JPH03625B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH03625B2 JPH03625B2 JP57015870A JP1587082A JPH03625B2 JP H03625 B2 JPH03625 B2 JP H03625B2 JP 57015870 A JP57015870 A JP 57015870A JP 1587082 A JP1587082 A JP 1587082A JP H03625 B2 JPH03625 B2 JP H03625B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- shutter
- substrate
- path
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 44
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 36
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 49
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、基体の表面にアモルフアス・シリ
コンからなる感光層を形成するためのアモルフア
ス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置に
関する。
コンからなる感光層を形成するためのアモルフア
ス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置に
関する。
近年、電子複写機の技術領域において、アモル
フアス・シリコン光導電体を感光層として使用す
ることが提案されている。このアモルフアス・シ
リコン光導電体を感光層として備える感光体（以
下、単にα―Si感光体と呼ぶ）は、耐熱性、硬
さ、長寿命、並びに無公害性の諸点で、現在、電
子複写機の感光層として用いられているα―Se，
CdS，ZnO，O.P.C.等に比べて、勝つている。
フアス・シリコン光導電体を感光層として使用す
ることが提案されている。このアモルフアス・シ
リコン光導電体を感光層として備える感光体（以
下、単にα―Si感光体と呼ぶ）は、耐熱性、硬
さ、長寿命、並びに無公害性の諸点で、現在、電
子複写機の感光層として用いられているα―Se，
CdS，ZnO，O.P.C.等に比べて、勝つている。
このようなα−Ｓ感光体は、例えばグロー放電
法を用いることにより、以下のようにして製造さ
れる。第１図及び第２図に示すように、ケーシン
グ１０内には、ドラム状の基体１２が回転可能に
収納されている。このケーシング１０の内部空間
は、拡散ポンプ１４及びロータリーポンプ１６に
よつて、予め真空状態に設定されている。尚、こ
の基体１２は接地されていると共に、図示しない
駆動機構を介して中心軸回りに回転されている。
次いで、バルブ１８を開放することにより、
SiH4ガスもしくは必要に応じてSiH4と、B2H6，
Ph3との混合ガスがケーシング１０内に導入され
る。この導入されたガスは、ガス導入管２０の多
数の吹出口２２を介して、基体１２表面上に吹き
付けられる。また、基体１２はヒータ２４によつ
て、加熱されている。ここで、ガス導入管２０
は、ラジオ・フレクエンシ電源２６のカソード電
極と兼用させられている。次いで、この電源２６
を介して、カソード電極２０と基体１２との間
に、R.F.パワーがかけられる。ここで、基体１２
は接地されているため、この基体１２はカソード
電極２０に対してアノード電極として作用するこ
とになる。このため、カソード電極としてのガス
導入管２０とアノード電極としての基体１２との
間に、グロー放電が発生し、SiH4ガスはラジカ
ル化される。このようにして、基体１２表面上
に、所定時間の経過と共に、α―Siが成長する。
そして、α―Siによる感光層が基体１２表面上に
所定の厚さに均一に形成されて、α―Siの成膜が
終了する。このようなα―Siの成膜が終了する
と、成膜に関与しなかつたSiH4ガスのラジカル
は、拡散ポンプ１４及びロータリーポンプ１６に
よつて、ケーシング１０内から吸引される。この
後、吸引されたSiH4のラジカルは、図示しない
燃焼塔、スクライバを順次経て、外気中に安全に
排気される。次に、ケーシング１０が開放され
て、α―Si感光体は、ケーシング１０内から取り
出される。このようにして、１本のα―Si感光体
の製造が完了する。
法を用いることにより、以下のようにして製造さ
れる。第１図及び第２図に示すように、ケーシン
グ１０内には、ドラム状の基体１２が回転可能に
収納されている。このケーシング１０の内部空間
は、拡散ポンプ１４及びロータリーポンプ１６に
よつて、予め真空状態に設定されている。尚、こ
の基体１２は接地されていると共に、図示しない
駆動機構を介して中心軸回りに回転されている。
次いで、バルブ１８を開放することにより、
SiH4ガスもしくは必要に応じてSiH4と、B2H6，
Ph3との混合ガスがケーシング１０内に導入され
る。この導入されたガスは、ガス導入管２０の多
数の吹出口２２を介して、基体１２表面上に吹き
付けられる。また、基体１２はヒータ２４によつ
て、加熱されている。ここで、ガス導入管２０
は、ラジオ・フレクエンシ電源２６のカソード電
極と兼用させられている。次いで、この電源２６
を介して、カソード電極２０と基体１２との間
に、R.F.パワーがかけられる。ここで、基体１２
は接地されているため、この基体１２はカソード
電極２０に対してアノード電極として作用するこ
とになる。このため、カソード電極としてのガス
導入管２０とアノード電極としての基体１２との
間に、グロー放電が発生し、SiH4ガスはラジカ
ル化される。このようにして、基体１２表面上
に、所定時間の経過と共に、α―Siが成長する。
そして、α―Siによる感光層が基体１２表面上に
所定の厚さに均一に形成されて、α―Siの成膜が
終了する。このようなα―Siの成膜が終了する
と、成膜に関与しなかつたSiH4ガスのラジカル
は、拡散ポンプ１４及びロータリーポンプ１６に
よつて、ケーシング１０内から吸引される。この
後、吸引されたSiH4のラジカルは、図示しない
燃焼塔、スクライバを順次経て、外気中に安全に
排気される。次に、ケーシング１０が開放され
て、α―Si感光体は、ケーシング１０内から取り
出される。このようにして、１本のα―Si感光体
の製造が完了する。
しかし、このようにしてα―Si感光体を製造す
るのでは、成膜速度が極めて遅く、且つ、ケーシ
ング１０内を真空にするための前処理時間及びケ
ーシング１０内から残留のSiH4のラジカルを排
出するための後処理時間に長時間を要し、生産性
が極めて悪いものである。従つて、α―Si感光体
の製造コストが非常に高くなるという不都合を生
じている。
るのでは、成膜速度が極めて遅く、且つ、ケーシ
ング１０内を真空にするための前処理時間及びケ
ーシング１０内から残留のSiH4のラジカルを排
出するための後処理時間に長時間を要し、生産性
が極めて悪いものである。従つて、α―Si感光体
の製造コストが非常に高くなるという不都合を生
じている。
この様な不都合を解消するために、第３図に示
すように、ドラム状の基体１２を軸方向に沿つて
多段に並べ、一度に多くの基体１２にα―Siの成
膜を行う方法が、従来、提案されている。しか
し、このような方法では、ケーシング１０の高さ
には、おのずから限界があり、設定される基体１
２の数が制限されると共に、基体１２のケーシン
グ１０中への出し入れ時の作業性が問題として残
