JPS58181714A - ａ−ｓｉ感光体ドラム作成装置 - Google Patents
ａ−ｓｉ感光体ドラム作成装置Info
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- JPS58181714A JPS58181714A JP6610182A JP6610182A JPS58181714A JP S58181714 A JPS58181714 A JP S58181714A JP 6610182 A JP6610182 A JP 6610182A JP 6610182 A JP6610182 A JP 6610182A JP S58181714 A JPS58181714 A JP S58181714A
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- holder
- rail
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はａ−８１感光体ドラム作成装置に関する。さ
らに詳しくは、この発明は複写機などの感光体に使用可
能な筒状のａ−８ｉ感光体を量産するのに適する＊ −
８１感光体ドラム作成装置に胸する。
らに詳しくは、この発明は複写機などの感光体に使用可
能な筒状のａ−８ｉ感光体を量産するのに適する＊ −
８１感光体ドラム作成装置に胸する。
従ｈａ−ｓｔ（アモルファス−シリコン）太陽１紘は量
産されていたが、ａ−８１感光体は未だ量産されていな
かつ九。これはａ−８１太陽電池とａ−ｓｉ感光体との
閾に次のような大きな相違点があったからである。
産されていたが、ａ−８１感光体は未だ量産されていな
かつ九。これはａ−８１太陽電池とａ−ｓｉ感光体との
閾に次のような大きな相違点があったからである。
（１）基板は＆−８１太陽電池では平板状であるのに対
し、ａ−８１感光体では円筒状である。
し、ａ−８１感光体では円筒状である。
（２）必要なａ −８ｉ膜厚は太陽電池では１μ、ｌＩ
１度であるのに対し、感光体では１０〜２０μｍ＠度で
ある。
１度であるのに対し、感光体では１０〜２０μｍ＠度で
ある。
（３）太陽電池ではａ−８１１１１は割合狭い面積に形
成するだけでよいが、感光体では太陽電池の場合よシ広
い面積にわ九って均一［ａ−８１１１を形成する必要が
ある。
成するだけでよいが、感光体では太陽電池の場合よシ広
い面積にわ九って均一［ａ−８１１１を形成する必要が
ある。
この発明はａ−８１太陽電池に対する上記のような相違
点を克服してａ−８１ｍ光体を量産するのに適する感光
体ドラム作成装置を提供することを目的とするものであ
り、その具体的な構成は、プラズマＣＶＤ法によシ円筒
状基板Ｋａ−Ｂｉｌｌを形成する感光体ドラム作成装置
において、ａ −ｓｉ ＊作成室に基板ホルダー用レー
ルを配設し、該レール上に所要個数の円筒状基板ホルダ
ーを移動可能に設けるとともに、配設されたレールに沿
ってプラズマを発生東せる２個１組の半円筒状のガス噴
出孔付き電極を複数！ｌ設置し、円筒状基板が前記ホル
ダーによって各組の電極間を順次移動されていく関ＫＦ
ｆｒ＊厚さのａ −８ｉ ｌＩを形成するようＫしたこ
とを畳敷とする＆−８１感光体ドラム作成装置である。
点を克服してａ−８１ｍ光体を量産するのに適する感光
体ドラム作成装置を提供することを目的とするものであ
り、その具体的な構成は、プラズマＣＶＤ法によシ円筒
状基板Ｋａ−Ｂｉｌｌを形成する感光体ドラム作成装置
において、ａ −ｓｉ ＊作成室に基板ホルダー用レー
ルを配設し、該レール上に所要個数の円筒状基板ホルダ
ーを移動可能に設けるとともに、配設されたレールに沿
ってプラズマを発生東せる２個１組の半円筒状のガス噴
出孔付き電極を複数！ｌ設置し、円筒状基板が前記ホル
ダーによって各組の電極間を順次移動されていく関ＫＦ
ｆｒ＊厚さのａ −８ｉ ｌＩを形成するようＫしたこ
とを畳敷とする＆−８１感光体ドラム作成装置である。
すなわち、この発明線、複数の基板ホルダーを移動しう
るレールに沿りて複数組の電極を設置し、しかもその電
極を半円筒状のものを対向して配置させるととＫよって
、各電極内に、プラズマＣＶＤ（０Ｍ３１１ｉｃａｌ
Ｖａｐｏｕｒ ＤｅＴｈａｉｔｉｏｎ ）法によすａ
