JPS59131510A - アモルフアスシリコン膜の成膜方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、短時間に多数のアモルファスシリコン膜を連
続的に、かつ膜厚及び膜特性を均一にして成膜すること
のできるアモルファスシリコン膜の成膜方法に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

アモルファスシリコン膜は、電子写真感光体、太陽電池
あるいは光電変換素子への応用が期待され、その成膜方
法としては一般にはグロー放電を利用したＣＶＤ法が知
られている。すな゛わち、第１図に従来のアモルファス
シリコン膜（以下ａ−８ｉ膜と記す。）の成膜装置の１
例を示し、との成膜装置を用いた従来のａ−８ｉ膜の成
膜方法を説明する０まず、図示しない拡散ポンプ及び回
転ボンダで反応容器１内を１Ｏ−６ｔｏｒｒ程度の真空
に引く。同時に加熱ヒーター２によって、アルミニウム
ドラムなどの導電性基体３を１５０〜２５０°Ｃに加熱
する０次いで、パルプ４を開晦、シリコンを含むガス（
たとえばシランガス）を反応容器１内に導入すると同時
に、排気系を図示しない拡散ポン１２回転ボング系から
メカニカルブースターポンプ５１回転ポンプ６系に切り
かえる。シリコンを含むカスは、ガス噴出管兼対向電極
７からドラム状の基体３に噴きつけられ、排気管８、フ
ィルター９を有するダストトラップ１０、メカニカルブ
ースターボング５及び回転ポンダ６を通り、図示しない
燃焼装置及びスクラバーを通過の後大気中へ廃棄される
。

なお、シリコンを含むガスは、図示しないマスフローコ
ントローラを通して一定流量で導入管１１から反応容器
１内に導入される様になっている。

しかして、反応容器ｌ内の圧力が０．１〜１ｔｏｒｒに
なる様に排気系の能力を調整した後、対向電極７とドラ
ム状の基体３との間に直流又は交番の電力を電源１２に
より印加して、シリコンを含むガスのプラズマを発生さ
せることにより、ドラム状の基体３０表面にａ−８ｉ膜
の成膜が行なわれる。

なお、基体３は電気的に接地され、電源１２の一端が接
地されているので、基体３及び対向電極７間にｉｆ流又
は交番の電力が印加されることとなる。

まノζ、基体３は、載置台１３上に載置されている。こ
の載置台１３は中心軸にシャフト１４を有し、このシャ
フト１４にはギヤ１５が設けられている。このギヤ１５
は、モータ１６に設けられたギヤ１７と噛合している０
従って、載置台１３は、モータ１６の作動により回転し
、基体３を自転せしめることとなる。ところが、この様
な成膜方法で３−Ｓｉ膜の成、膜をイ１なうと、まず反
応容器１内を］Ｑ６ｔＯｒｒ−の真空に弓１き、同時に
ドラム状の基体３を１５０〜２５０°Ｃに昇温するため
に、少なくとも２時間θ）　Ｉｌｈ　を甘ｊを妥する。

さらに、ａ−８ｌ膜は、現状では成）莫速度が最大でも
６μｍ／時間程度であるため、ａ−８ｉ膜を電子写真感
光体として利用する場合、必要な１５μｍの膜厚を得る
だめには、２．５時間程度の成膜時間を必要とする。さ
らには成膜後、ａ−８ｉ膜が形成されたドラム状の基体
３を大気中に取シ出す時、急激な温度変化をさけるため
ドラム状の基体３が１５０〜２５０℃から少なくとも１
００°Ｃ以下になるまで徐冷しなければならず、このた
めにまた約１〜２時間待機しなければならない０ 従って結果的には１個のａ−８ｉ悪感光を成膜するのに
合計で約６時間も必要とし、量産性に問題があった。

