JPS5978357A - 非晶質感光ドラムの製造方法 - Google Patents
非晶質感光ドラムの製造方法Info
- Publication number
- JPS5978357A JPS5978357A JP18960782A JP18960782A JPS5978357A JP S5978357 A JPS5978357 A JP S5978357A JP 18960782 A JP18960782 A JP 18960782A JP 18960782 A JP18960782 A JP 18960782A JP S5978357 A JPS5978357 A JP S5978357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drum
- film
- photosensitive
- hydrogen
- amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は非晶質感光ドラムの製造方法に関する。
本発明の目的は感光特性が優れ、密着性の良好な非晶質
感光ドラムを得ることである。
感光ドラムを得ることである。
モノシラン（ＳｊＨ４）、あるいは四フッ化硅素（ＳＺ
Ｆ＋）をプラズマ分解して得られるアモルファスシリコ
ンを初めとする非晶質半導体は、光伝導度が高い、材料
費が安価、基板の自由度が大、等の理由から低価格太陽
電池、電子写真感光体、薄膜トランジスタ、撮像デバイ
ス等の有望材料として注目を集めている。
Ｆ＋）をプラズマ分解して得られるアモルファスシリコ
ンを初めとする非晶質半導体は、光伝導度が高い、材料
費が安価、基板の自由度が大、等の理由から低価格太陽
電池、電子写真感光体、薄膜トランジスタ、撮像デバイ
ス等の有望材料として注目を集めている。
特に電子写真感光体としては従来使用されているアモル
ファスセレン比べ、感光特性が向上する（１ｔｌ、耐熱
性及び耐摩耗性が飛跡的に向上することから、複写機本
体の小型化、メンテナンスフリー化に大きく貢献するも
のと期待されている。
ファスセレン比べ、感光特性が向上する（１ｔｌ、耐熱
性及び耐摩耗性が飛跡的に向上することから、複写機本
体の小型化、メンテナンスフリー化に大きく貢献するも
のと期待されている。
ｆ Ｆ＋ ’ｉ ｆｔ″″″４′″＊ Ｌｄ ＊ ９４
％ ｒｊｑ ｖｃ Ｎ ｇ ｔｖ”″１導入して所定の
内圧とし、該真空槽内におけるグ １０−放電によ
り膜形成を行うプラズマＯＶＤ法で ：ある。
％ ｒｊｑ ｖｃ Ｎ ｇ ｔｖ”″１導入して所定の
内圧とし、該真空槽内におけるグ １０−放電によ
り膜形成を行うプラズマＯＶＤ法で ：ある。
第１図にプラズマＣＶＤ装置の概要を示す。図において
、１，２．３は各々モノシラン、ホスフィン、ジポラン
であり、各ガスとも水素ガスで希釈シている。４，５．
６はマスフローコントローラでガス流量のｌ’ｌｌｆ密
制御を行制御。７け真空槽、８けシャワーで高周波の一
方の電極を兼用している。９けサセプタ、１ｏは基板加
熱ヒータ、１１け高周波電源（通常１３．５６ＭＨｚ＞
、１２は試料基板である。１３け排気口で真をボング系
に接続されている。排気口１３１ｊより真空排気を行な
いながらマスフローコントローラ４によりモノシランガ
スを導入し所定の内圧（０，１〜５ Ｔｏｒｒ）とした
焦、高周波電源１１により電力を供給すると、電極８と
サセプタ９どの間でグロー放電を起こしプラズマを発生
する。このグロー放電によりモノシランが分解ばれ、試
料基板１２の表面に非晶質シリコ。ン膜が形成ジれる。
、１，２．３は各々モノシラン、ホスフィン、ジポラン
