JPS58132755A - アモルフアス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置 - Google Patents
アモルフアス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置Info
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- JPS58132755A JPS58132755A JP57015871A JP1587182A JPS58132755A JP S58132755 A JPS58132755 A JP S58132755A JP 57015871 A JP57015871 A JP 57015871A JP 1587182 A JP1587182 A JP 1587182A JP S58132755 A JPS58132755 A JP S58132755A
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
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- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、基体０１１面にアモルファス・シリコンか
らなる感光層【形成するためのアモルファス・Ｖリコン
感光体製造方法及びその製造装置に関する。
らなる感光層【形成するためのアモルファス・Ｖリコン
感光体製造方法及びその製造装置に関する。
辺部、電子複写機の技術領域において、アモルファス・
シリコン光導電体を感光層として使用することが提案さ
れている。このアモルファス・シリコン光導電体を感光
層として備える感光体（以下、単にｍ−ｇｉ感光体と呼
ぶ）は、耐熱性、硬さ、長寿命、並びに無公害性の諸点
で、現在、電子複写機の感光層として用いられているｕ
−８＠、ＣｄＢ、ＺｎＯ，Ｏ，Ｐ、Ｃ，等に比べて、勝
っている。
シリコン光導電体を感光層として使用することが提案さ
れている。このアモルファス・シリコン光導電体を感光
層として備える感光体（以下、単にｍ−ｇｉ感光体と呼
ぶ）は、耐熱性、硬さ、長寿命、並びに無公害性の諸点
で、現在、電子複写機の感光層として用いられているｕ
−８＠、ＣｄＢ、ＺｎＯ，Ｏ，Ｐ、Ｃ，等に比べて、勝
っている。
このような−−Ｓｔ感光体は、例えばグロー放電法を用
いることにより、以下のようにして製造される０ＩＸ１
図及びＪＩ２図に示すように＼ケーシング１０内には、
ドラム状の基体１２が回転可能に収納されている。この
ケーシング１゜のｈ部空間は、拡散ポンプ１４及びロー
タリーポンプ１６に１って、予め真空状態に設定されて
いる。尚、この基体１２は接地されていると共に、９示
しない駆動機構【介して中心軸回りに回転されている。
いることにより、以下のようにして製造される０ＩＸ１
図及びＪＩ２図に示すように＼ケーシング１０内には、
ドラム状の基体１２が回転可能に収納されている。この
ケーシング１゜のｈ部空間は、拡散ポンプ１４及びロー
タリーポンプ１６に１って、予め真空状態に設定されて
いる。尚、この基体１２は接地されていると共に、９示
しない駆動機構【介して中心軸回りに回転されている。
次いで、バルブ１８【開放することにより、ｊａｉｌ、
ガスもしくは必要に応じて８目らと、Ｂ！Ｈ＠ ｓ Ｐ
ｈＨとの混合ガスがケーシング１ｏ内に導入される。
ガスもしくは必要に応じて８目らと、Ｂ！Ｈ＠ ｓ Ｐ
ｈＨとの混合ガスがケーシング１ｏ内に導入される。
この導入されたガスは、ガス導入・管２ｏの多数の吹出
口２２を介して、基体１２表面上に吹き付けられる。ま
た、基体１２はヒータ２４によって、加熱されている。
口２２を介して、基体１２表面上に吹き付けられる。ま
た、基体１２はヒータ２４によって、加熱されている。
ここで、ガス導入管２ｏは、ラジオ・７レクエンシ電源
２σのカソード電極と兼用させられている。次いで、こ
の電源２ｇｆ介してカソード電極２ｏと基体１２との間
に％Ｒ−Ｆ。
２σのカソード電極と兼用させられている。次いで、こ
の電源２ｇｆ介してカソード電極２ｏと基体１２との間
に％Ｒ−Ｆ。
パワーがかけられる０ここで、基体１２は接地されてい
るため、この基体１２はカソード電極２ｏに対してアノ
ード電極として作用することになる。この度め、カソー
ド電極としてのガス導入管２ｏと７ノード電極としての
基体Ｉ２との間に、グロー放電が発生し、８１ｍ、ガス
はラジカル化される。このようにして、基体１２表面上
に、所定時間の経過と共に％ ｄ−ｇｉｌｌが成長する
。そして、ｍ−ｇｔによる感光層が基体１２表面上に所
定の厚さに均一に形成されて、ｍｉｉ□威膜が終了する
。このような−−８１０威属が終了すると、成膜に関与
しなかった８１Ｈ４ガスのラジカルは、拡散ポンプ１４
及びｐ−タリーポンプ１ｅによって、ケーシング１ｏ内
から吸引される。こ０後、吸引され九Ｂ Ｉ Ｈ４Ｏラ
ジカルは、図示しない燃焼塔、スフ２イパを履次経て、
外気中に安全に排気される０次に、ケーシング１０が開
放されて、ｍ−５ｘ悪感光は、ケーシング１０内から取
り出される。このようにして、１本の一−８１感光体の
製造が完了する〇しかし、このようにして−−８１感光
体を製造するＯでは、成膜速度が極めて遅く、且つ、ケ
