JPS59129770A - 光化学蒸着装置 - Google Patents
光化学蒸着装置Info
- Publication number
- JPS59129770A JPS59129770A JP526483A JP526483A JPS59129770A JP S59129770 A JPS59129770 A JP S59129770A JP 526483 A JP526483 A JP 526483A JP 526483 A JP526483 A JP 526483A JP S59129770 A JPS59129770 A JP S59129770A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window
- substrate
- lamp
- lamp body
- pressure
- Prior art date
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光化学反応生成物を基板上に蒸着させる装置に
関するものである。
関するものである。
最近、電子り算機の感光ドラムや太１５１ ’１５池な
どに使用されるアモルファスシリコンの蒸着膜の形成方
法が研究されている。また、他方では各種の絶縁膜や保
護膜の形成にも蒸着方法が利用され、用途によっては種
々の蒸着方法が提案されているが、このなかで４光化学
反応を利用した光化学蒸着方法は被膜形成速度が著Ｌ〈
早く、大面積部分にも均一な被膜を形成で穴るなどの利
点を有し。
どに使用されるアモルファスシリコンの蒸着膜の形成方
法が研究されている。また、他方では各種の絶縁膜や保
護膜の形成にも蒸着方法が利用され、用途によっては種
々の蒸着方法が提案されているが、このなかで４光化学
反応を利用した光化学蒸着方法は被膜形成速度が著Ｌ〈
早く、大面積部分にも均一な被膜を形成で穴るなどの利
点を有し。
最近特に注目を集めている。
この光化学蒸着方法に使用？ねる従来の装置は紫外線の
透過窓を有する反応容器に基板を配性して減圧下で光反
応性ガスを渡し、反応容器外の紫外線ラングで光化学反
応をおこし、その反応生成物を基板上に蒸−ヘ・）略せ
るようになっている。そして紫外線の透過窓には石英ガ
ラスやフン化リチウム、フン化マグネシウムなどの紫外
線全透過し易い材料で作られている。
透過窓を有する反応容器に基板を配性して減圧下で光反
応性ガスを渡し、反応容器外の紫外線ラングで光化学反
応をおこし、その反応生成物を基板上に蒸−ヘ・）略せ
るようになっている。そして紫外線の透過窓には石英ガ
ラスやフン化リチウム、フン化マグネシウムなどの紫外
線全透過し易い材料で作られている。
ところでこの光化学蒸着方法は前述の通り、大面積部分
にも均一な被１１４を形成できる特性を有するので、近
時はこの特性を活用して基板が大面積化する傾向が強い
。このためにＭＩＮとしては１ず紫外線を均一に照射さ
せるために管状の紫外線ランプを複数個並設１−て面光
源とづれ、また轟然のことながら紫外線透過窓の面＃翫
拡大づねる。反応容器内は数Ｔｏｒｒに減圧されるので
紫外線透過窓には大気圧との差圧が力・かるが、この面
積が拡大するとこれに比例して荷重が増加するＣ）で使
用される石英ガラスなどの板厚を大きくしなければなら
ない。例えば紫外線透過窓が直径１６〇−程度の円形の
場合には石英ガラスの板厚を１０ ｔｈｙｎ近くにもす
る必要があり、コストが上昇するのみでなく、紫外線を
透過し易い材料といえども板厚７５二大きくなると透過
が阻害されて効率か低下する問題点が生じた。
にも均一な被１１４を形成できる特性を有するので、近
時はこの特性を活用して基板が大面積化する傾向が強い
。このためにＭＩＮとしては１ず紫外線を均一に照射さ
せるために管状の紫外線ランプを複数個並設１−て面光
源とづれ、また轟然のことながら紫外線透過窓の面＃翫
拡大づねる。反応容器内は数Ｔｏｒｒに減圧されるので
紫外線透過窓には大気圧との差圧が力・かるが、この面
積が拡大するとこれに比例して荷重が増加するＣ）で使
用される石英ガラスなどの板厚を大きくしなければなら
ない。例えば紫外線透過窓が直径１６〇−程度の円形の
場合には石英ガラスの板厚を１０ ｔｈｙｎ近くにもす
る必要があり、コストが上昇するのみでなく、紫外線を
透過し易い材料といえども板厚７５二大きくなると透過
が阻害されて効率か低下する問題点が生じた。
そこで本発明は以上の事情［８みてなされたものであり
、大面積の基板に対しても効率よく均一な被膜を蒸着で
きる光化学蒸着装置を提供することを目的とＬｌその構
成は、前述の従来装＋１ｆｔＱ紫外線透過窓上に紫外線
ランプを複数個並設り、近（産するラング導入線間の電
位差を放電破壊電圧以下とし、かつ灯体内を減圧するこ
とを特徴とするものである。即ち、灯体内を減圧するこ
とにより反応容器内との差圧を小さくし、これにより透
過窓の板厚’ｆｒｒＮくすることを可能とし、一方灯体
内を減圧することにより派生する放電破壊の問題点を近
接するランプ導入線間の電位差を放電破壊電圧以下とす
ることにより防止するものである。
、大面積の基板に対しても効率よく均一な被膜を蒸着で
きる光化学蒸着装置を提供することを目的とＬｌその構
成は、前述の従来装＋１ｆｔＱ紫外線透過窓上に紫外線
ランプを複数個並設り、近（産するラング導入線間の電
位差を放電破壊電圧以下とし、かつ灯体内を減圧するこ
とを特徴とするものである。即ち、灯体内を減圧するこ
とにより反応容器内との差圧を小さくし、これにより透
過窓の板厚’ｆｒｒＮくすることを可能とし、一方灯体
内を減圧することにより派生する放電破壊の問題点を近
