JPH0427293B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0427293B2 JPH0427293B2 JP6610182A JP6610182A JPH0427293B2 JP H0427293 B2 JPH0427293 B2 JP H0427293B2 JP 6610182 A JP6610182 A JP 6610182A JP 6610182 A JP6610182 A JP 6610182A JP H0427293 B2 JPH0427293 B2 JP H0427293B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- chamber
- holder
- cylindrical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 23
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はa−Si感光体ドラム作成装置に関す
る。さらに詳しくは、この発明は複写機などの感
光体に使用可能な筒状のa−Si感光体を量産する
のに適するa−Si感光体ドラム作成装置に関す
る。
る。さらに詳しくは、この発明は複写機などの感
光体に使用可能な筒状のa−Si感光体を量産する
のに適するa−Si感光体ドラム作成装置に関す
る。
従来、a−Si(アモルフアス−シリコン)太陽
電池は量産されていたが、a−Si感光体は未だ量
産されていなかつた。これはa−Si太陽電池とa
−Si感光体との間に次のような大きな相違点があ
つたからである。
電池は量産されていたが、a−Si感光体は未だ量
産されていなかつた。これはa−Si太陽電池とa
−Si感光体との間に次のような大きな相違点があ
つたからである。
(1) 基板はa−Si太陽電池では平板状であるのに
対し、a−Si感光体では円筒状である。
対し、a−Si感光体では円筒状である。
(2) 必要なa−Si膜厚は太陽電池では1μm程度で
あるのに対し、感光体では10〜20μm程度であ
る。
あるのに対し、感光体では10〜20μm程度であ
る。
(3) 太陽電池ではa−Si膜は割合狭い面積に形成
するだけでよいが、感光体では太陽電池の場合
より広い面積にわたつて均一にa−Si膜を形成
する必要がある。
するだけでよいが、感光体では太陽電池の場合
より広い面積にわたつて均一にa−Si膜を形成
する必要がある。
この発明はa−Si太陽電池に対する上記のよう
な相違点を克服してa−Si感光体を量産するのに
適する感光体ドラム作成装置を提供することを目
的とするものであり、その具体的な構成は、プラ
ズマCVD法により円筒状基板にa−Si膜を形成
する感光体ドラム作成装置において、a−Si膜作
成室に基板ホルダー用レールを配設し、該レール
上に所要個数の円筒状基板ホルダーを移動可能に
設けるとともに、配設されたレールに沿つてプラ
ズマを発生させる2個1組の半円筒状のガス噴出
孔付き電極を複数組設置し、円筒状基板が前記ホ
ルダーによつて各組の電極間を順次移動されてい
く間に所要厚さのa−Si膜を形成するようにした
ことを特徴とするa−Si感光体ドラム作成装置で
ある。
な相違点を克服してa−Si感光体を量産するのに
適する感光体ドラム作成装置を提供することを目
的とするものであり、その具体的な構成は、プラ
ズマCVD法により円筒状基板にa−Si膜を形成
する感光体ドラム作成装置において、a−Si膜作
成室に基板ホルダー用レールを配設し、該レール
上に所要個数の円筒状基板ホルダーを移動可能に
設けるとともに、配設されたレールに沿つてプラ
ズマを発生させる2個1組の半円筒状のガス噴出
孔付き電極を複数組設置し、円筒状基板が前記ホ
ルダーによつて各組の電極間を順次移動されてい
く間に所要厚さのa−Si膜を形成するようにした
ことを特徴とするa−Si感光体ドラム作成装置で
ある。
すなわち、この発明は、複数の基板ホルダーを
移動しうるレールに沿つて複数組の電極を設置
し、しかもその電極を半円筒状のものを対向して
配置させることによつて、各電極内に、プラズマ
CVD(Chemical Vapour DepoSition)法により