ーシング１０内【真空にするための前処理時間及びケー
シング１０内から残留（ＤＳＩＨ，のラジカルを排出す
る丸めの後鵡理時間に長時間？要し、生産性が極めて悪
いものである。従って、―−８１感光体の製造コスＦが
非常に高くなるという不都合を生じている。
るため、この基体１２はカソード電極２ｏに対してアノ
ード電極として作用することになる。この度め、カソー
ド電極としてのガス導入管２ｏと７ノード電極としての
基体Ｉ２との間に、グロー放電が発生し、８１ｍ、ガス
はラジカル化される。このようにして、基体１２表面上
に、所定時間の経過と共に％ ｄ−ｇｉｌｌが成長する
。そして、ｍ−ｇｔによる感光層が基体１２表面上に所
定の厚さに均一に形成されて、ｍｉｉ□威膜が終了する
。このような−−８１０威属が終了すると、成膜に関与
しなかった８１Ｈ４ガスのラジカルは、拡散ポンプ１４
及びｐ−タリーポンプ１ｅによって、ケーシング１ｏ内
から吸引される。こ０後、吸引され九Ｂ Ｉ Ｈ４Ｏラ
ジカルは、図示しない燃焼塔、スフ２イパを履次経て、
外気中に安全に排気される０次に、ケーシング１０が開
放されて、ｍ−５ｘ悪感光は、ケーシング１０内から取
り出される。このようにして、１本の一−８１感光体の
製造が完了する〇しかし、このようにして−−８１感光
体を製造するＯでは、成膜速度が極めて遅く、且つ、ケ
ーシング１０内【真空にするための前処理時間及びケー
シング１０内から残留（ＤＳＩＨ，のラジカルを排出す
る丸めの後鵡理時間に長時間？要し、生産性が極めて悪
いものである。従って、―−８１感光体の製造コスＦが
非常に高くなるという不都合を生じている。
こむ様な不都合を解消する几めに、第３図に示すように
、ドラム状の基体１２′に軸方向に沿って多段に並べ、
−ｍＫ多くの基体１２にｍ−ａｔの成膜を行う方法が、
従来、提案されている。しかし、このような方法では、
ケーシング１０の高さには、・おＯずから限界があり、
設定される基体ＪＪＯ数が制限され名と共に、基体ＪＪ
Ｏケーシング１−中への出し入れ時の作ＩＩ性が問題と
して残っている０更には、このような成膜方法では、図
示しない真空ポンプ類は、クーシングア（Ｉｔ）下方に
取り付けなければならないという設計上のｌＩ請がある
。このため、ケーシング１ｏ内のガスの！！度が、上部
と下部とで異なることになり、成膜されたα−８１の感
光層の膜厚が、それぞれの感光体によって異なってしま
うという致命的な欠点ｔ１この方法は有している。
、ドラム状の基体１２′に軸方向に沿って多段に並べ、
−ｍＫ多くの基体１２にｍ−ａｔの成膜を行う方法が、
従来、提案されている。しかし、このような方法では、
ケーシング１０の高さには、・おＯずから限界があり、
設定される基体ＪＪＯ数が制限され名と共に、基体ＪＪ
Ｏケーシング１−中への出し入れ時の作ＩＩ性が問題と
して残っている０更には、このような成膜方法では、図
示しない真空ポンプ類は、クーシングア（Ｉｔ）下方に
取り付けなければならないという設計上のｌＩ請がある
。このため、ケーシング１ｏ内のガスの！！度が、上部
と下部とで異なることになり、成膜されたα−８１の感
光層の膜厚が、それぞれの感光体によって異なってしま
うという致命的な欠点ｔ１この方法は有している。
この発明は、上述した事情に鎌みてなされたもので、こ
の発明の１的は％’−８１感光体１一度に多量に、作業
効率良く、シかも均一の感光層Ｏ膜厚を有して製造する
ことのできるアモルファス・シリコン感光体製造方法及
びそ０製造装置を提供Ｔることにあゐ。
の発明の１的は％’−８１感光体１一度に多量に、作業
効率良く、シかも均一の感光層Ｏ膜厚を有して製造する
ことのできるアモルファス・シリコン感光体製造方法及
びそ０製造装置を提供Ｔることにあゐ。
方法は、複数の基体を、載量台上に載置する薦１０工鴨
と、載置台ｔケーシング内に収容するＪｌｚｏ工程と、
ケーシング内【減圧し、ケーシング内に少なくともａｔ
１含むガスを導入するＪＩＥ３の工程と、ケーシン
グ内で放電【生じさせ、ａｔ ｋ含むガス倉ラジカル
化させる第４の工程と、載置台【一方向に沿って走行さ
せると共に、この上に載置され九基体【上記載置台に対
して相対運動させる菖５の工程とを具備するどとを特徴
としている。
と、載置台ｔケーシング内に収容するＪｌｚｏ工程と、
ケーシング内【減圧し、ケーシング内に少なくともａｔ
１含むガスを導入するＪＩＥ３の工程と、ケーシン
グ内で放電【生じさせ、ａｔ ｋ含むガス倉ラジカル
化させる第４の工程と、載置台【一方向に沿って走行さ
せると共に、この上に載置され九基体【上記載置台に対
して相対運動させる菖５の工程とを具備するどとを特徴
としている。
を次、この発明に係るアモルファス・シリコン感光体製
造装置は、基部とこの基部上に外部と鐘断可能に設けら
れたケーシングと、ケーシング内【減圧する減圧手段と
、ケーシング内に少なくとも１１１ １含むガスを供給
するガス供給手段と、ケーシング内のｉｌｌ ｌ含む
ガス【ラジカル化させる放電手段と、基部上に配設され
、の上に載置された基体を上記載量台に対して相対運動
させる駆動機構とｔ具備したこと【特徴としている。
造装置は、基部とこの基部上に外部と鐘断可能に設けら
れたケーシングと、ケーシング内【減圧する減圧手段と
、ケーシング内に少なくとも１１１ １含むガスを供給
するガス供給手段と、ケーシング内のｉｌｌ ｌ含む