つている。更には、このような成膜方法では、図
示しない真空ポンプ類は、ケーシング１０の下方
に取り付けなければならないという設計上の要請
がある。このため、ケーシング１０内のガスの密
度が、上部と下部とで異なることになり、成膜さ
れたα―Siの感光層の膜厚が、それぞれの感光体
によつて異なつてしまうという致命的な欠点を、
この方法は有している。
すように、ドラム状の基体１２を軸方向に沿つて
多段に並べ、一度に多くの基体１２にα―Siの成
膜を行う方法が、従来、提案されている。しか
し、このような方法では、ケーシング１０の高さ
には、おのずから限界があり、設定される基体１
２の数が制限されると共に、基体１２のケーシン
グ１０中への出し入れ時の作業性が問題として残
つている。更には、このような成膜方法では、図
示しない真空ポンプ類は、ケーシング１０の下方
に取り付けなければならないという設計上の要請
がある。このため、ケーシング１０内のガスの密
度が、上部と下部とで異なることになり、成膜さ
れたα―Siの感光層の膜厚が、それぞれの感光体
によつて異なつてしまうという致命的な欠点を、
この方法は有している。
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたも
ので、この発明の目的は、α―Si感光体を単位時
間当り多量に、しかも均一の感光層の膜厚を有し
て製造することのできるアモルフアス・シリコン
感光体製造方法及びその製造装置を提供すること
にある。
ので、この発明の目的は、α―Si感光体を単位時
間当り多量に、しかも均一の感光層の膜厚を有し
て製造することのできるアモルフアス・シリコン
感光体製造方法及びその製造装置を提供すること
にある。
この発明に係るアモルフアス・シリコン製造方
法は、複数の基体を、搬入路上に搬送方向に沿つ
て載置する第１の工程と、一方向に延在する搬送
路を包含する膜形成室を減圧し、膜形成室に少な
くともSiを含むガスを導入する第２の工程と、膜
形成室内で放電を生じさせ、Siを含むガスをラジ
カル化させる第３の工程と、搬入路から膜形成室
内の搬送路の一端に、前部控え室を介して基体を
送り込む工程と、膜形成室内の基体を搬送路に沿
つて他端まで搬送する第５の工程と、搬送路の他
端に至つた基体を後部控え室を介して搬出路に送
り込む第６の工程とを具備することを特徴として
いる。
法は、複数の基体を、搬入路上に搬送方向に沿つ
て載置する第１の工程と、一方向に延在する搬送
路を包含する膜形成室を減圧し、膜形成室に少な
くともSiを含むガスを導入する第２の工程と、膜
形成室内で放電を生じさせ、Siを含むガスをラジ
カル化させる第３の工程と、搬入路から膜形成室
内の搬送路の一端に、前部控え室を介して基体を
送り込む工程と、膜形成室内の基体を搬送路に沿
つて他端まで搬送する第５の工程と、搬送路の他
端に至つた基体を後部控え室を介して搬出路に送
り込む第６の工程とを具備することを特徴として
いる。
また、この発明に係るアモルフアス・シリコン
感光体製造装置は、基部とこの基部上に取り付け
られ、一方向に沿つて延在する搬送路を包含して
内部を複数の基体を収納可能な膜形成室とするケ
ーシングと、ケーシング内に少なくともSiを含む
ガスを供給するガス供給手段と、ケーシング内の
Siを含むガスをラジカル化させる放電手段と、膜
形成室の一端と搬入路の終端とに接続される前部
控え室と、膜形成室の他端と搬出路の始端とに接
続される後部控え室と、搬入路上に設けられ、こ
の上の基体を前部控え室に送り出す第１の移動機
構と、前部控え室内に設けられ、この中の基体を
膜形成室に送り出す第２の移動機構と、基体を膜
形成室内で前記一方向に沿つて移動させる第３の
移動機構と、後部控え室に設けられ、この中の成
膜された基体を搬出路の始端に送り出す第４の移
動機構と、搬出路の始端に送り出された成膜され
た基体を搬送路の末端に向けて移動させる第５の
移動機構とケーシング、前部控え室並びに後部控
え室を選択的に減圧する減圧手段とを具備するこ
とを特徴としている。
感光体製造装置は、基部とこの基部上に取り付け
られ、一方向に沿つて延在する搬送路を包含して
内部を複数の基体を収納可能な膜形成室とするケ
ーシングと、ケーシング内に少なくともSiを含む
ガスを供給するガス供給手段と、ケーシング内の
Siを含むガスをラジカル化させる放電手段と、膜
形成室の一端と搬入路の終端とに接続される前部
控え室と、膜形成室の他端と搬出路の始端とに接
続される後部控え室と、搬入路上に設けられ、こ
の上の基体を前部控え室に送り出す第１の移動機
構と、前部控え室内に設けられ、この中の基体を
膜形成室に送り出す第２の移動機構と、基体を膜
形成室内で前記一方向に沿つて移動させる第３の
移動機構と、後部控え室に設けられ、この中の成
膜された基体を搬出路の始端に送り出す第４の移
動機構と、搬出路の始端に送り出された成膜され
た基体を搬送路の末端に向けて移動させる第５の
移動機構とケーシング、前部控え室並びに後部控
え室を選択的に減圧する減圧手段とを具備するこ
とを特徴としている。
この発明に係るアモルフアス・シリコン感光体
製造方法及びその製造装置によれば、アモルフア
ス・シリコン感光体を単位時間当り多量に、しか
も均一の感光層の膜厚を有して製造することがで
きる。
製造方法及びその製造装置によれば、アモルフア
ス・シリコン感光体を単位時間当り多量に、しか
も均一の感光層の膜厚を有して製造することがで
きる。
以下に、この発明に係るアモルフアス・シリコ
ン感光体製造方法及びその製造装置の第19実施例
を、添付図面の第４図乃至第１４図を参照して、
詳細に説明する。
ン感光体製造方法及びその製造装置の第19実施例
を、添付図面の第４図乃至第１４図を参照して、
詳細に説明する。
第４図及び第５図に示すように、製造装置２８
は平面Ｕ字状の基部３０を備えている。この基部
３０の上部には、これの上面を全面に渡つて覆う
ように、ケーシング３２が固定して取り付けられ
ている。
は平面Ｕ字状の基部３０を備えている。この基部
３０の上部には、これの上面を全面に渡つて覆う
ように、ケーシング３２が固定して取り付けられ
ている。
このケーシング３２は、基部３０の外縁に沿つ
て起立する外壁３４と、内縁に沿つて起立する内
壁３６と、外壁３４及び内壁３６の上端縁を連接
する天板３８とを備えている。この基部３０とケ
ーシング３２とによつて取り囲まれる空間は、平
面Ｕ字状の膜形成室４０として規定される。この
膜形成室４０の一端には、第５図に示すように、
前部控え室４２が接続されている。また、膜形成
室４０の他端には、後部控え室４４が接続されて
いる。前部控え室４２と膜形成室４０との間に
は、第１のシヤツタ４６が開閉可能に設けられて
いる。この第１のシヤツタ４６が開いた状態で、
前部控え室４２と膜形成室４０とは連通状態にも
たらされ、閉じた状態で、互いに気密状態に保た
れる。後部控え室４４と膜形成室４０との間に
は、第２のシヤツタ４８が開閉可能に設けられて
いる。この第２のシヤツタ４８が開いた状態で、
後部控え室４４と膜形成室４０とは、連通状態に
もたらされ、閉じた状態で互いに気密状態に保た
れる。
て起立する外壁３４と、内縁に沿つて起立する内
壁３６と、外壁３４及び内壁３６の上端縁を連接
する天板３８とを備えている。この基部３０とケ
ーシング３２とによつて取り囲まれる空間は、平
面Ｕ字状の膜形成室４０として規定される。この
膜形成室４０の一端には、第５図に示すように、
前部控え室４２が接続されている。また、膜形成
室４０の他端には、後部控え室４４が接続されて
いる。前部控え室４２と膜形成室４０との間に
は、第１のシヤツタ４６が開閉可能に設けられて
いる。この第１のシヤツタ４６が開いた状態で、