a−Si膜を形成しようとする複数の円筒状基板を
同時に順次移動しうるようにし、それによつて1
対の電極のみでは到底得られない短時間間隔で、
円筒状基板上に均一な厚肉のa−Si膜を形成した
感光体を得ることができるようにするものであ
る。
移動しうるレールに沿つて複数組の電極を設置
し、しかもその電極を半円筒状のものを対向して
配置させることによつて、各電極内に、プラズマ
CVD(Chemical Vapour DepoSition)法により
a−Si膜を形成しようとする複数の円筒状基板を
同時に順次移動しうるようにし、それによつて1
対の電極のみでは到底得られない短時間間隔で、
円筒状基板上に均一な厚肉のa−Si膜を形成した
感光体を得ることができるようにするものであ
る。
以下図に示す実施例に基いてこの発明を詳述す
る。なお、これによつてこの発明が限定を受ける
ものではない。
る。なお、これによつてこの発明が限定を受ける
ものではない。
第1〜2図において、a−Si感光体ドラム作成
装置1は、ドラム仕込み兼取り出し室(以下ドラ
ム仕込み室と略記する)2とa−Si膜作成室3と
で円形に形成されており、両室2,3を通して床
面に2本1組のホルダー用レール4が円形に配設
されている。このレール4の上には、Al円筒状
基板5をセツトする基板ホルダー6が複数台、例
えば8台載置され、車輪7によつてレール4上を
移動可能になつている。基板ホルダー6は上側に
円筒状基板5を内部から加熱する基板加熱手段8
を備えるとともに、下側にホルダー6が各指定位
置に停止されたとき図示しないモーターによつて
円筒状基板5を回転させるための伝達軸9が設ら
れている。10はホルダー6によつてセツトされ
る基板5を覆う円筒状カバーである。
装置1は、ドラム仕込み兼取り出し室(以下ドラ
ム仕込み室と略記する)2とa−Si膜作成室3と
で円形に形成されており、両室2,3を通して床
面に2本1組のホルダー用レール4が円形に配設
されている。このレール4の上には、Al円筒状
基板5をセツトする基板ホルダー6が複数台、例
えば8台載置され、車輪7によつてレール4上を
移動可能になつている。基板ホルダー6は上側に
円筒状基板5を内部から加熱する基板加熱手段8
を備えるとともに、下側にホルダー6が各指定位
置に停止されたとき図示しないモーターによつて
円筒状基板5を回転させるための伝達軸9が設ら
れている。10はホルダー6によつてセツトされ
る基板5を覆う円筒状カバーである。
基板ホルダー6が停止される各指定位置には、
背面中央に高周波兼ガス導入端子12,12の一
端を接続された半円筒状のガス噴出孔付き電極1
1,11が、円筒状基板5の周側面をレール4と
直角な方向から取囲むことができるように配設さ
れている。前記端子12,12の他端は、それぞ
れドラム作成装置1の内壁1a,1bに固着され
ているが、端子12,12はフレキシブルな構造
であるから、ホルダー6が円筒状基板5をセツト
されてレール4に沿つて移動するとき、電極1
1,11はレール4と直角な方向に開いて基板5
の移動を許すとともに、ホルダー6が指定位置に
停止されたとき基板5の周側面を取囲むことがで
きる。ホルダー6の伝達軸9より上側には、a−
Si膜形成時に発生する多量のフレークがドラム作
成装置1内を汚したり、ホルダー6の可動部分に
トラブルを発生するのを防止するため、フレーク
受け13が取付けられている。
背面中央に高周波兼ガス導入端子12,12の一
端を接続された半円筒状のガス噴出孔付き電極1
1,11が、円筒状基板5の周側面をレール4と
直角な方向から取囲むことができるように配設さ
れている。前記端子12,12の他端は、それぞ
れドラム作成装置1の内壁1a,1bに固着され
ているが、端子12,12はフレキシブルな構造
であるから、ホルダー6が円筒状基板5をセツト
されてレール4に沿つて移動するとき、電極1
1,11はレール4と直角な方向に開いて基板5
の移動を許すとともに、ホルダー6が指定位置に
停止されたとき基板5の周側面を取囲むことがで
きる。ホルダー6の伝達軸9より上側には、a−
Si膜形成時に発生する多量のフレークがドラム作
成装置1内を汚したり、ホルダー6の可動部分に
トラブルを発生するのを防止するため、フレーク
受け13が取付けられている。
