JPS60230981A

JPS60230981A - 気相法堆積膜製造装置

Info

Publication number: JPS60230981A
Application number: JP59088063A
Authority: JP
Inventors: Yasutomo Fujiyama; 藤山　靖朋
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-05-01
Filing date: 1984-05-01
Publication date: 1985-11-16
Also published as: JPS6232269B2; US4646681A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔技術分野〕本発明は気相法堆積膜製造装置に関するものであり、詳
しくは基体上にプラズマＣＶＤ法により光導電膜、半導
体膜、無機絶縁膜、有機樹脂膜等を形成するための装置
に於いて、ｌ生産ラインで多種の製品を製造可能な気相
法堆積膜製造装置に関する。

〔従来技術〕

プラズマＣＶＤ法によって、光導電膜、半導体膜、無機
絶縁膜、有機樹脂膜等を基体上に堆積させる装置として
従来より代表的なものとしては、いわゆる同軸円筒型及
び平行平板型の堆積膜製造装置を挙げることができる。

同軸円筒型堆ＭＭ製造装置は、例えば非晶質シリコン感
光体膜をアルミニウム等からなる円筒状金属基体上に堆
積して、電子写真用感光体ドラム等を形成することので
きる装置であり、その構造は、前記円筒状基体と、これ
と中心軸を共有する円筒状カソード電極とを配置し、こ
れらの間にクロー放電を発生させるような構造を有して
いる。

このような装置の一例を、その縦断面図である第２図に
より説明すると、２１は円筒状カソード電極であり、円
筒状基体（アノード電極）２２と中心軸をともに共有す
る。２３はドーナッツ状電気絶縁ガイシ、２４は真空チ
ャンバー蓋、２５は高周波電源、２６は原料ガス放出パ
イプ、２７は真空排気管、２８は基体加熱用のヒーター
、２８は基体回転機構、３０はアースである。

この装置では、１つの反応炉に１つの基体が配置される
ので、例えばガスの流れや分布により非晶質シリコン堆
積膜の分布調整が容易であり、しかも放電安定性に優れ
ているという利点がある。

一方、平行平板型堆積膜製造装置は、一対の対向した電
極として上記の中心軸をともに共有する２つの円筒の代
りに、互いに平行に設置された平板を用いるものであり
、例えば第３図の横断面図に示されるような構造を有し
ている。

この例に於いては、平板状カソード電極３１と平板状基
体（７メード電極）３２との間にグロー放電を発生させ
て堆積膜を基体３２上に形成することのできるものであ
る。

これら装置に於いて、対向する一対の電極の間隔は、グ
ロー放電の強度と密接な関係にあり、堆積膜の膜厚分布
や膜特性を左右する重要な要因となり、良品質な堆積膜
を形成するために適正な一定の距離に保たれていること
が好ましい。

一般に、堆積膜の特性や堆積膜が形成される基体の大き
さは、堆積膜形成後の製品が、どのような用途に使用さ
れるかによって各々異なる。ところが、前記のような装
置を用いて基体上に堆積膜を形成させる場合、同軸円筒
型を使用する際には、前述したように、円筒状の基体と
カソード電極との間隔を一定としなければならず、一定
の大きさのカソード電極が設けられた反応炉に於いては
、大きさの、特に外径寸法、の異なる基体を反応炉内に
配置した場合、基体とカソード電極との距離が所定の距
離とはならず、良好な成膜を実施できない、ため、１台
の装置に外径寸法の異なる基体を適用することはできな
かった。

また、平行平板型のものの場合に於いても、少なくとも
、カソード電極が基体よりも大きい必要があり、更に、
これらのマツチング等を考慮すると、一定形状のカソー
ド電極が設けられた反応炉に種々の形状の基体を適用し
にくかった。

従って、上記のような装置を用いて堆積膜を大量に製造
する場合、従来、基体の大きさや形成された堆積膜の所
望の特性に合わせた専用ラインとなることは避けられず
、なかでも大きさの異なる基体を自由に流して多品種生
産を行なうことはできなかった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、大きさ等の異なる基体を用いた多品種
生産を１系統のラインのみで行なうことのできる気相法
堆積膜製造装置を提供することのある。

