RU2129744C1 - Способ и устройство для изготовления фотогальванических приборов и фотогальванический прибор - Google Patents

Способ и устройство для изготовления фотогальванических приборов и фотогальванический прибор Download PDF

Info

Publication number
RU2129744C1
RU2129744C1 RU94046004/25A RU94046004A RU2129744C1 RU 2129744 C1 RU2129744 C1 RU 2129744C1 RU 94046004/25 A RU94046004/25 A RU 94046004/25A RU 94046004 A RU94046004 A RU 94046004A RU 2129744 C1 RU2129744 C1 RU 2129744C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
substrate
semiconductor material
cadmium telluride
deposited
Prior art date
Application number
RU94046004/25A
Other languages
English (en)
Other versions
RU94046004A (ru
Inventor
Б.Фут Джеймс (US)
Б.Фут Джеймс
А.Кааке Стивен (US)
А.Кааке Стивен
В.Мейерс Питер (US)
В.Мейерс Питер
Ф.Ноулэн Джеймс (US)
Ф.Ноулэн Джеймс
Original Assignee
Соулэр Селлз, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Соулэр Селлз, Инк. filed Critical Соулэр Селлз, Инк.
Publication of RU94046004A publication Critical patent/RU94046004A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2129744C1 publication Critical patent/RU2129744C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
    • H01L31/1836—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe comprising a growth substrate not being an AIIBVI compound
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166—Multilayered materials
    • B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/907—Continuous processing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Использование: для преобразования света в электричество. Техническим результатом изобретения является создание усовершенствованных способа и устройства для изготовления фотогальванических приборов, способных вырабатывать дешевую электрическую энергию. Сущность изобретения: способ и устройство для изготовления фотогальванического прибора большой площади, способного генерировать дешевую электроэнергию. Устройство для осуществления способа содержит коробку с регулируемой средой, где размещена печь. По крайней мере одна, а предпочтительно несколько позиций осаждения обеспечивают возможность получения нагретых паров полупроводникового материала в печи для непрерывного осаждения при повышенной температуре полупроводникового материала на листовой подложке, представляющей собой лист стекла, перемещаемый в печи. Листовую подложку транспортируют в печи на роликовом конвейере и на обращенную вверх поверхность подложки осаждают полупроводниковый материал, основным слоем которого является теллурид кадмия, на каждой позиции осаждения из места, находящегося в печи над роликовым конвейером. После осаждения полупроводникового материала на подложке ее быстро охлаждают на позиции охлаждения для упрочнения листа стекла подложки. Фотогальванический прибор содержит листовую стеклянную подложку с площадями поверхностей по меньшей мере 1000 см2, на одну из поверхностей осажден слой теллурида кадмия толщиной 1-5 мкм и с размерами кристаллов 0,5-5 мкм. 3 с. и 29 з.п.ф-лы, 10 ил.

Description

Изобретение относится к способу и устройству для изготовления фотогальванических (фотовольтаических) приборов, а также касается получающегося в результате изделия для преобразования света в электричество.
Фотогальванический эффект впервые наблюдал в 1839 г. Эдмунд Беккерель, который заметил, что между двумя одинаковыми электродами в слабом проводящем растворе, подвергнутом воздействию света, появляется разность потенциалов. Этот фотогальванический эффект сначала изучали в твердых телах, таких как селен, с 1870-х по 1880-ые годы, в результате чего были получены селеновые фотогальванические элементы, преобразующие свет в электричество с КПД 1-2%.
За более чем сто лет предшествующих экспериментов с фотовольтаическими элементами была проведена большая работа по созданию полупроводников для фотогальванических приборов, т.е. солнечных элементов. Много сил затрачено на работу с кристаллическим кремнием, который требует относительно толстой пленки порядка примерно 100 мкм и должен быть очень высокого качеств в монокристаллической форме или в форме очень близкой к монокристаллу, чтобы функционировать эффективно. Самым обычным способом изготовления кремниевых элементов является способ монокристаллического цилиндра, при котором затравочный монокристалл кремния вводят в соприкосновение с расплавом кремния, а затем вытягивают его, создавая выпуклый мениск жидкого кремния, причем и затравочный кристалл, и тигель с расплавом вращают в противоположных направлениях для увеличения радиального роста. Путем подходящего легирования делают полупроводниковый элемент либо n-, либо p-типа и после вырезания пластины около 100 мкм и образования перехода получают солнечный элемент или фотогальванический прибор. Кроме того, кристаллический кремний может быть получен путем отливки слитка, но его затвердевание не так легко регулировать, как у монокристаллических цилиндров, и потому получаемый в результате продукт имеет поликристаллическую структуру. Хорошее качество дает непосредственное изготовление лент кристаллического кремния, которое также исключает необходимость вырезания пластин для получения фотогальванических приборов. Другой способ, называемый способом вращения расплава, включает выливание жидкого кремния на вращающийся диск, по которому расплав растекается в направлении наружу и течет в узкую форму требуемого профиля и толщины. Высокие скорости вращения при этом способе повышают скорость формования, но при этом ухудшается качество кристаллов.