であり、各ガスとも水素ガスで希釈シている。４，５．
６はマスフローコントローラでガス流量のｌ’ｌｌｆ密
制御を行制御。７け真空槽、８けシャワーで高周波の一
方の電極を兼用している。９けサセプタ、１ｏは基板加
熱ヒータ、１１け高周波電源（通常１３．５６ＭＨｚ＞
、１２は試料基板である。１３け排気口で真をボング系
に接続されている。排気口１３１ｊより真空排気を行な
いながらマスフローコントローラ４によりモノシランガ
スを導入し所定の内圧（０，１〜５ Ｔｏｒｒ）とした
焦、高周波電源１１により電力を供給すると、電極８と
サセプタ９どの間でグロー放電を起こしプラズマを発生
する。このグロー放電によりモノシランが分解ばれ、試
料基板１２の表面に非晶質シリコ。ン膜が形成ジれる。
試料基板としてはガラス、金属（ステンレス。
モリブデン、アルミニウム等）、高分子フィルム等が使
用される。
用される。
該非晶質シリコン膜に不純物ドープを行う場合でノシラ
ンガスと同時［マスフローコントローラ５又は６により
ホスフィン′５？はジボランを流す。
ンガスと同時［マスフローコントローラ５又は６により
ホスフィン′５？はジボランを流す。
前者の場合Ｎ形弁晶質シリコン膜が形成され、後者の場
合Ｐ形弁晶質シリコン膜が形成される。なおホスフィン
の代わりＫ ７ ／ｌシン（八ｓ Ｈｓ ）を用いても
同様である。
合Ｐ形弁晶質シリコン膜が形成される。なおホスフィン
の代わりＫ ７ ／ｌシン（八ｓ Ｈｓ ）を用いても
同様である。
感光ドラムとしては通常アルミニウムが使用ばれるため
実験用試料基板としてアルミニウム板を使用し、膜構造
（岸Ｍ構造、二層構造・・・・・・）に応じて所定の原
料ガスを使用する。
実験用試料基板としてアルミニウム板を使用し、膜構造
（岸Ｍ構造、二層構造・・・・・・）に応じて所定の原
料ガスを使用する。
従来該アルミニウム試料基板は大型の板材を研磨加ニジ
表面什上げ後句１！ｉ してサンプルとし、一方アルミ
ニウムドラムはパイプ利を切断後、ダイヤモンドバイト
による切削加工、あるいは研磨加工により表面仕上げを
行なっている。
表面什上げ後句１！ｉ してサンプルとし、一方アルミ
ニウムドラムはパイプ利を切断後、ダイヤモンドバイト
による切削加工、あるいは研磨加工により表面仕上げを
行なっている。
この場合研磨液あるいは切削油が素利の表面に焼き付い
てしまい、試料を有機溶剤等で洗浄しても表面に形成ば
れた変質層が完全には除去これず感光特性の低下、膜の
ハガレ等が発生していた。
てしまい、試料を有機溶剤等で洗浄しても表面に形成ば
れた変質層が完全には除去これず感光特性の低下、膜の
ハガレ等が発生していた。
本発明はかかる欠点を除去するもので、試料の前処理方
法を改善することによ＋１表面の変質層を除去し消浄な
面上に非晶質感光体層を形成することが可能となり、感
光特性が優れ密着性の良好な非晶質感光体膜が得ら・れ
た。
法を改善することによ＋１表面の変質層を除去し消浄な
面上に非晶質感光体層を形成することが可能となり、感
光特性が優れ密着性の良好な非晶質感光体膜が得ら・れ
た。
以下実施例に基づき本発明について具体的に説明する。
実施例１
アルミニウムドラムとして直径８０５ｍ、長ざ３００１
ＩＩｊ！、純度９５ ％ （５０５６＞を用意し、ダイ
ヤモンドバイトにより切削加工を行なう。次いでトリク
レン、ア七トン、エチルアルコールにより超音波洗浄を
行なった後純水洗浄を行ない乾燥する。
ＩＩｊ！、純度９５ ％ （５０５６＞を用意し、ダイ
ヤモンドバイトにより切削加工を行なう。次いでトリク
レン、ア七トン、エチルアルコールにより超音波洗浄を
行なった後純水洗浄を行ない乾燥する。
