JPS59129772A - 光化学蒸着装置 - Google Patents
光化学蒸着装置Info
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- JPS59129772A JPS59129772A JP58005266A JP526683A JPS59129772A JP S59129772 A JPS59129772 A JP S59129772A JP 58005266 A JP58005266 A JP 58005266A JP 526683 A JP526683 A JP 526683A JP S59129772 A JPS59129772 A JP S59129772A
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Classifications
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
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- B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
-
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- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/122—Incoherent waves
- B01J19/123—Ultraviolet light
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光化学蒸着装置に関するものである。
最近、電子複写機の感光ドラムや太陽電池などに使用さ
れるアモルファスシリコンの蒸着膜の形成方法が研究さ
れている。また、他方では各種の絶縁膜や保膿膜の形成
にも蒸着方法が利用され、用途によっては種々の蒸着方
法が捉案されているが、このなかでも光化学反応を利用
した光化学蒸着方法は被膜形成速度が著しく早く、大面
積部にも均一な被膜を形成できるなどの利点を有し、最
近特に注目を集めている。
れるアモルファスシリコンの蒸着膜の形成方法が研究さ
れている。また、他方では各種の絶縁膜や保膿膜の形成
にも蒸着方法が利用され、用途によっては種々の蒸着方
法が捉案されているが、このなかでも光化学反応を利用
した光化学蒸着方法は被膜形成速度が著しく早く、大面
積部にも均一な被膜を形成できるなどの利点を有し、最
近特に注目を集めている。
従来の光化学反応を利用した化学蒸着方法は、紫外線を
よく透過する容器内に基板を配置し、光反応用ガスを流
すとともに、容器外から、紫外線ランプで当該ガスを光
化学反応せしめ、その反応生成物を基板に蒸着せしめる
ものであって、前記の大きな利点を有するが、反面、反
応生成物が容器の内壁にも蒸着してしまい、紫外線の透
過を大きく阻害する欠点があることが分った。
よく透過する容器内に基板を配置し、光反応用ガスを流
すとともに、容器外から、紫外線ランプで当該ガスを光
化学反応せしめ、その反応生成物を基板に蒸着せしめる
ものであって、前記の大きな利点を有するが、反面、反
応生成物が容器の内壁にも蒸着してしまい、紫外線の透
過を大きく阻害する欠点があることが分った。
そこで、光反応性ガスの通路であり、かつ基板が配置さ
れる反応空間と、この光反応性カスに光化学反応を生起
せしめる紫外線をプラズマ放電により発生させる放電空
間とを同一容器で取り囲みプラズマと基板との間に隔壁
を設けない、いわゆる放電内蔵型光化学蒸着装置が研究
開発されている。しかし電極間で放電されるプラズマの
一部は拡散するので、このプラズマが基板の蒸着膜に損
傷を与えるのを防止するためにはプラズマ中のイオンや
電子の平均自由行程より遠い位置に基板を置く必要があ
る。そして一方では、基板に照射される紫外線強度を大
きくして効率を上けるために基板をできるだけ光源部処
近づけガければならない。
れる反応空間と、この光反応性カスに光化学反応を生起
せしめる紫外線をプラズマ放電により発生させる放電空
間とを同一容器で取り囲みプラズマと基板との間に隔壁
を設けない、いわゆる放電内蔵型光化学蒸着装置が研究
開発されている。しかし電極間で放電されるプラズマの
一部は拡散するので、このプラズマが基板の蒸着膜に損
傷を与えるのを防止するためにはプラズマ中のイオンや
電子の平均自由行程より遠い位置に基板を置く必要があ
る。そして一方では、基板に照射される紫外線強度を大
きくして効率を上けるために基板をできるだけ光源部処
近づけガければならない。
本発明はこれらの事情にがんがみてなされたものであり
、簡単な構成でプラズマの拡散全防止して基板を光源部
に接近させることを＋＋Ｊ能とし、効率よく蒸着膜を形
成できる放電内蔵型の光化学蒸着装置を提供することを
目的とする。そしてその構成は、光反応性ガスの通路で
あり、かつ基板が配置される反応空間と、この光反応性
ガスに光化、 学反応を生起せしめる紫外線をプラズ
マ放電により発生させる放電空間とを同一容器で取り囲
み、該放電空間に向けて放電用型棒を配設するとともに
、放電４空間と基板との間に金網からなるクリッド格子
を介在させることを特徴とする。
、簡単な構成でプラズマの拡散全防止して基板を光源部
に接近させることを＋＋Ｊ能とし、効率よく蒸着膜を形
成できる放電内蔵型の光化学蒸着装置を提供することを
目的とする。そしてその構成は、光反応性ガスの通路で
あり、かつ基板が配置される反応空間と、この光反応性
ガスに光化、 学反応を生起せしめる紫外線をプラズ
マ放電により発生させる放電空間とを同一容器で取り囲
み、該放電空間に向けて放電用型棒を配設するとともに
、放電４空間と基板との間に金網からなるクリッド格子