ガス【ラジカル化させる放電手段と、基部上に配設され
、の上に載置された基体を上記載量台に対して相対運動
させる駆動機構とｔ具備したこと【特徴としている。
この発明に係るアモルファス−シリコン感光体製造方法
及びその製造装置によれば、アモルファス・シリコン感
光体【一度に多量に、作業効率よく、シかも、均一の感
光層の膜厚【有して製造することができる。
及びその製造装置によれば、アモルファス・シリコン感
光体【一度に多量に、作業効率よく、シかも、均一の感
光層の膜厚【有して製造することができる。
以下に、この発明に係るアモルファス・Ｖリコン感光体
製造方法及びその製造装置の一実施例を添付図面の第４
＠ｌ乃至第６図ｔ＃照して、詳細に説明する。
製造方法及びその製造装置の一実施例を添付図面の第４
＠ｌ乃至第６図ｔ＃照して、詳細に説明する。
ＪＩ４図及び第５図に示すように、製造装置２８は円板
状の基部３０に備えている。この基部３００上部には、
これの上面を全面に液って覆うように、ケーシング：＃
２が取り付けられている。このケーシング３２は基部３
０に対して取り外し自在であり、基部３０に取り付けら
れ次状態で、ケーシング３２の内部空間【気１１に保持
する０このケーシング３２は基部３０の上面の外周部か
ら直立して立ち上ると共に、基部１−に対して同心円状
になされた外周壁３４と、外周壁ｊ４の上端縁を閉塵す
る天板３６と？備えている。この天板３６の中心部には
凹所３８が形成されている。この凹所３＃の側面？形成
する壁４０は、ケーシング３２の内周壁として規定され
る。
状の基部３０に備えている。この基部３００上部には、
これの上面を全面に液って覆うように、ケーシング：＃
２が取り付けられている。このケーシング３２は基部３
０に対して取り外し自在であり、基部３０に取り付けら
れ次状態で、ケーシング３２の内部空間【気１１に保持
する０このケーシング３２は基部３０の上面の外周部か
ら直立して立ち上ると共に、基部１−に対して同心円状
になされた外周壁３４と、外周壁ｊ４の上端縁を閉塵す
る天板３６と？備えている。この天板３６の中心部には
凹所３８が形成されている。この凹所３＃の側面？形成
する壁４０は、ケーシング３２の内周壁として規定され
る。
ケーシング３２内であって、基部３０の上面には、第５
図に示すように１６個の、感光体としての感光ドラム用
のドラム状の基体４２が載置される載置台４４が配設さ
れている０各装置台４４は、ケーシング３２の中心に対
して同一円周上に勢間隔配設されると共に、中心軸ケ鉛
直軸に一致させて直立されている０各載量台４４は、後
述する駆動機構４σ娶介して、自身の中心軸回りに回転
（以後自転と呼ぶ）させられると共に、基部３０の中心
口りに回転（以後公転と呼ぶ）させられている。
図に示すように１６個の、感光体としての感光ドラム用
のドラム状の基体４２が載置される載置台４４が配設さ
れている０各装置台４４は、ケーシング３２の中心に対
して同一円周上に勢間隔配設されると共に、中心軸ケ鉛
直軸に一致させて直立されている０各載量台４４は、後
述する駆動機構４σ娶介して、自身の中心軸回りに回転
（以後自転と呼ぶ）させられると共に、基部３０の中心
口りに回転（以後公転と呼ぶ）させられている。
ケーシング３Ｉ内には、外周壁３４及び内周壁４０にそ
れぞれ沿って、第１及び第２のガス導入部４８．ｊ−が
配設されている○各ガス導入部４１．１０は中空の円筒
状に導電性物質から形成され、それぞれケーシング３２
と岡軸になされている。第１のガス導入部４＃の内周面
及びＩｓ２のガス導入部５０の外周面には、多数のガス
吹出孔５２が均一に形成されている０ま友、藻ｌのガス
導入＠４８及びＪｌｌＥ２のガス導入部５０の各上面に
は、それぞれに複数のガス導入枝管５４が、円周方崗に
沿って勢間隔に接続されている。これらガス導入枝管５
４は、共通のガス導入本管５Ｃに結合されており、この
ガス導入本管５６はパル′ｊｓａｔ−介してガス供給機
構ｇｏＫ＠絖されている０このガス供給機構６０は８１
Ｈ，ガス【供給するためめものである。
れぞれ沿って、第１及び第２のガス導入部４８．ｊ−が
配設されている○各ガス導入部４１．１０は中空の円筒
状に導電性物質から形成され、それぞれケーシング３２
と岡軸になされている。第１のガス導入部４＃の内周面
及びＩｓ２のガス導入部５０の外周面には、多数のガス
吹出孔５２が均一に形成されている０ま友、藻ｌのガス
導入＠４８及びＪｌｌＥ２のガス導入部５０の各上面に
は、それぞれに複数のガス導入枝管５４が、円周方崗に
沿って勢間隔に接続されている。これらガス導入枝管５
４は、共通のガス導入本管５Ｃに結合されており、この
ガス導入本管５６はパル′ｊｓａｔ−介してガス供給機
構ｇｏＫ＠絖されている０このガス供給機構６０は８１
Ｈ，ガス【供給するためめものである。
ここで、前述し次複数のガス導入枝管５４はケーシング
３２の天板５ｉｙｚ気密に貫通してケーシング３２内に
取り入れられている。
３２の天板５ｉｙｚ気密に貫通してケーシング３２内に
取り入れられている。
一方、基部３０の上面には、基部５ｏ１１（貫通する多
数のガス導出枝管６２の一端が開口している。これらガ
ス導出校管６２は、ケーシング３２の中心に対して同心
円状に等間隔に配設されていゐ。これらガス導出枝管６
２は、共通のガス導出本管６４に結合されている。この
ガス導出本管６４は拡散ポンプｄ６及びロータリーポン
