JP2003149841A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2003149841A5 JP2003149841A5 JP2002020492A JP2002020492A JP2003149841A5 JP 2003149841 A5 JP2003149841 A5 JP 2003149841A5 JP 2002020492 A JP2002020492 A JP 2002020492A JP 2002020492 A JP2002020492 A JP 2002020492A JP 2003149841 A5 JP2003149841 A5 JP 2003149841A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deposited
- layer
- cylindrical substrate
- crystal material
- photoconductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (41)
- 円筒状基体と、少なくとも非単結晶材料からなる第一の層および非単結晶材料からなる第二の層とを具えてなる電子写真用感光体の製造方法であって、
導電性の表面を有する前記円筒状基体を、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内に設置し、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、該円筒状基体の表面上に、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる光導電層を堆積し、該光導電層上に、少なくともシリコン原子を母材とし、炭素、酸素、窒素原子からなる群から選択される少なくとも1つの原子を含有する非単結晶材料からなる中間層を堆積し、前記光導電層上に堆積された中間層と前記光導電層とで構成される前記第一の層を堆積する第一の工程と、
前記第一の層を堆積した前記円筒状基体を、大気圧下に曝す処理を施す第二の工程と、
前記第二の工程の処理を施した前記円筒状基体に対して、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、更に少なくとも非単結晶材料からなる前記第二の層を堆積する第三の工程と
を有することを特徴とする電子写真用感光体の製造方法。 - 前記第二の工程は、第一の層を堆積した前記円筒状基体を、第一の工程で用いた前記堆積室から取り出す工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 前記第三の工程では、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる第二の層を堆積させることを特徴とする請求項1または2に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 前記第三の工程は、前記第二の層の堆積に先立ち、
前記第二の層に対して円筒状基体側に、少なくともシリコン原子を母材とし、炭素、酸素、窒素原子からなる群から選択される少なくとも1つの原子を含有する非単結晶材料からなる層を形成する工程を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子写真用感光体の製造方法。 - 前記第一の工程における、第一の層堆積時に設定する前記円筒状基体の温度と、前記第三の工程における、第二の層堆積時に設定する前記円筒状基体の温度とを、異なる温度に選択することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 前記第一の工程における、第一の層堆積時に設定する前記円筒状基体の温度を、200℃〜450℃の範囲に選択することを特徴とする請求項5に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 前記第三の工程における、第二の層堆積時に設定する前記円筒状基体の温度を、20℃〜150℃の範囲に選択することを特徴とする請求項5または6に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 前記第三の工程における、第二の層堆積時に設定する前記円筒状基体の温度を、室温に選択することを特徴とする請求項7に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 前記第二の工程における、第一の層を堆積した前記円筒状基体を大気圧下に曝す処理は、大気圧下に30分間以上放置する工程を有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 前記第二の工程は、第一の層を堆積した前記円筒状基体の検査を行う工程を有することを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 第二の工程で行う前記検査は、外観検査を含むことを特徴とする請求項10に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 第二の工程で行う前記検査において、前記第一の層を堆積した円筒状基体に対して、その表面にオゾンを接触させる工程を有することを特徴とする請求項10に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 第二の工程で行う前記検査は、前記第一の層を堆積した円筒状基体を用いて形成する画像の検査を含むことを特徴とする請求項10〜12のいずれか1項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 第二の工程で行う前記検査は、前記第一の層を堆積した円筒状基体の電気特性の検査を含むことを特徴とする請求項10〜13のいずれか1項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 前記第二の工程は、第一の層を堆積した前記円筒状基体に対して、その表面に水を接触させる工程を有することを特徴とする請求項1〜14のいずれか1項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 前記表面に水を接触させる工程は、洗浄を含むことを特徴とする請求項15に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 前記第三の工程においては、