前部控え室４２と膜形成室４０とは連通状態にも
たらされ、閉じた状態で、互いに気密状態に保た
れる。後部控え室４４と膜形成室４０との間に
は、第２のシヤツタ４８が開閉可能に設けられて
いる。この第２のシヤツタ４８が開いた状態で、
後部控え室４４と膜形成室４０とは、連通状態に
もたらされ、閉じた状態で互いに気密状態に保た
れる。
この前部控え室４２の第１のシヤツタ４６と対
向する部分には、入口開口部５０が形成されてい
る。この入口開口部５０には、これを開閉可能
に、第３のシヤツタ５２が設けられている。この
第３のシヤツタ５２が開いた状態で、前部控え室
４２は外部と連通状態にもたらされ、閉じた状態
で外部から気密状態に保たれる。この入口開口部
５０には、搬入路５４の終端が対向して設けられ
ている。
向する部分には、入口開口部５０が形成されてい
る。この入口開口部５０には、これを開閉可能
に、第３のシヤツタ５２が設けられている。この
第３のシヤツタ５２が開いた状態で、前部控え室
４２は外部と連通状態にもたらされ、閉じた状態
で外部から気密状態に保たれる。この入口開口部
５０には、搬入路５４の終端が対向して設けられ
ている。
後部控え室４４の、第２のシヤツタ４８と対向
する部分には、出口開口部５６が形成されてい
る。この出口開口部５６には、これを開閉可能に
第４のシヤツタ５８が設けられている。この第４
のシヤツタ５８が開いた状態で、後部控え室４４
は、外部と連通状態にもたらされ、閉じた状態で
外部から気密状態に保たれる。この出口開口部５
６には、搬出路６０の始端が対向して設けられて
いる。
する部分には、出口開口部５６が形成されてい
る。この出口開口部５６には、これを開閉可能に
第４のシヤツタ５８が設けられている。この第４
のシヤツタ５８が開いた状態で、後部控え室４４
は、外部と連通状態にもたらされ、閉じた状態で
外部から気密状態に保たれる。この出口開口部５
６には、搬出路６０の始端が対向して設けられて
いる。
ケーシング３２内であつて、基部３０の上面に
は、搬送路６２が設けられている。これら、搬入
路５４、前部控え室４２、搬送路６２、後部控え
室４４、搬出路６０にはそれぞれ感光体としての
感光ドラム用のドラム状の基体６４が載置される
載置台６６を矢印Ｘで示す方向に沿つて移動す
る、第１乃至第５の移動機構６８，７０，７２，
７４，７６が設けられている。第１の移動機構６
８は搬入路５４上の載置台６６を前部控え室４２
中に、第２の移動機構７０は前部控え室４２中の
載置台６６を搬送路６２上に、第３の移動機構７
２は搬送路６２上の載置台６６を後部控え室４４
中に、第４の移動機構７４は後部控え室４４中の
載置台６６を搬出路６０上に、それぞれ送り出す
ように構成されている。尚、第５の移動機構７６
は、搬出路６０上に第４の移動機構７４を介して
もたらされた載置台６６を図示しない取り出し部
まで搬送するように構成されている。
は、搬送路６２が設けられている。これら、搬入
路５４、前部控え室４２、搬送路６２、後部控え
室４４、搬出路６０にはそれぞれ感光体としての
感光ドラム用のドラム状の基体６４が載置される
載置台６６を矢印Ｘで示す方向に沿つて移動す
る、第１乃至第５の移動機構６８，７０，７２，
７４，７６が設けられている。第１の移動機構６
８は搬入路５４上の載置台６６を前部控え室４２
中に、第２の移動機構７０は前部控え室４２中の
載置台６６を搬送路６２上に、第３の移動機構７
２は搬送路６２上の載置台６６を後部控え室４４
中に、第４の移動機構７４は後部控え室４４中の
載置台６６を搬出路６０上に、それぞれ送り出す
ように構成されている。尚、第５の移動機構７６
は、搬出路６０上に第４の移動機構７４を介して
もたらされた載置台６６を図示しない取り出し部
まで搬送するように構成されている。
前部控え室４２及び後部控え室４４は共に、載
置台６６を１台収納するに充分な大きさに設定さ
れている。また膜形成室４０は載置台６６を多数
台、例えば９台一度に収納するに充分な大きさに
設定されている。
置台６６を１台収納するに充分な大きさに設定さ
れている。また膜形成室４０は載置台６６を多数
台、例えば９台一度に収納するに充分な大きさに
設定されている。
各載置台６６は第６図に示すように、第１乃至
第５の移動機構６８，７０，７２，７４，７６に
それぞれ係合するテーブル７８と、このテーブル
７８の略中央部に設けられ、沿直軸を中心軸とし
て回転可能な支軸８０と、この支軸８０の上端に
中央部が固定された円板状のレスト８２とを備え
ている。このレスト８２の外周面には、全周に渡
つて歯車８４が形成されている。各基体６４は、
このレスト８２の略中央部上に載置される。ここ
で、ケーシング３２の外壁３４であつて、載置台
６６のレスト８２に対向する部分には、歯車８４
と噛合するラツク８６が取り付けられている。こ
のラツク８６は搬送路６２に渡つて設けられてい
る。従つて載置台６６のレスト８２は、第３の移
動機構７２によつて搬送路６２に沿つて移動され
るにつれて、自身の中心軸回りに回転、即ち、自
転運動をすることになる。
第５の移動機構６８，７０，７２，７４，７６に
それぞれ係合するテーブル７８と、このテーブル
７８の略中央部に設けられ、沿直軸を中心軸とし
て回転可能な支軸８０と、この支軸８０の上端に
中央部が固定された円板状のレスト８２とを備え
ている。このレスト８２の外周面には、全周に渡
つて歯車８４が形成されている。各基体６４は、
このレスト８２の略中央部上に載置される。ここ
で、ケーシング３２の外壁３４であつて、載置台
６６のレスト８２に対向する部分には、歯車８４
と噛合するラツク８６が取り付けられている。こ
のラツク８６は搬送路６２に渡つて設けられてい
る。従つて載置台６６のレスト８２は、第３の移
動機構７２によつて搬送路６２に沿つて移動され
るにつれて、自身の中心軸回りに回転、即ち、自
転運動をすることになる。
ケーシング３２内には、外壁３４及び内壁３６
にそれぞれ沿つて、第１及び第２のガス導入部８
８，９０が配設されている。各ガス導入部８８，
９０は、平面Ｕ字状の中空体に、導電性物質から
形成されている。第１のガス導入部８８及び第２
のガス導入部９０の互いに対向する面には、それ
ぞれに多数のガス吹出孔９２が均一に形成されて
いる。また、第１のガス導入部８８及び第２のガ
ス導入部９０の各上面には、それぞれに複数のガ
ス導入枝管９４が接続されている。これらガス導
入枝管９４は、共通のガス導入本管９６に結合さ
れており、このガス導入本管９６は第１のバルブ
９８を介して第１のガス供給機構１００に接続さ
れている。この第１のガス供給機構１００は
SiH4ガスを供給するためのものである。ここで、
前述した複数のガス導入枝管９４はケーシング３
２の天板３８を気密に貫通してケーシング３２内
に取り入れられている。また、前部及び後部控え
室４２，４４には、それぞれに第１及び第２のガ
ス導入管１０２，１０４が接続されている。両ガ
ス導入管１０２，１０４は第２及び第３のバルブ
１０６，１０８をそれぞれ介して、第２のガス供
給機構１１０に接続されている。この第２のガス
供給機構１１０は無毒の不活性ガス、例えばN2
ガスを供給するためのものである。
にそれぞれ沿つて、第１及び第２のガス導入部８
８，９０が配設されている。各ガス導入部８８，
９０は、平面Ｕ字状の中空体に、導電性物質から
形成されている。第１のガス導入部８８及び第２
のガス導入部９０の互いに対向する面には、それ
ぞれに多数のガス吹出孔９２が均一に形成されて
いる。また、第１のガス導入部８８及び第２のガ
ス導入部９０の各上面には、それぞれに複数のガ
ス導入枝管９４が接続されている。これらガス導
入枝管９４は、共通のガス導入本管９６に結合さ
れており、このガス導入本管９６は第１のバルブ