を介在させることを特徴とする。
以下に図面により本発明の実施例を具体的に説明する。
容器１の」二部両端後は一対の電極２，２が対向して配
設され、この電極２間が数箱５繋間３を構成している。
設され、この電極２間が数箱５繋間３を構成している。
そして電極２の近傍にガス供給孔１１が設けられ、ここ
から放電用ガスが導入され、電、極２間で放電されてプ
ラズマが発生する。放電空間３の下部は光反応性カスＧ
の通路でるり、かつ基板４が配置される反応空間５を構
成している。
から放電用ガスが導入され、電、極２間で放電されてプ
ラズマが発生する。放電空間３の下部は光反応性カスＧ
の通路でるり、かつ基板４が配置される反応空間５を構
成している。
この雨空間６．５間には透明石英ガラス斤どの隔壁は設
けられていないが、タングステン製金網であるり゛リッ
ド格子６が介在され、これに正電位が印加されている。
けられていないが、タングステン製金網であるり゛リッ
ド格子６が介在され、これに正電位が印加されている。
このり′リッド格子６は平面状に限られるものではなく
、第２図に示すように筒状とし、その内部で放電、する
ようｒｒｃ してもよい。
、第２図に示すように筒状とし、その内部で放電、する
ようｒｒｃ してもよい。
この装置を用いた蒸着例を示すと、反応空間５に流す光
化学反応カスＧの構成は、ギヤリアーガスとしてアルゴ
ン５肺Ｈｇ、光増感剤として水銀６Ｘ１［Ｊ ｒｐａ
Ｈｇ、分解蒸着用ガスとして四水素化珪素０．３ｍｙ
Ｈｇの混合ガスから成り、放電用カスとして８ ｔａ
Ｈｇのアルゴンと２ Ｘ １０−３ｍｎＨｇの水銀の混
合ガスを供給する。基板４は約１５０℃に加熱されたア
ルミナ＆″Ｔ：あり、電圧１［ＪＯＶ電流８Ａで放電空
間６に放電させるとアルゴンと水銀の放電からの紫外線
で四水素化珪素が光分解し、アモルファスの珪素が基板
４上に蒸着される。
化学反応カスＧの構成は、ギヤリアーガスとしてアルゴ
ン５肺Ｈｇ、光増感剤として水銀６Ｘ１［Ｊ ｒｐａ
Ｈｇ、分解蒸着用ガスとして四水素化珪素０．３ｍｙ
Ｈｇの混合ガスから成り、放電用カスとして８ ｔａ
Ｈｇのアルゴンと２ Ｘ １０−３ｍｎＨｇの水銀の混
合ガスを供給する。基板４は約１５０℃に加熱されたア
ルミナ＆″Ｔ：あり、電圧１［ＪＯＶ電流８Ａで放電空
間６に放電させるとアルゴンと水銀の放電からの紫外線
で四水素化珪素が光分解し、アモルファスの珪素が基板
４上に蒸着される。
ここで重装なことは、雨空間３ 、’ ５ Ｉｌｌにク
リッド格子６が介在し、正電位が印加されでいることで
ある。従ってプラズマが基板４方向に拡散してクリッド
格子６に到達するとそこでプラズマの雷。
リッド格子６が介在し、正電位が印加されでいることで
ある。従ってプラズマが基板４方向に拡散してクリッド
格子６に到達するとそこでプラズマの雷。
子が吸収されてしまうのでグリッド格子６外へ拡散する
ことがない。このため基板４をグリッド格子６に接近さ
せてもプラズマにより蒸着膜が損傷されることがなく、
そして光涼部に近いために紫外線を効率よく照射するこ
とカニできる。また、クリッド格子６は網目状であり、
更に網目が粗であっても１６１位を洒整することにより
プラズマを遮断することが可能であり、一方で紫外線を
吸収することがほとんどなく、このグリッド格子乙の介
在により効率が低下することがない。しかし、基板４の
面積が大きく、中央部に対して周辺部の紫外線の照射量
が少なくて均一性にゃ＼問題があるときは、グリッド格
子乙の中央部の網目を周辺部よ抄密とし、紫外線の吸収
量を調節することにより均一に紫外線を照射するように
できる。
ことがない。このため基板４をグリッド格子６に接近さ
せてもプラズマにより蒸着膜が損傷されることがなく、
そして光涼部に近いために紫外線を効率よく照射するこ
とカニできる。また、クリッド格子６は網目状であり、
更に網目が粗であっても１６１位を洒整することにより
プラズマを遮断することが可能であり、一方で紫外線を
吸収することがほとんどなく、このグリッド格子乙の介
在により効率が低下することがない。しかし、基板４の
面積が大きく、中央部に対して周辺部の紫外線の照射量
が少なくて均一性にゃ＼問題があるときは、グリッド格
子乙の中央部の網目を周辺部よ抄密とし、紫外線の吸収
量を調節することにより均一に紫外線を照射するように
できる。
以上説明したように、本発明は放電空間と基板との間に
グリッド格子を夜分させてプラズマの拡散を遮断しまた
ので、基板を光源部に接近させることが可能となり、効
率よく紫外線を照射することができる放電内蔵型の光化
学蒸着装散を提供することができる。
グリッド格子を夜分させてプラズマの拡散を遮断しまた
ので、基板を光源部に接近させることが可能となり、効
率よく紫外線を照射することができる放電内蔵型の光化
学蒸着装散を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例を示す断面図、第２図はグリッ
ド格子の他の実施例を示す断面図である。 １・・・容器 ２・・・電極 ６・・・放電空間４
・・・基板 ５・・・反応空間 ６・・・クリッド格子 出願人 ウシオ電１機株式会社 代理人 弁理士田原寅之助 第１図 第２図 手続補正書（自発） 昭和５８年６月３日 特許庁長官若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許 願第 ５２６６号 ２、発明の名称 光化学蒸着装信 ３、補正をする者 事件との関係 特齢出願人 代表者 湯 本 大 蔵 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 ８ 補正の内容 別紙の通り 明細書第５頁１３行目の「↑Ｅ圧１００ｖ夾流８ＡＪを
「室圧６０Ｖ’ｌｆｆ流５ＡＪに訂正する。 以上
ド格子の他の実施例を示す断面図である。 １・・・容器 ２・・・電極 ６・・・放電空間４