前記第一の層を堆積した円筒状基体に対して、その堆積層の最表面をエッチングした後、少なくとも非単結晶材料からなる前記第二の層を堆積することを特徴とする請求項1〜16のいずれか1項に記載の電子写真用感光体の製造方法。 - 請求項1〜17のいずれか1項に記載の製造方法によって製造される電子写真用感光体。
- 円筒状基体と、少なくとも非単結晶材料からなる第一の層および非単結晶材料からなる第二の層とを具えてなる電子写真用感光体を利用する電子写真装置であって、
前記電子写真用感光体は、請求項18に記載の電子写真用感光体であることを特徴とする電子写真装置。 - 導電性材料からなる円筒状基体と、
前記円筒状基体上に少なくともシリコン原子を含む原料ガスを用いて堆積された、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる光導電層と、
前記光導電層上に堆積された少なくともシリコン原子を母材とし、炭素、酸素、窒素原子からなる群から選択される少なくとも1つの原子を含有する非単結晶材料からなる中間層と、
前記中間層上に堆積された非単結晶材料からなる表面保護層とを具えてなる電子写真用感光体であって、
前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層は、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記円筒状基体上に堆積せしめた非単結晶材料からなり、前記光導電層上への前記中間層堆積後、その堆積膜表面に加工を施してなる表面を有する層であり、
前記表面保護層は、前記加工を施してなる表面を有する前記中間層を具えてなる前記光導電層上に、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記光導電層上に堆積せしめた非単結晶材料からなる層であることを特徴とする電子写真用感光体。 - 前記光導電層上への中間層堆積後、その堆積膜表面に施される加工が、該非単結晶材料からなる層の堆積後、その表面に存在していた突起部の頭頂部の除去を図る加工であることを特徴とする請求項20に記載の電子写真用感光体。
- 前記光導電層上への中間層堆積後、その堆積膜表面に施される加工が、研磨であることを特徴とする請求項21に記載の電子写真用感光体。
- 前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層層は、非単結晶材料からなる前記中間層の前記光導電層上への堆積後、研磨により、その表面に存在していた突起の平坦化がなされた表面を有することを特徴とする請求項20に記載の電子写真用感光体。
- 研磨は、非単結晶材料からなる前記中間層の前記光導電層上への堆積後、その表面に研磨テープを弾性ゴムローラを用いて当接させ、前記円筒状基体とともに回転される堆積膜表面の回転移動速度と、前記研磨テープを当接させる弾性ゴムローラの回転移動速度との間に、相対的な速度差を設けることによりなされたものであることを特徴とする請求項22または23に記載の電子写真用感光体。
- 表面への加工が、大気中においてなされていることを特徴とする請求項20〜24のいずれか1項に記載の電子写真用感光体。
- 表面への加工中、または、加工後、少なくとも前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層層に対して、該加工対象である、非単結晶材料からなる層の表面を水と接触させ、洗浄する処理が施されていることを特徴とする請求項22〜25のいずれか1項に記載の電子写真用感光体。
- 導電性材料からなる円筒状基体と、
前記円筒状基体上に少なくともシリコン原子を含む原料ガスを用いて堆積された、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる光導電層と、
前記光導電層上に堆積された少なくとも炭素原子ならびにシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる中間層と、
前記中間層上に堆積された非単結晶材料からなる表面保護層とを具えてなる電子写真用感光体の製造方法であって、
排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記円筒状基体上に、非単結晶材料からなる前記光導電層、前記光導電層上に、非単結晶材料からなる中間層を、それぞれ所定の膜厚に堆積する第一の工程と、
前記第一の工程で形成された堆積膜の表面に加工を施す第二の工程と、
排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記第二の工程で加工を施された前記中間層の表面上に、非単結晶材料からなる前記表面保護層を所定の膜厚に堆積する第三の工程とを有することを特徴とする電子写真用感光体の製造方法。 - 第二の工程において、前記第一の工程で形成された堆積膜の表面に施す加工が、前記第一の工程において堆積された堆積膜表面の、少なくとも突起の頭頂部の除去を図る加工であることを特徴とする請求項27に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 第二の工程において、前記第一の工程で形成された堆積膜の表面に施す加工が、研磨加工であることを特徴とする請求項28に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 研磨加工は、前記第一の工程において堆積された堆積膜表面の突起を研磨し、表面の平坦化を行うものであることを特徴とする請求項29に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 研磨加工が、前記第一の工程において堆積された堆積膜表面に、研磨テープを弾性ゴムローラを用いて当接させ、前記円筒状基体とともに回転される堆積膜表面の回転移動速度と、前記研磨テープを当接させる弾性ゴムローラの回転移動速度との間に、相対的な速度差を設けることによりなされることを特徴とする請求項29または30に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 第二の工程において、表面への加工が大気中でなされることを特徴とする請求項27〜31のいずれか1項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 第二の工程において、表面への加工とともに、加工されている表面を水と接触させ、洗浄する処理を施す、あるいは、第二の工程後、第三の工程前に、加工された表面を水と接触させ、洗浄する処理を施すことを特徴とする請求項27〜32のいずれか1項に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 円筒状基体と、
前記円筒状基体上に少なくともシリコン原子を含む原料ガスを用いて堆積された、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる光導電層と、