−Ｓｉ膜を形成しようとする複数の円輪状１板を同時
に順次移動しうるようにし、それによって１対の電極の
みでは到底得られない短時間間隔で、円輪状基板上に均
一な厚肉のａ−８１１［を形成した感光体を得ることが
できるようにするものである。
るレールに沿りて複数組の電極を設置し、しかもその電
極を半円筒状のものを対向して配置させるととＫよって
、各電極内に、プラズマＣＶＤ（０Ｍ３１１ｉｃａｌ
Ｖａｐｏｕｒ ＤｅＴｈａｉｔｉｏｎ ）法によすａ
−Ｓｉ膜を形成しようとする複数の円輪状１板を同時
に順次移動しうるようにし、それによって１対の電極の
みでは到底得られない短時間間隔で、円輪状基板上に均
一な厚肉のａ−８１１［を形成した感光体を得ることが
できるようにするものである。
以下図に示す実施例に基いてこの発明を詳述する。なお
、これによってこの発明が限定ｔ＋けるものではない。
、これによってこの発明が限定ｔ＋けるものではない。
第１〜２図において、ａ−８１ｇ光体ドラム作成装置（
１）は、ドラム仕込み兼取り出し室（以下ドラム仕込み
室と略記する）（２）とａ −８ｉ ＩＩ作作成室３）
とで円形に形成されており、両室（２）、（３）を通し
て床面に２本１！１の基板ホルダー用レール（４）が円
形に配設されている。このレール（４）の上Ｋｕ、Ａ１
１円筒状基板（５）ｔセットする基板ホルダー（６〕が
複数台、例えば８台載置され、車輪（グ）によってレー
ル（４）上を移動可＆になっている。
１）は、ドラム仕込み兼取り出し室（以下ドラム仕込み
室と略記する）（２）とａ −８ｉ ＩＩ作作成室３）
とで円形に形成されており、両室（２）、（３）を通し
て床面に２本１！１の基板ホルダー用レール（４）が円
形に配設されている。このレール（４）の上Ｋｕ、Ａ１
１円筒状基板（５）ｔセットする基板ホルダー（６〕が
複数台、例えば８台載置され、車輪（グ）によってレー
ル（４）上を移動可＆になっている。
基板ホルダー（６）は上側に円筒状基板（５）を内部か
ら加熱する基板加熱早秋（８）を備えるとともに、下側
にホルダー（りが各指定位置に停止され九と［示しない
モーターによって円筒状基板（５）を回転させるための
伝達軸（９〕が設けられている。
ら加熱する基板加熱早秋（８）を備えるとともに、下側
にホルダー（りが各指定位置に停止され九と［示しない
モーターによって円筒状基板（５）を回転させるための
伝達軸（９〕が設けられている。
（１０） Ｕホルダー（６）にセットされる基＆ （５
） ｔ−覆う円筒状カバーである。
） ｔ−覆う円筒状カバーである。
基板ホルダー（６）が停止される各指定位置には、背面
中央１ＣａｊＦ１１ｔＥ兼カス専大［−（１）、（１２
） Ｏ一端を接続された半円筒状のガス噴出孔付き電極
（１１）、（１１）が、円筒状基板（５）の周側面をレ
ール（４）と直角な方向から取囲むことができるように
配設されている。前記端子〔１２〕、（１２）の他端は
、それぞれドラ五作成装置（１）の内！（ｌａ）、（ｌ
ｂ）に―着されているが、端子（１２）、（ｌａ）は７
レキシプル１ｋＩｉＩｔ造であるから、ホルダー（６）
が円筒状基板（５）ヲセットされてレール（４）Ｋ沿っ
てｌＩ動するとき、電極（１１）、（１１）はレール（
４）と直角な方向に關いて基板（５）の移動を許すとと
もに、ホルダー（６）がｆｊ定位置に停止されたとき基
板（５）の周側面を４ｊａむことかできる。ホルダー（
６〕の伝達軸（９）より上側にｌｄ、、、 ａ −Ｂｉ
＠形成時に発生する多量の７レークがドラム作成装置
（１）内を汚したシ、ホルダー（りの可動部分にトラブ
ルを発生するのを防止するため、フレーク受け（１３）
が取付けられている。
中央１ＣａｊＦ１１ｔＥ兼カス専大［−（１）、（１２
） Ｏ一端を接続された半円筒状のガス噴出孔付き電極
（１１）、（１１）が、円筒状基板（５）の周側面をレ
ール（４）と直角な方向から取囲むことができるように
配設されている。前記端子〔１２〕、（１２）の他端は
、それぞれドラ五作成装置（１）の内！（ｌａ）、（ｌ
ｂ）に―着されているが、端子（１２）、（ｌａ）は７
レキシプル１ｋＩｉＩｔ造であるから、ホルダー（６）
が円筒状基板（５）ヲセットされてレール（４）Ｋ沿っ
てｌＩ動するとき、電極（１１）、（１１）はレール（
