JPS5970764A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS5970764A JPS5970764A JP17978082A JP17978082A JPS5970764A JP S5970764 A JPS5970764 A JP S5970764A JP 17978082 A JP17978082 A JP 17978082A JP 17978082 A JP17978082 A JP 17978082A JP S5970764 A JPS5970764 A JP S5970764A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- gas
- cylindrical
- plasma generator
- Prior art date
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5093—Coaxial electrodes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＣＶＤ装荷に関する。
出願人は先に電子写真用ドラムとして使用されるＡｔ
ドラム等の円筒状金属サブストレートの表面にアモルフ
ァスシリコンの？Ｗ膜を形成する手段として第１図示の
ようなプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置’を提案した。この装
置は円筒状金鵬サブストレートａをＳｉＨ４その他のガ
スを導入した真空処理室す内に回転自在に収容し、該ガ
スをプラズマ発生装置ｅＫ１ル励起および電離して反応
を起さしめ、その生成物を該ザブストレートａの周面に
附着させて薄膜を形成するが、この場合該プラズマ発生
装Ｆ！、ｃはサブストレートａの局面に均一な薄膜を形
成すべくこれを囲繞した電極ｄで宿成されるので該プラ
ズマ発生装置Ｃにサブストレー）ａｔ出し入れし離＜、
連続的にサブストレートａを処理出来なり不都合がある
。
ドラム等の円筒状金属サブストレートの表面にアモルフ
ァスシリコンの？Ｗ膜を形成する手段として第１図示の
ようなプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置’を提案した。この装
置は円筒状金鵬サブストレートａをＳｉＨ４その他のガ
スを導入した真空処理室す内に回転自在に収容し、該ガ
スをプラズマ発生装置ｅＫ１ル励起および電離して反応
を起さしめ、その生成物を該ザブストレートａの周面に
附着させて薄膜を形成するが、この場合該プラズマ発生
装Ｆ！、ｃはサブストレートａの局面に均一な薄膜を形
成すべくこれを囲繞した電極ｄで宿成されるので該プラ
ズマ発生装置Ｃにサブストレー）ａｔ出し入れし離＜、
連続的にサブストレートａを処理出来なり不都合がある
。
本発明はこうした不都合を解消することをその目的とし
たもので、Ａｔドラムその他の円筒状金属サブストレー
）ｔ’５ｉＨａその他のガスを導入した真空処理室内に
回転自在に収容し、該ガスを円筒形のプラズマ発生装置
により励起および電離して反応を起さしめ、その生成物
を該サブストレートの局面に附着させて薄膜を形成する
式のものに於て、該サブストレートラこれに回転を与え
る回転装置を備えた移動台に取付け、該真空処理室の上
方に該円筒形のプラズマ発生装置を上下方向に設けると
共にその下方に前記移動台を載蓚して該プラズマ発生装
置内に該サブストレートを進入させる上昇位置に昇降自
在の昇降装置を設けて成る。
たもので、Ａｔドラムその他の円筒状金属サブストレー
）ｔ’５ｉＨａその他のガスを導入した真空処理室内に
回転自在に収容し、該ガスを円筒形のプラズマ発生装置
により励起および電離して反応を起さしめ、その生成物
を該サブストレートの局面に附着させて薄膜を形成する
式のものに於て、該サブストレートラこれに回転を与え
る回転装置を備えた移動台に取付け、該真空処理室の上
方に該円筒形のプラズマ発生装置を上下方向に設けると
共にその下方に前記移動台を載蓚して該プラズマ発生装
置内に該サブストレートを進入させる上昇位置に昇降自
在の昇降装置を設けて成る。
本発明の実施例を別紙図面につき説明するに、第２図及
び第３図に於て（１）はＡｔ ドラム等の円筒状金属サ
ブストレート、（２）は真空ポンプに連らなる排気管（
３）によシ真空化される真空処理室、（４）は該処理室
（２）の上方に上下方向に設置された円筒形のプラズマ
発生装置、（５）は該プラズマ発生装置＃、（４１を構
成する円筒形の電極を示し、該電極（５）はその内面に
第４図に明示するように内部の中空部（６）に連らなる
ガス噴出孔（７）を備え、該中空部（６）へ該処理室（
２）の外部からガス注入管（８）を介して導入されたＳ
ｉｇｎガス等はガス噴出孔（７）からザブストレート（
１）の周囲に吹出す。（９）は該処理室（２）の上方か
ら該電極（５）の円形の内部に臨ませて釣下げたヒータ
、 （１，０）は該電極（５）の外周に設けたヒータ、
θυは該電極（５）に接続したＲＦ電源で、真空化され
た処理室（２）内にＳｉＨ４ガスを導入すると共に該電
極（５）にＲＦ電源αＤからの電力が与えられるとアー
ス電位のサブストレート（１）と該電極（５）との間で
発生するプラズマにょフＳｉＨ４ガスが励起され電離し
