JPS60212224A - 光化学反応装置 - Google Patents
光化学反応装置Info
- Publication number
- JPS60212224A JPS60212224A JP6751784A JP6751784A JPS60212224A JP S60212224 A JPS60212224 A JP S60212224A JP 6751784 A JP6751784 A JP 6751784A JP 6751784 A JP6751784 A JP 6751784A JP S60212224 A JPS60212224 A JP S60212224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction vessel
- plasma etching
- ultraviolet rays
- opening
- ultraviolet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光化学反応装置に関するものである。
最近、電子複写機の感光ドラムや太陽電池などに使用さ
れるアモルファスシリコンの薄膜の形成方法が研究され
ている。また、他方では各種の絶縁膜や保護膜の形成に
も蒸着方法が利用され、用途によっては種々の蒸着方法
が提案されているが、このなかでも光化学反応を利用し
た光化学蒸着方法は被膜形成速度が著しく早く、大面積
部にも均一な被膜を形成できるなどの利点を有し、最近
特に注目を集めている。
れるアモルファスシリコンの薄膜の形成方法が研究され
ている。また、他方では各種の絶縁膜や保護膜の形成に
も蒸着方法が利用され、用途によっては種々の蒸着方法
が提案されているが、このなかでも光化学反応を利用し
た光化学蒸着方法は被膜形成速度が著しく早く、大面積
部にも均一な被膜を形成できるなどの利点を有し、最近
特に注目を集めている。
従来の光化学反応を利用した化学蒸着ないし堆積方法は
、紫外線をよく透過する窓を有する反応容器内に基板を
配置し、光反応用ガスを流すとともに、容器外から、紫
外線光源で当該ガスを光化学反応せしめ、その反応生成
物を基板に蒸着又は堆積せしめるものであって、前記の
大きな利点を有するが、反面、反応生成物が容器の透過
窓にも蒸着又は堆積してしまい、紫外線の透過を大きく
阻害する欠点があることが分った〇 このため従来は、透過窓に油を塗布したり、アルゴンな
どの不活性ガスを７０−させたシして透過窓に蒸着又は
堆積することを抑えていたが、これらの対策では効果が
小さく、長時間操業していると紫外線の透過が次第に阻
害されていた。
、紫外線をよく透過する窓を有する反応容器内に基板を
配置し、光反応用ガスを流すとともに、容器外から、紫
外線光源で当該ガスを光化学反応せしめ、その反応生成
物を基板に蒸着又は堆積せしめるものであって、前記の
大きな利点を有するが、反面、反応生成物が容器の透過
窓にも蒸着又は堆積してしまい、紫外線の透過を大きく
阻害する欠点があることが分った〇 このため従来は、透過窓に油を塗布したり、アルゴンな
どの不活性ガスを７０−させたシして透過窓に蒸着又は
堆積することを抑えていたが、これらの対策では効果が
小さく、長時間操業していると紫外線の透過が次第に阻
害されていた。
そこで本発明は、透過窓の堆積物を完全に取り去ること
が可能であり、長時間操業しても′紫外線の透過が阻害
されることのなめ光化学反応装置ｒ提供すること金目的
とする。そして、この目的は、光反応性ガスの給排機構
を備え、紫外線の透過部材が装着される開口を有する反
応容器と、該透過部材を介して反応容器内に配置された
被処理物である基板に紫外線を照射する紫外線光源と、
放電機構とエツチングガスの給排機構とを備え、該透過
部材がセットされる開口を有するプラズマエツチング容
器とからなり、該反応容器とプラズマエツチング容器の
両開口間を透過部材が移動可能としたことを特徴とする
光化学反応装置によって達成される。
が可能であり、長時間操業しても′紫外線の透過が阻害
されることのなめ光化学反応装置ｒ提供すること金目的
とする。そして、この目的は、光反応性ガスの給排機構
を備え、紫外線の透過部材が装着される開口を有する反
応容器と、該透過部材を介して反応容器内に配置された
被処理物である基板に紫外線を照射する紫外線光源と、
放電機構とエツチングガスの給排機構とを備え、該透過
部材がセットされる開口を有するプラズマエツチング容
器とからなり、該反応容器とプラズマエツチング容器の
両開口間を透過部材が移動可能としたことを特徴とする
光化学反応装置によって達成される。
以下に図面に示す実施例に基いて本発明を具体的に説明