４）と直角な方向に關いて基板（５）の移動を許すとと
もに、ホルダー（６）がｆｊ定位置に停止されたとき基
板（５）の周側面を４ｊａむことかできる。ホルダー（
６〕の伝達軸（９）より上側にｌｄ、、、 ａ −Ｂｉ
＠形成時に発生する多量の７レークがドラム作成装置
（１）内を汚したシ、ホルダー（りの可動部分にトラブ
ルを発生するのを防止するため、フレーク受け（１３）
が取付けられている。
ドラム仕込み室（２）は、扇形の両側をバルブ付き仕切
Ｊ） （１４）、（１４）でａ−’Ｂｉ展作成室（３）
と区分されていて、ドラム仕込み室（２）のホルタ−（
６）停止位置上方の天板部分には二点鎖線で示すような
ドシム出し入れドア（１５）が−命可能ＫＲけられてい
る。
Ｊ） （１４）、（１４）でａ−’Ｂｉ展作成室（３）
と区分されていて、ドラム仕込み室（２）のホルタ−（
６）停止位置上方の天板部分には二点鎖線で示すような
ドシム出し入れドア（１５）が−命可能ＫＲけられてい
る。
ドラム作成装置（１）の排気は、４１ＩＫ第２図におい
てドラム仕込み室（２）と＆ −８１ＩＩ作虞室（３）
にそれぞれ直列に接続され九メカニカルブースターボン
グ（１８）とロータリポンプ（１６）Ｋよって行われる
が、ドラム仕込み！ （２） Ｋは、上記排気系と別に
直列に接続された拡欽ポンプ（１’／）とロータリポン
プ（１６）の排気系が並列に接続され、パルプ（１９）
、（１９）の切換え操作によって高真空にすることが可
１になっている。紳９Ｌ基によって真空にされた前記両
室（２）、（３）へのガスの供給は、図示するごとく異
なったガスが充填されている各ボンベ（２０）カラパル
プ（１９） を通してマスフローコントローラー（２１
）で流量制御したガスをメインパルプ（２２）を通して
前記ガス噴出孔付き電極（１２）、（１２）から行う。
てドラム仕込み室（２）と＆ −８１ＩＩ作虞室（３）
にそれぞれ直列に接続され九メカニカルブースターボン
グ（１８）とロータリポンプ（１６）Ｋよって行われる
が、ドラム仕込み！ （２） Ｋは、上記排気系と別に
直列に接続された拡欽ポンプ（１’／）とロータリポン
プ（１６）の排気系が並列に接続され、パルプ（１９）
、（１９）の切換え操作によって高真空にすることが可
１になっている。紳９Ｌ基によって真空にされた前記両
室（２）、（３）へのガスの供給は、図示するごとく異
なったガスが充填されている各ボンベ（２０）カラパル
プ（１９） を通してマスフローコントローラー（２１
）で流量制御したガスをメインパルプ（２２）を通して
前記ガス噴出孔付き電極（１２）、（１２）から行う。
このとき、ガスは電極（１２）、（１２）ＫＩＩｋけた
多数の噴出孔（図示せず）から円筒状基板（５）の同側
面の高さ方向に均一に噴出される。（２３）はドラム作
成装置（１）内の６電１ｉ（１１）Ｋそれぞれ独立に電
力を供給する高崗波電源である。
多数の噴出孔（図示せず）から円筒状基板（５）の同側
面の高さ方向に均一に噴出される。（２３）はドラム作
成装置（１）内の６電１ｉ（１１）Ｋそれぞれ独立に電
力を供給する高崗波電源である。
次にこの発明の装置によりＵ円筒状基板（５）の表面Ｋ
ａ−８１感光体會形成する動作について説明する。ＷＩ
Ｌ明の便宜上、ドラム作成装置（１）内の８個の電極（
１１）の位置をドラム仕込み室（幻から反時計回ｐＫＡ
、Ｂ％Ｃ％Ｄ、 Ｉ、 Ｆ、 Ｇ、 ｉｆとする。
ａ−８１感光体會形成する動作について説明する。ＷＩ
Ｌ明の便宜上、ドラム作成装置（１）内の８個の電極（
１１）の位置をドラム仕込み室（幻から反時計回ｐＫＡ
、Ｂ％Ｃ％Ｄ、 Ｉ、 Ｆ、 Ｇ、 ｉｆとする。
先ず、仕切シ（１４人（１４）を胸いた状態で、真空排
気系によりドラム作成装置（１）内を真空に保ったのち
、仕切！Ｉ （１４）、（１４） ［じ、ドラム仕込み
室（ａ） ＫＡｒを供給して大気圧にする。次いで、仕
込み室（ｇ）の天板部分に設けられたドア〔１５〕を開
いて峰円筒状基板（５）を上側から１Ｍ＆ホｙｖｒ −
（６）にセットしたのち、ドア（１５）’を閉じ、仕込
み室（２）を排気系によ少再を所定の真空直に保ってか
ら、ホルダー（りに装着された基板加熱平膜（８）によ
υ前記基板（５）を加麟する。基板（５）が設定温度に
なったとき、仕込み’Ｉ（幻１ＣＡｒを再［供給してス