て反応を起こし゛アモルファスシリコンとなって薄膜状
にサブストレート（１）の周面に附着する。この場合該
サブストレート（１）は回転装置ａ乃を備えた移動台ａ
■に取付けられ、該移動台（１３）が該処理室（２）の
下方に設けた例えばゼールねじ匝とテーブル０９とから
成る昇降＠ ｆｉｇ、 （１６）により上昇されると、
上方のプラズマ発生装置（４）の電極（５）とヒータ（
９）との間の環状の空間αη内にサブストレート（１）
が進入する。
び第３図に於て（１）はＡｔ ドラム等の円筒状金属サ
ブストレート、（２）は真空ポンプに連らなる排気管（
３）によシ真空化される真空処理室、（４）は該処理室
（２）の上方に上下方向に設置された円筒形のプラズマ
発生装置、（５）は該プラズマ発生装置＃、（４１を構
成する円筒形の電極を示し、該電極（５）はその内面に
第４図に明示するように内部の中空部（６）に連らなる
ガス噴出孔（７）を備え、該中空部（６）へ該処理室（
２）の外部からガス注入管（８）を介して導入されたＳ
ｉｇｎガス等はガス噴出孔（７）からザブストレート（
１）の周囲に吹出す。（９）は該処理室（２）の上方か
ら該電極（５）の円形の内部に臨ませて釣下げたヒータ
、 （１，０）は該電極（５）の外周に設けたヒータ、
θυは該電極（５）に接続したＲＦ電源で、真空化され
た処理室（２）内にＳｉＨ４ガスを導入すると共に該電
極（５）にＲＦ電源αＤからの電力が与えられるとアー
ス電位のサブストレート（１）と該電極（５）との間で
発生するプラズマにょフＳｉＨ４ガスが励起され電離し
て反応を起こし゛アモルファスシリコンとなって薄膜状
にサブストレート（１）の周面に附着する。この場合該
サブストレート（１）は回転装置ａ乃を備えた移動台ａ
■に取付けられ、該移動台（１３）が該処理室（２）の
下方に設けた例えばゼールねじ匝とテーブル０９とから
成る昇降＠ ｆｉｇ、 （１６）により上昇されると、
上方のプラズマ発生装置（４）の電極（５）とヒータ（
９）との間の環状の空間αη内にサブストレート（１）
が進入する。
双回転装置αのは複数本のザブストレート（１）が嵌着
される複数本のホルダαυの各外周に形成した互に咬合
する歯車α場、七、処理室（２）の外部から導入した回
転軸（２Ｇの歯車（２１）に係合しその回転を前記歯車
θ■の１個に伝達する伝導歯車（２２１（２■とで構成
され、ザブストレート（１）がプラズマ発生装置（４）
内に進入し次処理状態にあるとき該回転装置α２が作動
してザブストレー） （１）に形成される薄膜を均一化
する。該処理室（２）の左右に夫々ゲートバルブ（２３
） （２４） ’ｉｃ介して連通ずる真空化可能な仕込
室（２ωと取出室（２Ｇ）とを連設し、該仕込室（２５
）に於ては側方の扉（２′Ｄを開いてローラコンベア（
２９）上の移動台α３）にザブストレート（１）を取付
けされ該サブストレート（１）を該仕込室（２■のヒー
タ（至）で予熱したのち処理室（２）のローラコンベア
Ｃ３１）上に送り、該処理室（２）で処理が終えると移
動台側は取出室（イ）のローラコンベア０乃上に送り出
されそこで扉（３３１を開いてザブストレート（１）が
取出される０尚・この場合取出室（２Ｇ）にも予熱用の
ヒータを設備して仕込室（ハ）と略同様の構成とし、仕
込室（ハ）と取出室（２（珍から交互に処理室（２）に
ザブストレート（１）が送り込まれ送り出されるように
することも可能である。
される複数本のホルダαυの各外周に形成した互に咬合
する歯車α場、七、処理室（２）の外部から導入した回
転軸（２Ｇの歯車（２１）に係合しその回転を前記歯車
θ■の１個に伝達する伝導歯車（２２１（２■とで構成
され、ザブストレート（１）がプラズマ発生装置（４）
内に進入し次処理状態にあるとき該回転装置α２が作動
してザブストレー） （１）に形成される薄膜を均一化
する。該処理室（２）の左右に夫々ゲートバルブ（２３
） （２４） ’ｉｃ介して連通ずる真空化可能な仕込
室（２ωと取出室（２Ｇ）とを連設し、該仕込室（２５
）に於ては側方の扉（２′Ｄを開いてローラコンベア（
２９）上の移動台α３）にザブストレート（１）を取付
けされ該サブストレート（１）を該仕込室（２■のヒー
タ（至）で予熱したのち処理室（２）のローラコンベア
Ｃ３１）上に送り、該処理室（２）で処理が終えると移
動台側は取出室（イ）のローラコンベア０乃上に送り出
されそこで扉（３３１を開いてザブストレート（１）が
取出される０尚・この場合取出室（２Ｇ）にも予熱用の
ヒータを設備して仕込室（ハ）と略同様の構成とし、仕
込室（ハ）と取出室（２（珍から交互に処理室（２）に
ザブストレート（１）が送り込まれ送り出されるように
することも可能である。
その作動を説明するに、真空処理室（２）の下方にサブ
ストレー） （１１’を取付けた移動台（１３が送り込
まｙすると昇降装置＜１（９が上昇して該ザブストレー
ト（１）を円筒形のプラズマ発生装置（４）内にその下
方から進入させる。続いて該プラズマ発生装置（４）に
ＲＦ屯源ａＤから１Ｅ力を与えてその電極（５）とザブ
ストレート（１）との間でプラズマを発生させると共に
ガス噴出孔（７）からＳ ｉ Ｉｌ［４ガスを噴出さセ
゛、同時に移動台０階の回転装置α２１を作動させると
サブストレート（１）の周面に均一なアモルファスシリ