ドラム仕込み室2は、扇形の両側をバルブ付き
仕切り14,14でa−Si膜作成室3と区分され
ていて、ドラム仕込み室2のホルダー6停止位置
上方の天板部分には二点鎖線で示すようなドラム
出し入れドア15が開閉可能に設けられている。
仕切り14,14でa−Si膜作成室3と区分され
ていて、ドラム仕込み室2のホルダー6停止位置
上方の天板部分には二点鎖線で示すようなドラム
出し入れドア15が開閉可能に設けられている。
ドラム作成装置1の排気は、特に第2図におい
てドラム仕込み室2とa−Si膜作成室3にそれぞ
れ直列に接続されたメカニカルブースターポンプ
18とロータリポンプ16によつて行われている
が、ドラム仕込み室2には、上記排気系と別に直
列に接続された拡散ポンプ17とロータリポンプ
16の排気系が並列に接続され、バルブ19,1
9の切換え操作によつて高真空にすることが可能
になつている。排気系によつて真空にされた前記
両室2,3へのガスの供給は、図示するごとく異
なつたガスが充填されている各ボンベ20からバ
ルブ19を通してマスフローコントローラー21
で流量制御したガスをメインバルブ22を通して
前記ガス噴出孔付き電極12,12から行う。こ
のとき、ガスは電極12,12に設けた多数の噴
出孔(図示せず)から円筒状基板5の周側面の高
さ方向に均一に噴出される。23はドラム作成装
置1内の各電極11にそれぞれ独立に電力を供給
する高周波電源である。
てドラム仕込み室2とa−Si膜作成室3にそれぞ
れ直列に接続されたメカニカルブースターポンプ
18とロータリポンプ16によつて行われている
が、ドラム仕込み室2には、上記排気系と別に直
列に接続された拡散ポンプ17とロータリポンプ
16の排気系が並列に接続され、バルブ19,1
9の切換え操作によつて高真空にすることが可能
になつている。排気系によつて真空にされた前記
両室2,3へのガスの供給は、図示するごとく異
なつたガスが充填されている各ボンベ20からバ
ルブ19を通してマスフローコントローラー21
で流量制御したガスをメインバルブ22を通して
前記ガス噴出孔付き電極12,12から行う。こ
のとき、ガスは電極12,12に設けた多数の噴
出孔(図示せず)から円筒状基板5の周側面の高
さ方向に均一に噴出される。23はドラム作成装
置1内の各電極11にそれぞれ独立に電力を供給
する高周波電源である。
次にこの発明の装置によりAl円筒状基板5の
表面にa−Si感光体を形成する動作について説明
する。説明の便宜上、ドラム作成装置1内の8個
の電極11の位置をドラム仕込み室2から反時計
回りにA、B、C、D、E、F、G、Hとする。
表面にa−Si感光体を形成する動作について説明
する。説明の便宜上、ドラム作成装置1内の8個
の電極11の位置をドラム仕込み室2から反時計
回りにA、B、C、D、E、F、G、Hとする。
先ず、仕切り14,14を開いた状態で、真空
排気系によりドラム作成装置1内を真空に保つた
のち、仕切り14,14を閉じ、ドラム仕込み室
2にArを供給して大気圧にする。次いで、仕込
み室2の天板部分に設けられたドア15を開いて
Al円筒状基板5を上側から基板ホルダー6にセ
ツトしたのち、ドア15を閉じ、仕込み室2を排
気系により再度所定の真空度に保つてから、ホル
ダー6に装着された基板加熱手段8により前記基
板5を加熱する。基板5が設定温度になつたと
き、仕込み室2にArを再度供給してスパツター
を行い、a−Si膜作成室3にはボンベ20の各種
ガスを流して反応可能な状態に保つ。Arスパツ
ターが終了したときArを排気し、仕込み室2を
a−Si膜作成室3と同種類のガスで同じガス圧に
してから仕切り14のバルブを開いて基板ホルダ
ー6をレール4に沿つてAの位置から移動し、B
の位置にセツトする。このとき、AからHにある
各電極11はレール4と直角な方向に開いてホル
ダー6を移動させる。
排気系によりドラム作成装置1内を真空に保つた
のち、仕切り14,14を閉じ、ドラム仕込み室
2にArを供給して大気圧にする。次いで、仕込
み室2の天板部分に設けられたドア15を開いて
Al円筒状基板5を上側から基板ホルダー6にセ
ツトしたのち、ドア15を閉じ、仕込み室2を排
気系により再度所定の真空度に保つてから、ホル