する。
する。
反応容器１には光度応性ガスの導入孔１１と、減圧装置
に接続される排気孔１２が設けられ、内部中央には石英
ガラス製の基板支持台１５が上下動可能に配設されてい
る。反応容器１の上方は解放されて開口１４が設けられ
ている。この開口１４の上方には間隙１５を介して灯体
２が設置され、その天井部には反射部材２１を介して紫
外線光源である紫外線ランプ５が複数個並設されている
。
に接続される排気孔１２が設けられ、内部中央には石英
ガラス製の基板支持台１５が上下動可能に配設されてい
る。反応容器１の上方は解放されて開口１４が設けられ
ている。この開口１４の上方には間隙１５を介して灯体
２が設置され、その天井部には反射部材２１を介して紫
外線光源である紫外線ランプ５が複数個並設されている
。
ここで紫外線ランプ３は管径が１８ａｍ、点灯開始電圧
が３５０■、点灯電圧が９０Ｖで電流が５Ｎの交流点灯
の低圧水銀灯であるが、これに限られるものではなく、
無電極型のラング装置やプラズマ発生装置でもよく、要
は所定蓋の紫外線を発生させるものであればよい。父、
必要に応じて、灯体２内部はガスをフローさせたり、真
空にすることが可能である。
が３５０■、点灯電圧が９０Ｖで電流が５Ｎの交流点灯
の低圧水銀灯であるが、これに限られるものではなく、
無電極型のラング装置やプラズマ発生装置でもよく、要
は所定蓋の紫外線を発生させるものであればよい。父、
必要に応じて、灯体２内部はガスをフローさせたり、真
空にすることが可能である。
基板支持台１６には図示略の温度調節器が取付けられて
おり、これに支持される基板９は外径が１６０ｍのアル
ミナ板であって約１５０℃に加熱されている。なお、こ
の基板支持台１５をターンテ〜 一プル状に回転可能としたり、反応容器１内を移動可能
とし、運搬機構で基板９を出し入れして多数の基板９を
効率良く処理できるようにすることができる。導入孔１
１からはキャリアガスのアルゴン、光増感剤の水銀ガス
、分解蒸着用ガスの四水素化珪素からなる混合ガスが反
応容器１内に供給されるが、予め混合すると反応するよ
うな光反応性ガスを使用するときは俵数本の導入孔１１
ｆ。
おり、これに支持される基板９は外径が１６０ｍのアル
ミナ板であって約１５０℃に加熱されている。なお、こ
の基板支持台１５をターンテ〜 一プル状に回転可能としたり、反応容器１内を移動可能
とし、運搬機構で基板９を出し入れして多数の基板９を
効率良く処理できるようにすることができる。導入孔１
１からはキャリアガスのアルゴン、光増感剤の水銀ガス
、分解蒸着用ガスの四水素化珪素からなる混合ガスが反
応容器１内に供給されるが、予め混合すると反応するよ
うな光反応性ガスを使用するときは俵数本の導入孔１１
ｆ。
設けて各ガスを個別に導入し、反応容器１内で混合する
ようにするのが良い。そして、この導入孔１１には温度
調節器を設け、各ガスを最適温度に調整して光化学反応
を増進させるのが良い。
ようにするのが良い。そして、この導入孔１１には温度
調節器を設け、各ガスを最適温度に調整して光化学反応
を増進させるのが良い。
次に、反応容器１から所定距離の位置にプラズマエツチ
ング容器４が設置され、下面には、塩素やフッ素、また
はこれらの化合物であるエツチングガスの注入孔４１と
排出孔４２が設けられている。プラズマエツチング容器
４の上方は解放されて開口４３が形成されているが、こ
の間口４５は反応容器１の開口１４と同形状であり、か
つ同レベルの高さに位置する。更に、プラズマエツチン
グ容器４内には電極５ａ、５ｂが対向して配設され、こ
れに高周波電源６が接続されて両電極５ａｔ５ｂ間で放
電される。そしてこの放電によりエツチングガスがプラ
ズマ状態となり、プラズマ粒子が周囲に投射される。又
、このプラズマ放１１Ｌを生じさせる手段としては、無
電極でもよく、要は、プラズマを発生できればよい。
ング容器４が設置され、下面には、塩素やフッ素、また
はこれらの化合物であるエツチングガスの注入孔４１と
排出孔４２が設けられている。プラズマエツチング容器
４の上方は解放されて開口４３が形成されているが、こ
の間口４５は反応容器１の開口１４と同形状であり、か
つ同レベルの高さに位置する。更に、プラズマエツチン
グ容器４内には電極５ａ、５ｂが対向して配設され、こ
れに高周波電源６が接続されて両電極５ａｔ５ｂ間で放
電される。そしてこの放電によりエツチングガスがプラ
ズマ状態となり、プラズマ粒子が周囲に投射される。又
、このプラズマ放１１Ｌを生じさせる手段としては、無
電極でもよく、要は、プラズマを発生できればよい。
反応容器１とプラズマエツチング容器４の中間には回転