При более поздних разработках фотогальванических приборов использовали тонкие пленки толщиной менее 10 мкм, что на порядок меньше, чем у толстопленочных полупроводников. Такие тонкопленочные полупроводники содержат аморфный кремний, диселенид меди и индия, арсенид галлия, сульфид меди и теллурид кадмия. Аморфный кремний получали в виде тонкопленочных полупроводников с помощью усиленного плазмой разряда или тлеющего разряда, как описано в патенте США N 5016562. К другим способам, используемым для изготовления тонкопленочных полупроводников, относятся электроосаждение, трафаретная печать и сублимация с близким расположением. В способе сублимации с близким расположением использовали теллурид кадмия и выполняли этот способ путем введения подложки из листового стекла в герметично закрытую камеру, которую затем нагревали. Подложку поддерживали по ее периферии очень близко (обычно 2-3 мм) к источнику материала - теллурида кадмия. Будучи нагретым до примерно 450 - 500oC, теллурид кадмия начинает медленно сублимироваться в виде элементарных кадмия и теллура, а после достижения температуры примерно 650 - 725oC сублимация происходит с большей скоростью, и элементарные кадмий и теллур воссоединяются (рекомбинируются) со значительной скоростью в теллурид кадмия на обращенной вниз поверхности поддерживаемой по периферии подложки из листового стекла. Затем нагрев заканчивают, после чего открывают камеру и извлекают из нее подложку с осажденным на ней теллуридом кадмия. Таким образом, осаждение теллурида кадмия происходит при переменной температуре, которую повышают в начале обработки и снижают в конце ее. Кроме того, наибольшая площадь, на которой осуществляли ранее такую сублимацию, равна примерно 100 см2. Увеличение размера подложки может вызвать проблемы с обеспечением плоскостности, поскольку нагретая подложка, поддерживаемая только по периферии, будет стремиться прогнуться в центре.
Более полное описание обработки теллуридом кадмия дано в главе II книги Кена Цвейбела 4" Harnessing Solar Power the Photovoltaies Challenge", опубликованной "Plenum Press" в Нью-Йорке и Лондоне.
Задачей настоящего изобретения является создание усовершенствованных способа и устройства для изготовления фотогальванических (фотовольтаических) приборов, способных вырабатывать дешевую электрическую энергию, что обеспечивается использованием имеющих большую площадь (свыше 1000 см2)) подложек из листового стекла, на которых осажден высококачественный полупроводниковый материал с относительно высокой скоростью осаждения.
Для осуществления вышеуказанной цели и других целей настоящего изобретения способ изготовления фотогальванического прибора в соответствии с настоящим изобретением выполняют путем создания замкнутой среды, нагретой в установившемся режиме во время обработки, и введения паров кадмия и теллура в замкнутую среду. Нагретую листовую подложку, содержащую плоский лист стекла, перемещают в замкнутой среде для непрерывного осаждения при повышенной температуре на одну из поверхностей подложки слоя теллурида кадмия, действующего как полупроводник для поглощения солнечной энергии.
Подложку располагают в замкнутой среде горизонтально так, чтобы одна поверхность подложки была обращена вверх для осаждения на ней теллурида кадмия, а другая ее поверхность была обращена вниз, и поддерживают в пределах ее периферии с возможностью горизонтального перемещения. Подложку наиболее предпочтительно поддерживают и перемещают в замкнутой среде посредством проходящих горизонтально роликов конвейера во время осаждения слоя теллурида кадмия на одну, обращенную вверх поверхность подложки, чтобы обеспечить возможность осаждения на подложках большой площади.
Как описано, замкнутую среду нагревают до температуры выше примерно 650oC, а плоский лист стекла нагревают до температуры в диапазоне примерно 550 - 640oC.
При предпочтительном осуществлении способа на обращенную вверх поверхность подложки осаждают другой полупроводниковый материал в виде отдельного слоя, имеющего границу раздела со слоем теллурида кадмия, в результате чего может быть образован электрический переход либо при начальном осаждении, либо путем последующей обработки. В частности, другой полупроводниковый материал осаждают в качестве другого слоя на одну поверхность подложки раньше слоя теллурида кадмия, который осаждают поверх упомянутого другого слоя, и он имеет границу раздела со слоем теллурида кадмия. Этот слой полупроводникового материала, осажденный на одну поверхность подложки раньше слоя теллурида кадмия, предпочтительно является слоем сульфида кадмия. Дополнительный слой полупроводникового материала может быть также осажден в качестве другого слоя на упомянутую одну поверхность подложки после слоя теллурида кадмия и будет иметь границу раздела со слоем теллурида кадмия с противоположной от поверхности его стороны. Как конкретно описано, способ выполняют путем осаждения другого полупроводникового материала в качестве другого слоя на упомянутую одну поверхность подложки раньше слоя теллурида кадмия, который осаждают поверх упомянутого другого слоя, имеющего границу со слоем теллурида кадмия, а также путем осаждения еще одного полупроводникового материала в виде еще одного слоя на упомянутой одной поверхности подложки после слоя теллурида кадмия, в результате чего имеет место еще одна граница раздела со слоем теллурида кадмия.
В предпочтительном варианте осуществления способа каждый слой полупроводникового материала в дополнение к слою теллурида кадмия осаждают путем введения паров в замкнутую среду для осаждения на одной поверхности подложки при ее перемещении.
После осаждения слоя теллурида кадмия обработку предпочтительно выполняют путем быстрого охлаждения подложки со скоростью, обеспечивающей возникновение напряжений сжатия, что приводит к упрочнению листа стекла. В частности, осаждение слоя теллурида кадмия наиболее предпочтительно выполняют, нагрев подложку до температуры в диапазоне примерно 570 - 600oC, а затем подложку нагревают до температуры в диапазоне примерно 600 - 640oC, от которой выполняют быстрое охлаждение, чтобы создать напряжение сжатия для упрочения листа стекла.