前記光導電層上に堆積された少なくとも炭素原子ならびにシリコン原子を母材とする非単結晶材料からなる中間層と、
前記中間層上に堆積された非単結晶材料からなる表面保護層とを具えてなる感光体を用いる電子写真装置であって、
前記感光体は、
前記円筒状基体は、導電性材料からなる円筒状基体であり、
前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層は、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記円筒状基体上に堆積せしめた非単結晶材料からなり、前記光導電層上への前記中間層の堆積後、その堆積膜表面に加工を施し、その表面に存在していた突起の頭頂部の除去がなされた表面を有する層であり、
前記表面保護層は、前記加工を施してなる表面を有する前記中間層を具えてなる前記光導電層上に、排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内において、少なくとも原料ガスを高周波電力により分解し、前記光導電層上に堆積せしめた非単結晶材料からなる層である構成を有することを特徴とする電子写真装置。 - 感光体を構成する前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層に対して、前記中間層の前記光導電層上への堆積後、その堆積膜表面に施される加工が、研磨加工であることを特徴とする請求項34に記載の電子写真装置。
- 感光体を構成する前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層に対して、前記中間層の前記光導電層上への堆積後、その表面に施される研磨加工が、非単結晶材料からなる前記中間層の堆積後、その表面に研磨テープを弾性ゴムローラを用いて当接させ、前記円筒状基体とともに回転される堆積膜表面の回転移動速度と、前記研磨テープを当接させる弾性ゴムローラの回転移動速度との間に、相対的な速度差を設けることによりなされたものであることを特徴とする請求項35に記載の電子写真装置。
- 感光体を構成する前記光導電層上に堆積された前記中間層を具えてなる前記光導電層に対して、前記中間層の前記光導電層上への堆積後、その堆積膜表面に施される研磨加工が、大気中においてなされていることを特徴とする請求項35に記載の電子写真装置。
- 前記中間層を前記光導電層上へ堆積後、その堆積膜表面への研磨加工中、または、研磨加工後、少なくとも前記表面を水と接触させ、洗浄する処理が施されていることを特徴とする請求項35に記載の電子写真装置。
- 前記電子写真用感光体の表面保護層は、少なくとも炭素原子を含む原料ガスを用いて堆積される、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる層であることを特徴とする請求項20に記載の電子写真用感光体。
- 前記第三の工程において、少なくとも炭素原子を含む原料ガスを用いて、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる表面保護層を堆積することを特徴とする請求項27に記載の電子写真用感光体の製造方法。
- 前記感光体の表面保護層は、少なくとも炭素原子を含む原料ガスを用いて堆積される、少なくとも炭素原子を母材とする非単結晶材料からなる層であることを特徴とする請求項34に記載の電子写真装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002020492A JP3913067B2 (ja) | 2001-01-31 | 2002-01-29 | 電子写真用感光体、その製造方法、ならびに電子写真装置 |
US10/059,139 US6846600B2 (en) | 2001-01-31 | 2002-01-31 | Electrophotographic photosensitive member, process for its production, and electrophotographic apparatus |
DE60210525T DE60210525T2 (de) | 2001-01-31 | 2002-01-31 | Elektrophotographisches photoempfindliches Element, Herstellungsverfahren und elektrophotographisches Gerät |
EP02002366A EP1229394B1 (en) | 2001-01-31 | 2002-01-31 | Electrophotographic photosensitive member, process for its production, and electrophotographic apparatus |
EP04026742A EP1505446B1 (en) | 2001-01-31 | 2002-01-31 | Electrophotographic photosensitive member, process for its production, and electrophotographic apparatus |
DE60218542T DE60218542T2 (de) | 2001-01-31 | 2002-01-31 | Elektrophotographisches photoempfindliches Element, Herstellungsverfahren und elektrophotographisches Gerät |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001023703 | 2001-01-31 | ||
JP2001-23703 | 2001-01-31 | ||
JP2001038477 | 2001-02-15 | ||
JP2001-38477 | 2001-02-15 | ||
JP2001259693 | 2001-08-29 | ||
JP2001-259693 | 2001-08-29 | ||
JP2002020492A JP3913067B2 (ja) | 2001-01-31 | 2002-01-29 | 電子写真用感光体、その製造方法、ならびに電子写真装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003149841A JP2003149841A (ja) | 2003-05-21 |
JP2003149841A5 true JP2003149841A5 (ja) | 2005-08-18 |