プ６８【順次介して空気清浄機構７０に接続されている
。この空気清浄機構７０は、詳細は図示していないが、
燃焼塔、スクライバ郷を有しており、ケーシング３２内
から取り出゛されたガスｔここで清浄化するものである
。
数のガス導出枝管６２の一端が開口している。これらガ
ス導出校管６２は、ケーシング３２の中心に対して同心
円状に等間隔に配設されていゐ。これらガス導出枝管６
２は、共通のガス導出本管６４に結合されている。この
ガス導出本管６４は拡散ポンプｄ６及びロータリーポン
プ６８【順次介して空気清浄機構７０に接続されている
。この空気清浄機構７０は、詳細は図示していないが、
燃焼塔、スクライバ郷を有しており、ケーシング３２内
から取り出゛されたガスｔここで清浄化するものである
。
ケーシング３２内には収納された各基体４２【加熱する
九めのヒータｒ２が、各載置台４４上に設けられている
ａｔた、各載置台４４に載置された基体４２は、載置体
４◆【介してアースされている。一方、菖１及び第２の
ガス導入部４８．５０は、それぞれ共通のラジオ・フレ
クエンシミ源１４に接続されている０換言すれば、第１
及び第２のガス導入部４１１．５０は電＠１４によって
カソード電極として機能し、基体４２はカソード電極に
対してアノード電極として機能している。電＠ｒ４は出
力５００Ｗで周ｗＬ数１３．５６ＭＨｚ の交流電流【
供給できる○前述した基体４２は、外径１３０襲の導電
性を有する薄崗円筒体から形成されている。この基体４
７０外馬面に渡って、後述する動作に基づいて、ｍ−ｇ
ｌが所定厚さに成膜される０尚、この大きさの基体４２
’ｉ１６本一度に収納するためのケーシング３２の外径
は、１１？１３０ｍで良い。
九めのヒータｒ２が、各載置台４４上に設けられている
ａｔた、各載置台４４に載置された基体４２は、載置体
４◆【介してアースされている。一方、菖１及び第２の
ガス導入部４８．５０は、それぞれ共通のラジオ・フレ
クエンシミ源１４に接続されている０換言すれば、第１
及び第２のガス導入部４１１．５０は電＠１４によって
カソード電極として機能し、基体４２はカソード電極に
対してアノード電極として機能している。電＠ｒ４は出
力５００Ｗで周ｗＬ数１３．５６ＭＨｚ の交流電流【
供給できる○前述した基体４２は、外径１３０襲の導電
性を有する薄崗円筒体から形成されている。この基体４
７０外馬面に渡って、後述する動作に基づいて、ｍ−ｇ
ｌが所定厚さに成膜される０尚、この大きさの基体４２
’ｉ１６本一度に収納するためのケーシング３２の外径
は、１１？１３０ｍで良い。
次に、載置台４４の駆動機構４１ｊｌＣつき詳述する。
第６図に示すように、駆動機構４ｃは、基部３０の上面
に、これと同軸に駆動台２６１備えている。この駆動台
１−は円板状のテーブル１８とこのテーブルｒｍｏ下面
に同軸に固定され次主軸＃−と【有している。この主軸
ｍｅｎ基部Ｊ＃にベアリング８２を介して、これ０中心
軸回りに回転可能に取り付けられている。テーブルｒａ
Ｏ外馬面には、全周に渡ってｌ［。
に、これと同軸に駆動台２６１備えている。この駆動台
１−は円板状のテーブル１８とこのテーブルｒｍｏ下面
に同軸に固定され次主軸＃−と【有している。この主軸
ｍｅｎ基部Ｊ＃にベアリング８２を介して、これ０中心
軸回りに回転可能に取り付けられている。テーブルｒａ
Ｏ外馬面には、全周に渡ってｌ［。
歯車＃４が取り付けられている。このテーブル１８の外
周には、駆動歯車８６が設けられており、駆動歯車１６
と第１のｍ車＃４とは、互いに噛合してい石。この駆動
歯車８６は、駆動軸１１ｔ−介して基部３＃の下方に設
ゆられたモータＳＯＫ接続されている０こＯ駆動軸８８
は基部ｇｅｔ上下方向に貫通している。
周には、駆動歯車８６が設けられており、駆動歯車１６
と第１のｍ車＃４とは、互いに噛合してい石。この駆動
歯車８６は、駆動軸１１ｔ−介して基部３＃の下方に設
ゆられたモータＳＯＫ接続されている０こＯ駆動軸８８
は基部ｇｅｔ上下方向に貫通している。
前述した各載量台４４は、基体４２が載置される円板状
のレスト９２と、このレスト９２の下面に同軸に固定さ
れた回転軸９４とｔ有している。この回転軸９４は、テ
ーブル１８にベアリング９ ＃ （１４図に示す）ｔ−
介して回転自在に取り付けられている。各レスト９２の
外周面には、全周に痕ってビニオンとしての第２の歯車
＃８が取り付けられている０同心円状に配設された１６
儒り載置台４４ｔ）外周には、固定歯車部１００が基部
１０ｆｃＷＡ定して設けられている。この固定歯車！Ｉ
Ｊ４１＃は、基部３０に起立して散り付けられた円筒状
の起立片１０２と、起立片１０２の上端から半径方向内
方に央出し九７ラッジ部１０４と【備えている０この７
ランジ郁１０４の内周縁の中心は、基部３０の中心と一
致して設定されている。７ラック部１０４の内周面には
全周に渡ってラックとしての固定歯車１０ｇが内歯車状
に設けられている０この固定歯車１−６と各ＪＩ２の歯
車ｇ８とは互いに１合している。
のレスト９２と、このレスト９２の下面に同軸に固定さ
れた回転軸９４とｔ有している。この回転軸９４は、テ
ーブル１８にベアリング９ ＃ （１４図に示す）ｔ−
介して回転自在に取り付けられている。各レスト９２の
外周面には、全周に痕ってビニオンとしての第２の歯車
＃８が取り付けられている０同心円状に配設された１６
儒り載置台４４ｔ）外周には、固定歯車部１００が基部