Для достижения цели получения дешевой электрической энергии в соответствии с настоящим изобретением предлагается устройство для изготовления фотогальванического прибора, содержащее коробку, имеющую внутреннее пространство для вмещения регулируемой среды. В коробке размещена печь устройства, имеющая корпус, образующий нагреваемую камеру, сообщающуюся с внутренним пространством коробки, в результате чего регулируемая среда находится также и в нагреваемой камере. Роликовый конвейере содержит горизонтальные ролики, установленные с некоторым между ними промежутком в нагреваемой камере печи для поддерживания и транспортирования нагретой подложки, содержащей лист стекла. Каждый ролик имеет по крайней мере один конец, выходящий наружу из нагреваемой камеры печи сквозь ее корпус. Роликовый конвейер содержит также механизм привода роликов, установлены во внутреннем пространстве коробки снаружи печи для приведения во вращение концов роликов, которые выступают наружу из нагреваемой камеры сквозь ее корпус. На по крайней мере одной позиции осаждения в печи подают нагретый пар, который осаждается в виде слоя полупроводникового материала на обращенную вверх поверхность подложки при транспортировании ее роликовым конвейером.
В предпочтительной конструкции устройства оно содержит дополнительную позицию осаждения, предназначенную для осаждения на подложке дополнительного слоя другого полупроводникового материала, имеющего границу раздела с первым слоем полупроводникового материала. В частности, устройство наиболее предпочтительно содержит две дополнительных позиции осаждения. На одной из двух дополнительных позиций осаждения осаждают на подложке дополнительный слой другого полупроводникового материала раньше упомянутого сначала слоя полупроводникового материала с тем, чтобы иметь границу раздела с ним, а на другой дополнительной позиции осаждения осаждают на подложке другой дополнительный слой еще одного полупроводникового материала после упомянутого первым слоя полупроводникового материала с тем, чтобы иметь еще одну границу раздела с ним, расположенную на некотором расстоянии от упомянутой другой границы раздела.
В одной описываемой конструкции устройство имеет позицию осаждения, снабженную приемником исходного материала, расположенным в печи над роликовым конвейером для приема исходного материала, который сублимируют (возгоняют) для создания нагретого пара, осаждаемого в качестве слоя полупроводникового материала. Этот приемник исходного материала на позиции осаждения наиболее предпочтительно содержит приемный лоток, открытый вверх, причем устройство предпочтительно содержит также отражатель, установленный над приемником исходного материала и имеющий открывающуюся вниз форму. Приемник исходного материала наиболее предпочтительно содержит удлиненные приемные лотки, которые открыты вверх и проходят параллельно роликам конвейера с некоторым между ними промежутком, причем устройство содержит также отражатели, установленные над удлиненными приемными лотками и имеющими открытую вниз форму.
В другой описываемой конструкции позиция осаждения содержит систему подачи нагретого пара, температуру которого можно регулировать без оказания влияния на температуру подложки в печи, причем система подачи нагретого пара имеет по крайней мере одну подающую трубу, являющуюся средством подачи нагретого пара на позицию осаждения с целью осаждения на обращенной вверх поверхности перемещаемой подложки в виде слоя полупроводникового материала. В одном из вариантов система подачи нагретого пара содержит нагреватель для питания нагретым паром и источник газа-носителя для переноса нагретого пара из нагревателя по подающему трубопроводному средству на позицию осаждения. В другом варианте система подачи нагретого пара содержит две нагревателя для питания отдельными компонентами нагретого пара, причем система подачи нагретого пара содержит также источник газа-носителя для переноса нагретого пара из каждого нагревателя по подающему трубопроводному средству на позицию осаждения.
В предпочтительной конструкции устройства приводной механизм для привода роликов конвейера содержит непрерывный приводной контур который приводит во вращение концы роликов конвейера, выступающие наружу из печи в коробке, которая содержит регулируемую среду. В частности, является предпочтительным, когда из печи выступают наружу с противоположных ее сторон оба конца каждого ролика конвейера, и приводной механизм содержит пару непрерывных приводных контуров, которые соответственно поддерживают и обеспечивают фрикционный привод концов роликов конвейера с противоположных сторон печи в коробке, которая содержит регулируемую среду.
Предпочтительная конструкция устройства содержит также позицию охлаждения, расположенную по ходу движения за позицией осаждения, для быстрого охлаждения подложки с осажденным на ней слоем полупроводникового материала и упрочнения тем самым листа стекла подложки, что даст более долговечное изделие.
Фотогальванический прибор, выполненный в соответствии с настоящим изобретением, содержит листовую подложку, имеющую плоский лист стекла с обращенными в противоположные стороны поверхностями, каждая из которых имеет площадь по крайней мере 1000 см2. На одну из поверхностей подложки осажден в виде тонкой пленки слой теллурида кадмия толщиной в диапазоне примерно 1-5 мкм, имеющий кристаллы размером в диапазоне примерно 1/2 - 5 мкм. Тонкопленочный слой теллурида кадмия имеет связь с одной поверхностью подложки, обеспеченную осаждением, при котором лист стекла располагают горизонтально и нагревают в нагретой замкнутой среде, в которую вводят пары кадмия и теллура для осаждения в виде слоя теллурида кадмия на одной поверхности подложки, обращенной вверх, в то время как другая поверхность подложки обращена вниз и ее поддерживают в пределах периферии для обеспечения возможности горизонтального перемещения подложки с сохранением плоскостности листа стекла. Этот фотогальванический прибор имеет хорошие кристаллические свойства и хорошее сцепление, что соответственно обеспечивает повышение коэффициента полезного действия и увеличивает эффективный срок службы прибора относительно большой площади, в результате чего достигается цель настоящего изобретения, состоящая в вырабатывании дешевой электрической энергии.