〔発明の構成〕

上記の目的は、以下の本発明のより達成することができ
る。

すなわち、本発明の気相法堆積膜製造装置は、気相法に
より基体上に堆積膜を形成させる反応炉の複数個が移動
可能に設置される反応炉設置手段の１つ以上と、前記反
応炉に基体を搬送する基体搬送手段の１つ以上とを有す
る気相法堆積膜製造装置である。

以下、本発明の装置を、図面に従って詳細に説明する。

第１図は本発明の装置の一例の主要部を示す模式重鎮略
図である。

この例に於いて、反応炉ｌは先に第２図を用いて説明し
た同軸円筒型の反応炉であり、その上部には真空チャン
バー蓋２４の位置に真空ゲートバルブ８−１が設けられ
ており、このゲートを通じて円筒状基体（不図示）を反
応炉ｌ内に搬入あるいは反応路ｌから搬出することがで
きる。なお、反応炉ｌ内に基体が搬入設置された状態は
、先に第２図に示した反応炉内の状態と同様である。

ここでは異なる堆積膜形成能を有する２種以上の反応炉
ｌが８基、これらの中心軸が同一円軌道２．３上に位置
し、かつその円軌道の中心軸１２．１３を中心として左
右両方向に回転自在なように設置されている。このよう
に複数の反応炉を回転自在に同一円軌道上に設置するに
は、反応炉設置手段としての反応炉設置台１５を、中心
軸多を中心に回転可能な角形等の適当な形状とする方式
、あるいは円形とする方式等を適用することができる。

反応炉１は、設置台１５に着脱自在であり、所望の基体
の大きさ等に対応した種々の反応炉を必要に応じて設置
台１５に設置し、構成の異なる設置台上の反応炉群を形
成することができる。なお、円軌道上の反応炉ｌの数は
８基に限定されることはなく、必要に応じて増減可能で
あり、またそれに伴なって円軌道の半径を増減すれば、
効率良い設置が可能である。

これらの反応炉ｌには、真空ポンプ、反応ガス　゛流コ
ントローラー、高周波電源等の付帯設備（不図示）が接
続されている。

円軌道２．３′の接線４上には、基体・（不図示）を搬
送するための搬送機構５が設けられており、該搬送１構
５と円軌道２．３との接点９に、搬送機構５と反応炉ｌ
との接続位置１０．１１が設けられている。搬送機構５
は、基体を搬送するための真空ポット６が吊下げられて
おり、この真空ボットの下部には真空ゲートバルブ８−
２が設けられている。なお、基体は不図示のチャッキン
グ機構によって真空ポット６内に吊下げられた状態で真
空中に保持されて搬送される。

接続位置１０．１１に於いて反応炉ｌと真空ボット６が
接続される場合には、真空ボットと反応炉のそれぞれに
設けられた真空バルブ８−１　と８−２とを介してこれ
らが接続される。その際、真空バルブ８−１　と８−２
の間の空間が不図示の排気系によって真空ボット６及び
反応炉ｌ内の真空度と同程度まで排気され、その状態で
これらバルブが開かれ、真空ボット６及び反応炉ｌ内の
真空度を乱すことなく真空ボット６から反応炉ｌ内へ、
あるいはその逆に基体を移送することができる。

反応炉ｌと真空ボット６が接続された状態に於いての基
体の移送は、基体を吊下げているチャコ・り機構によっ
て行なわれ、このチャック機構は、灰地炉内部まで伸び
、反応炉内の所定の位置に、すなわち円筒状カソード電
極の中心軸と基体の中心軸とが一致し、かつこれらの距
離が所定の距離に一定に保たれて配置されるように、ま
たすでに反応炉に設置されていた基体を、反応か・内か
ら引上げ、真空ポット内に再び収納できるように、油圧
シリンダーにて駆動されるような機構である。