９８を介して第１のガス供給機構１００に接続さ
れている。この第１のガス供給機構１００は
SiH4ガスを供給するためのものである。ここで、
前述した複数のガス導入枝管９４はケーシング３
２の天板３８を気密に貫通してケーシング３２内
に取り入れられている。また、前部及び後部控え
室４２，４４には、それぞれに第１及び第２のガ
ス導入管１０２，１０４が接続されている。両ガ
ス導入管１０２，１０４は第２及び第３のバルブ
１０６，１０８をそれぞれ介して、第２のガス供
給機構１１０に接続されている。この第２のガス
供給機構１１０は無毒の不活性ガス、例えばN2
ガスを供給するためのものである。
一方、基部３０の上面には、基部３０を貫通す
る多数のガス導出枝管１１２の一端が第４のバル
ブ１１４を介して開口している。このガス導出枝
管１１２は、前部及び後部控え室４２，４４にも
第５及び第６のバルブ１１６，１１８をそれぞれ
介して開口している。これらガス導出枝管１１２
は、共通のガス導出本管１２０に結合されてい
る。このガス導出本管１２０は拡散ポンプ１２２
及びロータリーポンプ１２４を順次介して空気清
浄機構１２６に接続されている。この空気清浄機
構１２６は、詳細は図示していないが、燃焼塔、
スクライバ等を有しており、ケーシング３２内か
ら取り出されたガスをここで清浄化するものであ
る。
る多数のガス導出枝管１１２の一端が第４のバル
ブ１１４を介して開口している。このガス導出枝
管１１２は、前部及び後部控え室４２，４４にも
第５及び第６のバルブ１１６，１１８をそれぞれ
介して開口している。これらガス導出枝管１１２
は、共通のガス導出本管１２０に結合されてい
る。このガス導出本管１２０は拡散ポンプ１２２
及びロータリーポンプ１２４を順次介して空気清
浄機構１２６に接続されている。この空気清浄機
構１２６は、詳細は図示していないが、燃焼塔、
スクライバ等を有しており、ケーシング３２内か
ら取り出されたガスをここで清浄化するものであ
る。
ケーシング３２内には、収納された各基体６４
を加熱するためのヒータ１２８が設けられてい
る。また、各載置台６６に載置された基体６４
は、載置台６６を介してアースされる。一方、第
１及び第２のガス導入部８８，９０は、それぞれ
共通のラジオ・フレクエンシ電源１２８に接続さ
れている。換言すれば、第１及び第２のガス導入
部８８，９０は電源１３０によつてカソード電極
として機能し、基体６４はカソード電極に対して
アノード電極として機能している。電源１０は出
力500Wで周波数13.56MHzの交流電流を供給でき
る。
を加熱するためのヒータ１２８が設けられてい
る。また、各載置台６６に載置された基体６４
は、載置台６６を介してアースされる。一方、第
１及び第２のガス導入部８８，９０は、それぞれ
共通のラジオ・フレクエンシ電源１２８に接続さ
れている。換言すれば、第１及び第２のガス導入
部８８，９０は電源１３０によつてカソード電極
として機能し、基体６４はカソード電極に対して
アノード電極として機能している。電源１０は出
力500Wで周波数13.56MHzの交流電流を供給でき
る。
前述した基体６４は、外径130mmの導電性を有
する薄肉円筒体から形成されている。この基体６
４の外周面に渡つて、後述する動作に基づいて、
α―Siが所定厚さに成膜される。
する薄肉円筒体から形成されている。この基体６
４の外周面に渡つて、後述する動作に基づいて、
α―Siが所定厚さに成膜される。
以上のように構成される第１の実施例につき、
以下にその動作を説明する。
以下にその動作を説明する。
まず、第７図に示すように搬入路５４上の各載
置台６６上に基体６４を載置し、第１、第２並び
に第３のシヤツタ４６，４８，５２を開き、第４
のシヤツタ５８を閉じる。この状態で、第１の移
動機構６８は進行方向、即ち、矢印Ｘで示す方
向、に沿つての一番先頭の載置台６６上の基体６
４Ａを前部控え室４２に送る。更に、第２の移動
機構７０は、この一番先頭の基体６４Ａを第８図
に示すように膜形成室６２内に送る。尚、先頭の
基体６４Ａが膜形成室６２内に送られた状態で次
の基体６４Ｂは、図示に示すように、前部控え室
４２中に位置している。
置台６６上に基体６４を載置し、第１、第２並び
に第３のシヤツタ４６，４８，５２を開き、第４
のシヤツタ５８を閉じる。この状態で、第１の移
動機構６８は進行方向、即ち、矢印Ｘで示す方
向、に沿つての一番先頭の載置台６６上の基体６
４Ａを前部控え室４２に送る。更に、第２の移動
機構７０は、この一番先頭の基体６４Ａを第８図
に示すように膜形成室６２内に送る。尚、先頭の
基体６４Ａが膜形成室６２内に送られた状態で次
の基体６４Ｂは、図示に示すように、前部控え室
４２中に位置している。
この第８図に示す状態で、第３のシヤツタ５２
を閉じ、第４乃至第６のバルブ１１４，１１６，
１１８を開き、拡散ポンプ１２２及びロータリー
ポンプ１２６を介して膜形成室６２、前部控え室
４２、並びに後部控え室４４内を真空状態にす
る。これら室６２，４２，４４内の圧力が
10-5torrに達した時点で、拡散ポンプ１２２、ロ
ータリーポンプ１２４の駆動動を停止し、第４乃
至第６のバルブ１１４，１１６，１１８をそれぞ
れ閉じ、第９図に示すように、第１及び第２のシ
ヤツタ４６，４８を閉じると共に、ヒータ１２８
を介して基体６４Ａを200℃乃至300℃に加熱す
る。そして、第１のバルブ９８を開き、第１のガ
ス供給機構１００から、ガス導入本管９６、ガス
導入枝管９４を通つて、SiH4ガスを第１及び第
２のガス導入部８８，９０に導き、それぞれの吹
出孔９２を介して膜形成室４０内に充満させる。
このガス導入状態において、膜形成室４０内の圧
力は、0.1乃至4.0torrの範囲に設定される。
を閉じ、第４乃至第６のバルブ１１４，１１６，
１１８を開き、拡散ポンプ１２２及びロータリー
ポンプ１２６を介して膜形成室６２、前部控え室
４２、並びに後部控え室４４内を真空状態にす
る。これら室６２，４２，４４内の圧力が
10-5torrに達した時点で、拡散ポンプ１２２、ロ
ータリーポンプ１２４の駆動動を停止し、第４乃
至第６のバルブ１１４，１１６，１１８をそれぞ
れ閉じ、第９図に示すように、第１及び第２のシ
ヤツタ４６，４８を閉じると共に、ヒータ１２８
を介して基体６４Ａを200℃乃至300℃に加熱す
る。そして、第１のバルブ９８を開き、第１のガ
ス供給機構１００から、ガス導入本管９６、ガス
導入枝管９４を通つて、SiH4ガスを第１及び第
２のガス導入部８８，９０に導き、それぞれの吹
出孔９２を介して膜形成室４０内に充満させる。
このガス導入状態において、膜形成室４０内の圧
力は、0.1乃至4.0torrの範囲に設定される。
この後、電源１３０を介して、第１及び第２の
ガス導入部８８，９０と基体６４Ａとの間に所定
電圧を印加し、グロー放電を生ぜしめ、SiH4ガ
スをラジカル化させる。ラジカル化したSiは、基
体６４Ａの外周面上に吸引され、この上にα―Si
の薄膜を形成せしめる。即ち、感光層としてのα
―Si膜が基体の外周面上に成膜される。
ガス導入部８８，９０と基体６４Ａとの間に所定
電圧を印加し、グロー放電を生ぜしめ、SiH4ガ
スをラジカル化させる。ラジカル化したSiは、基
体６４Ａの外周面上に吸引され、この上にα―Si
の薄膜を形成せしめる。即ち、感光層としてのα
―Si膜が基体の外周面上に成膜される。
ここで、第３の移動機構７２は基体６４Ａを載
置した載置台６６を矢印Ｘで示す方向に沿つて搬
送路６２上を移動させる。この第３の移動機構７
２による載置台６６の移動速度は、載置台６６が
第５図中符号Ａで示す位置から符号Ｂで示す位置
まで移動された状態で、所定の厚さを有して成膜
動作が完了するように、設定されている。ここで