В предпочтительной конструкции фотогальванического прибора на упомянутую одну поверхность подложки осажден слой другого полупроводникового материала, имеющий границу раздела со слоем теллурида кадмия. Этот дополнительный слой другого полупроводникового материала может быть осажден на упомянутой одной поверхности подложки раньше слоя теллурида кадмия, с которым он должен иметь границу раздела, и в этом случае этот дополнительный слой полупроводникового материала предпочтительно является сульфидом кадмия. Дополнительный слой другого полупроводника может быть также осажден на упомянутую одну поверхность подложки после слоя таллурида кадмия с обеспечением границы раздела со слоем теллурида кадмия. В раскрытой предпочтительной конструкции фотогальванический прибор содержит другой слой другого полупроводникового материала, осажденный на упомянутой одной поверхности подложки раньше слоя теллурида кадмия и имеющий границу раздела с ним, причем фотогальванический прибор содержит также еще один слой еще одного полупроводникового материала, осажденный на упомянутой одной поверхности подложки после слоя теллурида кадмия и имеющий еще один переход со слоем теллурида кадмия.
Кроме того, фотогальванический прибор предпочтительно содержит также на упомянутой одной поверхности подложки первую электропроводящую пленку, на которой осажден первый осаждаемый слой, и еще содержит вторую электропроводящую пленку, осажденную на упомянутой одной поверхности подложки поверх последнего осажденного слоя. Эти электропроводящие пленки служат в качестве электрода для фотогальванического прибора.
В предпочтительной конструкции фотогальванический прибор имеет лист стекла подложки, закаленный так, что противоположные поверхности подложки находятся под сжатием, а средняя часть - под растяжением, и теллурид кадмия имеет связь, охлажденную от температуры закалки и обеспечивающую сцепление слоя теллурида кадмия с упомянутой одной поверхностью подложки.
Изобретения иллюстрируется фиг. 1 - 10, на которых изображено:
- на фиг.1 - схематический вид сверху системы для изготовления фотогальванических приборов в соответствии с настоящим изобретением;
- на фиг. 2 - вид сверху фотогальванического прибора, выполненного в соответствии с настоящим изобретением;
- на фиг. 3 - вид с торца фотогальванического прибора в направлении линии 3-3 на фиг. 2, иллюстрирующий его листовую конструкцию;
- на фиг. 4 - вид в разрезе фотогальванического прибора в том же направлении, что и на фиг. 3, но в увеличенном масштабе и с частичными вырывами, для иллюстрации конструкции из осажденного полупроводникового материала и других материалов на листовом стекле подложки;
- на фиг. 5 - вид, иллюстрирующий способ использования фотогальванического прибора для поглощения солнечной энергии и вырабатывания при этом электрической энергии;
- на фиг. 6 - продольный разрез по линии 6-6 на фиг. 1, иллюстрирующий устройство в соответствии с настоящим изобретением, содержащее зону осаждения, имеющую несколько позиций осаждения, а также содержащее позицию охлаждения, расположенную по ходу движения обрабатываемых изделий за упомянутой зоной осаждения;
- на фиг. 7 - поперечный разрез по линии 7-7 на фиг. 6 для дополнительного показа конструкции зоны осаждения;
- на фиг. 8 - частично оборванный вид по линии 8-8 на фиг. 7 для дальнейшего показа конструкции позиции осаждения;
- на фиг. 9 - несколько схематический вид, иллюстрирующий другой вариант позиции осаждения;
- на фиг. 10 - несколько схематический вид еще одного варианта позиции осаждения.
На фиг. 1 показана система, обозначенная общей позицией 20, для изготовления фотогальванических приборов 22, показанных на фиг. 2-5. Фотогальванический прибор (солнечный элемент) 22, изготовленный с помощью устройства в соответствии с настоящим изобретением, содержит листовую подложку 24, которая содержит лист 26 стекла (фиг. 4) и имеет обращенные в противоположные стороны поверхности 28 и 30, которые будут более подробно описаны позже. Для вырабатывания дешевой электрической энергии подложка 21 имеет большую площадь, превышающую примерно 1000 см2, и в конкретно показанном варианте размеры 60 х 120 см (приблизительно 2 х 4 фута) После осаждения полупроводникового материала 32 (фиг. 4) на одной поверхности 28 подложки 24, а также после другой обработки, более подробно описанной позже, готовый фотогальванический прибор 22 имеет элементы 34, которые, как показано, проходят в поперечном направлении между противоположными боковыми сторонами 36 подложки и, как будет более подробно показано позже, соединены друг с другом последовательно. Следует, однако, понимать, что элементы 34 могут также проходить в продольном направлении между противоположными концами 40 подложки и при этом все же функционировать эффективно. Электрические выводы 38 на противоположных концах 40 подложки обеспечивают возможность электрического соединения фотогальванических приборов как части фотогальванического поля (участка). В частности, как показано на фиг. 5, на подходящей раме 42 расположены в виде непрерывного ряда три фотогальванических прибора 22 под подходящим углом, обеспечиваемым посредством упирающихся в грунт опор 44, для приема световых лучей от солнца 46 и вырабатывания в результате этого электрической энергии.