部材７が立設され、これには石英ガラス板からなる２枚
の紫外線透過部材８ａ１８ｂが１８０度間隔で取付けら
れている。この透過部材の一方８ａは、回転部材７が回
転することにより、間隙１５を通って開口１４上で停止
、そしてわずかに回転部材７が降下して開口１４に密着
して装着される。このとき、他方の透過部材８ｂも開口
４３に同時に密着する。もっとも、この透過部材８ａ・
８ｂは上記の様な回転運動に限らず、例えば往後運動で
もよく、両開口１４．４３間を移動してこれらに密着し
て装着できるものであればよい。
部材７が立設され、これには石英ガラス板からなる２枚
の紫外線透過部材８ａ１８ｂが１８０度間隔で取付けら
れている。この透過部材の一方８ａは、回転部材７が回
転することにより、間隙１５を通って開口１４上で停止
、そしてわずかに回転部材７が降下して開口１４に密着
して装着される。このとき、他方の透過部材８ｂも開口
４３に同時に密着する。もっとも、この透過部材８ａ・
８ｂは上記の様な回転運動に限らず、例えば往後運動で
もよく、両開口１４．４３間を移動してこれらに密着し
て装着できるものであればよい。
しかしてＪ：記装置において、透過部材８ａが開口１４
に密着した状態で反応容器１内が減圧され、紫外線ラン
プ３が点灯される。そして、導入孔１１より５ｍＨＨの
アルゴン、５■Ｈｇの四水素化珪素、３ Ｘ １０ ｍ
１ｇの水銭蒸気が導入されるが、紫外線は透過部材８ａ
を透過して下方の基板９に照射され、これによって四水
素化珪素が光分解し、アモルファスの珪素が基板９０表
面に蒸着又は堆積される。このとき、光反応性ガスの一
部分は上昇して透過部材８ａの方向に進み、ここでも光
分解が起って生成物が堆積を始める。従って、紫外線の
透過率が徐々に低下するが、上記の条件で光蒸着した場
合は、一枚の基板９に対する蒸着又は堆積は約３０分以
内で完了するが、この時間内では紫外線の透過率は約７
０％までしか低下せず、許容範囲内である。次に、蒸着
が完了すると基板９が搬出され、未処理の基板９が搬入
されるが、これと同時に回転部材７が１８０度回転して
透過部材８ａは開口４３にセットされ、かつ透過部材８
ｂは開口１４に装着される。そして、反応容器１内は減
圧され、上記と同条件下で再び光蒸着されるが、これと
同時に、プラズマエツチング容器４内には注入孔４１よ
りエツチングガスとして０．５ＭＨｇのＣＦａが注入さ
れる。そして、電極５ａ、５ｂに０．５”／ｄのパワー
が加えられるとＣＦｓがプラズマ状態となり、その粒子
、が透過部材８ａの表面に投射される。このため、堆積
物はプラズマエツチング作用により容易に除去されて、
透過率は約１分後に１００％近くまで回復する。なお、
このプラズマエツチングに要する時間は、基板９上に光
蒸着するに要する時間よりずっと短かく、これらが併行
して行われるためにこのプラズマエツチングによって１
サイクルの時間が長くなることがない。
に密着した状態で反応容器１内が減圧され、紫外線ラン
プ３が点灯される。そして、導入孔１１より５ｍＨＨの
アルゴン、５■Ｈｇの四水素化珪素、３ Ｘ １０ ｍ
１ｇの水銭蒸気が導入されるが、紫外線は透過部材８ａ
を透過して下方の基板９に照射され、これによって四水
素化珪素が光分解し、アモルファスの珪素が基板９０表
面に蒸着又は堆積される。このとき、光反応性ガスの一
部分は上昇して透過部材８ａの方向に進み、ここでも光
分解が起って生成物が堆積を始める。従って、紫外線の
透過率が徐々に低下するが、上記の条件で光蒸着した場
合は、一枚の基板９に対する蒸着又は堆積は約３０分以
内で完了するが、この時間内では紫外線の透過率は約７
０％までしか低下せず、許容範囲内である。次に、蒸着
が完了すると基板９が搬出され、未処理の基板９が搬入
されるが、これと同時に回転部材７が１８０度回転して
透過部材８ａは開口４３にセットされ、かつ透過部材８
ｂは開口１４に装着される。そして、反応容器１内は減
圧され、上記と同条件下で再び光蒸着されるが、これと
同時に、プラズマエツチング容器４内には注入孔４１よ
りエツチングガスとして０．５ＭＨｇのＣＦａが注入さ
れる。そして、電極５ａ、５ｂに０．５”／ｄのパワー
が加えられるとＣＦｓがプラズマ状態となり、その粒子
、が透過部材８ａの表面に投射される。このため、堆積
物はプラズマエツチング作用により容易に除去されて、
透過率は約１分後に１００％近くまで回復する。なお、
このプラズマエツチングに要する時間は、基板９上に光
蒸着するに要する時間よりずっと短かく、これらが併行
して行われるためにこのプラズマエツチングによって１
サイクルの時間が長くなることがない。
そして、反応容器１内での光蒸着が完了すると、再び回