符号Ａで示される搬送路６２上の位置とは、前部
控え室４２に隣接する搬送路６２上の部分を示し
ており、符号Ｂで示される搬送路６２上の位置と
は、後部控え室４４に隣接する搬送路６２上の部
分を示している。
置した載置台６６を矢印Ｘで示す方向に沿つて搬
送路６２上を移動させる。この第３の移動機構７
２による載置台６６の移動速度は、載置台６６が
第５図中符号Ａで示す位置から符号Ｂで示す位置
まで移動された状態で、所定の厚さを有して成膜
動作が完了するように、設定されている。ここで
符号Ａで示される搬送路６２上の位置とは、前部
控え室４２に隣接する搬送路６２上の部分を示し
ており、符号Ｂで示される搬送路６２上の位置と
は、後部控え室４４に隣接する搬送路６２上の部
分を示している。
一方、先頭の載置台６６上の基体６４Ａが、第
５図中符号Ｃで示す位置に移動され、これと前部
控え室４２との間に、他の載置台６６が位置する
のに充分なスペースが形成された時点で、第１の
シヤツタ４６を開き、第１０図に示すように第２
の移動機構７０を介して前部控え室４２内の載置
台６６上の基体６４Ｂを符号Ａで示す位置に移動
させる。この後、第１のシヤツタ４６を閉じ、前
部控え室４２内に充満したSiH4ガスを除去する
ために、第４及び第６のバルブ１１４，１４８を
閉じたままで、第５のバルブ１１６を開きロータ
リーポンプ１２４及び拡散ポンプ１１２を介して
前部控え室４２内を真空に引く。前部控え室４２
が所定の真空度になされた時点で、こねらの駆動
を止め、第５のバルブ１１６を閉じ、第２のバル
ブ１０６を開き、第２のガス供給機構１１０から
第１のガス導入管１０２を介して前部控え室４２
中にN2ガスを噴出させて、真空状態をリークす
る。
５図中符号Ｃで示す位置に移動され、これと前部
控え室４２との間に、他の載置台６６が位置する
のに充分なスペースが形成された時点で、第１の
シヤツタ４６を開き、第１０図に示すように第２
の移動機構７０を介して前部控え室４２内の載置
台６６上の基体６４Ｂを符号Ａで示す位置に移動
させる。この後、第１のシヤツタ４６を閉じ、前
部控え室４２内に充満したSiH4ガスを除去する
ために、第４及び第６のバルブ１１４，１４８を
閉じたままで、第５のバルブ１１６を開きロータ
リーポンプ１２４及び拡散ポンプ１１２を介して
前部控え室４２内を真空に引く。前部控え室４２
が所定の真空度になされた時点で、こねらの駆動
を止め、第５のバルブ１１６を閉じ、第２のバル
ブ１０６を開き、第２のガス供給機構１１０から
第１のガス導入管１０２を介して前部控え室４２
中にN2ガスを噴出させて、真空状態をリークす
る。
この後、第１１図に示すように第３のシヤツタ
５２を開き、搬入路５４上で、前部控え室４２を
隣接して待機していた載置台６６上の基体６４Ｃ
を、第１の移動機構６８を介して前部控え室４２
内に移動する。次に、第３のシヤツタ５２を閉
じ、第５のバルブ１１６のみを開いた前部控え室
４２内を拡散ポンプ１２２及びロータリーポンプ
１２４を介して所定の真空状態にする。そして、
膜形成室４０内であつて、第５図中符号Ａで示す
位置の基体６４Ｂが、符号Ｂで示す位置に移動さ
れた時点で、第１のシヤツタ４６を開き、第２の
移動機構７０を介して、前部控え室４２中の載置
体６６上の基体６４Ｃを、搬送路６２上の符号Ａ
で示す位置に移動する。以後、この動作は、搬入
路５４上から基体６４がなくなるまで、自動的に
繰り返される。
５２を開き、搬入路５４上で、前部控え室４２を
隣接して待機していた載置台６６上の基体６４Ｃ
を、第１の移動機構６８を介して前部控え室４２
内に移動する。次に、第３のシヤツタ５２を閉
じ、第５のバルブ１１６のみを開いた前部控え室
４２内を拡散ポンプ１２２及びロータリーポンプ
１２４を介して所定の真空状態にする。そして、
膜形成室４０内であつて、第５図中符号Ａで示す
位置の基体６４Ｂが、符号Ｂで示す位置に移動さ
れた時点で、第１のシヤツタ４６を開き、第２の
移動機構７０を介して、前部控え室４２中の載置
体６６上の基体６４Ｃを、搬送路６２上の符号Ａ
で示す位置に移動する。以後、この動作は、搬入
路５４上から基体６４がなくなるまで、自動的に
繰り返される。
尚、前部控え室４２から膜形成室４０内に基体
６４の移動動作が行なわれている際中も、膜形成
室４０内での膜形成動作は連続的に成し遂げられ
ている。ここで、搬送路６２上を第３の移動機構
７２によつて、移動される載置台６６上の基体６
４は、載置台６６のレスト８２とラツク８６との
噛合によつて、基体６４の中心軸回りに回転運動
を行なつている。即ち、搬送路６２上を移動する
基体６４は自転運動を行なつている。
６４の移動動作が行なわれている際中も、膜形成
室４０内での膜形成動作は連続的に成し遂げられ
ている。ここで、搬送路６２上を第３の移動機構
７２によつて、移動される載置台６６上の基体６
４は、載置台６６のレスト８２とラツク８６との
噛合によつて、基体６４の中心軸回りに回転運動
を行なつている。即ち、搬送路６２上を移動する
基体６４は自転運動を行なつている。
先頭の載置台６６上の基体６４AAが、第１２
図に示すように成膜動作を受けつつ、搬送路６２
上を第５図中符号Ｂで示す位置まで移動される
と、この時点で、基体６４Ａの外周面上には、所
定厚さにα―Siの感光層が形成されることにな
る。この感光層が形成された基体６４Ａ、即ち感
光ドラム１３２が符号Ｂで示す位置に移動される
と、第２のシヤツタ４８を開き、第３の移動機構
７２を介して感光ドラム１３２を後部控え室４４
に移動する。そして、第１３図に示すように、第
２のシヤツタ４８を閉じて、後部控え室４４内に
充満したSiH4ガスを除去するため第６のバルブ
１１８のみを開き、拡散ポンプ１２２、及びロー
タリーポンプ１２４を介して、後部控え室４４内
を真空に引く。後部控え室４４が所定の真空度に
なされた時点で、これらの駆動を止めると共に、
第６のバルブ１１８を閉じて第３のバルブ１０８
を開き、第２のガス導入管１０４を介して第２の
ガス供給機構１１０から後部控え室４４中にN2
ガスを噴出させて、真空状態をリークする。
図に示すように成膜動作を受けつつ、搬送路６２
上を第５図中符号Ｂで示す位置まで移動される
と、この時点で、基体６４Ａの外周面上には、所
定厚さにα―Siの感光層が形成されることにな
る。この感光層が形成された基体６４Ａ、即ち感
光ドラム１３２が符号Ｂで示す位置に移動される
と、第２のシヤツタ４８を開き、第３の移動機構
７２を介して感光ドラム１３２を後部控え室４４
に移動する。そして、第１３図に示すように、第
２のシヤツタ４８を閉じて、後部控え室４４内に
充満したSiH4ガスを除去するため第６のバルブ
１１８のみを開き、拡散ポンプ１２２、及びロー
タリーポンプ１２４を介して、後部控え室４４内
を真空に引く。後部控え室４４が所定の真空度に
なされた時点で、これらの駆動を止めると共に、
第６のバルブ１１８を閉じて第３のバルブ１０８
を開き、第２のガス導入管１０４を介して第２の
ガス供給機構１１０から後部控え室４４中にN2
ガスを噴出させて、真空状態をリークする。
尚、前部控え室４２及び後部控え室４４から排
出されたSiH4ガスは、空気清浄機構１２６にて、
清浄化されて、外部環境に放出される。
出されたSiH4ガスは、空気清浄機構１２６にて、
清浄化されて、外部環境に放出される。
この後、第１４図に示すように第４のシヤツタ
５８を開き、後部控え室４４中の載置台６６上の
感光ドラム１３２を、第４の移動機構７４を介し
て搬出路６０上に移動する。次に、第４のシヤツ
タ５８を閉じ、第６のバルブ１１８を開き、後部
控え室４４内を拡散ポンプ１２２及びロータリー
ポンプ１２４を介して所定の真空状態にする。以