В системе 20, показанной на фиг. 1, обработку начинают, имея листовую подложку 24, содержащую, как показано на фиг. 4, лист 26 стекла толщиной 3/16 дюйма (5 мм) с пленкой 48 оксида олова толщиной 0,04 мкм, нанесенной путем химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении для улучшения оптических свойств при использовании для архитектурных целей. Для создания барьера на пленку оксида олова нанесена путем химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении пленка 50 диоксида кремния толщиной 0,02 мкм. На пленку 50 диоксида кремния нанесена другая пленка 52 оксида олова толщиной 0,3 мкм с легированием фтором, которая служит в качестве отражательной пленки при применении для архитектурных целей, причем легирование фтором повышает отражательную способность. Указанная вторая пленка 50 оксида олова служит в качестве электрода для фотогальванического прибора 22, как более подробно описано позже. Такая подложка 24 с пленками 48, 50 и 52, осажденными на листе 26 стекла, имеется в продаже и является исходным изделием, из которого может быть изготовлен фотогальванический прибор 22 с помощью системы 20, показанной на фиг. 1.
Как показано на фиг. 1, система 20 содержит загрузочную позицию 54, на которой загружают листовую подложку для обработки. После загрузки подложку транспортируют на позицию 56 промывки и сушки стекла любого имеющегося в продаже типа. Угловой конвейер 58 транспортирует подложку с позиции 56 промывки и сушки на позицию 60 лазерного скрайбирования, где прорезают пленку 52 оксида олова по линиям 62 скрайбирования (фиг. 4) для отделения элементов 34 друг от друга. Затем скрайбированную подложку перемещают на другую позицию 64 промывки и сушки, где осуществляют промывку и сушку перед осаждением полупроводника. Далее промытую и высушенную подложку перемещают на контрольно-отбраковочную позицию 66. чтобы убедиться, что первоначальное лазерное скрайбирование обеспечило изоляцию элементов друг от друга.
Как показано на фиг. 1, система 20 содержит подходящий нагреватель 68 для нагрева подложки до температуры в диапазоне примерно 550 - 640oC при подготовке ее к осаждению полупроводника. После этого подложку транспортируют к устройству 70, выполненному в соответствии с настоящим изобретением и содержащему зону 72 осаждения, которая, как описано, содержит три позиции 74, 76 и 78 осаждения, служащие для осаждения слоев полупроводникового материала. В частности, первая позиция 74 осаждения предназначена для осаждения слоя 80 (фиг. 4) сульфида кадмия толщиной 0,05 мкм, действующего как полупроводник n-типа. На позиции 76 осаждения, показанной на фиг. 1, осаждают слой 82 теллурида кадмия толщиной 1,6 мкм, действующего как полупроводник i-типа. После этого на позиции 78 осаждения осаждают имеющий толщину 0,1 микрона слой 84 (фиг. 4) другого полупроводникового материала, которым является теллурид цинка, действующий как полупроводник p-типа. Полупроводниковые слои 80 и 82 имеют границу 81 раздела для создания одного перехода n-i-типа, а полупроводниковые слои 82 и 84 имеют границу 83 раздела для создания другого перехода типа i-p. Эти переходы 81 и 83 обычно не являются резкими в атомном масштабе, а проходят на протяжении многих атомных слоев в переходной области.
Как показано на фиг. 1, устройство 70 в соответствии с настоящим изобретением содержит также позицию 86 охлаждения, которая обеспечивает возможность быстрого охлаждения подложки из листового стекла с осажденным на ней полупроводниковым материалом для упрочения листа стекла, как будет подробнее описано ниже.
Угловой конвейер 88, показанный на фиг. 1, принимает подложку с позиции 86 охлаждения и может также обеспечивать дополнительное ее охлаждение перед передачей на позицию 90 устранения микроотверстий. Подходящий сканер на позиции 90 сканирует подложку для обнаружения микроотверстий в осажденных полупроводниковых слоях подложки, проходящей над зоной подсветки, и затем передает информацию в управляемую посредством компьютера систему подачи с множеством головок, которая заполняет пустоту подходящим вязким непроводящим материалом. После такого устранения микроотверстий подложку транспортируют на вторую позицию 92 лазерного скрайбирования, где прорезают линии 94 (фиг. 4) сквозь полупроводниковые слои 80, 82 и 84 между противоположными боковыми сторонами подложки в местах, отнесенных на некоторое расстояние от линий 62 скрайбирования в слое 52 оксида олова, действующем как электрод. После скрайбирования на позиции 92 подложку принимает угловой конвейер 96, который также содержит подходящую воздуходувку в вакуум для удаления полупроводникового материала, разрыхленного во время скрайбирования.
С углового конвейера 96, показанного на фиг. 1, подложка поступает на позицию 98 напыления, где наносят слой 100 никеля (фиг. 4) на полупроводниковые слои и на боковые стороны и нижнюю поверхность линии 94 скрайбирования. Это напыление никеля осуществляют путем магнетронного распыления на постоянном токе, причем для обеспечения устойчивого контакта для последующего осаждения необходима толщина напыленного слоя всего лишь около 100 ангстрем. Затем подложку перемещают на позицию 102 напыления, где на слой 100 никеля наносят слой 104 алюминия толщиной 0,3 мкм, служащий в качестве электрода на противоположной стороне полупроводниковых слоев, как пленка 52 оксида олова, которая служит в качестве другого электрода. Слой 104 алюминия наносят путем магнетронного распыления на постоянном токе с множеством расположенных на одной линии катодов. Далее подложку направляют на другую позицию 106 напыления, где на электродный слой 104 алюминия наносят другой слой 108 никеля для предотвращения окисления слоя алюминия.
