層構造、二層構造・・・・・・）に応じて所要の原
料ガスを使用する。
従来該アルミニウム試料基板は大型の板材を研摩加工し
表面仕上げ後切断してサンプルとし、一方アルミニウム
ドラムはパイプ材を切断後、ダイヤモンドバイトによる
切削加工、あるいは研摩加工により表面仕上げを行なっ
ている。
表面仕上げ後切断してサンプルとし、一方アルミニウム
ドラムはパイプ材を切断後、ダイヤモンドバイトによる
切削加工、あるいは研摩加工により表面仕上げを行なっ
ている。
この場合研摩加工では素材中に研摩剤の砥粒が入り込み
、切削加工では切削油が素材の表面に焼き付いてしまう
。この為試料を有機溶剤等で洗浄を行なっても表面に変
質層を有しており、感光特性の低下、膜質の不均一化を
きたしていた。
、切削加工では切削油が素材の表面に焼き付いてしまう
。この為試料を有機溶剤等で洗浄を行なっても表面に変
質層を有しており、感光特性の低下、膜質の不均一化を
きたしていた。
本発明はかかる欠点を除去するもので、試料の仕上げ方
法を改善することにより表面の変質層を除去し清浄な面
上に非晶質感光体層を形成することが可能となり、感光
特性及び用木質の均一性が大ｒｌに向上した。
法を改善することにより表面の変質層を除去し清浄な面
上に非晶質感光体層を形成することが可能となり、感光
特性及び用木質の均一性が大ｒｌに向上した。
以下実施例に基づき本発明について具体的に説明する。
実施例１
アルミニウム試料板として純度９９７％（１０７０）、
９９％（１２００）、９８％（６０６１）、９５％（５
０５６）の４種グコ１を用意し、これらをまず研摩加工
により表面粗さ１０ミクロン以下にする。
９９％（１２００）、９８％（６０６１）、９５％（５
０５６）の４種グコ１を用意し、これらをまず研摩加工
により表面粗さ１０ミクロン以下にする。
次いで６５％リン酸水溶液を電解液として使用し、浴温
度７０℃、電流密度３０Ａ／Ｊ、電解時間７１５分の条
件で浴を振動させなから４１１（動電解研摩を行なう。
度７０℃、電流密度３０Ａ／Ｊ、電解時間７１５分の条
件で浴を振動させなから４１１（動電解研摩を行なう。
次いで沸騰水中に２０分間浸θ“（し封孔処理を行なう
。
。
前記電解研摩まで行なった試料を比較例とし、封孔処理
まで行なった試料とを用いて同時にプラズマＣｖＤＫよ
り膜形成を行なう。
まで行なった試料とを用いて同時にプラズマＣｖＤＫよ
り膜形成を行なう。
この時の表面電位とアルミニウムの純度の関係を第２図
に示す。
に示す。
ここで２１は本発明による試料、２２は比較例を示す。
図から明らかな如く本発明による製造方法にて作製され
た試料は表面電位が大きく、しかも試料内の特性のバラ
ツキが小さい。
た試料は表面電位が大きく、しかも試料内の特性のバラ
ツキが小さい。
なおアルミニウム板は高純度の試料の方が特性が優れる
傾向を有する。
傾向を有する。
実施例２
実施例１と同様に４種類のアルミニウム板を準備し、研
摩加工により表面粗さ１０ミクロン以下にする。
摩加工により表面粗さ１０ミクロン以下にする。
次いで１５％炭酸ナトリウム＋５％リン酸ナトリウム水
溶液を使用し、温湿度７５℃、電流密度３、５ Ａ ／
ｄΔ−」時間６分の条件で浴を振動させながら振動電
解研摩を行なう。
溶液を使用し、温湿度７５℃、電流密度３、５ Ａ ／
ｄΔ−」時間６分の条件で浴を振動させながら振動電
解研摩を行なう。
次いで３気圧水蒸気中で２０分開封孔処理を行なう。
前記ｍＷｒ、研摩加工までの試料を比較例とし、封孔処
理までの試料と同時にプラズマＯＶＤにより膜形成を行
なう。
理までの試料と同時にプラズマＯＶＤにより膜形成を行
なう。
この時の表面電位とアルミニウムの純度の関係を第３図
に示す。
に示す。
ここで３１は本発明による試料、３２は比較例を示す。
図から明らかな如く本発明による試料は比較例に比べて
表面電位が大きく、しかも試料内のバラツキが小さい。
表面電位が大きく、しかも試料内のバラツキが小さい。
なおアルミニウム板は高純度の試料の方が特性が優れる
傾向を有する。
傾向を有する。
実施例３
純度９９．７％のアルミニウムドラムを用意し、研摩加
工により表面粗さ１０ミクロン以下に加工した後、実施
例１と同様の条件で電解研摩及び封孔処理を行なう。一
方電解研摩加工までの試料を比較例として準備する。
工により表面粗さ１０ミクロン以下に加工した後、実施
例１と同様の条件で電解研摩及び封孔処理を行なう。一
方電解研摩加工までの試料を比較例として準備する。
両者をトリクレン、アセトン、エチルアルコールで順次
超音波洗浄を行なった後純水洗浄を行ない乾燥後プラズ
マＯＶＤ装置Ｉ尺にてＪ膜形成を行なヒ）た。
超音波洗浄を行なった後純水洗浄を行ない乾燥後プラズ
マＯＶＤ装置Ｉ尺にてＪ膜形成を行なヒ）た。
この時のアルミニウムドラムは直径８０胴、長さ６００
爺であり、長さ方向の位置による表面電位の変化を桁４
図に示す。
爺であり、長さ方向の位置による表面電位の変化を桁４
図に示す。
ここで４１は本発明による試料、４２は比較例を示す。
図から明らかな如く本発明の試料は比較例に比べ表面電
位が大きく、しかもバラツキが小さい。
位が大きく、しかもバラツキが小さい。
更に従来作製されていた試料は膜の密着性に難点があり
、膜のハガレ、ピンホールがしばしば見られたが本発明
の試料では殆んど皆無である。
、膜のハガレ、ピンホールがしばしば見られたが本発明
の試料では殆んど皆無である。
次に本実施例で得られた感光ドラムを複写機に組み込み
テストパターンのコピーを行なったところ、比較例では
色ムラ、白ヌケ等が発生し、階調も８段階前後の識別が
できる程度であったのに対し、本発明のドラムでは極め
て鮮明なコピーが得られ、階調も１２段階の減刑が可能
であった。
テストパターンのコピーを行なったところ、比較例では
色ムラ、白ヌケ等が発生し、階調も８段階前後の識別が
できる程度であったのに対し、本発明のドラムでは極め
て鮮明なコピーが得られ、階調も１２段階の減刑が可能
であった。
以上詳述した如く本発明によれば、極めて膜質が優れ、
しかも均質な非晶質感光ドラムが得られ複写機又はプリ
ンター用感光ドラムとして広汎な用途を有する。
しかも均質な非晶質感光ドラムが得られ複写機又はプリ
ンター用感光ドラムとして広汎な用途を有する。
第１図はプラズマＯＶＤ装置の概要を示す。
第２図は実施例１に基づき本発明と従来法における試料
の表面電位とアルミニウム純度の関係を示す。 第３図は実施例２に基づき本発明と従来法における試料
の表面電位とアルミニウム純度の関係を示す。 第４図は実施例３に基づき本発明と従来法におけるアル
ミニウムドラムの位置と表面電位の関係を示す。 以 上 出願人 株式会社隙訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 −剃′ 第１図 ｑｓ ｑｇ ｑｑ デ９７．１ｌｌ（！
＜７ζ） 、Ｊｊ、 ２区 ｑｓ ９θ ９９９ｑγ ＡｅＣ’ｙ、ノ 第３図 Ｏｊ ｔρ ｔ５ ２σ λタ ３Ｑで （Ｃ光） 第４図