接するランプ導入線間の電位差を放電破壊電圧以下とす
ることにより防止するものである。
以下に図面により本発明の実施例を具体的に説明する。
反応容器１には光反応性ガスの導入孔１１と、減圧装装
置に接続される排気孔１２が設けられ、内部中央には石
英ガラス製の基板支持台１３が配設されている。そして
上面は石英ガラス力・らなる紫外線透過窓１４が設けら
れているが、その上部圧 ゛灯体２が一体に連設され
、その天井部には反射部材２１を介して複数個の紫外線
うｙグ３が並設され、そして側群には灯体２内を減圧す
るための排気孔２２が設けられている。
置に接続される排気孔１２が設けられ、内部中央には石
英ガラス製の基板支持台１３が配設されている。そして
上面は石英ガラス力・らなる紫外線透過窓１４が設けら
れているが、その上部圧 ゛灯体２が一体に連設され
、その天井部には反射部材２１を介して複数個の紫外線
うｙグ３が並設され、そして側群には灯体２内を減圧す
るための排気孔２２が設けられている。
ここで紫外線ラング３け管径が３０冊、点灯開始電圧が
２５０Ｖ、点灯電圧が４５Ｖで電流が５Ａの交流点灯の
佃圧水銀灯であり、近接するランプ導入線間の最旬距阿
は２Ｇである。そして灯体２内が数’ｆｏｒｒに減圧き
ねると、この条件下１゛は放電破＃電圧は約３００ｖと
なり、もし紫外線ランプ３の導入線を無作為に結糾して
近接する導入線の位相がず力で逆電位となると、その間
に最大７００Ｖの電圧が加わり容易に放電破ＪＩＸ！を
起して１−筐う。
２５０Ｖ、点灯電圧が４５Ｖで電流が５Ａの交流点灯の
佃圧水銀灯であり、近接するランプ導入線間の最旬距阿
は２Ｇである。そして灯体２内が数’ｆｏｒｒに減圧き
ねると、この条件下１゛は放電破＃電圧は約３００ｖと
なり、もし紫外線ランプ３の導入線を無作為に結糾して
近接する導入線の位相がず力で逆電位となると、その間
に最大７００Ｖの電圧が加わり容易に放電破ＪＩＸ！を
起して１−筐う。
従ってこれを防止するために紫外線ランプ３０位相を揃
え、導入線間の電位差を放電破壊電圧以下となるように
Ｍ線されている。
え、導入線間の電位差を放電破壊電圧以下となるように
Ｍ線されている。
基板支持台１３に支持される基板４は約１５０℃に加熱
されたアルミナ板であり、外径が１５２１ｍの円形状で
ある。そして導入孔１１〃Ｓら導入−ｇｈる光反応性ガ
スは、キャリヤーガスとして分圧５ ｍｍＨｇのアルゴ
ン、光増感剤として分圧３Ｘ１０簡Ｈｇの水銀、分解蒸
着用ガスとして分圧０．３闘Ｈｇの四水素化珪素力・ら
なる混合ガスであり、上記の低圧水銀灯を点灯して紫外
線を照射すると四水素化珪素が光分解し１アモルファス
の珪素が基板４上に蒸着嘔れる。このとき反応容器１内
も数ＴＯｒｒ力・それ以下に減圧されているが、灯体２
内嘱同様に減圧されているので紫外線透過窓１４の石英
ガラスの両面に圧力差はほとんどなく、従って外径が１
６０ ｍｍの紫外線透碑）窓１４の場合でも板厚は２龍
権度で十分であり、こねに吸収てれる紫外線の借はわず
刀・で８９、効率よ〈照射することができる。
されたアルミナ板であり、外径が１５２１ｍの円形状で
ある。そして導入孔１１〃Ｓら導入−ｇｈる光反応性ガ
スは、キャリヤーガスとして分圧５ ｍｍＨｇのアルゴ
ン、光増感剤として分圧３Ｘ１０簡Ｈｇの水銀、分解蒸
着用ガスとして分圧０．３闘Ｈｇの四水素化珪素力・ら
なる混合ガスであり、上記の低圧水銀灯を点灯して紫外
線を照射すると四水素化珪素が光分解し１アモルファス
の珪素が基板４上に蒸着嘔れる。このとき反応容器１内
も数ＴＯｒｒ力・それ以下に減圧されているが、灯体２
内嘱同様に減圧されているので紫外線透過窓１４の石英
ガラスの両面に圧力差はほとんどなく、従って外径が１
６０ ｍｍの紫外線透碑）窓１４の場合でも板厚は２龍
権度で十分であり、こねに吸収てれる紫外線の借はわず
刀・で８９、効率よ〈照射することができる。
以上説明したように、本発明は複数本の紫外線ラングを
並設したので太面誼′め基板に対しても均一に紫外線を
照射でき、そして灯体内を反応容器内と１ｕ］様に減圧
したので大きな紫外純透過窓でもその板＊ｉＪ′滉〈て
良く、紫外線の坊過が阻Ｖ！芒れることがない。爽に幻
体内乏減圧したことにより派生する放電破壊の開明も位
相を揃夕で電位差を小さくすることにより解消したので
、大面積の其板に対しても均一に効率よく３着できる光
イヒ学蒸着装置を提供することができる。
並設したので太面誼′め基板に対しても均一に紫外線を
照射でき、そして灯体内を反応容器内と１ｕ］様に減圧
したので大きな紫外純透過窓でもその板＊ｉＪ′滉〈て
良く、紫外線の坊過が阻Ｖ！芒れることがない。爽に幻
体内乏減圧したことにより派生する放電破壊の開明も位
相を揃夕で電位差を小さくすることにより解消したので
、大面積の其板に対しても均一に効率よく３着できる光
イヒ学蒸着装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例を示す断面図である。
１・・・反応容器 ２・・・灯体 ３・・・紫外線ラン
プ４・・・基板 １４・・・紫外線透過窓出願人
ウシオ電機株式会社 代理人 弁理士 田原寅之助 ２１ ３
プ４・・・基板 １４・・・紫外線透過窓出願人
ウシオ電機株式会社 代理人 弁理士 田原寅之助 ２１ ３
Claims (1)
- 紫外線の透過窓を有する減圧下の反応答器内に基板を配
Ｎ’ｔ して光反応性ガスを流Ｃ−２反応答器外の紫外
線ランプで尚該ガスを光化学反応せしめ、その反応生成
物を基板上に蒸着させる装置であって、複数個の該紫外
線ランプを灯体内に並設し、近接するランプ導入糾問の
電位差を放血１破壊電圧以下とし、〃・つ灯体内を減圧