第１図に示した装置によって堆積膜を成膜するには、先
ず所望の形状及び大きさの基体を真空ポット６内にチャ
ック機構によって吊下る。この時、基体を所定の温度ま
で加熱しておく場合には、あらかじめ加熱して真空ポッ
ト内に導入しても良く、また真空ポット内に設置した状
態で加熱しても良い。

真空ポット６内に基体が設置されたら真空ゲートバルブ
８−２を閉じ、不図示の排気系によって真空ポット６内
を排気し、所定の真空度とする。真空ポット６内の真空
度は、真空ボット６と反応炉１−１　との接続時の反応
炉内の真空度とされる。なお、真空ポット内の排気を、
次に述べる搬送中に行なっても良い。

次に搬送機構５を作動させ、真空ボット６を移動させ、
円軌道２と搬送機構５との接点（接続位置１０）直上ま
で移動させたところでこれを停止させる。このとき、基
体の中心軸と、反応炉の中心軸が一致されるように円軌
道２と搬送機構５とが配置されている。

ここで、真空ボット６は油圧シリング−７によって降下
し、真空ゲートバルブ８−１　、８−２を介して反応炉
１−１と接続される。真空ゲートパルプ間に形成された
空間を排気系によって、真空ポット及び反応炉内の真空
度と同程度まで排気し、その状態でこれらバルブが開か
れ、真空ポット６から反応炉１１内へ、所定の真空度を
乱すことなく、基体がチャック機構により搬入され、所
定の位置に設置される。その後チャック機構のみが真空
ポット６内に戻り、真空ゲートバルブ８−１．８−２を
再び閉じ、バルブ間の空間を真空リークして大気圧に戻
したのち、真空ポット６のみが油圧シリング−７によっ
て引上げられ、真空ポットもと反応炉ｌ−１との接続が
解除される。

なお、同様の接続操作によって、反応炉中にある基体を
空の真空ポットへ搬出することができる。なお、基体の
反応炉への搬入を終了した真空ポットは、他の基体の搬
出入に使用される。

基体が搬入、設置された反応炉１−１は、更に、通常ｌ
Ｘｌ０〜１０’　Ｔｏｒｒ程度に不図示の排気系（一般
に用いられている排気系で良い）により真空排気される
。そして、一般に用いられている反応ガス流量コントロ
ーラー（不図示）によりその流量及び圧力を調節しなが
ら堆積膜形成用の原料ガス及び必要に応じてキャリアー
ガスあるいは形成される膜中に不純物を導入するための
ドーピングガス等を反応炉内に導入する。

例えば、水素化アモルファスシリコン膜ヲ形成するため
には、Ｓ　ｉ　Ｈ４、Ｓｉ２Ｈ６、５ｉ３ＨＢ　、５ｉ
４Ｈ１゜等のシラン化合物カス、あるいはこれらにＨ２
やＨｅ、Ａｒ等の希ガスを適量比で混合したものを反応
炉内に導入する。具体例としてＳ　ｉ　Ｈ４ガスを用い
る場合には、基体温度を２００〜４００℃に設足し、Ｓ
ｉＨ４ガス５〜４０容量％とＨ２８５〜６０容量％の混
合ガスを反応炉内にガス圧０．１〜２　Ｔｏｒｒ、ガス
流量０．１〜２７７ｗ１ｎで導入し、高周波電源から整
合回路を通して、カソード電極に高周波電力を印加し、
基体とカソード電極との間にグロー放電を励気し、反応
ガスを分解して基体上に水素化アモルファスシリコン膜
を形成することができる。

なお、反応炉に導入されるガスには上記のようなガスの
ほかに、形成される堆積膜へのフッソ原子導入用のＳｉ
Ｆ４、ｐまたはｎ型不純物導入用のＢ、ＨＦ、、ＰＨ３
、ＡｓＨ３、窒素原子導入用のＮ２、ＮＨ３、酸素原子
導入用のＮ２０　、　Ｎｏ、炭素原子導入用の例えばＣ
Ｈｏ　、　Ｃ：２Ｈ４等の炭化水素化合物をはじめ、そ
の他のプラズマＣｖＤ法によって堆積膜内へ含有させる
ことのできる原子を含む化合物からなる反応ガスを、ガ
ス流量コントローラー等を用いて、所定の比率で混合し
て導入することもできる。