転部材７が回転して、堆積物の除去された透過部材８ａ
が開口１４に装着され、以上のサイクルが繰返される。
転部材７が回転して、堆積物の除去された透過部材８ａ
が開口１４に装着され、以上のサイクルが繰返される。
又、薄膜を堆積中、透過部材の紫外線透過率が小さくな
った場合、必要に応じて、８ａと８ｂをサイクルさせる
。このため、透過部拐８ａ＋８ｂの紫外線透過率は常に
許容範囲に保たれ、良好な状態でフｅ蒸着することがで
きる。
った場合、必要に応じて、８ａと８ｂをサイクルさせる
。このため、透過部拐８ａ＋８ｂの紫外線透過率は常に
許容範囲に保たれ、良好な状態でフｅ蒸着することがで
きる。
以上説明したように、本発明は、反応容器とは別にプラ
ズマエツチング容器を設置し、紫外線透過部材金画容器
の開口間を移動するようにしたので、元蒸着と併行して
透過部材の堆積物を亢奮に除去することができる。従っ
て本発明によれば、長時間操業しても紫外線の透過が阻
害されることのない光化学反応装置を提供することが可
能となる。
ズマエツチング容器を設置し、紫外線透過部材金画容器
の開口間を移動するようにしたので、元蒸着と併行して
透過部材の堆積物を亢奮に除去することができる。従っ
て本発明によれば、長時間操業しても紫外線の透過が阻
害されることのない光化学反応装置を提供することが可
能となる。
第１図は本発明実施例の断面図、第２図は透過部材の移
動説明図である。 １、・・・反応容器 １４・・・開口 ６・・・紫外線
ランプ４・・・プラズマエツチング容器 ４５・・・開
口ｂｉ、５ｂ・・・電極 ８ａ、８ｂ・・・透過部材９
・・・基板 出願人 ウシオ電機株式会社 代理人 弁理士 田原寅之助 第１図 ＩＺ ｉ２図 ４ 手続補正書（自発） 昭和５９年８月１０日 １ζ 特許庁長官 志賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特許 願第 ６７５１７号２、発明の名称
光化学反応装置 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者 湯 本 犬 蔵 ４、代理人 ６、 補正により増加する発明の数 ナシ７、補正の対
象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 明細書記７頁９行目の「・・・・・・点灯される。」の
次に「もつとも、反応容器１内を減圧せずに常圧下で光
化学反応を起させてもよい。」を追加する。 以上
動説明図である。 １、・・・反応容器 １４・・・開口 ６・・・紫外線
ランプ４・・・プラズマエツチング容器 ４５・・・開
口ｂｉ、５ｂ・・・電極 ８ａ、８ｂ・・・透過部材９
・・・基板 出願人 ウシオ電機株式会社 代理人 弁理士 田原寅之助 第１図 ＩＺ ｉ２図 ４ 手続補正書（自発） 昭和５９年８月１０日 １ζ 特許庁長官 志賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特許 願第 ６７５１７号２、発明の名称
光化学反応装置 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 代表者 湯 本 犬 蔵 ４、代理人 ６、 補正により増加する発明の数 ナシ７、補正の対
象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ８、補正の内容 明細書記７頁９行目の「・・・・・・点灯される。」の
次に「もつとも、反応容器１内を減圧せずに常圧下で光
化学反応を起させてもよい。」を追加する。 以上
Claims (1)
- 光反応性ガスの給排機構を備え、紫外線の透過部材が装
着される開口を有する反応容器と、該透過部材を介して
反応容器内に配置された被処理物である基板罠紫外線を
照射する紫外線光源と、放電機構とエツチングガスの給
排機構とを備え、該透過部材がセットされる開口を有す
るプラズマエツチング容器とからなり、該反応容器とプ
ラズマエツチング容器の両開口間を透過部材が移動可能
としたことを特徴とする光化学反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6751784A JPS60212224A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 光化学反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6751784A JPS60212224A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 光化学反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60212224A true JPS60212224A (ja) | 1985-10-24 |