С позиции 106 напыления подложку направляют на третью позицию 110 лазерного скрайбирования, где прорезают линии 112 (фиг. 4) скрайбирования сквозь электродный слой 104 алюминия и соседние с ним слои 100 и 108 никеля, а также сквозь полупроводниковые слои для завершения изоляции (разделения) элементов 34 между противоположными сторонами подложки. При уходе подложки с позиции скрайбирования воздуходувка 114 удаляет всякие свободные частицы с подложки перед ее передачей на модульную позицию 116, где полученный фотогальванический прибор проверяют под заданным освещением и измеряют отдаваемую мощность для сравнения со стандартной для определения того, является ли изделие удовлетворительным. Удовлетворительные подложки транспортируют затем на позицию 118 сборки, где к концам каждой подложки приваривают путем ультразвуковой сварки электрические шины, к которым приваривают проволочные выводы для использования при соединении фотогальванических приборов в батарее. Затем фотогальванические приборы 22 передают на позицию 120 герметизации, где наносят слой 122 (фиг. 4) подходящего герметизирующего материала, который отверждают в камере с ультрафиолетовым светом, прежде чем передать приборы на позицию 124 выгрузки. Далее фотогальванические приборы 22 собирают, как было описано выше в связи с фиг. 5, в панели для создания фотогальванической батареи, генерирующей электрическую энергию.
Следует заметить, что система 20, используемая с устройством 70 в соответствии с настоящим изобретением, может быть выполнена с иными, чем показаны, позициями. Например, для образования элементов 34 можно использовать не позиции 60, 92 и 110 лазерного скрайбирования, а фотолитографическое формирование рисунка.
Как показано на фиг. 6 и 7, устройство 70 для изготовления фотогальванического прибора в соответствии с настоящим изобретением содержит коробку 126, проходящую между ранее описанным нагревателем 68 и угловым конвейером 88. Эта коробка 126, как лучше всего показан на фиг. 7, содержит нижнюю стенку 128, верхнюю стенку 130 и боковые стенки 132, а также нижнее и верхнее уплотнения 134 и 136, которые обеспечивают уплотнение между стенками для создания замкнутого внутреннего пространства, способного содержать регулируемую среду. Для поддержания герметизации коробки 126 могут быть использованы подходящие крепежные детали или зажимы.
Как показано на фиг. 6, правый, передний по направлению движения конец коробки 126 содержит входной затвор 138, привод 140 которого перемещает затворный элемент 142, чтобы открыть коробку для приема нагретой подложки 24 из нагревателя 68. Затем привод 140 закрывает затворный элемент 142, обеспечивая герметизацию коробки. После осаждения полупроводникового материала на позициях 74, 76 и 78 зоны 72 осаждения, как будет более подробно описано ниже, приводят в действие другой затвор 144 на левом, заднем по направлению движения конце зоны осаждения, в результате чего его привод 146 открывает затворный элемент 148, обеспечивая тем самым возможность прохождения подложки 24 с осажденными на ней полупроводниковыми материалами на позицию 86 охлаждения. Когда происходит эта передача подложки, еще один затвор 150 на заднем по ходу движения конце позиции 86 охлаждения закрыт посредством его привода 152, устанавливающего затворный элемент 154 в закрытом положении относительно заднего конца коробки 126. После передачи подложки 24 на позицию 86 охлаждения затвор 144 закрывают, после его открывают затвор 150 для обеспечения возможности передачи охлажденной подложки 24 с позиции 86 охлаждения на конвейер 88 для последующей обработки, описанной выше.
Как лучше всего показано на фиг. 6, 7 и 8, зона 72 осаждения в устройстве по настоящему изобретению содержит печь 156, расположенную в коробке 126 и имеющую корпус 158, образующий нагреваемую камеру 160, которая сообщается с внутренним пространством коробки 126, так что находящаяся в нем регулируемая среда находится также и в нагреваемой камере. Указанный корпус 158 печи содержит нижнюю и верхнюю охлаждающие плиты 162 и 164, которые имеют соответствующие каналы 166 и 168, по которым течет подходящая охлаждающая среда. Корпус 158 содержит также нижнюю и верхнюю изоляционные стенки 170 и 172, изготовленные из подходящего изоляционного материала, а также содержит нижние и верхние боковые изоляционные стенки 174 и 176, также изготовленные из подходящего изоляционного материала. Указанные изоляционные стенки 170, 172, 174 и 176 вместе образуют нагреваемую камеру 160, в которой осуществляют осаждение полупроводниковых материалов, как более подробно будет описано ниже. Это осаждение полупроводниковых материалов производят при повышенной температуре, обеспечиваемой посредством электронагревательных элементов 178, закрепленных с помощью изоляторов 180 на нижней изоляционной стенке 170, как показано на фиг. 8, и посредством нагревательных элементов 182 электросопротивления (омических), заделанных в верхней изоляционной стенке 172.
Как показано на фиг. 6 и 7, устройство 70 содержит также роликовый конвейер 184, имеющий горизонтальные ролики 186, установленные с некоторым между ними промежутком в нагреваемой камере 160 для поддержания и транспортирования нагретой подложки 24, которая, как описано выше, содержит лист стекла. Каждый ролик 186, как лучше всего показано на фиг. 7, имеет по крайней мере один конец 188, а предпочтительно оба его конца, выполненные выходящими наружу из нагреваемой камеры 160 печи 156 сквозь корпус 158 печи. В частности, концы 188 роликов, как показано на фиг. 8, выходят наружу через отверстия, совместно образованные полукруглыми выемками 190 и 192 в нижних и верхних боковых изоляционных стенках 174 и 176 в месте их стыка 194. Концы 188 роликов приводят во вращение посредством механизма 196 привода роликов в роликовом конвейере 184. Этот приводной механизм 196, как показано на фиг. 7, установлен во внутреннем пространстве коробки 126 снаружи печи 156 с возможностью приведения во вращение концов роликов, как будет более подробно описано позже, для транспортирования подложки 23 во время осаждения полупроводниковых материалов.