コンの薄膜が形成される。この形成が終ると列降装置θ
６）が下降してプラズマ発生装置（４）からサブストレ
ー） （１） ｔ−抜出し、これを移動台０３）から取
外す次工程へと送り出される。
ストレー） （１１’を取付けた移動台（１３が送り込
まｙすると昇降装置＜１（９が上昇して該ザブストレー
ト（１）を円筒形のプラズマ発生装置（４）内にその下
方から進入させる。続いて該プラズマ発生装置（４）に
ＲＦ屯源ａＤから１Ｅ力を与えてその電極（５）とザブ
ストレート（１）との間でプラズマを発生させると共に
ガス噴出孔（７）からＳ ｉ Ｉｌ［４ガスを噴出さセ
゛、同時に移動台０階の回転装置α２１を作動させると
サブストレート（１）の周面に均一なアモルファスシリ
コンの薄膜が形成される。この形成が終ると列降装置θ
６）が下降してプラズマ発生装置（４）からサブストレ
ー） （１） ｔ−抜出し、これを移動台０３）から取
外す次工程へと送り出される。
このように本発明によるときは円筒形のプラズマ発生装
置を真空処理室の上方に設けると共にその下方に昇降装
置を設け、処理されるべきツブストレートをこれに回転
を与える回転装置を備えた移動台に取付けて該昇降装置
により昇降させるようにしたので、円筒形のプラズマ発
生似装置にザブスルレートを出し入れし易く連続的な処
理を行なえる等の効果がある。
置を真空処理室の上方に設けると共にその下方に昇降装
置を設け、処理されるべきツブストレートをこれに回転
を与える回転装置を備えた移動台に取付けて該昇降装置
により昇降させるようにしたので、円筒形のプラズマ発
生似装置にザブスルレートを出し入れし易く連続的な処
理を行なえる等の効果がある。
≦Ｐ、１図は従来例の載断面図、第２図は本発明装置に
の実施例の截断平ｒｒｉＴ図、第３図はぞの■−■線截
線面断面図４図は第３図の■−■細部分の拡大断面図で
あＺ、。 （１）・・・円筒状金絹ザゾストレート（２）・・・真
空処理室 （４）・・・プジズマ発生装置ａカ・・
・回転装置 ０３）・・・移動台（０・・・昇降
装浴 特許出願人 日本真空技術株式会社
の実施例の截断平ｒｒｉＴ図、第３図はぞの■−■線截
線面断面図４図は第３図の■−■細部分の拡大断面図で
あＺ、。 （１）・・・円筒状金絹ザゾストレート（２）・・・真
空処理室 （４）・・・プジズマ発生装置ａカ・・
・回転装置 ０３）・・・移動台（０・・・昇降
装浴 特許出願人 日本真空技術株式会社
Claims (1)
- Ａｔ ドラムその他の円筒状金属サブストレートを５ｉ
）ｂその他のガスを導入した真空処理室内に回転自在に
収容し、該ガスを円筒形のプラズマ発生装置にエフ励起
および電離して反応を起さしめ、その生成物を該サブス
トレートの局面に附着させて薄膜を形成する式のものに
於て、該ザブストレートをこれに回転を与える回転装置
を備えた移動台に取付け、該真空処理室の上方に該円筒
形のプラズマ発生装蕎を上下方向に設けると共にその下
方に前記移動台を載置して該プラズマ発生装置内に該ザ
ブストレートを進入させる上昇位置に昇降自在の昇降装
置を設けて成るプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17978082A JPS5970764A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17978082A JPS5970764A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5970764A true JPS5970764A (ja) | 1984-04-21 |
| JPS6153429B2 JPS6153429B2 (ja) | 1986-11-18 |
Family
ID=16071756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17978082A Granted JPS5970764A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5970764A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116370A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-05 | Toshiba Corp | 薄膜形成装置 |
| JPS59131510A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-28 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン膜の成膜方法 |
| JPS60230984A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Canon Inc | 気相法堆積膜製造装置 |
| JPS60230981A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Canon Inc | 気相法堆積膜製造装置 |
| JPS60230982A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Canon Inc | 気相法堆積膜製造装置 |