ダー6に装着された基板加熱手段8により前記基
板5を加熱する。基板5が設定温度になつたと
き、仕込み室2にArを再度供給してスパツター
を行い、a−Si膜作成室3にはボンベ20の各種
ガスを流して反応可能な状態に保つ。Arスパツ
ターが終了したときArを排気し、仕込み室2を
a−Si膜作成室3と同種類のガスで同じガス圧に
してから仕切り14のバルブを開いて基板ホルダ
ー6をレール4に沿つてAの位置から移動し、B
の位置にセツトする。このとき、AからHにある
各電極11はレール4と直角な方向に開いてホル
ダー6を移動させる。
こうして、ホルダー6が反時計方向の次の電極
11の位置にきて静止すると、仕切り14のバル
ブが閉じられ、a−Si膜作成室3のBの位置にあ
る電極11,11が元のように基板5を取囲み、
高周波電源23から電力の供給を受けてプラズマ
放電を開始する。これと同時に、指定位置に停止
された各ホルダー6は、仕込み室2およびa−Si
膜作成室3の外側に設けられた図示しないモータ
ーの回転を伝達軸9を介して受けることにより回
転されるから、放電中、Al円筒状基板5の周側
面にa−Si膜が均一に形成される。このあと、仕
込み室2が真空に排気され、Arを導入して大気
圧にし、次の基板5がAの位置に移動してきてい
るホルダー6にセツトされてArのスパツターを
行うまで前記と同様の操作が行われる。この間、
a−Si膜作成室3では電極11からのプラズマの
放電が継続されているが、Aの位置にある基板5
を前記作成室3に移動する時間がくると放電を停
止され、各ホルダー6は前記したと同様の操作に
よつて反時計方向に移動され、それぞれ次の電極
11の位置で停止される。
11の位置にきて静止すると、仕切り14のバル
ブが閉じられ、a−Si膜作成室3のBの位置にあ
る電極11,11が元のように基板5を取囲み、
高周波電源23から電力の供給を受けてプラズマ
放電を開始する。これと同時に、指定位置に停止
された各ホルダー6は、仕込み室2およびa−Si
膜作成室3の外側に設けられた図示しないモータ
ーの回転を伝達軸9を介して受けることにより回
転されるから、放電中、Al円筒状基板5の周側
面にa−Si膜が均一に形成される。このあと、仕
込み室2が真空に排気され、Arを導入して大気
圧にし、次の基板5がAの位置に移動してきてい
るホルダー6にセツトされてArのスパツターを
行うまで前記と同様の操作が行われる。この間、
a−Si膜作成室3では電極11からのプラズマの
放電が継続されているが、Aの位置にある基板5
を前記作成室3に移動する時間がくると放電を停
止され、各ホルダー6は前記したと同様の操作に
よつて反時計方向に移動され、それぞれ次の電極
11の位置で停止される。
そして、a−Si膜作成室3のBからHの位置に
ある各電極11に基板5がセツトされ、仕込み室
2内の基板5へのArスパツターが終了してAの
位置にある基板5をBの位置に移動するとき、前
記作成室3のHの位置にありa−Si膜の形成をお
えた基板5が、仕込み室2内に移動されてくる。
仕込み室2からの円筒状基板5の取り出しは、仕
込み室2を真空に排気して基板5の温度が100℃
程度にさがるまで自然冷却し、その後Arを導入
して大気圧にしたのち、ドラム出し入れドア15
から基板5を上方に取り出し、次の基板5を仕込
み室2内のホルダー6にセツトする。この間にも
作成室3内では、各電極11からプラズマ放電が
行われa−Si膜の形成が行われる。以後上記操作
を繰り返すことによりa−Si感光体ドラムを量産
する。a−Si感光体ドラム作成装置1の運転を停
止するときには、仕込み室2に新しい基板5をセ
ツトするのを止めて、a−Si膜作成室2にセツト
されている基板5の本数を1本ずつ減らしてい
き、基板5を全部取り出したのちに停止すればよ
い。
ある各電極11に基板5がセツトされ、仕込み室
2内の基板5へのArスパツターが終了してAの
位置にある基板5をBの位置に移動するとき、前
記作成室3のHの位置にありa−Si膜の形成をお
えた基板5が、仕込み室2内に移動されてくる。
仕込み室2からの円筒状基板5の取り出しは、仕
込み室2を真空に排気して基板5の温度が100℃
程度にさがるまで自然冷却し、その後Arを導入
して大気圧にしたのち、ドラム出し入れドア15