〔発明の目的〕

本発明は以上の様な不具合点を改良するだめになされた
もので、膜特性の良好なａ−Ｓｉ膜を複数同時にかつ連
続的に成膜することのできるアモルファスシリコン膜の
成膜力演を提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明は」二連した目的を達成するために、反応容器内
に一定方向に清って導電性基体を配置し、この基体をは
さんで相対向して設けられた対向電極を設け、導電性基
体及び対向電極間に成力を加えて放電を生じさせ、反応
容器内に導入されたシリコンを含むカスの反応によって
基体上にａ−Ｓｌ膜を成膜するようにしたものである０ 〔発明の実施例〕 以下、図面を参照しながら、本発明をａｓｉ感光体ドラ
ムの量産装置に適用した実施例を用いて、本発明の詳細
な説明する。

まず、第２図は上述の量産装置を示す概略正面図である
。

同図において、ベース２ｏ上には、図示しないレールが
設けられ、このレール上を図示しない駆動機構によって
左方から右方へと移動せしめられる複数の載置台２１が
一直線状に設けられている。

また、ベース２０上には、それぞれ前部控室２２、反応
容器２３．後部控室２４が左方から右方に向って順次設
けられ、これら前部控室２２から反応容器２３を介して
後部控室２４までの間で、載置台２１が移動できるよう
になっている。第２図に示した例では載置台２１は１０
台示され、谷峨一台２１には加熱ヒータ２５が設けられ
るとともに、ドラム状の導電性基体２６（たとえばアル
ミニウム製ドラムが用いられた）が載置されている。

前部控室２２と反応容器２３との間及び反応容器２３と
後部１仝室２４との間には、それぞれシャッタパルプ２
７，２８が開閉自在に設けられ、これによって前部控室
２２と反応容器２３との間を連通させもしくは遮断きせ
、さらに反応容器２３と後部控室２４との間を連通させ
もしくけ遮断させるようになっている。反応室２３には
、ベース２０の下方に駆動シャフト２９が５本設けられ
ており、反応容器２３内に収容された各載置台２１と係
脱目在となっている。駆動シャフト２９にはギア３０が
軸Ｐ＝　８れ、このギア３０はモータ３１に設けられた
ギア３２と噛合している。

従って、モータ３１が回転することにより、ギア３２．
３０が駆動され、載置台２１が回転せしめられろ。これ
によって１載置台２１に載置された基体２６が回転され
ることになる。

また、前部控室２２には排気管３３が設けられ、この排
気管３３はパルプ３４を介して図示しない排気系３５に
接続されている。

きらに後部控室２４には排気管３５が設けられ、この排
気管３５はパルプ３６を介して図示しない排気系に接続
されている。

寸だ、反応容器２３には排出管３７が設けられている。

この排出管３７は、パルプ３８を介して、メカニカルブ
ースターボング３９及び回転ボンダ４０に接続され、さ
らに燃焼装置及び水スクライバ−に連通している。

反応容器２３の上方にはパルプ４１を介してガス導入管
４２が接続されている。導入管４２は分割管４３を介し
て噴出口４４に連通している。さらに、反応容器２３内
には対向電極４５ａ。

４５ｂが設けられている。

次に第３図は第２図に示しだ装置の平面図である。この
第３図で、反応容器２３内には、前述の対向電極４５ａ
、４５ｂが、−直線上に配置された基体２６をはさんで
、両側に相対向して平行に設けられている。この対向電
極４５ａ。

４５ｂには、ガス噴出口４６が設けられ、導入管４７．
４８に連通している。この導入管４７゜４８はそれぞれ
パルプ４９．５０を介してマイクロ波印加部５１．５２
に接続されている。

一方、一対の対向電極４５ａ、４５ｂは電源５３に接続
されている。この場合、反応容器２３内に一直線状に配
置されている基体２６は、電気的に接地されているので
、電源５３にょって印加される直流又は交番の電力（た
とえば高周波電力が用いられた）は、対向電極４’５ａ
と基体２６との間及び対向電極４５ｂと基体２６との間
のそれぞれに印加されることとなる。