JP3913067B2 JP3913067B2 (ja) | 2007-05-09 |
Family
ID=27482013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002020492A Expired - Fee Related JP3913067B2 (ja) | 2001-01-31 | 2002-01-29 | 電子写真用感光体、その製造方法、ならびに電子写真装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6846600B2 (ja) |
EP (2) | EP1229394B1 (ja) |
JP (1) | JP3913067B2 (ja) |
DE (2) | DE60218542T2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3913123B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2007-05-09 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
US7033717B2 (en) * | 2002-08-02 | 2006-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing electrophotographic photosensitive member, and electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus making use of the same |
US7033721B2 (en) * | 2002-08-02 | 2006-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing electrophotographic photosensitive member, electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus using the same |
DE60309253T2 (de) | 2002-08-09 | 2007-05-24 | Canon K.K. | Elektrophotographisches lichtempfindliches element |
CN100495219C (zh) * | 2002-12-12 | 2009-06-03 | 佳能株式会社 | 电摄影感光体 |
JP4726209B2 (ja) * | 2004-08-19 | 2011-07-20 | キヤノン株式会社 | 負帯電用電子写真感光体の製造方法、及び負帯電用電子写真感光体、及びそれを用いた電子写真装置 |
JP5346809B2 (ja) * | 2008-05-21 | 2013-11-20 | キヤノン株式会社 | 負帯電用電子写真感光体、画像形成方法および電子写真装置 |
JP4599468B1 (ja) | 2009-04-20 | 2010-12-15 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体および電子写真装置 |
DE112010002227B4 (de) * | 2009-06-05 | 2018-11-29 | Sumco Corp. | Verfahren zum Polieren eines Siliciumwafers |
JP5607499B2 (ja) | 2009-11-17 | 2014-10-15 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体および電子写真装置 |
JP5544343B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JPWO2014084177A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2017-01-05 | 京セラ株式会社 | 電子写真感光体およびこれを備えた画像形成装置 |
KR102052075B1 (ko) | 2013-03-28 | 2020-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR20150144200A (ko) * | 2014-06-16 | 2015-12-24 | 삼성전자주식회사 | 화상형성장치 및 그의 진단 방법 |
JP2019144476A (ja) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | 京セラ株式会社 | 電子写真感光体およびこれを備える画像形成装置 |
US11415913B2 (en) * | 2020-05-28 | 2022-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic member and electrophotographic image forming apparatus |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2519414B2 (ja) | 1986-01-30 | 1996-07-31 | 三田工業株式会社 | 電子写真装置 |
JPS62189477A (ja) | 1986-02-15 | 1987-08-19 | Canon Inc | 電子写真用感光体の検査方法および該検査方法に使用する装置 |
US4954397A (en) | 1986-10-27 | 1990-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member having a divided-functionally structured light receiving layer having CGL and CTL for use in electrophotography |
JPS63210864A (ja) | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Canon Inc | 画像形成装置 |
JPS6486149A (en) | 1987-09-29 | 1989-03-30 | Toshiba Corp | Photoconductor and its production |
JPH04191748A (ja) | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Canon Inc | 電子写真感光体及びその製造方法 |