１０ｆｃＷＡ定して設けられている。この固定歯車！Ｉ
Ｊ４１＃は、基部３０に起立して散り付けられた円筒状
の起立片１０２と、起立片１０２の上端から半径方向内
方に央出し九７ラッジ部１０４と【備えている０この７
ランジ郁１０４の内周縁の中心は、基部３０の中心と一
致して設定されている。７ラック部１０４の内周面には
全周に渡ってラックとしての固定歯車１０ｇが内歯車状
に設けられている０この固定歯車１−６と各ＪＩ２の歯
車ｇ８とは互いに１合している。
ここで、モータ９ｏが起動することにより、駆動歯車８
−が回転駆動され、これに噛合する駆動台ＩＣは基部３
−の中心軸回りに回転駆動される０従って、各載量台４
４、即ち各基体４２は、基＠ ３ ｏの中心軸回りに円
状Ｏ軌跡【−く公転運動【する。
−が回転駆動され、これに噛合する駆動台ＩＣは基部３
−の中心軸回りに回転駆動される０従って、各載量台４
４、即ち各基体４２は、基＠ ３ ｏの中心軸回りに円
状Ｏ軌跡【−く公転運動【する。
一方、各載置台４４は、基部５ｏｙｃ固定され九固定歯
車ｉｏｎに噛合しているので、公転運動に伴って、載量
台４４の回転軸９４回りに回転駆動される。従って、各
載量台４４、即ち各基体４２は、自身の中心軸回りに１
転運動【するＯ 以上のように、構成される一実施例につき、以下に、そ
の動作【説明する〇 まず、ケーシング１４ｆ基部３０から散り外し、１６本
のドラム状の基体４２ｔ１それぞれＯ載置台４４上に載
置する。この後、ケーシン７３４ｆ基部ｎｏに取り付け
、拡散ポンプ６６、ｐ−タリーポンプｇｇＶｔ介して、
１０−’ ｔｏｒｒ。
車ｉｏｎに噛合しているので、公転運動に伴って、載量
台４４の回転軸９４回りに回転駆動される。従って、各
載量台４４、即ち各基体４２は、自身の中心軸回りに１
転運動【するＯ 以上のように、構成される一実施例につき、以下に、そ
の動作【説明する〇 まず、ケーシング１４ｆ基部３０から散り外し、１６本
のドラム状の基体４２ｔ１それぞれＯ載置台４４上に載
置する。この後、ケーシン７３４ｆ基部ｎｏに取り付け
、拡散ポンプ６６、ｐ−タリーポンプｇｇＶｔ介して、
１０−’ ｔｏｒｒ。
真空状態にケーシング３２内ｔもたらす。また、ヒーク
ｒｘ２介して各基体１７＠２００’Ｃ乃至３００℃に加
熱する。この状態で、パルプｓａｋ開きガス供給機構ｇ
ｏから、ガス導入本管゛５６、ガス導入枝管１４ｆ通っ
て、ＳｉＨ，ガスを第１及び第２のガス導入部ａｍ、１
ｏＦＣ導き、それぞれの吹出孔５ｘｖｔ介してケーシン
グ３２内に充満させる。このガス導入状！１において、
ケーシング３７内の圧力は、０．１乃至４．Ｏｔｏｒｒ
Ｅ）範囲に設定される。また、駆動機構４６ｆ介して
各載置台４４【駆動し、従って各基体４２は、自転及び
公転運動【開始している。
ｒｘ２介して各基体１７＠２００’Ｃ乃至３００℃に加
熱する。この状態で、パルプｓａｋ開きガス供給機構ｇ
ｏから、ガス導入本管゛５６、ガス導入枝管１４ｆ通っ
て、ＳｉＨ，ガスを第１及び第２のガス導入部ａｍ、１
ｏＦＣ導き、それぞれの吹出孔５ｘｖｔ介してケーシン
グ３２内に充満させる。このガス導入状！１において、
ケーシング３７内の圧力は、０．１乃至４．Ｏｔｏｒｒ
Ｅ）範囲に設定される。また、駆動機構４６ｆ介して
各載置台４４【駆動し、従って各基体４２は、自転及び
公転運動【開始している。
この後、電源ｒ４ｆ介して、１ｌＸ１及び第２のガス導
入部４ｍ、ｌｉｅと基体４２との間に所定電圧を印加し
、グ四−放ｔｋ生ゼしめ、Ｓｉｎ。
入部４ｍ、ｌｉｅと基体４２との間に所定電圧を印加し
、グ四−放ｔｋ生ゼしめ、Ｓｉｎ。
ガス【ラジカル化させる。クジカル化し、９８１は基体
４２の外周面上に吸引され、この上に、ｄ−’！１０薄
ｌｉｔ形威せしめゐ。即ち、感光層として０１１１−８
１膜が基体４２の外周面上に成膜される。この款電は−
・Ｓｉのｇａが所定の厚さに成長するまで、所定時間続
けられる。ここで、各基体４２は、自転しり公転動作を
行なっている。で、所定厚さまで成長し７ｇｍ−ｇｌの
薄膜は、各基体４２毎に注目しても、均一の厚さ【有し
、且つ、１６本の基体４２全体に渡って注目しても、均
一の厚さ【有すゐことができるようになる０ ｍ−８１０感光層が所定膜厚まで成長し終ると、電１１
ｒ４を臆断して、グ四−放電【停止する。
４２の外周面上に吸引され、この上に、ｄ−’！１０薄
ｌｉｔ形威せしめゐ。即ち、感光層として０１１１−８
１膜が基体４２の外周面上に成膜される。この款電は−
・Ｓｉのｇａが所定の厚さに成長するまで、所定時間続
けられる。ここで、各基体４２は、自転しり公転動作を
行なっている。で、所定厚さまで成長し７ｇｍ−ｇｌの
薄膜は、各基体４２毎に注目しても、均一の厚さ【有し
、且つ、１６本の基体４２全体に渡って注目しても、均
一の厚さ【有すゐことができるようになる０ ｍ−８１０感光層が所定膜厚まで成長し終ると、電１１
ｒ４を臆断して、グ四−放電【停止する。
且つ、パルプ５８を閉じて、ｓｉｇ、ガスの供給【停止
Ｔる０そして、拡散ポンプ＃Ｃ及びロータリーポンプｃ
１ｔ−再び作動させて、ケーシング３２内＃Ｃ残留する
ガスを＃出す為。排出されたガスは、空気清浄機構ｉｏ
にて、清浄化されて、外部環境に放出される０ケーシン
グ３２内の残留ガス【除去した後、ケーシングｓ２【基
＠ Ｊ ｏから象り外し、各載量台４４上の感光ドラム
、即ち、ドラム状の基体４２の外周面上Ｆｃｍ−３％感