| JPS6152232B2 JPS6152232B2 (ja) | 1986-11-12 |
Family
ID=13347249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6751784A Granted JPS60212224A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 光化学反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60212224A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428925A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Semiconductor Energy Lab | Formation of insulating film |
| CN102691054A (zh) * | 2011-03-22 | 2012-09-26 | 财团法人工业技术研究院 | 传动机构及应用该传动机构的镀膜装置 |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP6751784A patent/JPS60212224A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428925A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Semiconductor Energy Lab | Formation of insulating film |
| CN102691054A (zh) * | 2011-03-22 | 2012-09-26 | 财团法人工业技术研究院 | 传动机构及应用该传动机构的镀膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6152232B2 (ja) | 1986-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59129772A (ja) | 光化学蒸着装置 | |
| AU555506B2 (en) | Photochemical vapour deposition method and apparatus | |
| JPS60212224A (ja) | 光化学反応装置 | |
| US4500565A (en) | Deposition process | |
| JPS60209248A (ja) | 光化学反応装置 | |
| JPS60212220A (ja) | 光化学反応装置 | |
| JPS59207621A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS60212223A (ja) | 光化学反応装置 | |
| JPS6250553B2 (ja) | ||
| JPS60212221A (ja) | 光化学反応装置 | |
| JPS60212222A (ja) | 光化学反応装置 | |
| JPS60209247A (ja) | 光化学反応装置 | |
| JPS60212225A (ja) | 光化学反応装置 | |
| JPS6064426A (ja) | 気相反応薄膜形成方法および装置 | |
| JPS6156279A (ja) | 成膜方法 | |
| JPS59129770A (ja) | 光化学蒸着装置 | |
| JPH0334538A (ja) | 光励起反応装置 | |
| US4842828A (en) | Apparatus for treating surface of object with ultraviolet rays and reaction gas | |
| JPS63229711A (ja) | 成膜装置 | |
| JPS59129771A (ja) | 光化学蒸着方法 | |
| JPS6156278A (ja) | 成膜方法 | |
| JPS6214225B2 (ja) | ||
| JPS58193726A (ja) | 蒸着方法 | |
| JPH04206627A (ja) | 光励起プロセス装置 | |
| JPS6156281A (ja) | 成膜方法 |