また、マイクロ波印加部は、導入管４７゜４８に導入さ
れるガスをマイクロ波によって励起しラジカル化させる
作用をなしている。

なお、５４は載置台２１を移動（回転を含む）自在に支
持する支持体である。

次に、この第２図及び第３図に示した量産装置を用いて
−、ドラム状基体２６にａ−８ｉ感光層を形成してａ−
８ｉ悪感光を量産する方法全ｆｆｌ明する。

まず、前部控室２２内で導電性ドラム状基体２６が図示
しないレール上に配置された載置台２１の上に配例され
る。実施例の場合５本のドラム状基体２６が直線上に配
例されている。図示しない、拡散ポンプ及び回転ポンプ
からなる排気系によって前部控室２２２反応容器２３゜
後部控室２４は共に１Ｏ−６ｔｏｒｒ程度の真空に引か
れる。この時、前部控室２２内に配列されたドラム状基
体２６は、その内側に設けられた加熱ヒーター２５によ
って１５０〜２５０°Ｃの間の所定の温度に昇温される
。このような状　′態で、シャッターパルプ２７を上方
に上げて開放し図示しない駆動系の作動により、５個の
ドラム状基体２６を前部控室２２から反応容器２３へ移
動せしめる。次いで、シャッターパルプ２７を下方に下
げて閉じる。さらに、パルプ４１を開き、シリコンを含
むカス又は必要に応じてシリコンを含むガスと８２　Ｈ
６又はＰＨ３゜０２、Ｎ２．ＣＨ４等との混合ガスを反
応容器２３内へ導入する。同時に反応容器２内を引いて
いた拡散ボッ１２回転ボング系の排気系をメカニカルブ
ースターポンプ３９及び回転ポンプ４０からなる系に切
り替える。

シリコンを含むガス又はシリコンを含むガスの混合ガス
は反応容器２３内で５つのガス分割管４３に分けられ、
ガス噴出口４４からドラム状基体２６の−Ｅ方よシ噴出
される。

反応容器２３内に導入されたシリコンを含むガス又はシ
リコンを含むガスの混合カスは、その後カス排出管３７
よシバルプ３８を辿り、メカニカルブースターポンプ３
９及び回転ポンプ４０を通過した後、図示しない燃焼装
置及び水スクラバーを通して大気中に廃棄される。また
、シリコンを含むカス又はシリコンを含むカスの混合ガ
スは、パルプ４１に到る以前しこ、図示しないマスフロ
ーコントローラによって−’？　（Ｎ、　ｆｔに制御さ
れている。

次いで、パルプ３８の開閉を調整し、反応容器２３内の
圧力が０．１〜ｌ　ｔｏｒｒの間の所定の値に設定する
。

次いで、第３図に示されているドラム状基体２６と対向
して設けられた対向電極４５ａ。

４５ｂＫ電源５３によシ、直流又は交番の電力を２５Ｗ
〜５ＫＷの間の所定の値で印加する。

対向電極４５ａ、４５ｂとドラム状基体２６との間にグ
ロー放電を生じ、シリコンを含むカス又はシリコンを含
むガスの混合ガスのプラズマが発生してドラム状基体２
６の表面にａｓｈ感光体の成膜が開始される。この時、
５個のドラム状基体２６は円周方向の均一成膜を目的と
してモーター３１及びギア３０．３２等の駆動系によっ
て自転運動をしている。一方では、前部控室２２内は、
窒２（Ｎ２）ガスによってパージ芒れ、大気圧となった
後、オーリング５５０部分で分割された後、新たなドラ
ム状基体２６が回転載置台２１の上に配列される。オー
リング５５０部分が合体シフ、再度図示しない拡散ポン
プ及び回転ポンプを用いて１Ｏ−６ｔｏｒｒの真空に引
くとともに同時にドラム状基体２６は、加熱ヒーター２
５によって１５０〜２５０°Ｃの間の所定の温度に昇温
される。ところで、反応容器２３内でドラム状基体２６
は接地されているため、対向電極４５ａ、４５ｂとの間
に区位勾配をもつ事から、第３図中のＣ領域では艮好な
プラズマ状態が発生する。ところがドラム状基体２６と
ドラム状基体２６との間の相互対向面間のＤ領域ではド
ラム基体２６同士が等電位であるためシリコンを含むガ
スのラジカルが少なく良好なプラズマ状態が発生しない
。