後、この動作は全体の成膜動作が完了するまで、
自動的に繰り返される。
５８を開き、後部控え室４４中の載置台６６上の
感光ドラム１３２を、第４の移動機構７４を介し
て搬出路６０上に移動する。次に、第４のシヤツ
タ５８を閉じ、第６のバルブ１１８を開き、後部
控え室４４内を拡散ポンプ１２２及びロータリー
ポンプ１２４を介して所定の真空状態にする。以
後、この動作は全体の成膜動作が完了するまで、
自動的に繰り返される。
以上詳述したように、この第１の実施例によれ
ば、ドラム状の基体６４の外周面にα―Siを成膜
して感光ドラムを形成するに際し、膜形成室４０
は常に成膜可能状態に設定・維持されている。そ
して、新たなドラム状の基体６４を膜形成室４０
に導入することは小さな前部控え室４２を介して
行なわれている。従つて、成膜動作と同時に、こ
の動作を妨げることなく、新たなドラム状基体６
４の導入動作が完遂される。且つ、成膜されたド
ラム状基体６４、即ち感光ドラム１３２の膜形成
室４０からの取り出しは、小さな後部控え室４４
を介して行なわれている。従つて、成膜動作と同
時に、この動作を妨げることなく、感光ドラム１
３２の膜形成室４０からの取り出し動作が完遂さ
れる。
ば、ドラム状の基体６４の外周面にα―Siを成膜
して感光ドラムを形成するに際し、膜形成室４０
は常に成膜可能状態に設定・維持されている。そ
して、新たなドラム状の基体６４を膜形成室４０
に導入することは小さな前部控え室４２を介して
行なわれている。従つて、成膜動作と同時に、こ
の動作を妨げることなく、新たなドラム状基体６
４の導入動作が完遂される。且つ、成膜されたド
ラム状基体６４、即ち感光ドラム１３２の膜形成
室４０からの取り出しは、小さな後部控え室４４
を介して行なわれている。従つて、成膜動作と同
時に、この動作を妨げることなく、感光ドラム１
３２の膜形成室４０からの取り出し動作が完遂さ
れる。
ここで、前部及び後部控え室４２，４４は、１
個の基体６４が入るに充分なだけの小さな大きさ
に設定してある。従つて、この両控え室４２，４
４を所定の真空状態になすために必要な時間は、
極めて短いものであり、且つ、この間に、成膜動
作は継続して行なわれているので、全体としての
成膜効率が妨げられることはない。即ち、この第
１実施例で長時間製造動作を実施することにより
一時間当り従来より多数のα―Si感光ドラムを製
作することができるようになる。
個の基体６４が入るに充分なだけの小さな大きさ
に設定してある。従つて、この両控え室４２，４
４を所定の真空状態になすために必要な時間は、
極めて短いものであり、且つ、この間に、成膜動
作は継続して行なわれているので、全体としての
成膜効率が妨げられることはない。即ち、この第
１実施例で長時間製造動作を実施することにより
一時間当り従来より多数のα―Si感光ドラムを製
作することができるようになる。
また、膜形成室４０内を移動する基体６４は自
転運動を行なつているので、形成された感光ドラ
ムの感光層の厚さは、一定に形成されることにな
る。また、各感光ドラム毎の感光体層の厚さも、
一様に形成されることになる。
転運動を行なつているので、形成された感光ドラ
ムの感光層の厚さは、一定に形成されることにな
る。また、各感光ドラム毎の感光体層の厚さも、
一様に形成されることになる。
この発明は、上述した第１の実施例の構成及び
動作に限定されることなく、この発発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々変形可能である。
動作に限定されることなく、この発発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々変形可能である。
例えば、上述した第１の実施例では、膜形成室
４０を平面Ｕ字状であると説明した。しかし、こ
のような構成に限定されることなく、第１５図に
第２の実施例として示すように膜形成室１３４は
平面Ｉ字状、即ち、直線状であつても、同様の効
果を奏することができる。
４０を平面Ｕ字状であると説明した。しかし、こ
のような構成に限定されることなく、第１５図に
第２の実施例として示すように膜形成室１３４は
平面Ｉ字状、即ち、直線状であつても、同様の効
果を奏することができる。
また、上述した第１の実施例では前部及び後部
控え室４２，４４の大きさを、それぞれ基体６４
を１個収納するのに充分な大きさになるように説
明した。しかし、このような構成に限定されるこ
となく、前部控え室１３６、後部控え室１３８を
第１６図に第３の実施例として示すように、膜形
成室１４０に収納される基体６４の個数と同数の
基体６４を収納できるに充分な大きさに設定して
も良い。この場合、前部控え室１３６に待期して
いる多数の基体６４は一度に膜形成室４０内に導
入され、膜形成室４０内で成膜された多数の感光
ドラム６４は一度に後部控え室１３８に取り出さ
れる。このように、構成し、動作させることによ
つても、所期の目的を達成することができる。
尚、上述した第２及び第３の実施例の説明におい
て、第１の実施例と同様の部分には、同様の符号
を付して、その説明を省略している。
控え室４２，４４の大きさを、それぞれ基体６４
を１個収納するのに充分な大きさになるように説
明した。しかし、このような構成に限定されるこ
となく、前部控え室１３６、後部控え室１３８を
第１６図に第３の実施例として示すように、膜形
成室１４０に収納される基体６４の個数と同数の
基体６４を収納できるに充分な大きさに設定して
も良い。この場合、前部控え室１３６に待期して
いる多数の基体６４は一度に膜形成室４０内に導
入され、膜形成室４０内で成膜された多数の感光
ドラム６４は一度に後部控え室１３８に取り出さ
れる。このように、構成し、動作させることによ
つても、所期の目的を達成することができる。
尚、上述した第２及び第３の実施例の説明におい
て、第１の実施例と同様の部分には、同様の符号
を付して、その説明を省略している。
更に、上述した第１の実施例では、第１のガス
供給機構１００から供給されるガスが、SiH4か
らなるガスであると説明したが、これに限定され
ることなく、必要に応じてB2H6，PH3，O2を含
有する混合ガスであつても良い。
供給機構１００から供給されるガスが、SiH4か
らなるガスであると説明したが、これに限定され
ることなく、必要に応じてB2H6，PH3，O2を含
有する混合ガスであつても良い。
また、基体はドラム状に限らず、その形状は限
定されない。
定されない。
第１図は従来の感光体製造装置を示す縦断面
図、第２図は第１図に示す装置の横断面図、第３
図は、他の従来の感光体製造装置を概略的に示す
縦断面図、第４図はこの発明に係る感光体製造装
置の第１の実施例を示す縦断面図、第５図は第４
図に示す装置の横断面図、第６図は第４図に示す
装置に用いられる載置台を基体と共に取り出して
示す斜視図、第７図乃至第１４図は、それぞれこ
の発明の動作を示すための横断面図、第１５図は
この発明に係る感光体製造装置の第２の実施例を
概略的に示す横断面図、そして第１６図はこの発
明に係る感光体製造装置の第３の実施例を概略的
に示す横断面図である。 ３０…基部、３２…ケーシング、４０…膜形成
室、４２…前部控え室、４４…後部控え室、５４
…搬入路、６０…搬出路、６２…搬送路、６４…
基体、６６…載置台、６８…第１の駆動機構、７
０…第２の移動機構、７２…第３の移動機構、７
４…第４の移動機構、７６…第５の移動機構、１
００…第１のガス供給機構、１２２…拡散ポン
プ、１２４…ロータリーポンプ、１３０…電源。
図、第２図は第１図に示す装置の横断面図、第３
図は、他の従来の感光体製造装置を概略的に示す
縦断面図、第４図はこの発明に係る感光体製造装