なお、本発明の装置は、このようなアモルファスシリコ
ン膜の形成に限らず、所望の原料ガスを用いて、Ｓｉ３
Ｎ４　、　ＳｉＣ、５ｉ０２、ＳｉＯ等の絶縁性膜、あ
るいは有機樹脂膜などを製造することもできる。これら
の堆積膜を反応炉中で形成する場合、成膜時の諸条件は
形成される堆積膜に応じて適宜選択される。

その内部に於いて、上記のような操作による成膜中の反
応炉１−１は、基体搬送機構５と反応炉ｌとの接続位置
１０に留まっている必要はなく、円軌道２上の他の位置
に移動させておく。このようにして、１つの反応炉に於
いて成膜を行なっている時に、接続位置に新たに移動さ
せた反応炉内に基体を次々に搬送機構から搬入させたり
、反応炉内にある基体を反応炉から搬出することもでき
る。

円軌道２．３上での反応炉ｌの移動は、接続位置１Ｏ１
１１での基体の搬入が行なわれるように、また成膜中の
反応炉に於いては、少なくとも接続位置１０．１１に戻
ったときに成膜が終了しているように制御される。接続
位置１０に戻った成膜が終了した反応炉ｌ−１の直上に
は、空の真空ポット６が移動して停止し、前述した基体
の搬入と逆の操作により、堆積膜の設けられた基体が反
応炉から搬出される。

搬出された基体は、搬送機構５によって製造装置外へ単
層構造の堆積膜を有する製品として搬出されるか、ある
いは同一円軌道上２に設置され、接続位置１０に移動し
てきた新たな同一規格の反応炉中へ搬入され、先に形成
された堆積膜上に、更に堆積膜を堆積させて２層構造の
、またはこれらの操作を繰りかえして３層以上の層構造
を有する堆積膜を製造し装置外へ製品として搬出される
。

このように、本発明の装置に於いては、多層構造の堆積
膜を形成する場合、それぞれの堆積膜の形成が個々の膜
専用の反応炉を用いて成膜を行なうことができ、効率良
い成膜に於ける適正操作条件の設定や他の層の形成時に
使用したガスの残留分の堆積膜内への混入による汚染を
防止できる。

この基体の装置外への搬出に際しては、基体を収納した
真空ポットが、搬送機構によって、所定の場所まで移動
し、ここで真空リークされポット内が大気圧と同じ圧力
となったところで、真空ゲートバルブを開き、製品とし
ての堆積膜の形成された基体を取り出す。

以上、中心軸１２の回りの反応炉群を中心として第１図
に示した本発明の装置の一例を説明したが、中心軸１３
の回りの反応炉群の操作もこれと同様である。また、反
応炉群は第１図のように２つに限定されるものではなく
、１つでも良い。

このようにして、本発明の装置に於いては、製造しよう
とする異なる種類の製品に合わせた基体と反応炉とを自
由に選択して組み合わせて、ｌ系統の生産ラインで効率
良く製造することが可能となった。

本発明の装置に於いては、第１図に示したように同一円
軌道に設置された反応炉群の２つ以上を設けて、装置中
に設けられた反応炉の数や種類を増加させて、各反応炉
群に於いて上記の工程により、より多品種の堆積膜をよ
り効率良く形成することができる。また基体を各反応炉
群間を移動させつつ多層構造の堆積膜を形成することも
できる。また、この例に於いては基体搬送機構は反応炉
が設置された円軌道の接線上に設けられていたが、これ
に限らず、例えば円軌道の法線上に設置しても良く、更
に基体搬送機構は一直線状ではなく、装置の形態等に応
じて種々の形状に設けても良い。

第１図を用いて以上説明した本発明の装置の一例は、反
応炉群が円軌道上に設置されているものであったが、反
応炉群の配置はこれに限定されるものではなく、種々の
配置が適用可能である。