そこで、本発明では、反応容器２３とバルブ４９及び５
０を介して設けられたマイクロ波印加部５１．５２で、
あしかしめ水素（Ｈ２）カス又は水素ガスとシリコンを
菩むガスの混合カスを前励起し、導入管４７及び４８に
よシ、反応容器２３内へ導入する。前励起されたＪＩラ
ジヵ＃　又ｉｄ　Ｊ−］ラジカルとシリコンを含むガス
のラジカルは、対向電極兼カス噴出管４５ａ、４５ｂの
ガス噴出口４６からトラム状基体２６とドラム状基体２
６との間の相互対向面間の１）領域に向って噴き出され
る。また別には、バルブ４９及び５０を介して設けられ
たマイクロ波印加部５゛１，５２であらかじめ水素ガス
と窒素ガスとを前励起し、導入管４７及び４８にょシ皮
応答器２３内へ導入する。

１−１２　カスのラジカルは、前述と同様の効果によっ
てＤ領域でのシリコンを含むカスのラジカルを形成する
作用をなす。

一般に、シリコンを含むガスと窒素ガスに、直流又は交
番の電力を投入した時には、シリコンを含むガスのラジ
カルは生成されるが、窒素は不活性のだめシリコンのラ
ジカルに対して小量のラジカルしか生成しないのに対し
て、本発明の方法では窒素もあらかじめ前励起している
ため効率良（ａ−８ｉ膜中にＮ原子が取り込まれ、電子
写真感光体として必要な高抵抗のａ−８ｉ：Ｈ。

Ｎ膜が容易に成膜できる。

水素又は窒素ガスの前励起によって、ａ−８ｉ膜中にＮ
原子を効率良く取シ込むことができるということは、本
発明者の実験によれば、微量のＢ（硼素）を添加する事
によって、暗抵抗が１０１３Ω参ｍの高抵抗であセ、が
っ６３３　ｎｍの波長で１０１５ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ
２の光照射に対して１０８Ω・鑞の明抵抗であるという
、電子写真感光体として著しく良好な膜特性ａ−８ｉ膜
が得られた。。

しかして、２〜３時間のａ−８ｉ膜の成膜を行なった後
電源５３を切シ、バルブ４１及び４９゜５０を閉じて、
シリコンを含むガス及び前励起されたＨラジカル又はシ
リコンを含むカスのラジカルの反応容器２３内への導入
を止める０次いでメカニカルブースターポンプ３９及び
回転ボンダ４０系を作動させて、シリコンを含むガス又
はＨラジカル等を充分排気した後、排気系をメカニカル
ブースターポンプ３９及び回転ポンプ４０系から１図示
しない拡散ポンプ及び回転ポンプ系に切り替えて反応容
器２３内を再度１０　　’ｔｏｒｒの真空状態に減圧す
る。

この時、前部控室２２１反応容器２３及び後部控室２４
の真空度はすべて１Ｏ−６ｔｏｒｒになっている。この
状態で、シャッターバルブ２７及び２８を開き、ａ−８
ｉ膜がその表面に成膜されたドラム状の基体２６は、反
応容器２３から後部控室２４へと図示しないレールの上
を移動せしめられる一方、あらかじめ所定の温度に昇温
されている、未成膜のドラム状基体２６は前部控♀２２
から反応容器２３へ移動せしめられる。

次いで、シャッターバルブ２７及び２８を閉じ、反応容
器２３内では、前述と同様のａ−８ｉ膜の成膜が行なわ
れる。この間、前部控室２２は、Ｎ２ガスによりパージ
され大気圧にされた後、前述と同様に新たなドラム状の
基体２６が一直線上に配列され、そして前部控室２２を
再度１０−６ｔｏｒｒの真空状態に減圧してから、ヒー
タ２５を作動させて基体２６を所定温度に加熱する昇温
行程に入る。