次いでグロー放電により非晶質感光体層を形成したドラ
ムを比較例とし、前処理として水素雰囲気中でグロー放
雷を行なった扱非晶質半導体膜を形成したドラムとで特
性の比較を行なった。
ムを比較例とし、前処理として水素雰囲気中でグロー放
雷を行なった扱非晶質半導体膜を形成したドラムとで特
性の比較を行なった。
（前処理条件）
Ｉ使用ガス・流量
水素・２ｏｏｓｃｃＭ
１１圧力
０、８〜１．２ Ｔｏｔｒ
１１１温度
２００℃
ＩＶ ＲＦパワー
００ Ｗ
（成膜条件）
１使用ガス・流量
モノシラン＠５０８ｃｃＭ
メタ々体素（１０％）−３０８Ｃｃ、Ｍジボラ／／＊
素（５０ＰＰＭ） −１０８００Ｍアルゴン−４０８（
ＩＣＭ １１圧力 ０、８〜ｉ、 ２ ＴＱ？’ｒ １１１儒度 ２００℃ １ｙＲｐパワー ０Ｗ この時のアルミニウムドラムの位置と表面電位の間係を
第２図に示す。
素（５０ＰＰＭ） −１０８００Ｍアルゴン−４０８（
ＩＣＭ １１圧力 ０、８〜ｉ、 ２ ＴＱ？’ｒ １１１儒度 ２００℃ １ｙＲｐパワー ０Ｗ この時のアルミニウムドラムの位置と表面電位の間係を
第２図に示す。
ここで２１は本発明による試料、２２け比較例を示す。
図から明らかな如く本発明による試料は比較例に比べて
表面電位が大きく、しかもバラツキが小きい。又密着性
が析めて伐れており、Ｊ！７ 較例が部分的に膜のハガ
レを生ずるのに対して本発明の試料はハガレが皆無であ
った。
表面電位が大きく、しかもバラツキが小きい。又密着性
が析めて伐れており、Ｊ！７ 較例が部分的に膜のハガ
レを生ずるのに対して本発明の試料はハガレが皆無であ
った。
実施例２
アルミニウムドラムとして直径１４０藺、長さ３００朋
、純度９９５チ（１０５０）を用意し、ダイヤモンドバ
イトにより切Ｍ１１加工を行う。次いで塩化メチレン、
アセトン、エチルアルコールにより超音波洗浄を行った
後純水洗浄を行い乾燥する。
、純度９９５チ（１０５０）を用意し、ダイヤモンドバ
イトにより切Ｍ１１加工を行う。次いで塩化メチレン、
アセトン、エチルアルコールにより超音波洗浄を行った
後純水洗浄を行い乾燥する。
引き続きグロー放電により非晶質半導体膜を形成したド
ラムを比較例とし、前処理として水素雰囲り中でグロー
放電を行なった後非晶η生導体膜を形成したドラムとで
特性の比較を行った、（前処理条件） １使用ガスφ流量 アンモニア・３００ＳＣＣＭ １１圧力 １．５〜１．８〒ｏｒｒ １１１温度 ２４０℃ １ｙＲＦパワー ００ｗ （成膜条件） １ゼｉ用ガス・流量 モノシラン＠ ８ ＯＦｌｃＣＭ メタ：／／＃（Ｉ Ｃ１） −５０ＦＣＣＭジポラ冷休
素（体５０ ＰＰＭ ＞ −１５ＦＣＣＭアルゴン−６
０ＳＯＣＭ １１圧力 １、６〜２． ＯＴｏｒｒ １１１濡度 ２４０℃ ＩＶＦＦパワー ０Ｗ この時のアルミニウムドラムの位置と表面電位の関伴を
第３図に示す。
ラムを比較例とし、前処理として水素雰囲り中でグロー
放電を行なった後非晶η生導体膜を形成したドラムとで
特性の比較を行った、（前処理条件） １使用ガスφ流量 アンモニア・３００ＳＣＣＭ １１圧力 １．５〜１．８〒ｏｒｒ １１１温度 ２４０℃ １ｙＲＦパワー ００ｗ （成膜条件） １ゼｉ用ガス・流量 モノシラン＠ ８ ＯＦｌｃＣＭ メタ：／／＃（Ｉ Ｃ１） −５０ＦＣＣＭジポラ冷休
素（体５０ ＰＰＭ ＞ −１５ＦＣＣＭアルゴン−６
０ＳＯＣＭ １１圧力 １、６〜２． ＯＴｏｒｒ １１１濡度 ２４０℃ ＩＶＦＦパワー ０Ｗ この時のアルミニウムドラムの位置と表面電位の関伴を
第３図に示す。
ここで３１は本発明による試料、３２け比較例を示す。
図から明らかな如く本発明による試料は什較例に比べて