そのような配置の一例として、第４図に示すように、反
応炉群を構成するそれぞれの反応路の中心軸が一直線七
に並ぶように配置されているものが挙げられる。この例
に於ける各部分の操作は、反応炉を該反応炉の属する反
応炉群の配列方向に移動させる以外は円軌道を用いた先
の例と同様である。

更に、これらの本発明の装置の例に於いては、基体搬送
機構を１系列だけ設けたが、基体の反応炉への搬入、反
応炉からの搬出及び製品の装置からの搬出をより効率良
く行なうために、基体搬送機構を２系列以上設けても良
い。そのような構成としては、例えば第５図および第６
図に示すように、基体搬送機構を２系列設け、搬送機構
５５−１．６５−１によって基体の反応炉への搬送を行
ない、搬送機構５５−２．６５−２によって成膜完了後
の基体を搬出するようにした構成などを挙げることがで
きる。

第７図は、本発明の気相法堆積膜製造装置の他の例の模
式的概略図である。この装置は、基体の加熱、基体上へ
の堆積膜の成膜、製品の冷却の工程を連続的に行なうこ
とのできる装置であり、基体搬入部８０、基体加熱部８
１、成膜部８２、冷却部８３及び製品搬出部８４とから
構成されている。

以下に、この本発明の装置の操作を順を追って説明する
。

まず、所望の製品に対応した基体２２を、基体搬入部８
０に設置された基体搬入用環７８−１から、ゲー）　７
Ｂ−１を閉じた状態で基体搬送機構７５中を移動する搬
送ローダ−７４上に設置する０次に、基体搬入部８０内
を不図示の排気系により排気し、所定の真空度、すなわ
ち基体加熱部８１内と同程度の真空度とする。そこでゲ
ート７Ｂ−１を開き基体搬送ローダ−７４を移動させて
、これとともに基体２２を基体加熱部８１へ移動させる
。

基体搬入部８０と基体加熱部８１とはゲー）　７Ｂ−１
によって必要に応じて仕切られており、これらの内部の
適切な雰囲気を乱すことなく基体２２を移動できるよう
になっている。基体加熱部８１に移された基体２２は、
加熱用ヒーター７３によって加熱される。この図に示し
た例に於いては、油圧シリンターの接続されたチャッキ
ング機構７７によって加熱部８１内の所定の位置で吊下
げられた状態で加熱されている。なお、この加熱に際し
ては、加熱部内を移動させながら行なうこともでき、加
熱部８２から基体２２が搬出される時に基体２２が所定
の温度まで加熱されていれば良い。

加熱された基体２２は、更に成膜部８２に送られる。成
膜部８２と加熱部８１の間にもゲート７Ｂ−１と同様の
ゲート７Ｂ−２が設けられている。基体２２が反応炉７
１への搬出人位置ａに達したところで停止されチャッキ
ング機構７７によって吊上げられ、搬送ローダ−７４か
ら取り外される。搬出人位置ａに於いて基体２２が取り
外された搬送ローダ−７４は、そそまま成膜部８２を反
応炉７１からの基体搬出入位置すまで移動するか、また
は一時的に他の場所に待機させておく。これと並行して
、あるいは基体２２が吊上げられた時点で、搬出人位置
ａに基体２２に対応した堆積膜形成能を有する反応炉７
１が搬出入位置ａまで移動し停止する。この時、基体２
２の中心軸と反応炉７１内にあるカソード電極（不図示
）の中心軸とが一致するようにこれらの位置決めがなさ
れている。搬出人泣ｆｉａの底部には真空ゲートバルブ
が設けられており、基体２２と反応炉７１とがこの位置
に配置された時点でで第１図を用いて説明したと同様の
操作によって、基体２２の反応炉内への搬入が行なわれ
、反応炉７１内で成膜が行なわれる。成膜中は、反応炉
７１は搬出入位置ａから、他の位置に移動させられ、搬
出人位置ａには新たに搬送されてきた基体に対応した他
の反応炉が移動する。成膜が終了した時点で反応炉７１
は搬出人泣１１ａに戻され、堆積膜が形成されている基
体８６は再び基体搬送機構７５内へ戻され、空の搬送ロ
ーダ−７４上に設置される。この空の搬送ローダ−は、
最初に基体２２を搬送し、一時待機させておいたもので
も良いし、空のまま搬送機構７５を移動させてきたもの
でも良い。