パッターを行い、ａ −８１ｌＩ［作成室（３）Ｋはボ
ンベ（２りの各種ガスを流して反応可能な状態に保つ。
気系によりドラム作成装置（１）内を真空に保ったのち
、仕切！Ｉ （１４）、（１４） ［じ、ドラム仕込み
室（ａ） ＫＡｒを供給して大気圧にする。次いで、仕
込み室（ｇ）の天板部分に設けられたドア〔１５〕を開
いて峰円筒状基板（５）を上側から１Ｍ＆ホｙｖｒ −
（６）にセットしたのち、ドア（１５）’を閉じ、仕込
み室（２）を排気系によ少再を所定の真空直に保ってか
ら、ホルダー（りに装着された基板加熱平膜（８）によ
υ前記基板（５）を加麟する。基板（５）が設定温度に
なったとき、仕込み’Ｉ（幻１ＣＡｒを再［供給してス
パッターを行い、ａ −８１ｌＩ［作成室（３）Ｋはボ
ンベ（２りの各種ガスを流して反応可能な状態に保つ。
ムｒスパッターが終了したときＡｒ １に排気し、仕込
み’Ｍ Ｃ５ａ） ｆ ａ −８ｉ １％作成”！（３
）と同極類のガスで同じガス圧にしてから仕９ＪＪＩＢ
１４）のパルプを開いて基板ホルダー（６）をレール（
４） Ｋ沿りてムの位置から移動し、Ｂの位置にセット
する。このとき、ムからＨＫある各電極（１１）はレー
ル（４）と直角な方向Ｋｌ＠いてホルダー（６）上移動
させる。
み’Ｍ Ｃ５ａ） ｆ ａ −８ｉ １％作成”！（３
）と同極類のガスで同じガス圧にしてから仕９ＪＪＩＢ
１４）のパルプを開いて基板ホルダー（６）をレール（
４） Ｋ沿りてムの位置から移動し、Ｂの位置にセット
する。このとき、ムからＨＫある各電極（１１）はレー
ル（４）と直角な方向Ｋｌ＠いてホルダー（６）上移動
させる。
こうして、ホルダー（６）が反時計方向の次の電極（１
１）の位置にきて静止すると、仕切Ｃ（１４）のパルプ
が閉じられ、ａ−８１１１作成室作成室ＯＢの位置にあ
る電極（１１）、（１１）が元のように基板（５）を取
囲み、高８１ｊＬ電源（２３）から電力の供給を受けて
プラズマ放電を開始する。これと同時に、指定位置に停
止された各ホルダー（６）は、仕込み室（２）およびａ
−８１１１作成室作成室の外側に設けられた図示しない
モーターの回転を伝達軸（９）を介して受けることによ
）回転されるから、放電中１．−円筒状基板（５）の両
側面にａ −８ｉ ＩＩが均一に形成される。このあと
、仕込み室（２）が真空に排気され、Ａｒ ｔ−尋人し
て大気圧にし、次の基板（５〕がムの位置に移動してき
ているホルダー（６）Ｋセットされてムｒのスパッター
を行うまで前記と同様の操作が行われる。この閾、ａ
−ｓｉ ＊作成室（３）では電極（１１）からのグツズ
での放電が畠続されているが、１０位置にある基板（６
）を前記作成室（３）に移動する時間がくると放電を停
止され、各ホルダー（６）は前記したと同様の操作によ
って反時計方向ｉＣ移動され、それぞれ次の電極（１１
）の位置で停止される。
１）の位置にきて静止すると、仕切Ｃ（１４）のパルプ
が閉じられ、ａ−８１１１作成室作成室ＯＢの位置にあ
る電極（１１）、（１１）が元のように基板（５）を取
囲み、高８１ｊＬ電源（２３）から電力の供給を受けて
プラズマ放電を開始する。これと同時に、指定位置に停
止された各ホルダー（６）は、仕込み室（２）およびａ
−８１１１作成室作成室の外側に設けられた図示しない
モーターの回転を伝達軸（９）を介して受けることによ
）回転されるから、放電中１．−円筒状基板（５）の両
側面にａ −８ｉ ＩＩが均一に形成される。このあと
、仕込み室（２）が真空に排気され、Ａｒ ｔ−尋人し
て大気圧にし、次の基板（５〕がムの位置に移動してき
ているホルダー（６）Ｋセットされてムｒのスパッター
を行うまで前記と同様の操作が行われる。この閾、ａ
−ｓｉ ＊作成室（３）では電極（１１）からのグツズ
での放電が畠続されているが、１０位置にある基板（６
）を前記作成室（３）に移動する時間がくると放電を停
止され、各ホルダー（６）は前記したと同様の操作によ
って反時計方向ｉＣ移動され、それぞれ次の電極（１１
）の位置で停止される。
そして、ａ −８ｉ展作成室（３）のＢからＨの位置に
ある各電極（１１）に基＆（りがセットされ、仕込み室
（２）内の基板（５）へのムｒスパッターが終了してム
の位置にめる１＆板（５）をＢの位置に移動するとき、
前記作成室（３）のＨの位置にあｌ） ａ −８１膜の