JP3046087B2 (ja) | 1991-03-04 | 2000-05-29 | 孝夫 河村 | 画像形成装置 |
JPH0764312A (ja) | 1993-08-31 | 1995-03-10 | Kyocera Corp | 電子写真感光体の表面処理方法 |
JP3530667B2 (ja) | 1996-01-19 | 2004-05-24 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体およびその製造方法 |
JP3715779B2 (ja) | 1997-03-05 | 2005-11-16 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
EP0864936B1 (en) | 1997-03-05 | 2005-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus |
JP3833345B2 (ja) | 1997-06-11 | 2006-10-11 | 京セラ株式会社 | 画像形成装置 |
JP3647264B2 (ja) | 1997-10-20 | 2005-05-11 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
JPH11133640A (ja) | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
JPH11133641A (ja) | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
US6001521A (en) | 1997-10-29 | 1999-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
JP3566621B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2004-09-15 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体及びそれを用いた装置 |
US6534228B2 (en) * | 2000-05-18 | 2003-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member and image forming apparatus |
-
2002
- 2002-01-29 JP JP2002020492A patent/JP3913067B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-01-31 EP EP02002366A patent/EP1229394B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-31 EP EP04026742A patent/EP1505446B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-31 DE DE60218542T patent/DE60218542T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-31 DE DE60210525T patent/DE60210525T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-31 US US10/059,139 patent/US6846600B2/en not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003149841A5 (ja) | ||
KR100199078B1 (ko) | 특정 최외곽면이 있는 표면 보호층을 갖는 수광 부제 및 이의 제조 방법 | |
JP2001284317A (ja) | 固体表面及び半導体製造装置の処理方法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
US6713401B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP3913067B2 (ja) | 電子写真用感光体、その製造方法、ならびに電子写真装置 | |
JP2004063521A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4123861B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
US4091145A (en) | Support for electrophotographic sensitive plate | |
JP5433927B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JPH0124866B2 (ja) | ||
JP3775681B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP2007070695A (ja) | 堆積膜形成方法 | |
JPH0529285A (ja) | クリーニング方法及び半導体製造装置 | |
JP2003084469A (ja) | 電子写真感光体の製造方法及び装置 | |
JP3133529B2 (ja) | 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 | |
JPS62200361A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JPS58132755A (ja) | アモルフアス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置 | |
JPS5978357A (ja) | 非晶質感光ドラムの製造方法 | |
JPS63128716A (ja) | ガスエツチング方法 | |
JPS63160335A (ja) | ガスエツチング方法 | |
JPS62291664A (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JPH0320470A (ja) | プラズマ電極 | |
JP2786757B2 (ja) | 電子写真感光体の製造方法 | |
JPS63151025A (ja) | ガスエツチング方法 | |
JPS61270826A (ja) | SiO↓2膜を含むSi基板表面の表面処理方法 |