Ｐ １ｌｉｌｉ電位が犬きく、しかもバラツキが小−い
。ヌ密着性が優れており、比較例がピンホールを有する
のに対して本発明の試料は枠くわずかのピンホールを残
すのみであ−た一実施例６ アルミニウムドラムとして直径１４０闘、長さ４００デ
罵、純度９９係（１２００）を用意しペーパーベルト及
びパフによる研磨加工を行なう。次いでトリクレン、ア
セトン、エチルアルコールニヨリ超音波洗浄を行なった
後純水洗浄を行い乾燥する。
Ｐ １ｌｉｌｉ電位が犬きく、しかもバラツキが小−い
。ヌ密着性が優れており、比較例がピンホールを有する
のに対して本発明の試料は枠くわずかのピンホールを残
すのみであ−た一実施例６ アルミニウムドラムとして直径１４０闘、長さ４００デ
罵、純度９９係（１２００）を用意しペーパーベルト及
びパフによる研磨加工を行なう。次いでトリクレン、ア
セトン、エチルアルコールニヨリ超音波洗浄を行なった
後純水洗浄を行い乾燥する。
引き続きグロー放電により非晶質半導体膜を形成したド
ラムを比較例とし、前処理として水素雰囲気中でグロー
放電を行なった移非晶質半導体膜を形成したドラムとで
特性の比較を行った。
ラムを比較例とし、前処理として水素雰囲気中でグロー
放電を行なった移非晶質半導体膜を形成したドラムとで
特性の比較を行った。
（前処理条件）
１使用ガス−流量
水素−１０Ｄ ＥＣＣＭ
アルゴン・１００１００５
ＯＯ正圧
力、０ 〜１５
１ＩＩ温度
２２０℃
＋ＶＲＦパワー
００Ｗ
（成膜条件）
Ｉイげｉ用ガス・流量
モノシラン・６０ ＥｌｏｏＭ
メタ７Ａｋ素（１０％） 争３５ Ｓｏ（！Ｍジボラη
泳素（５ＱＰＰＭ） −１２５００Ｍアルゴン−５０５
００Ｍ １１圧力 １、０〜１．５ ＴＯ？’ｒ １１１温度 ２２０℃ １ｖＲＦパワー ０Ｗ この時のアルミニウムドラムの位置と表面電位の関係を
第４図に示す。
泳素（５ＱＰＰＭ） −１２５００Ｍアルゴン−５０５
００Ｍ １１圧力 １、０〜１．５ ＴＯ？’ｒ １１１温度 ２２０℃ １ｖＲＦパワー ０Ｗ この時のアルミニウムドラムの位置と表面電位の関係を
第４図に示す。
ここで４１は本発明による試料、４２け比較例を示す。
図から明らかな如く本発明による試料は比較例に比べて
表面電位が犬きく、しかもバラツキが小シい。ヌ密着性
が極めており、比較例がドラムの両端部に膜のハガレを
生ずるのに対して本発明の試料はハガレ゛が＋１．無で
カ・す、しかも−２０℃〜８０°Ｃの温度サイクルを繰
り返しても何ら異常は示はなかった。
表面電位が犬きく、しかもバラツキが小シい。ヌ密着性
が極めており、比較例がドラムの両端部に膜のハガレを
生ずるのに対して本発明の試料はハガレ゛が＋１．無で
カ・す、しかも−２０℃〜８０°Ｃの温度サイクルを繰
り返しても何ら異常は示はなかった。
実施例４
前記実施例にて得られたアルミニウムドラムを複写機に
和み込みテストパターンのコピーヲ行った。
和み込みテストパターンのコピーヲ行った。
この場合比較例では色ムラ、白ヌケ、黒点等が発生する
のに対して、本発明の試料では椿めて鮮明なコピーが得
られた。
のに対して、本発明の試料では椿めて鮮明なコピーが得
られた。
更に比較例で１−ｔ５〜８段階の階調１しか得られなか
ったが本発明の試料では８〜１２段階の階調が得られた
。
ったが本発明の試料では８〜１２段階の階調が得られた
。
上言「１実施例は本発明の一部を成すもので、非晶質半
導体としてシリコンの場合を例にあげて説明したが、ゲ
ルマニウム及び、他の化合物半導体を使用する場合にも
同様の効果がある事は明らかである。
導体としてシリコンの場合を例にあげて説明したが、ゲ