から基板5を上方に取り出し、次の基板5を仕込
み室2内のホルダー6にセツトする。この間にも
作成室3内では、各電極11からプラズマ放電が
行われa−Si膜の形成が行われる。以後上記操作
を繰り返すことによりa−Si感光体ドラムを量産
する。a−Si感光体ドラム作成装置1の運転を停
止するときには、仕込み室2に新しい基板5をセ
ツトするのを止めて、a−Si膜作成室2にセツト
されている基板5の本数を1本ずつ減らしてい
き、基板5を全部取り出したのちに停止すればよ
い。
この発明の以上の工程によれば、ドラム仕込み
室における処理時間は、a−Si膜作成室から移動
されてきたa−Si感光体ドラムを自然に冷却して
ドラム仕込み室から取り出すまでに約30分、新し
いAl円筒状基板を基板ホルダーにセツトして設
定温度まで昇温し、Arスパツターを終了するま
でに約60分かかるから、合計約1.5時間毎にa−
Si感光体が1本ずつ完成されることになる。しか
も、現在a−Si感光体として必要なa−Si膜厚は
10〜20μm程度であるが、a−Si膜の成長速度は
2μm/h程度であつても、a−Si膜作成室のBか
らHの7つの位置で、それぞれ約1.5時間ずつ合
計約10.5時間、a−Si膜を形成することができる
から、21μm程度のa−Si膜の形成が可能となり、
十分実用に供し得るa−Si感光体を量産できるこ
とになる。
室における処理時間は、a−Si膜作成室から移動
されてきたa−Si感光体ドラムを自然に冷却して
ドラム仕込み室から取り出すまでに約30分、新し
いAl円筒状基板を基板ホルダーにセツトして設
定温度まで昇温し、Arスパツターを終了するま
でに約60分かかるから、合計約1.5時間毎にa−
Si感光体が1本ずつ完成されることになる。しか
も、現在a−Si感光体として必要なa−Si膜厚は
10〜20μm程度であるが、a−Si膜の成長速度は
2μm/h程度であつても、a−Si膜作成室のBか
らHの7つの位置で、それぞれ約1.5時間ずつ合
計約10.5時間、a−Si膜を形成することができる
から、21μm程度のa−Si膜の形成が可能となり、
十分実用に供し得るa−Si感光体を量産できるこ
とになる。
なお、上記実施例は単層のa−Si膜を形成する
場合であるが、a−Si膜の構成を多層にしたいと
きには、a−Si膜作成室3内のBからHの7つの
各電極11を、第4図に示すように、バルブ付き
仕切り14′で区分し、区分された各作成室に特
性の異なるガスボンベ20b,20c,…20h
を接続して、各電極11からプラズマを発生させ
れば、多層構造のa−Si膜をAl円筒状基板5に
所要厚さだけ容易に形成させることができる。
場合であるが、a−Si膜の構成を多層にしたいと
きには、a−Si膜作成室3内のBからHの7つの
各電極11を、第4図に示すように、バルブ付き
仕切り14′で区分し、区分された各作成室に特
性の異なるガスボンベ20b,20c,…20h
を接続して、各電極11からプラズマを発生させ
れば、多層構造のa−Si膜をAl円筒状基板5に
所要厚さだけ容易に形成させることができる。
この場合、各仕切り14′は基板ホルダー6を次
の位置に移動させるとき、仕切り14′に設けら
れているバルブの開閉操作によつて開閉される。
その他の操作は単層のa−Si膜形成の場合と同じ
である。
の位置に移動させるとき、仕切り14′に設けら
れているバルブの開閉操作によつて開閉される。
その他の操作は単層のa−Si膜形成の場合と同じ
である。
以上説明したことから明らかなごとく、この発
明によれば、a−Si太陽電池の場合と異なり、広
い円筒状の基板表面に10〜20μm程度の厚さの単
層または多層構造のa−Si膜を形成させた感光体
ドラムを量産することができる効果を奏する。
明によれば、a−Si太陽電池の場合と異なり、広
い円筒状の基板表面に10〜20μm程度の厚さの単
層または多層構造のa−Si膜を形成させた感光体
ドラムを量産することができる効果を奏する。
第1図はこの発明の一実施列を示す横断面図、
第2図は第1図の−拡大断面図、第3図はこ
の発明の全体構成説明図、第4図はこの発明の他
の実施態様を示す全体構成説明図である。 1…a−Si感光体ドラム作成装置、2…ドラム
仕込み兼取り出し室、3…a−Si膜作成室、4…