形成をおえた基板（りが、仕込み１ｉｉＣ２）内に移動
されてくる。仕込みｍｌ（２）からの円筒状基板（５）
の取り出し社、仕込み室（２）を真空に排気して基板（
５）の温度が１００℃程＠：ＶＣさがるまで自然冷坤し
、その後ムｒを導入して大気圧にしたのち、ドラム出し
入れドア（１５）から基板（５）ｔ−上方に取多出し、
次の基板（５）ｔ−仕込み室（２）内の水ルダー（６）
にセットする。この間にも作成室（３）内では、各電極
（１１〕からプラズマ放電が行われａ”８１膜の形成が
行われる。以後上記操作を繰シ返すことＫよシロ−８１
感光体ドフ五會量産する。ａ−８１感光体ドラム作威義
置（１）の運転を停止するときには、仕込み室〔２〕Ｋ
新しい基板〔５〕ｔセツトするのを止めて、ａ −８ｉ
ｌＩ作成富（幻にセットされている基板（りの本数ｔ
１本ずつ減らしていき、基板（５）を全部取シ出したの
ちに停止すればよい。
ある各電極（１１）に基＆（りがセットされ、仕込み室
（２）内の基板（５）へのムｒスパッターが終了してム
の位置にめる１＆板（５）をＢの位置に移動するとき、
前記作成室（３）のＨの位置にあｌ） ａ −８１膜の
形成をおえた基板（りが、仕込み１ｉｉＣ２）内に移動
されてくる。仕込みｍｌ（２）からの円筒状基板（５）
の取り出し社、仕込み室（２）を真空に排気して基板（
５）の温度が１００℃程＠：ＶＣさがるまで自然冷坤し
、その後ムｒを導入して大気圧にしたのち、ドラム出し
入れドア（１５）から基板（５）ｔ−上方に取多出し、
次の基板（５）ｔ−仕込み室（２）内の水ルダー（６）
にセットする。この間にも作成室（３）内では、各電極
（１１〕からプラズマ放電が行われａ”８１膜の形成が
行われる。以後上記操作を繰シ返すことＫよシロ−８１
感光体ドフ五會量産する。ａ−８１感光体ドラム作威義
置（１）の運転を停止するときには、仕込み室〔２〕Ｋ
新しい基板〔５〕ｔセツトするのを止めて、ａ −８ｉ
ｌＩ作成富（幻にセットされている基板（りの本数ｔ
１本ずつ減らしていき、基板（５）を全部取シ出したの
ちに停止すればよい。
この発明の以上の工＠によれば、ドラム仕込み室におけ
る処理時間は、ａ−Ｂｉｌ１作威室から移動されてき九
ａ −８１感光体ドラムを自ａＫ冷却してドラム仕込み
室から取り出すまでに約３０分、新しいＵ円筒状基板を
基板ホルダーにセットして設定温度まで昇温し、ムｒス
パッターを終了するまでに約６０分かかるから、合計的
１．６時閣毎にａ−８μ感光体が１本ずつ完成されるこ
とになる。しかも、現在ａ −８μ感光体として必要な
ａ −８１＠１ｉＦｉ１０〜２０絹程度であるが、ａ−
８１膜の成員速度は２μ”／ｈｌｉｉｔであっても、ａ
−８１１１作成室作成からＨの７つの位置で、それぞれ
釣１．５時聞ず９合計的１０．５時間、＆ −８１Ｉｎ
形成することができるから、ｓｉｌ ｐｍｌｉｔｏ ａ
−８１＠Ｏ影形成可能となシ、十分実用に供し得るａ
−８１感光体を量産できることになる。
る処理時間は、ａ−Ｂｉｌ１作威室から移動されてき九
ａ −８１感光体ドラムを自ａＫ冷却してドラム仕込み
室から取り出すまでに約３０分、新しいＵ円筒状基板を
基板ホルダーにセットして設定温度まで昇温し、ムｒス
パッターを終了するまでに約６０分かかるから、合計的
１．６時閣毎にａ−８μ感光体が１本ずつ完成されるこ
とになる。しかも、現在ａ −８μ感光体として必要な
ａ −８１＠１ｉＦｉ１０〜２０絹程度であるが、ａ−
８１膜の成員速度は２μ”／ｈｌｉｉｔであっても、ａ
−８１１１作成室作成からＨの７つの位置で、それぞれ
釣１．５時聞ず９合計的１０．５時間、＆ −８１Ｉｎ
形成することができるから、ｓｉｌ ｐｍｌｉｔｏ ａ
−８１＠Ｏ影形成可能となシ、十分実用に供し得るａ
−８１感光体を量産できることになる。
なお、上記実施例社単層のａ −ｓｉ ｓｎ形成する場
合であるが、ａ−８１１１１の構成を多層にし丸いとＩ
ＡＫは、ａ −８ｉ ＄Ｉ！作成作成３）内ＯＢからＨ
のツクの各電極（１１）を、ｇ４＠に示すように１バル
ブ吋き仕切ｆｉ（１４りで区分し、区分された各作成室
Ｋ１１ｌｉ性の異なるガスボンベ（２０ｂ）、（２０ｃ
）、・・・（２ｏｈ）を接続して、各電極（１１）から
プラズマを発生させれば、多層構造のａ −８ｉ ｌＩ