一方、後部控室２４内では、ａ−８ｉ膜が成膜されたド
ラム状基体２６が１Ｏ−６ｔｏｒｒの真空下で、その温
度が１００℃以下に下がるのを待ってから、控室２４内
をＮ２ガスでパージし大気圧にした後、オーリング２５
の部分で後部控室２４を分割開放することにより、ａｓ
ｉ膜が成膜されたドラム状の基体２６が大気中へ取り出
される。

以上の工程を２〜３時間の周期でくり返す事によシ１０
ット５本のａ−８ｉ膜が成膜された電子写真感光体ドラ
ムを連続的に量産する事が可能となった。まだ直線上に
配列された複数本のドラム状基体に対向して両側に対向
電極４５ａ。

４５ｂを設けてａ　　Ｓｉ膜の成膜を行なうから、電位
勾配をもたないドラム状基体２６と隣接するドラム状基
体２６の間の相互対向面間の領域にも、多くのシリコン
を含むガスのラジカルを形成する事゛が出来るので、ド
ラム状基体２６の円周方向の膜特性のばらつきをなりシ
、すぐれた歩留りで良好な電気特性のａ−８ｉ膜を量産
することができた。

上記実施例では、具体的なガス名としては、例えば％　
　ａ　　ｂ　Ｉ膜中に不純物をドーグしない場合は導入
管４２から導入されるシリコンを含むガスとしては、５
ｉＩ（４（シラン）や５ｉ２１−（６（ジシラン）ガス
が用いられ、側面の対向電極４５ａ。

４５ｂのガス噴出口４６から導入されるガスとしては、
マイクロ波で前励起された■１ラジカル又はＳ　ｉＨｎ
　（ｎ　＝　１．２．３．４　）又はＨラジカルとＮラ
ジカルとが用いられた０また、得られるａＳ　ｊ膜を電
子写真感光体として使用し、半導体特性を変える場合に
は、必要に応じてＢ　２　Ｈ６゜ｐＨ３，０２，Ｎ２．
ＣＨ４等のドーピングガスをＳｉＨ４ガス等と混合して
導入管４２から導入することは言うまでもない。

なお、上記実施例では、基体を一直線上に配置し、レー
ル上に沼って前部控室から反応容器を介して後部控室へ
と移動させていたが、基体を円状に配置し、この円に沿
って基体を移動させてもよい。

さらに、前部控室、反応容器及び後部控室の内側面に沿
って基体の移動方向にラックを形成し、載置台２１の下
部周面にこのラックに噛合するギアを形成し、基体の移
動に伴って基体を自転させるようにしてもよい。

さらに、ヒータへの給電機構については、特に述べなか
ったが、基体が移動するレールから給電を行なうように
することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は、減圧された反応容器内
に複数の導電性基体を一定方向に沿つて配置し、この一
定方向に泪って配置された導電性基体をはさんで相対向
して設けられた対向電極と導電性基体との間に電力を加
えるとともに、シリコンを含むガスを反応容器内ＦＣ導
入して放電を生じさせ、アモルファスシリコン膜を成膜
する方法であるから、反応容器内のガスのラジカル化が
著しく効率良く行なわれ、高速かつ多量の成膜が可能に
なった○ さらに、反応容器内に配置きれる基体を予め加熱するこ
とにより、成膜の準備工程に要する時間を著しく短縮で
き、高速成膜が可能になった。

また、成膜後の基体を反応容器から取出す際に、反応容
器に連接された控室を介して取出すようにしたから、基
体の冷却、圧力状態の復帰等の取出し作業に要する時間
を無駄にすることなく、並行して成膜工程を行なえるの
で、高速成膜が可能になった。