基板ホルダー用レール、5…Al円筒状基板、6
…基板ホルダー、8…基板加熱手段、11…ガス
噴出孔付き電極、12…高周波兼ガス導入端子、
14,14′…バルブ付き仕切り、16,17,
18…排気系、20,20a,20b〜20h…
ガスボンベ、21…マスフローコントローラー、
23…高周波電源。
第2図は第1図の−拡大断面図、第3図はこ
の発明の全体構成説明図、第4図はこの発明の他
の実施態様を示す全体構成説明図である。 1…a−Si感光体ドラム作成装置、2…ドラム
仕込み兼取り出し室、3…a−Si膜作成室、4…
基板ホルダー用レール、5…Al円筒状基板、6
…基板ホルダー、8…基板加熱手段、11…ガス
噴出孔付き電極、12…高周波兼ガス導入端子、
14,14′…バルブ付き仕切り、16,17,
18…排気系、20,20a,20b〜20h…
ガスボンベ、21…マスフローコントローラー、
23…高周波電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 プラズマCVD法により円筒状基板にa−Si
膜を形成する感光体ドラム作成装置において、a
−Si膜作成室に基板ホルダー用レールを配設し、
該レール上に所要個数の円筒状基板ホルダーを移
動可能に設けるとともに、配設されたレールに沿
つてプラズマを発生させる2個1組の半円筒状の
ガス噴出孔付き電極を複数組設置し、円筒状基板
が前記ホルダーによつて各組の電極間を順次移動
されていく間に所要厚さのa−Si膜を形成するよ
うにしたことを特徴とするa−Si感光体ドラム作
成装置。 2 a−Si膜作成室が、該室に隣接して円筒状基
板の加熱やArスパツターなどの前処理およびa
−Si膜形成後の自然冷却などの後処理を行わせる
ドラム仕込み兼収り出し室を設けた特許請求の範
囲第1項記載のa−Si感光体ドラム作成装置。 3 円筒状基板ホルダーが基板加熱手段を備え、
各指定位置に停止したとき回転されるようにした
特許請求の範囲第1項または第2項記載のa−Si
感光体ドラム作成装置。 4 a−Si膜作成室が開閉可能な仕切り壁によつ
て複数の作成室に区分され、各作成室に特性の違
つたガスを供給し得るようにして多層構造のa−
Si膜作成を可能にした特許請求の範囲第1項から
第3項までのいずれかに記載のa−Si感光体ドラ
ム作成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6610182A JPS58181714A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | a−si感光体ドラム作成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6610182A JPS58181714A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | a−si感光体ドラム作成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58181714A JPS58181714A (ja) | 1983-10-24 |
JPH0427293B2 true JPH0427293B2 (ja) | 1992-05-11 |
Family
ID=13306148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6610182A Granted JPS58181714A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | a−si感光体ドラム作成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58181714A (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2608410B2 (ja) * | 1987-06-30 | 1997-05-07 | 京セラ株式会社 | グロー放電分解装置 |
JP4917722B2 (ja) * | 2001-09-05 | 2012-04-18 | 北星ゴム工業株式会社 | 目地部の構造 |