をＵ円筒状基板〔５〕に所要厚さだけ容易く形成させる
ことができる。
合であるが、ａ−８１１１１の構成を多層にし丸いとＩ
ＡＫは、ａ −８ｉ ＄Ｉ！作成作成３）内ＯＢからＨ
のツクの各電極（１１）を、ｇ４＠に示すように１バル
ブ吋き仕切ｆｉ（１４りで区分し、区分された各作成室
Ｋ１１ｌｉ性の異なるガスボンベ（２０ｂ）、（２０ｃ
）、・・・（２ｏｈ）を接続して、各電極（１１）から
プラズマを発生させれば、多層構造のａ −８ｉ ｌＩ
をＵ円筒状基板〔５〕に所要厚さだけ容易く形成させる
ことができる。
この場合、各仕切り （１４つは基板ホルダー（６）を
次の位置に移動させるとき、仕切ｆｉ（１４’ｌＫ設け
られているバルブの開閉操作によって開閉される。その
他の操作は単層の＆−８１膜形成の場合と同じである。
次の位置に移動させるとき、仕切ｆｉ（１４’ｌＫ設け
られているバルブの開閉操作によって開閉される。その
他の操作は単層の＆−８１膜形成の場合と同じである。
以上説明したことから明らかなどと（、この発明によれ
ば、ａ−８１太陽電池の場合と興なシ、広い円節状の基
板表１１ｉｉＫｌｏ〜２０μｍ＠変の厚さの単層または
多層構造のａ −８ｉ ＩＩを形成させ友感光体ドラム
を量産することができる効果を奏する。
ば、ａ−８１太陽電池の場合と興なシ、広い円節状の基
板表１１ｉｉＫｌｏ〜２０μｍ＠変の厚さの単層または
多層構造のａ −８ｉ ＩＩを形成させ友感光体ドラム
を量産することができる効果を奏する。
第１図はこの発明の一実施例を示す横断面図、１１２図
は第１図のト」拡大断面図、ＪＩ３図はこの発明の詳細
な説明図、ｗｉ４図はこの発明の他の実施１嫌を示す全
体構成説明図である。 （１）・・・ａ−８μ％光体ドラム作成装置、（２〕・
・・ドラム仕込み兼取り出し室、（３）・・・ ａ−８
μｌ１作Ｊｉ［、（４）・・・基板ホルダー用レール、
（５）・・・（峰）円筒状基板、（６）・・・基板ホル
ダー、（８）・・・基板加熱手段、（１１）・・・ガス
噴出孔付き電極、（１２）・・・高崗波兼ガス導入端子
、（１４〕、（１４′）・・・バルブ付き仕切や、（１
６）、（１））、（１日）・・・排気系、（２０）、（
２０ａ ）、（２０ｂ） 〜（２０ｈ）−” ガスボン
ベ、（２１）・・・マスフローコントロー５−１（Ｅ５
）・・・高周波電源。 代理人 弁理士 野河信太、°部 第１１！１ １４ １４
は第１図のト」拡大断面図、ＪＩ３図はこの発明の詳細
な説明図、ｗｉ４図はこの発明の他の実施１嫌を示す全
体構成説明図である。 （１）・・・ａ−８μ％光体ドラム作成装置、（２〕・
・・ドラム仕込み兼取り出し室、（３）・・・ ａ−８
μｌ１作Ｊｉ［、（４）・・・基板ホルダー用レール、
（５）・・・（峰）円筒状基板、（６）・・・基板ホル
ダー、（８）・・・基板加熱手段、（１１）・・・ガス
噴出孔付き電極、（１２）・・・高崗波兼ガス導入端子
、（１４〕、（１４′）・・・バルブ付き仕切や、（１
６）、（１））、（１日）・・・排気系、（２０）、（
２０ａ ）、（２０ｂ） 〜（２０ｈ）−” ガスボン
ベ、（２１）・・・マスフローコントロー５−１（Ｅ５
）・・・高周波電源。 代理人 弁理士 野河信太、°部 第１１！１ １４ １４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、グツズｗ ＣＶＤ法によ）円筒状基ｊＫａ−８１１
１を形成する感光体ドラム作威装置において、＆−８１
膜作成’ＭＫｌ＆板ホルダー用レールを配設し、該レー
ル上に所要個数の円筒状基板ホルダーを移動可能に９け
るとともに、配設され九レールに沿ってグラズ實を発生
させる８個Ａｌｌの半円筒状のガス噴出孔付き電極を複
数！ｌ股装し、円筒状基板が前記ホルダーによって各！
ＩＯ電極電極頭次移動されていく閾ＫＦＦｒ要厚さのａ
−８１膿を形成するようＫしたこと′に４Ｉ黴とする
ａ−８１感光体ド２五作成装置。 ２、 ａ−８１膿作成室が、該富［１１ｗｋシて円筒
状基板の加熱やムｒスパッターなどの前処堰およびａ−
８１膜形成後の自然冷却などの彼処場を行わせるドラム
仕込み兼収り出し室′ｋＲけた特許請求の範囲第１項記
載のａ−８１感光体ドラム作成装置。 ３、円筒状基板ホルダーが基板加熱手段を備え、各指定
位置に停止したとき回転されるようにし友特肝麟求の＠