基体２２に対応した反応炉が、搬出人位置すに於いて基
体の搬出入が可能な反応炉群中に含まれている場合は、
基体２２の設置された搬送ローダ−７４は搬出人位置す
まで移動させる。それ以後の操作は、先に説明した操作
と同様である。搬出人位置すに於いて基体２２が取り外
された搬送ローダ−７４は、そのまま成膜部８２を反応
炉７１からの基体搬出人位置ｃ、ｄまで移動させるか、
あるいは他の場所に一時的に待機させておく、成膜終了
後の基体８Ｂは、最初に基体２２を搬出人位置すまで搬
送し、一時待機させておいた、あるいは空のまま搬送機
構７５を移動させてきた搬送ローダ−７４、または搬出
人位置ａに於いて空となった搬送ローダ−７４上に配置
される。搬送ローダ−７４によって更に基体８Ｂは、タ
ー）　７Ｂ−１と同様のター）　７Ｅｉ−３を開き冷却
部８３へ送られる。

冷却部８３に内の搬出人位置Ｃ及びｄに於いては、搬出
人位置ａ及びｂに於いて行なわれた操作と同様にして成
膜終了後の基体８６が、基体８６を冷却するための冷却
用真空槽７２内へ搬入、あるいは冷却用真空槽７２内か
ら搬出される。冷却用真空槽７２内に搬入された基体８
６は、取出し可能な温度まで効率良く冷却される。冷却
部８３に於いて冷却され、ター）　７Ｂ−４を開いて、
製品搬出部８４へ移送される。

最後に、ター）　７８−４が閉じられ、製品搬出部８４
内が真空リークされ、製品搬出用跡７８−２を開けるこ
とのできる圧力まで内部圧が上がったところで、製品搬
出用跡７８−２を開け、製品８６を搬出する。

この装置に於ては、所望の製品に対応した、基体を次々
に所望に応じて装置内に搬入し、これに対応した反応炉
内へ設置して成膜を行なうことができ、ｌラインで多品
種の堆積膜の製造が可能である。しかも、常に基体が真
空中を搬送ローダーによって搬送され、加熱、成膜、冷
却が連続的に、真空中でそれぞれの適正雰囲気下で行な
われるので、多品種の良質な堆積膜を効率良く、連続的
に生産することができる。

以上説明してきた本発明の装置の一例は、同軸円筒型の
反応炉を用いたものであったが、例えば第３図を用いて
説明したような平行平板型の反応＠、ｔ−用いτＦ＃瞳
を６−かうものであっでもよい−また、本発明の装置に
於ては、個々の反応炉を、その設置場所に着脱自在とす
ることによって、必要に応じて所望の構成からなる反応
炉群を形成させることができる。

以上説明した本発明の気相堆積膜製造装置に於いては、
ｌ生産ラインに異なる堆積膜形成能を有する２種以上の
反応炉からなる反応炉群の１つ以上と、基体搬送機構と
を設けて、これらを制御することにより、随時多品種の
製品、特に形状や大きさに於いて異なる製品の個々に対
応した基体と反応炉とを組み合わせて反応炉中で成膜を
行なうことができ、ｌ生産ラインで多品種の堆積膜を効
率良く大量に製造することが可能となった。

以下に本発明の装置を用いたアモルファスシリコン堆積
膜の参考例を示す。

第１図に示した本発明の堆積膜製造装置により、原料ガ
スとしてＳｉＨ４ガスとＨ２ガスとの混合ガスを用いて
アモルファスシリコン堆積膜を製造した。基体としては
、高純度アルミニウムからなる外径８０層層と１０８腸
腸の円筒状のものを使用し、これに対応した、２種の反
応炉（カソード電極の内径を、該電極と基体との間隔が
５０層層となるように調節）の４つづつを同一円軌道上
に配置した。