US20130196078A1 (en) * | 2012-01-31 | 2013-08-01 | Joseph Yudovsky | Multi-Chamber Substrate Processing System |
US9230815B2 (en) | 2012-10-26 | 2016-01-05 | Appled Materials, Inc. | Methods for depositing fluorine/carbon-free conformal tungsten |
US11043386B2 (en) | 2012-10-26 | 2021-06-22 | Applied Materials, Inc. | Enhanced spatial ALD of metals through controlled precursor mixing |
TWI729101B (zh) | 2016-04-02 | 2021-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於旋轉料架基座中的晶圓旋轉的設備及方法 |
US11015246B2 (en) | 2016-04-24 | 2021-05-25 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for depositing ALD films with enhanced chemical exchange |
TWI734770B (zh) | 2016-04-24 | 2021-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於防止空間ald處理腔室中之背側沉積的設備 |
-
1982
- 1982-04-19 JP JP6610182A patent/JPS58181714A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58181714A (ja) | 1983-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4501766A (en) | Film depositing apparatus and a film depositing method | |
US4666734A (en) | Apparatus and process for mass production of film by vacuum deposition | |
JPH0427293B2 (ja) | ||
JPS60184678A (ja) | 真空処理装置 | |
JPS6010618A (ja) | プラズマcvd装置 | |
JPH0152052B2 (ja) | ||
JP2907403B2 (ja) | 堆積膜形成装置 | |
JP2003201565A (ja) | 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法 | |
JPH01298169A (ja) | 膜形成方法 | |
JPH04183863A (ja) | 基板処理装置 | |
JPS59167012A (ja) | プラズマcvd装置 | |
JPS6242028B2 (ja) | ||
JPS59217618A (ja) | アモルフアスシリコン成膜装置 | |
JPS6126779A (ja) | プラズマcvd装置 | |
JPS627686B2 (ja) | ||
JPS6337185B2 (ja) | ||
JPH05217915A (ja) | プラズマcvd装置 | |
JPS6126777A (ja) | プラズマcvd装置 | |
JPS58132754A (ja) | アモルフアス・シリコン感光体製造方法及びその製造装置 | |
JPH0324274A (ja) | 気相成長装置 | |
JPS58154226A (ja) | プラズマcvd装置 | |
JPS6010619A (ja) | グロ−放電による膜形成方法 | |
JPS6115974A (ja) | プラズマcvd装置 | |
CN114709151A (zh) | 一种晶圆处理设备 | |
JPS6242027B2 (ja) |