１ｉｊｌｌｌｉ壕友は第２項記載のａ−８１感光体ドラ
ム作成装置。 ４、 ａ −８１ＩＩ作成富が開閉可能な仕９１１Ｉ
＃）！によりて複数の作成室に区分され、各作成室に特
性の違ったガスを供給し得るようにして多層構造のａ−
８１映作威を可能にした臀許ｌＩ衣の範囲第１項から第
３項までのいずれかに記載のａ −８ｉ感光体ドラム作
成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6610182A JPS58181714A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | ａ−ｓｉ感光体ドラム作成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6610182A JPS58181714A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | ａ−ｓｉ感光体ドラム作成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58181714A true JPS58181714A (ja) | 1983-10-24 |
| JPH0427293B2 JPH0427293B2 (ja) | 1992-05-11 |
Family
ID=13306148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6610182A Granted JPS58181714A (ja) | 1982-04-19 | 1982-04-19 | ａ−ｓｉ感光体ドラム作成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58181714A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648274A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Kyocera Corp | Glow discharge decomposition device |
| JP2003082780A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-19 | Hokusei Rubber Kogyo Kk | 目地部の構造 |
| WO2013116478A1 (en) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber substrate processing systems |
| US10262888B2 (en) | 2016-04-02 | 2019-04-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for wafer rotation in carousel susceptor |
| US10658223B2 (en) | 2016-04-24 | 2020-05-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for prevention of backside deposition in a spatial ALD process chamber |
| US11015246B2 (en) | 2016-04-24 | 2021-05-25 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for depositing ALD films with enhanced chemical exchange |
| US11043386B2 (en) | 2012-10-26 | 2021-06-22 | Applied Materials, Inc. | Enhanced spatial ALD of metals through controlled precursor mixing |