| JPS61183468A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-16 | Toshiba Corp | 成膜装置 |
| EP0730266A2 (en) * | 1995-02-06 | 1996-09-04 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for plasma-processing a disk substrate and method of manufacturing a magnetic disk |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4831185A (ja) * | 1971-08-26 | 1973-04-24 | ||
| JPS5718422A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-30 | Chiyoda Chem Eng & Constr Co Ltd | Turbine control device under high load of rankine cycle utilizing cold heat source of liquefied gas |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP17978082A patent/JPS5970764A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4831185A (ja) * | 1971-08-26 | 1973-04-24 | ||
| JPS5718422A (en) * | 1980-07-07 | 1982-01-30 | Chiyoda Chem Eng & Constr Co Ltd | Turbine control device under high load of rankine cycle utilizing cold heat source of liquefied gas |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116370A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-05 | Toshiba Corp | 薄膜形成装置 |
| JPS59131510A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-28 | Zenko Hirose | アモルフアスシリコン膜の成膜方法 |
| JPH034623B2 (ja) * | 1983-01-17 | 1991-01-23 | Zenko Hirose | |
| JPS60230984A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Canon Inc | 気相法堆積膜製造装置 |
| JPS60230981A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Canon Inc | 気相法堆積膜製造装置 |
| JPS60230982A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Canon Inc | 気相法堆積膜製造装置 |
| JPS6232270B2 (ja) * | 1984-05-01 | 1987-07-14 | Canon Kk | |
| JPS6232269B2 (ja) * | 1984-05-01 | 1987-07-14 | Canon Kk | |
| JPS6254396B2 (ja) * | 1984-05-01 | 1987-11-14 | Canon Kk | |
| JPS61183468A (ja) * | 1985-02-07 | 1986-08-16 | Toshiba Corp | 成膜装置 |
| EP0730266A2 (en) * | 1995-02-06 | 1996-09-04 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for plasma-processing a disk substrate and method of manufacturing a magnetic disk |
| EP0730266A3 (en) * | 1995-02-06 | 1998-07-01 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for plasma-processing a disk substrate and method of manufacturing a magnetic disk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6153429B2 (ja) | 1986-11-18 |
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