・・・基板 ５・・・反応空間 ６・・・クリッド格子 出願人 ウシオ電１機株式会社 代理人 弁理士田原寅之助 第１図 第２図 手続補正書（自発） 昭和５８年６月３日 特許庁長官若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許 願第 ５２６６号 ２、発明の名称 光化学蒸着装信 ３、補正をする者 事件との関係 特齢出願人 代表者 湯 本 大 蔵 ４、代理人 ５、 補正命令の日付 ８ 補正の内容 別紙の通り 明細書第５頁１３行目の「↑Ｅ圧１００ｖ夾流８ＡＪを
「室圧６０Ｖ’ｌｆｆ流５ＡＪに訂正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光反応性ガスの通路であり、かつ基板が配置される
反応空間と、この光反応性ガスに光化学反応を生起せし
める紫外線をプラズマ放電により発生させる放電空間と
を同一容器で取り囲み、該放電空間に向けて放電用電極
を配設するとともに、放電空間と基板との間に金網から
なるグリッド格子を介在させてなる光化学蒸着装置。 ２ 前記グリッド格子の中央部の網目を密に［７、周辺
部を粗にすることにより基板上に照射される紫外線忙を
均一となるようにした特許請求の範囲第１項記載の光化
学蒸着装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58005266A JPS59129772A (ja) | 1983-01-18 | 1983-01-18 | 光化学蒸着装置 |
| US06/566,792 US4525382A (en) | 1983-01-18 | 1983-12-29 | Photochemical vapor deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58005266A JPS59129772A (ja) | 1983-01-18 | 1983-01-18 | 光化学蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129772A true JPS59129772A (ja) | 1984-07-26 |
| JPS6150150B2 JPS6150150B2 (ja) | 1986-11-01 |
Family
ID=11606422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58005266A Granted JPS59129772A (ja) | 1983-01-18 | 1983-01-18 | 光化学蒸着装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4525382A (ja) |
| JP (1) | JPS59129772A (ja) |
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| JPS62207871A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Ulvac Corp | 光化学気相成長装置 |
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| US6230650B1 (en) | 1985-10-14 | 2001-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
| US6673722B1 (en) | 1985-10-14 | 2004-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
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| US5294285A (en) * | 1986-02-07 | 1994-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for the production of functional crystalline film |
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-
1983
- 1983-01-18 JP JP58005266A patent/JPS59129772A/ja active Granted
- 1983-12-29 US US06/566,792 patent/US4525382A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5650013A (en) * | 1984-11-26 | 1997-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Layer member forming method |
| JPS61186476A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-20 | Yasuo Tarui | 光化学反応装置 |
| JPS62207871A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Ulvac Corp | 光化学気相成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6150150B2 (ja) | 1986-11-01 |
| US4525382A (en) | 1985-06-25 |
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