光体層が形成されたもの、を取り集める。このようにし
て１回の成膜動作で、１６本の感光ドラムが一度に製造
できるようになる。
Ｔる０そして、拡散ポンプ＃Ｃ及びロータリーポンプｃ
１ｔ−再び作動させて、ケーシング３２内＃Ｃ残留する
ガスを＃出す為。排出されたガスは、空気清浄機構ｉｏ
にて、清浄化されて、外部環境に放出される０ケーシン
グ３２内の残留ガス【除去した後、ケーシングｓ２【基
＠ Ｊ ｏから象り外し、各載量台４４上の感光ドラム
、即ち、ドラム状の基体４２の外周面上Ｆｃｍ−３％感
光体層が形成されたもの、を取り集める。このようにし
て１回の成膜動作で、１６本の感光ドラムが一度に製造
できるようになる。
以上詳述したように、この一実施例によれば、基体４２
【高さ方向に積み上けなくとも１６本Ｏ感光ドツムが一
度に製造できるようになる〇この際、基体４２は基部１
０の中心軸回りに公転運動【シ、且つ、自身の中心軸回
りに自転運動【行なっている。従って、それぞれの感光
ドラムの感光体層の厚さは、一定に形成されることにな
る０且つ、１６本の感光ドラムは同一平面上に並んで製
造されることになるので、作業性も向上すると共に１各
感光ドラム毎の感光体層の厚さは、一様に形成されゐこ
とになる。
【高さ方向に積み上けなくとも１６本Ｏ感光ドツムが一
度に製造できるようになる〇この際、基体４２は基部１
０の中心軸回りに公転運動【シ、且つ、自身の中心軸回
りに自転運動【行なっている。従って、それぞれの感光
ドラムの感光体層の厚さは、一定に形成されることにな
る０且つ、１６本の感光ドラムは同一平面上に並んで製
造されることになるので、作業性も向上すると共に１各
感光ドラム毎の感光体層の厚さは、一様に形成されゐこ
とになる。
この発明は、上述した一実施例の構成に限定されること
なく、この！！ｗｐｒｏ＊旨を逸脱しない範囲で種々変
形可能である〇 例えば、上述した一実施例でに、基体４２に同一平面状
に、単段に設置するように説明したが、この設置段数は
２段であってもかまわない。
なく、この！！ｗｐｒｏ＊旨を逸脱しない範囲で種々変
形可能である〇 例えば、上述した一実施例でに、基体４２に同一平面状
に、単段に設置するように説明したが、この設置段数は
２段であってもかまわない。
本発明者の実験によれば、ドラム状の基体の設置段数が
２段であったとしても、高さ方向の感光体層の膜厚は、
実質的に一定に保たれることになることが、確かめられ
ている。
２段であったとしても、高さ方向の感光体層の膜厚は、
実質的に一定に保たれることになることが、確かめられ
ている。
ま九、上述した一実施例では各基体４７４１）公転軌跡
は円状であるように説明し九が、こ０会転軌跡は、円で
なくとも、楕円や長円であっても良く、また、第７図に
他の実施例として示すように、各角部に丸みが付けられ
た長方形状であっても良い。
は円状であるように説明し九が、こ０会転軌跡は、円で
なくとも、楕円や長円であっても良く、また、第７図に
他の実施例として示すように、各角部に丸みが付けられ
た長方形状であっても良い。
ま九、上述した一実施例ではガス供給機構から供給され
るガスが８１Ｈ４からなるガスであると説明したが、こ
れに限られることなく、必要に応じてＢ＊ｉｍ＠ 、Ｐ
Ｋ畠、Ｑ、 １（含有する混合ガスであっても良い。
るガスが８１Ｈ４からなるガスであると説明したが、こ
れに限られることなく、必要に応じてＢ＊ｉｍ＠ 、Ｐ
Ｋ畠、Ｑ、 １（含有する混合ガスであっても良い。
第１図線従来の感光体製造装置を示す縦断面図、ｊ１２
ｖＡは第１図に示す装置の横断面図、菖３ｖＡは、他の
従来り感光体製造装置を概略的に示？鞭断面図、第４図
μこの発明に係る感光体製造装置〇一実施例ｔｗｉ啼的
に示す縦断面図、第５図は第４図に示す装置の横断面図
、第６図は第４図に示す駆動機構を一部切り欠いて示す
斜視図、そして３１１７図は、この発明に係る感光体製
造装置の他の実施例【概略的に示す横断面図である。 １−・・・基部、３２・・・ケーシング、４２パ基体、
４４・・・載置台、４ｇ・・・駆動機構、ｇａ・・・ガ
ス供給機構、−一・・・拡散ポンプ、−１・・・ロータ
リーポンプ、１４・・・電源。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図
ｖＡは第１図に示す装置の横断面図、菖３ｖＡは、他の
従来り感光体製造装置を概略的に示？鞭断面図、第４図
μこの発明に係る感光体製造装置〇一実施例ｔｗｉ啼的
に示す縦断面図、第５図は第４図に示す装置の横断面図
、第６図は第４図に示す駆動機構を一部切り欠いて示す
斜視図、そして３１１７図は、この発明に係る感光体製
造装置の他の実施例【概略的に示す横断面図である。 １−・・・基部、３２・・・ケーシング、４２パ基体、
４４・・・載置台、４ｇ・・・駆動機構、ｇａ・・・ガ
ス供給機構、−一・・・拡散ポンプ、−１・・・ロータ
リーポンプ、１４・・・電源。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 基体表面にアモルファス・シリコン感光層を
形成してアモルファス・シリコン感光体を製造するアモ
ルファス・シリコン感光体製造方法において、 複数の基体ｔ−載置台上に載置する第１の工程と、 載置台【ケーシング内に収容するＩ！４２の工程と、 ケーシング内を減圧し、ケーシング内に少なくともｓｉ