することを牲徴と憤る光化学類５ｓ装噴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP526483A JPS59129770A (ja) | 1983-01-18 | 1983-01-18 | 光化学蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP526483A JPS59129770A (ja) | 1983-01-18 | 1983-01-18 | 光化学蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129770A true JPS59129770A (ja) | 1984-07-26 |
| JPS6150149B2 JPS6150149B2 (ja) | 1986-11-01 |
Family
ID=11606366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP526483A Granted JPS59129770A (ja) | 1983-01-18 | 1983-01-18 | 光化学蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129770A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609875A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-18 | Nec Corp | 光化学反応装置 |
| JPS6156279A (ja) * | 1984-08-25 | 1986-03-20 | Yasuo Tarui | 成膜方法 |
| JPH03211283A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-09-17 | Asea Brown Boveri Ag | 被覆装置 |
| JP2006009073A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Ulvac Japan Ltd | 熱ｃｖｄ装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52120681A (en) * | 1976-04-02 | 1977-10-11 | Fujitsu Ltd | Gas phase growth device |
| JPS56105480A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching method |
| JPS57112033A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Unit for chemical vapor growth |
| JPS57179851A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Formation of pattern |
-
1983
- 1983-01-18 JP JP526483A patent/JPS59129770A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52120681A (en) * | 1976-04-02 | 1977-10-11 | Fujitsu Ltd | Gas phase growth device |
| JPS56105480A (en) * | 1980-01-25 | 1981-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching method |
| JPS57112033A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Unit for chemical vapor growth |
| JPS57179851A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Formation of pattern |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609875A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-18 | Nec Corp | 光化学反応装置 |
| JPS6156279A (ja) * | 1984-08-25 | 1986-03-20 | Yasuo Tarui | 成膜方法 |
| JPH0563551B2 (ja) * | 1984-08-25 | 1993-09-10 | Yasuo Tarui | |
| JPH03211283A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-09-17 | Asea Brown Boveri Ag | 被覆装置 |
| JP2006009073A (ja) * | 2004-06-24 | 2006-01-12 | Ulvac Japan Ltd | 熱ｃｖｄ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6150149B2 (ja) | 1986-11-01 |
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