さらに、反応容器内に前励起されたガスを導入すること
によシ反応に必要なラジカルを多く生成でき、膜形成に
要する時間を短縮することができた。

また、前励起されたガスを、隣接する基体の相互対向面
間に導入することにより、基体表面への膜形成が均一に
行なえる。

さらに、ガスを電磁波あるいは直流電力の印加により効
率良く前励起できる。

また、前励起された水素ガス及び窒素ガスの混合ガスを
反応容器に導入することにより、反応に必要なラジカル
を多く生成できる。

きらに、前励起されたガスとして、水素ガス、シリコン
を含むガス又は水素ガスとシリコンを含むガスとの混合
ガスを用いることによシ、電子写真感光体として特性の
すぐれたアモルファスシリコン膜が得られる。

−１：た、ガスの噴出管と対向電極とを兼用させること
によシ、反応容器内のスペース効率が向上するとともに
、ガスの流れに悪影響を与えないという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の成膜装置を示す概略縦断面正面図、第２
図は本発明の一実施例を示す概略縦断面正面図、第３図
は同側の平面図である０２１・・・載置台、２２・・前
部控室、２３・・反応容器、２４・・・後部控室、２５
・・ヒータ、２６・・導電性基体、４２・・導入管、４
５ａ、４５ｂ・・対向電極、４７．４８・・導入管、５
１．５２・・マイクロ波印加部。 代理人　弁理士　　則　近　憲　佑 （ほか１名） 手　　続　　補　　正　　門　（自発）１．事件の表示 特願昭５８　４２６８Ｍ ２、発明の名称 アモルファスシリコン膜の成膜方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 （３０７）　　東京芝浦電気株式会社 広１θ県広、θ市中区白島中町６−４−／Ｉ　Ｏ１廣瀬
全孝 ４、代理人 〒１０．０ 東京都千代田区内幸町１−１−６ 東京芝浦電気株式会社東京事務所内 明細書の特許請求の範囲の欄 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 （２）明細書の第９頁第１４行目「排気系３５」とある
のを「排気系」と補正する。 （３）同じく第１１頁第１５行目「マイクロ波印加部」
とあるのを［マイクロ波印加部５１，５２Ｊと補正する
。 （４）同じく第１５頁第１８行目「前述と同様の効果」
とあるのを［特願昭５８−４２６９号の願書に添付され
た明ＮＪｍに記載された効果と同様の効果」と補正する
。 （５）同じく第１６頁第１０行目乃至第１８行目「水素
又は〜得られた。」とあるのを削除する。 （６）同じく第１７頁第５行目［ポンプ４ｏ系を作動さ
せて］とあるのを「ポンプ４ｏ系によって」と補正する
。 、（７）同じく第１９頁第１８行目ｒｓｉ　Ｈｎ　Ｊと
あるのをｒｓｉＨｎ’Ｊと補正する。 （８）同じく第２２頁第８行目乃至第１５行目［また、
〜得られる。」とあるのを［また、前励起された水素ガ
ス、シリコンを含むガス、又は水素ガスとシリコンを含
むガスの混合ガスを用いることにより反応容器内のドラ
ム状基体間に反応に必要なシリコンを含むラジカルを多
く生成できる。 さらには、前励起されたガスとして水素ガス及び窒素ガ
スの混合ガスを用いることによって、電子　　−写真感
光体としての特性のずぐれたアモルファスシリコン膜が
得られる。」と補正する。 以上 ６３− ２、特許請求の範囲 （１）減圧された反応容器内に複数の導電性基体を一定
方向に沿って配置し、この一定方向に沿って配置された
導電性基体をはさんで相対向して設【′ｊられた対向電
極と導電性基体との間に電力をかわえるとともに、シリ
コンを含むガスを上記反応容器内に導入して放電を生じ
させ、上記複数の導電性基体の表面に同時にアモルファ
スシリコン膜を成膜することを特徴と覆るアモルファス
シリコン膜の成膜方法。 （２）反応容器’ｈ”’ｃ’ｒｉｒ　（７）導電性基体
をあらかじめ減圧下で加熱するための第１の真空腔空を
Ｌけたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のア
モルファスシリコン膜の成膜方法。 （３）成膜後の導電性基体を反応容器から搬出する際に
、この反応容器与に連設された（ＬΔ控室を一旦介して
取出すことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のア
モルファスシリコン膜の成膜方法。 （４）反応容器内に導入されるシリコンを含むガ又とし
て、シリコンを含む第１のガスとあらかじめ励起された
第２のガスとを上記反応容器内に導入づることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のアモルファスシリコン
膜の成膜方法。 （５）励起された第２のガスが一方向に沿って配置され
た複数の導電性基体の相互対向面間に向かって噴出され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアモル
ファスシリコン膜の成膜方法。 （６）反応容器内に導入される第２のガスがあらかしめ
電磁波あるいは直流電力の印加によって励起されること
を特徴とする特ｖｆ請求の範囲第４項又は第５項記載の
アモルファスシリコン膜の成膜方法。 （７）第２のガスが水素カス、シリコンを含むが又は水
素ガスとシリコンを含むガスとの混合カスのいずれかで
ある口とを特徴とする特許請求の範囲第４項乃至第６項
のいずれかに記載のアモルファスシリコン膜の正膜方法
。 〈８）第２のガスが水素カスと窒素ガスとのｉ捏合ガス
であることを特徴とする特許請求の範囲第４項乃至第５
項のいずれかに記載のアモルファスシリコン膜の成膜方
法。 （９）あらかじめ励起された第２のガスを噴出する噴出
管が、対向電極を兼用していることを特徴とする特許請
求の範囲第４項記載のアモルファスシリコン膜の成膜方
法。 以上 −倒