置の第１の実施例を示す縦断面図、第５図は第４
図に示す装置の横断面図、第６図は第４図に示す
装置に用いられる載置台を基体と共に取り出して
示す斜視図、第７図乃至第１４図は、それぞれこ
の発明の動作を示すための横断面図、第１５図は
この発明に係る感光体製造装置の第２の実施例を
概略的に示す横断面図、そして第１６図はこの発
明に係る感光体製造装置の第３の実施例を概略的
に示す横断面図である。 ３０…基部、３２…ケーシング、４０…膜形成
室、４２…前部控え室、４４…後部控え室、５４
…搬入路、６０…搬出路、６２…搬送路、６４…
基体、６６…載置台、６８…第１の駆動機構、７
０…第２の移動機構、７２…第３の移動機構、７
４…第４の移動機構、７６…第５の移動機構、１
００…第１のガス供給機構、１２２…拡散ポン
プ、１２４…ロータリーポンプ、１３０…電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体表面にアモルフアス・シリコン感光層を
形成してアモルフアス・シリコン感光体を製造す
るアモルフアス・シリコン感光体製造方法におい
て、 複数の基体を搬入路上に搬送方向に沿つて載置
する第１の工程と、 一方向に沿つて延在する搬送路を包含する膜形
成室を減圧し、膜形成室に少なくともSiを含むガ
スを導入する第２の工程と、 膜形成室内で放電を生じさせ、Siを含むガスを
ラジカル化させる第３の工程と、 搬入路から膜形成室内の搬送路の一端に、前部
控え室を介して基体を送り込む第４の工程と、 膜形成室内の基体を搬送路に沿つて他端まで搬
送する第５の工程と、 搬送路の他端に至つた基体を後部控え室を介し
て搬出路に送り込む第６の工程とを具備すること
を特徴とするアモルフアス・シリコン感光体製造
方法。 ２ 前記第４の工程は、 前部控え室と搬送路との間にある第１のシヤツ
タを閉じ、前部控え室と搬入路との間にある第３
のシヤツタを開き、搬入路上の基体を前部控え室
内に入れる第１のステツプと、 第３のシヤツタを閉じ、前部控え室を減圧する
第２のステツプと、 第１のシヤツタを開き、前部控え室内の基体を
搬送路に送り出す第３のステツプと、 第１のシヤツタを閉じ、前部控え室を真空に引
く第４のステツプとを備え、 前記第５のステツプは基体を自転運動させるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアモ
ルフアス・シリコン感光体製造方法。 ３ 前記第４の工程は、第２のステツプと第３の
ステツプとの間に前部控え室内に不活性ガスを導
入して減圧を緩和する第５のステツプを備えてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
アモルフアス・シリコン感光体製造方法。 ４ 前記第６の工程は、 後部控え室と搬送路との間にある第２のシヤツ
タを開き、後部控え室と搬出路との間にある第４
のシヤツタを閉じ、搬送路上の基体を後部控え室
内に入れる第６のステツプと、 第２のシヤツタを閉じ、後部控え室を減圧する
第７のステツプと、 第４のシヤツタを開き、後部控え室内の基体を
搬出路に送り出す第８のステツプと、 第４のシヤツタを閉じ、後部控え室を減圧する
第９のステツプとを備えていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のアモルフアス・シリ
コン感光体製造方法。 ５ 前記第６の工程は、 第７のステツプと第８のステツプの間に、後部
控え室内で不活性ガスを導入して、減圧を緩和す
る第10のステツプを備えていることを特徴とする
特許請求の範囲第４項記載のアモルフアス・シリ
コン感光体製造方法。 ６ 前記第４の工程は、１個づつ基体を送り込む
工程であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項ないし第５項のいずれかに記載のアモルフア
ス・シリコン感光体製造方法。 ７ 前記第６の工程は１個づつ基体を送り込む工
程であることを特徴とする特許請求の範囲第６項
記載のアモルフアス・シリコン感光体製造方法。 ８ 前記第４の工程は、膜形成室に収納可能な数
を１度に送り込む工程であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項ないし第５項いずれかに記載
のアモルフアス・シリコン感光体製造方法。 ９ 前記第６の工程は、膜形成室に収納可能な数
を１度に送り込む工程であることを特徴とする特
許請求の範囲第８項記載のアモルフアス・シリコ
ン感光体製造方法。 １０ 基体表面にアモルフアス・シリコン感光層
を形成して、アモルフアス・シリコン感光体を製
造するアモルフアス・シリコン感光体製造装置に
おいて、 基部とこの基部上に取り付けられ、一方向に沿
つて延在する搬送路を包含して、内部を複数の基
体を収納可能な膜形成室とするケーシングと、 ケーシング内に少なくともSiを含むガスを供給
する供給手段と、 ケーシング内のSiを含むガスをラジカル化させ
る放電手段と、膜形成室の一端と、搬入路の終端
とに接続される前部控え室と、 膜形成室の他端と、搬出路の始端とに接続され
る後部控え室と、 搬入路上に設けられ、この上の基体を前部控え
室に送り出す第１の移動機構と、 前部控え室内に設けられ、この中の基体を膜形
成室に送り出す第２の移動機構と、 基体を膜形成室内で前記一方向に沿つて移動さ
せる第３の移動機構と、 後部控え室に設けられ、この中の成膜された基
体を搬出路の始端に送り出す第４の移動機構と、 搬出路の始端に送り出された成膜された基体を
搬送路の末端に向けて移動させる第５の移動機構
と、 ケーシング、前部控え室、並びに後部控え室を
選択的に減圧する減圧手段とを具備することを特
徴とするアモルフアス・シリコン感光体製造装
置。 １１ 前記前部控え室は、膜形成室との間に開閉
可能な第１のシヤツタと、搬入路との間に開閉可
能な第３のシヤツタとを備え、後部控え室は、膜
形成室との間に開閉可能な第２のシヤツタを搬出
路との間に開閉可能な第４のシヤツタとを備える
ことを特徴とする特許請求の範囲第１０項記載の
アモルフアス・シリコン感光体製造装置。 １２ 前記第３の移動機構は、基体を自転運動さ
せることを特徴とする特許請求の範囲第１１項記
載のアモルフアス・シリコン感光体製造装置。 １３ 前記ガス供給手段は、基体の走行方向に沿
つて、基体を間において、互いに対向して延在す
る一対のガス導入部を備えていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１０項ないし第１２項のいず
れかに記載のアモルフアス・シリコン感光体製造
装置。 １４ 前記放電手段は電源を備え、この電源は一
対のガス導入部にそれぞれ接続され、前記各基体
はアースされていることを特徴とする特許請求の
範囲第１３項記載のアモルフアス・シリコン感光
体製造装置。 １５ 前記搬送路はＵ字状を呈して形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１０項ない
し第１４項のいずれかに記載のアモルフアス・シ
リコン感光体製造装置。 １６ 前記搬送路は直線状を呈して形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１０項ない
し第１４項のいずれかに記載のアモルフアス・シ
リコン感光体製造装置。 １７ 前記前部控え室は、１個の基体を収納する
に充分な大きさに形成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１０項ないし第１６項のいず
れかに記載のアモルフアス・シリコン感光体製造
装置。 １８ 前記後部控え室は、１個の基体を収納する