１含むガスを導入する第３の工程と、 ケーシング内で放電を生じさせ、Ｓｌ【含むガスｔｔジ
カル化させるＪＩ４の工程と、載置台【一方向に沿って
走行させると共に、この上に載置され九基体を上記載置
台に対して相対運動させる籐５の工程と【具備すること
【特徴とするアモルファス・シリコン感光体製造方法０ （２）前記第４の工１と第５の工程は、第３の工１１０
後に１略同時に行なわれること【特徴とする特許請求の
範囲菖１項記載のアモルファス・シリコン感光体製造方
法０ （３）基体表面にアモルファス・シリコン感光層を形成
してアモルファス・シリコン感光体を製造するアモルフ
ァス・Ｖリコン感光体製造装置において、 基部と、 この基部上に外部と遮断可能に設けられｍケーシングと
、 ケーシング内【減圧する減圧手段と、 ケーシング内に少なくともｓｔ １含むガスを供給す
るガス供給手段と、 ケーシング内の８１【含むガス【ラジカル化させる放電
手段と、 基部上に配設され、複数の基体が載置される載量台と、 載量台ｔケーシング内で一方向に沿って走行させると共
に、この上に載置された基体【上記載置台に対して相対
運動させる駆動機構と’ｋＡ備したことｔ特徴とするア
モルファス・シリコン感光体製造装置。 （４）前記ガス供給手段は、基体の走行方向に沿って、
基体【間において、互いに対向して嬌在する一対のガス
導入部を備えていること【特徴とする特許請求の範囲第
３項記載のアモルファス・シリコン感光体製造装置。 （５） 前記放電手段は電源を備え、この電源は一対
のガス導入部にそれぞれ接続され、前記各基体はアース
されていること【特徴とする特許請求の範囲第４項記載
のアモルファス・シリコン感光体製造装置。 （６）前記駆動機構は基体を円状の軌跡【有して無端走
行させること１＊黴とする特許請求の範囲第３項ないし
第５項のいずれかに記載のアモルファス・シリコン感光
体製造装置。 （））、前記ケーシングは円筒状に形成され、このケー
シングの中心は、駆動機構による円状の移動軌跡の中心
に一致していることｔ特徴とする特許請求の範！２１第
６項記載のアモルファス・シリコン感光体製造装置。 （８）前記駆動機構は、ケーシングの中心と一致した回
転中心【有する円板状の駆動台を備え、前記載置台は、
この駆動台に、これの同心円上に位置して回転可能に配
設されることｔ特ｍｌす、る特許請求０１ｉ１ｉ＃Ｅ
７項記載ノアモルファス・シリコン感光体製造装置。 （９）前記載置台は、基体が載置される円板状の１ｉ材
と、こＱ部材の外周に渡って形成されたｌ１ｌＯ歯車と
ｔ備え、 前記駆動機構は前記基部に固定され、ケーシングＯ中心
と一致した中心を有する円状の菖２の歯車【、前記ＩＮ
！ｏ歯車と噛合可能に備えていること【特−とする特許
請求の範囲ｊ１８１［記載のアモルファス・シリコン感
光体製造装置。 前記駆動機構は基体【長円の軌跡【有して無端走行させ
ること【特徴とする特許請求の範囲ｊＩ３項ないし第す
項のいずれかに記載のアモルファス・シリコン感光体製
造装置。 αυ 前記駆動機構は基体１略長方形の軌跡を有して無
端走行させること【特徴とする特許請求の範囲ＪＩ３項
ないし第５項のいずれかに記載のアモルファス・シリコ
ン感光体製造装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015871A JPS58132755A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | アモルフアス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置 |
| US06/457,231 US4501766A (en) | 1982-02-03 | 1983-01-11 | Film depositing apparatus and a film depositing method |
| GB08300948A GB2114160B (en) | 1982-02-03 | 1983-01-14 | Film depositing apparatus and method |
| DE3303435A DE3303435C2 (de) | 1982-02-03 | 1983-02-02 | Vorrichtung zur Abscheidung einer Schicht aus amorphem Silizium |
| DE19833344850 DE3344850C2 (ja) | 1982-02-03 | 1983-02-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015871A JPS58132755A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | アモルフアス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58132755A true JPS58132755A (ja) | 1983-08-08 |
| JPH0338586B2 JPH0338586B2 (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=11900857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57015871A Granted JPS58132755A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | アモルフアス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58132755A (ja) |