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、減圧された反応容器内に複数の導電性基体を一定方
   向に沿って配置し、この一定方向に沿って配置された導
   電性基体をはさんで相対向して設けられた対向電極と上
   記導電性基体との間に電力を加えるとともに、シリコン
   を含むカスを上記反応容器内に導入して放電を生じさせ
   、上記複数の導電性基体の表面に同時にアモルファスシ
   リコン膜を成膜することを特徴とするアモルファスシリ
   コン膜の成膜方法。 ２、反応容器内に配置される導電性基体をあらか　−し
   め減圧下で加熱することを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載のアモルファスシリコン膜の成膜方法。 ３、成膜後の導電性基体を反応容器から搬出する際に、
   この反応容器に連設された控室を一旦介して取出すこと
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアモルファス
   シリコン膜の成膜方法０４、反応容器内に導入される７
   リコンを含むガスとして、シリコンを含む第１のカスと
   あらかじめ励起された第２のガスとを上記反応容器内に
   導入することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   アモルファスシリコン膜の成膜方法０５、励起きれた第
   ２のガスが一方向に溢って配置された複数の導電性基体
   の相互対向面間に向って噴出されることを特徴とする特
   許請求の範囲第４記載のアモルファスシリコン膜の成膜
   方法。 ６、反応容器内に導入される第２のガスをあらかじめ電
   磁波あるいは直流電力の印加によって励起されることを
   特徴とする特許請求の範囲第４項又は第５項記載のアモ
   ルファスシリコン膜の成膜方法。 ７、第２のガスが水素カス、シリコンを含むカス又は水
   素カスとシリコンを含むガスとの混合ガスのいずれかで
   あることを特徴とする特許請求の範囲第４項ないし第６
   項のいずれかに記載のアモルファスシリコン膜の成膜方
   法。 ８、第２のガスが水素ガスと窒素ガスとの混合ガスであ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第４項ないし第５項
   のいずれかに記載のアモルファスシリコン膜の成膜方法
   。 ９、あらかじめ励起された第２のガスを噴出する噴出管
   が、対向電極を兼用していることを特徴とする特許請求
   の範囲第４項記載のアモルファスシリコン膜の成膜方法
   。