の表面電位とアルミニウム純度の関係を示す。 第３図は実施例２に基づき本発明と従来法における試料
の表面電位とアルミニウム純度の関係を示す。 第４図は実施例３に基づき本発明と従来法におけるアル
ミニウムドラムの位置と表面電位の関係を示す。 以 上 出願人 株式会社隙訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 −剃′ 第１図 ｑｓ ｑｇ ｑｑ デ９７．１ｌｌ（！
＜７ζ） 、Ｊｊ、 ２区 ｑｓ ９θ ９９９ｑγ ＡｅＣ’ｙ、ノ 第３図 Ｏｊ ｔρ ｔ５ ２σ λタ ３Ｑで （Ｃ光） 第４図
Claims (1)
- 真空排気系により減圧にし得る真空槽内に所定のガス（
モノシラン、ジボラン、メタン、アルゴン等）を導入し
て所定の内圧とし、該真空槽内における電極の放ｖｔ現
象により金属ドラム上に非晶質半導体膜を形成する感光
ドラムにおいて、該金属ドラム表面を１０ミクロン以下
の表面粗さに加工した後電解研−摩を行ない、更に封孔
処理を施した後前記非晶質半導体膜を形成することを特
徴とする非晶質感光ドラムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19795982A JPS5987462A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 非晶質感光ドラムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19795982A JPS5987462A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 非晶質感光ドラムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987462A true JPS5987462A (ja) | 1984-05-21 |
Family
ID=16383156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19795982A Pending JPS5987462A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 非晶質感光ドラムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987462A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01243066A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH0315855A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1982
- 1982-11-11 JP JP19795982A patent/JPS5987462A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01243066A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH0315855A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0717127B1 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| JP2000237704A (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置及び電子写真感光体及び電子写真感光体の製造方法 | |
| JPH07105354B2 (ja) | プラズマ・チャンバー内で、無定形水素化シリコンを基板へ付着させる方法 | |
| US5360484A (en) | Microwave plasma CVD apparatus provided with a microwave transmissive window made of specific ceramics for the formation of a functional deposited film | |
| JP3696983B2 (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 | |
| US6156472A (en) | Method of manufacturing electrophotographic photosensitive member | |
| JPS5987462A (ja) | 非晶質感光ドラムの製造方法 | |
| JPS5950446A (ja) | 非晶質感光ドラムの製造方法 | |
| JPH0124866B2 (ja) | ||
| US6406554B1 (en) | Method and apparatus for producing electrophotographic photosensitive member | |
| JP5178321B2 (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JP2956947B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JP2020050942A (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JPS62200361A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JPH0514904B2 (ja) | ||
| JP2776087B2 (ja) | 電子写真感光体製造装置 | |
| JP2008214659A (ja) | 堆積膜の形成方法 | |
| JPH1060656A (ja) | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 | |
| JPH07181700A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JPS5978357A (ja) | 非晶質感光ドラムの製造方法 | |
| JP2010175932A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JPH03148123A (ja) | 堆積膜の形成方法 | |
| JPH06273957A (ja) | 電子写真感光体及びその製造方法 | |
| JPS62291665A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
| JPH0827578A (ja) | プラズマ処理装置 |