ルマニウム及び、他の化合物半導体を使用する場合にも
同様の効果がある事は明らかである。
以上詳述した如く本発明によれば極めて膜質が優れ、し
かも密着性の良好な非晶質感光ドラムが得られ、複写機
又はプリンター用感光ドラムとして広汎な用途を不する
。
かも密着性の良好な非晶質感光ドラムが得られ、複写機
又はプリンター用感光ドラムとして広汎な用途を不する
。
第１図はプラズマＣＶＤ装置σ）朽要を示す。
第２図は実施例１に基づき本発明と従来法におはるアル
ミニウムドラムの位置と表面電位の関係を示す、 第３図は実施例２に基づき本発明と従来法におけるアル
ミニウムドラムの位置と表面電位の関係を示す。 第４図は実施例３に基づき本発明と従来法におけるアル
ミニウムドラムの位置と表面軍、位の関係を示す。 エソ上 出願人 株式会社 諏訪精工合 代理人 弁理士 滑止 務 ３１図 ７１ ｔ ／ａ ／ｒ Ｊａ ｈｒ
Ｉａノ （Ｃ少（〕 第２図 Ｊｌ（ｃ＃ン 第３図 １ ｃｔ会レノ 第４図
ミニウムドラムの位置と表面電位の関係を示す、 第３図は実施例２に基づき本発明と従来法におけるアル
ミニウムドラムの位置と表面電位の関係を示す。 第４図は実施例３に基づき本発明と従来法におけるアル
ミニウムドラムの位置と表面軍、位の関係を示す。 エソ上 出願人 株式会社 諏訪精工合 代理人 弁理士 滑止 務 ３１図 ７１ ｔ ／ａ ／ｒ Ｊａ ｈｒ
Ｉａノ （Ｃ少（〕 第２図 Ｊｌ（ｃ＃ン 第３図 １ ｃｔ会レノ 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空排気系により減圧にし得る真空槽内に所定のガス（
モノシラン、ジポラン、メタン、アルゴン等）を導入し
て所定の内圧と【、該真空槽内におはる電接の放電現象
により金属ドラム上に非晶質半導体膜を形成する感光ド
ラムにおいて、水素雰囲気中におけるグロー放電により
該金属ドラムを前処理した徒、前ｔｔｅ非晶資半導体膜
を形成することを特徴とする非晶質感光ドラムの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18960782A JPS5978357A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 非晶質感光ドラムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18960782A JPS5978357A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 非晶質感光ドラムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5978357A true JPS5978357A (ja) | 1984-05-07 |
Family
ID=16244133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18960782A Pending JPS5978357A (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 非晶質感光ドラムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5978357A (ja) |
-
1982
- 1982-10-28 JP JP18960782A patent/JPS5978357A/ja active Pending
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