| US11887855B2 (en) | 2012-10-26 | 2024-01-30 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing fluorine/carbon-free conformal tungsten |
-
1982
- 1982-04-19 JP JP6610182A patent/JPS58181714A/ja active Granted
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648274A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Kyocera Corp | Glow discharge decomposition device |
| JP2003082780A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-19 | Hokusei Rubber Kogyo Kk | 目地部の構造 |
| WO2013116478A1 (en) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber substrate processing systems |
| CN104081514A (zh) * | 2012-01-31 | 2014-10-01 | 应用材料公司 | 多腔室基板处理系统 |
| CN107267962A (zh) * | 2012-01-31 | 2017-10-20 | 应用材料公司 | 用于处理多个基板的基板处理系统及方法 |
| US11043386B2 (en) | 2012-10-26 | 2021-06-22 | Applied Materials, Inc. | Enhanced spatial ALD of metals through controlled precursor mixing |
| US11887855B2 (en) | 2012-10-26 | 2024-01-30 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing fluorine/carbon-free conformal tungsten |
| US11887856B2 (en) | 2012-10-26 | 2024-01-30 | Applied Materials, Inc. | Enhanced spatial ALD of metals through controlled precursor mixing |
| US10262888B2 (en) | 2016-04-02 | 2019-04-16 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for wafer rotation in carousel susceptor |
| US10861736B2 (en) | 2016-04-02 | 2020-12-08 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for wafer rotation in carousel susceptor |
| US10658223B2 (en) | 2016-04-24 | 2020-05-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for prevention of backside deposition in a spatial ALD process chamber |
| US11015246B2 (en) | 2016-04-24 | 2021-05-25 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for depositing ALD films with enhanced chemical exchange |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0427293B2 (ja) | 1992-05-11 |
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