Зона 72 осаждения в устройстве 70, как показано на фиг. 6 и как описано выше, содержит по крайней мере одну, а предпочтительно три позиции 74, 76 и 78 осаждения в печи 156 для подачи нагретого пара, осаждаемого в виде слоя полупроводникового материала на обращенную вверх поверхность подложки 24 во время транспортирования ее на роликовом конвейере 184. В частности, на одной позиции 74 осаждения обеспечивают подачу нагретых паров сульфида кремния, осаждаемых в виде слоя 80 (фиг. 4) сульфида кадмия, а на позиции 76 осаждения, как показано на фиг. 6, подают нагретые пары, осаждаемые в виде слоя 82 (фиг. 4) теллурида кадмия, который имеет границу 81 раздела со слоем 80 сульфида кадмия. Кроме того, на позиции 78 осаждения, показанной на фиг. 6, обеспечивают подачу нагретых паров, осаждаемых в виде еще одного полупроводникового слоя, такого как слой 84 теллурида цинка, который имеет границу 83 раздела со слоем 82 теллурида кадмия.
Как показано на фиг. 7 и 8, позиция 76 осаждения, являющаяся также иллюстративной и для позиций 74 и 76 осаждения, содержит приемник 198 исходного материала, установленный в печи 156 выше роликового конвейера 184 для приема исходного материала 200, которым в данном случае является теллурид кадмия, являющийся основным полупроводниковым материалом, осаждаемым в устройстве. Так как печная камера 160 находится в нагретом состоянии, указанный исходный материал сублимируется, в результате чего образуются пары элементарных кадмия и теллура, осаждающиеся на перемещаемую подложку 24, поддерживаемую посредством роликового конвейера 184. В частности, приемник 198 исходного материала на позиции 176 осаждения содержит по крайней мере один лоток 202, открытый сверху для приема исходного материала 200, а предпочтительно имеет множество таких лотков, как будет более подробно описано ниже. Позиция осаждения содержит также отражатель 204, расположенный над лотком 202 для исходного материала и открывающийся вниз. Как показано, имеется множество приемных лотков 202 удлиненной формы и открытых сверху, которые проходят параллельно роликам конвейера, причем их противоположные концы опираются через проходящие опоры 206 на верхние боковые изоляционные стенки 176 в камере 160 печи. Аналогичным образом, отражатели 204 тоже имеют удлиненную форму и проходят параллельно роликам 186 конвейера, а их противоположные концы опираются через опоры 206 на верхние боковые изоляционные стенки 176. И лотки 202, и отражатели 204 предпочтительно изготовлены из кварца, чтобы они были способны противостоять повышенной температуре, до которой нагревают печь во время осаждения полупроводникового материала. Кроме того, отражатели 204 не только направляют нагретые пары вниз на подложку 24 для осаждения, но и являются защитой, предотвращающей падение материала на подложку сверху, что ухудшило бы качество осаждаемого полупроводникового материала. Как показано на фиг. 6, имеется также пара перегородок 207, образующих щель, позволяющую транспортировать подложку 24 с позиции 74 осаждения на позицию 76 осаждения, причем перегородки ограничивают течение нагретых паров между указанными позициями. Другая пара подобных перегородок 207 выполняет такую же функцию между позициями 76 и 78 осаждения.
Как показано на фиг. 9, другой вариант позиции 76a осаждения содержит систему 208 подачи нагретого пара, температуру в которой можно регулировать, не влияя на температуру подложки 24 в печи 156. Система подачи нагретого пара содержит подающий трубопровод 210, являющийся средством подачи нагретого пара для осаждения на подложку 24, перемещаемую посредством конвейера 184. В частности, этот вариант содержит, как показано, нагреватель 212, в котором нагревают исходный материал 200, такой как теллурид кадмия, в результате чего получают нагретые пары кадмия и теллура, подаваемые по трубопроводу 210 в печь 156. Как показано, этот нагреватель 212 расположен снаружи как печи 156, так и коробки 126, и трубопровод 210 проходит в коробку и в печь, обеспечивая подачу нагретого пара слоя осаждения. Но следует понимать, что нагреватель 212 может быть также расположен внутри коробки 126 вне печи 156 или в нагретой камере 160 печи так, чтобы он не влиял на температуру подложки 24, что обеспечивают путем изоляции и/или удаления его места установки от подложки. Кроме того, имеется источник 214 газа-носителя (такого, как азот), подаваемого через регулирующий клапан 216, чтобы способствовать передаче нагретых паров из нагревателя 212 в печь 156. Другое преимущество наружного расположения нагревателя 212 исходного материала состоит в том, что для обеспечения необходимого для осаждения нагрева нагревателем можно легко управлять независимо от температуры в печи 156.
Как показано на фиг. 10, еще один вариант позиции 76b осаждения в печи 156 тоже содержит систему 208 подачи нагретого пара, включающую в себя два нагревателя 212' исходного материала для соответственного нагрева элементарных кадмия и теллура независимо друг от друга. Образованные в этих нагревателях нагретые пары подают по трубопроводу 210 во внутреннее пространство печи 156, предпочтительно используя газ-носитель (такой, как азот), подаваемый из источника 214 через регулирующие клапаны 216' и 216'', соответственно встроенные в трубопроводные ответвления 210' и 210''.