反応炉内に於いては、反応炉内圧をＩ　Ｔｏｒｒ、基体
温度を３００℃としたところで、ガス流量コントローラ
ーによって調節しながら反応炉内にＳｉＨ４ガスを４０
０ｃｃ／腸ｉ　ｎの流量で、更にＨ２ガスを８００ｃｃ
／＋ｍｉｎの流量で、これらガスの圧力が０．５Ｔｏｒ
ｒとなるように導入し、反応炉内に原料混合ガスが安定
して供給されているた状態で、高周波電源によりカソー
ド電極に、周波数１３．５８Ｎｚ　、　１００　Ｗ（７
）高周波電力を印加し、アース設置された固体との間で
グロー放電を発生させてアモルファスシリコン膜を基体
上に堆積（膜厚２５−）させた。

大きさの異なる２種の基体のいづれがを所望に応じて次
々に装置内へ搬入し、上記の操作によって堆積膜を形成
させ、装置外へ搬出した。製造されたアモルファスシリ
コン膜は、暗抵抗、光導電性に優れ、均一な膜質を有す
るものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図、第４図、第５図、第６図及び第７図はそれぞれ
本発明の気相法堆積膜製造装置の一例の主要部の該略図
、第２図は同軸円筒型堆積膜製造装置の模式的縦断面図
、第３図は平行平板型堆積膜製造装置の模式的横断面図
である。１．１−１．２０，３３，４１，５１，８１．７１　：
反応路１２．１３，５２，５３：円軌道中心軸４．５４
：接線５．４５．５５−１．５５−２．８５−１．８５−２，
７５：基体搬送機構６．４Ｅｉ、５Ｂ、Ｂｅ：真空ポッ
ト７．４７，５７．６７．７７　：油圧シリンダー８−１
．８−２．４８−１．４８−２゜５８−１．５８−２．
６８−１．Ｅｉ８−２．７８：真空ゲートバルブ８．５
９：接点　１０，１１，４２，４３：接続位置１２．１
３：中心軸　１５，８５　：設置台４９．６９：交点　
２１，３１：カソード電極２２．３２：基体２３：　トーナー７ツ状電機絶縁ガイシ２４：真空チャ
ンへ−蓋２５．３５：高周波電源２ｆｉ、３６：反応ガス放出パイプ２７．３７：真空排気管２８．３８：基体加熱用ヒーター２９：基体回転機構　３０，４０ニア−スフ２：冷却用
真空槽　７３：加熱用ヒーター７４；搬送ローグー７Ｂ−１，７６−２，７８−３，７６−４：ゲート？！
３−１：基体搬入用扉　７９−２　：製品搬出用層８０
：基体搬入部　８１：基体加熱部８２：成膜部　８３：冷却部８４：製品搬出部　８６：製品３Ｊ第　３　図第４図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）気相法により基体上に堆積膜を形成させる反応炉
の複数個が移動可能に設置される反応炉設置手段の１つ
以上と、前記反応炉に基体を搬送する基体搬送手段の１
つ以上とを有する気相法堆積膜製造装置。
（２）前記設置手段に設置された反応炉のそれぞれが、
それらの中心軸が実質的に同一円周上に位置し、かつこ
の円の有する中心軸の回りに回転移動可能なように設置
されている特許請求の範囲第１項記載の気相法堆積膜製
造装置。
（３）前記設置手段に設置された反応炉のそれぞれが、
それらの中心軸が実質的に一直線上に位置し、かつ該直
線方向に移動可能なように設置されている特許請求の範
囲第１項記載の気相法堆積膜製造装置。
（４）前記反応炉が前記設置手段に着脱自在である特許
請求の範囲第１項乃至第３項記載の気相法堆積膜製造装
置。
（５）前記反応炉設置手段に設置された反応炉の１つ以
上が他の反応炉と異なる堆積膜形成能を有する特許請求
の範囲第１項乃至第４項記載の気相法堆積膜製造装置。