| DE (1) | DE3344850C2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186849A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-24 | エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド | 堆積膜形成方法および装置 |
| JPS60204882A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-16 | Anelva Corp | 放電反応処理装置 |
| JPH0625389U (ja) * | 1992-09-09 | 1994-04-05 | オキナ株式会社 | 慶弔事用等の商品外装材 |
| WO2021075074A1 (ja) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | サンテック株式会社 | 基板回転装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4407909C3 (de) † | 1994-03-09 | 2003-05-15 | Unaxis Deutschland Holding | Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen oder quasi-kontinuierlichen Beschichten von Brillengläsern |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57185971A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of glow discharge film |
| JPS57188671A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of glow discharge film |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1159012A (en) * | 1980-05-02 | 1983-12-20 | Seitaro Matsuo | Plasma deposition apparatus |
-
1982
- 1982-02-03 JP JP57015871A patent/JPS58132755A/ja active Granted
-
1983
- 1983-02-02 DE DE19833344850 patent/DE3344850C2/de not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57185971A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of glow discharge film |
| JPS57188671A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of glow discharge film |
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|---|---|---|---|---|
| JPS60186849A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-24 | エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド | 堆積膜形成方法および装置 |
| JPH0524510B2 (ja) * | 1984-02-14 | 1993-04-08 | Enaajii Konbaajon Debaisesu Inc | |
| JPS60204882A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-16 | Anelva Corp | 放電反応処理装置 |
| JPH0625389U (ja) * | 1992-09-09 | 1994-04-05 | オキナ株式会社 | 慶弔事用等の商品外装材 |
| WO2021075074A1 (ja) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | サンテック株式会社 | 基板回転装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0338586B2 (ja) | 1991-06-11 |
| DE3344850C2 (ja) | 1987-07-30 |
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