に充分な大きさに形成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１７項記載のアモルフアス・
シリコン感光体製造装置。 １９ 前記前部控え室は、膜形成室に収納可能な
基体の数と同数の基体を収納するに充分な大きさ
に形成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１０項ないし第１６項のいずれかに記載のア
ルモフアス・シリコン感光体製造装置。 ２０ 前記後部控え室は、膜形成室に収納される
基体の数と同数の基体を収納するに充分な大きさ
に形成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１９項記載のアモルフアス・シリコン感光体
製造装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015870A JPS58132754A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | アモルフアス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置 |
| US06/457,231 US4501766A (en) | 1982-02-03 | 1983-01-11 | Film depositing apparatus and a film depositing method |
| GB08300948A GB2114160B (en) | 1982-02-03 | 1983-01-14 | Film depositing apparatus and method |
| DE3303435A DE3303435C2 (de) | 1982-02-03 | 1983-02-02 | Vorrichtung zur Abscheidung einer Schicht aus amorphem Silizium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015870A JPS58132754A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | アモルフアス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58132754A JPS58132754A (ja) | 1983-08-08 |
| JPH03625B2 true JPH03625B2 (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=11900826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57015870A Granted JPS58132754A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | アモルフアス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58132754A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131510A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-28 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン膜の成膜方法 |
| DE3572198D1 (en) * | 1984-02-14 | 1989-09-14 | Energy Conversion Devices Inc | Method and apparatus for making electrophotographic devices |
| JPH06102829B2 (ja) * | 1984-03-28 | 1994-12-14 | 日電アネルバ株式会社 | 放電反応処理装置 |
-
1982
- 1982-02-03 JP JP57015870A patent/JPS58132754A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58132754A (ja) | 1983-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4501766A (en) | Film depositing apparatus and a film depositing method | |
| JP2859632B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| JPS58197262A (ja) | 量産型真空成膜装置及び真空成膜法 | |
| JPS6312138B2 (ja) | ||
| JP2994652B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 | |
| JP2014125651A (ja) | インライン式プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3619119B2 (ja) | 真空処理方法 | |
| JPH03625B2 (ja) | ||
| US4834023A (en) | Apparatus for forming deposited film | |
| JPS6010618A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH03626B2 (ja) | ||
| JPH0427293B2 (ja) | ||
| EA035003B1 (ru) | Вакуумная установка для нанесения тонкопленочных покрытий и способ нанесения на ней оптических покрытий | |
| JP2023051251A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| JPH0338586B2 (ja) | ||
| JP2003201565A (ja) | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 | |
| JP7028730B2 (ja) | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 | |
| JP2007056280A (ja) | 堆積膜形成方法及び装置 | |
| JPH10140340A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2003160868A (ja) | プラズマ成膜装置及びインライン式プラズマ成膜装置 | |
| JP2007092161A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JP2019189892A (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JP2009249726A (ja) | 搬送容器及び基体ホルダーの搬送方法 | |
| JP2007084885A (ja) | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
| JPH01307230A (ja) | 堆積膜形成法 |