Как показано на фиг. 6, приводной механизм 196 содержит непрерывный приводной контур 218, имеющий ведущую ветвь 220 и возвратную ветвь 222. В предпочтительной конструкции, показанной на фиг. 7, имеется два приводных контура 218, которые соответственно поддерживают и приводят во вращение концы 188 роликов конвейера с противоположных боковых сторон печи. Приводной контур 218 предпочтительно выполняют в виде приводной цепи, принимаемой, как показано на фиг. 6, на переднем по ходу движения конце посредством ведущей звездочки 224 и на заднем конце посредством другой звездочки 226. Верхние опоры 228 на боковых стенках 132 коробки, как показано на фиг. 7, поддерживают ведущие ветви 220 пары приводных контуров 218, а нижние опоры 230 поддерживают с возможностью скольжения нижние, возвратные ветви 222 приводных контуров. Приводимый во вращение посредством подходящего электродвигателя приводной вал, проходящий в коробку 126 через уплотнение, приводит во вращение ведущие звездочки 224, принимающие приводные цепи, в направлении против часовой стрелки для перемещения верхних, ведущих ветвей 220 вправо и обеспечения тем самым фрикционного привода роликов 186 конвейера с вращением их в направлении против часовой стрелки для перемещения подложек 24 в направлении влево. Позиционеры 232, показанные на фиг. 7, могут содержать подводящие ролики, которые вводят в контакт с концами 188 роликов конвейера, чтобы надлежащим образом устанавливать ролики 186 конвейера по длине устройства на протяжении как зоны 72 осаждения, так и позиции 86 охлаждения.
Печи для нагревания листов стекла в окружающей атмосфере, а не в регулируемой среде в оболочке (коробке) в соответствии с настоящим изобретением раскрыты в патентах США N 3934970, N 3947242 и N 3994711. Эти печи имеют роликовые конвейеры, ролики которых имеют фрикционный привод от непрерывных приводных контуров, т. е. цепей, так же, как роликовый конвейер в данном изобретении.
Как показано на фиг. 6, позиция 86 охлаждения содержит нижнюю и верхнюю обдувочные головки 234 и 236, соответственно расположенные ниже и выше роликового конвейера 184 и имеющие сопла для подачи охлаждающего газа, такого как азот, который быстро охлаждает подложку 24 с нанесенным на нее полупроводниковым материалом, обеспечивая тем самым упрочнение листа стекла подложки. В частности, это быстрое охлаждение создает напряжения сжатия в обращенных в противоположные стороны поверхностях листа стекла и напряжения растяжения в средней его части между упомянутыми поверхностями.
Способ изготовления фотогальванического прибора в описанном выше устройстве 70 начинается с создания замкнутой среды в печи 156 путем создания разрежения или создания другой регулируемой среды в коробке 126. Эта регулируемая (замкнутая) среда может содержать подходящий инертный газ или инертный газ вместе с кислородом, но без способных нарушить регулируемое осаждение полупроводникового материала переменных составляющей или составляющих, таких как переменный водяной пар в атмосфере. Можно также иметь, как упомянуто выше, разрежение, являющееся регулируемой средой, содержащейся в коробке 126 и, следовательно, также в печи 156. Для получения наилучших результатов можно изменять степень разрежения. Например, было установлено, что разрежение 5 тор (мм. рт. ст. ) лучше, чем разрежение 1 тор, потому что обеспечивает более короткий средний свободный пробег для нагретых паров полупроводникового материала, подаваемых, как описано выше, во время обработки, и уменьшает перемещение и осаждение паров на стороне подложки, противоположной той, на которой надлежит осуществить осаждение. С другой стороны, скорость осаждения выше при более низком давлении, и, кроме того, равномерность осаждения зависит и от давления и от температуры. Далее, замкнутую среду нагревают до температуры выше примерно 650oC, в результате чего теллурид кадмия не осаждается на стенках печи, а приемник 198 материала наиболее предпочтительно нагревают до примерно 700oC, чтобы сублимировать исходный материал (теллурид кадмия) 200 с достаточно высокой скоростью для быстрого осаждения.
Обработку продолжают путем введения нагретых паров, которыми для описанного выше основного полупроводникового материала являются пары кадмия и теллура. Транспортирование листовой подложки 24, имеющей лист 26 стекла, нагретый до температуры в диапазоне примерно 550-640oC, в этой замкнутой среде обеспечивает непрерывное осаждение при повышенной температуре на одну поверхность 28 подложки, как описано выше, слоя теллурида кадмия, служащего в качестве полупроводника для поглощения солнечной энергии. Как показано на фиг. 4, этот слой 82 теллурида кадмия имеет границу 81 раздела со слоем 80 сульфида кадмия, которая является n-i-переходом на стороне слоя теллурида кадмия, ближней к листу стекла. Аналогичным образом, граница 83 раздела слоя 82 теллурида кадмия со слоем 84 теллурида цинка или другого полупроводника p-типа является p-i-переходом, так что полученный фотогальванический прибор является прибором n-i-p-типа.
Как было описано выше, обработку выполняют, расположив подложку 24 горизонтально в замкнутой среде, причем одну поверхность 28 подложки обращают вверх для осаждения на ней теллурида кадмия, а другую поверхность 30 обращают вниз, поддерживая в пределах периферии ее подложку для горизонтального ее перемещения. Это поддерживание подложки предпочтительно осуществляют посредством горизонтально проходящих роликов 186 роликового конвейера 184 во время осаждения слоя теллурида кадмия на обращенную верх поверхность 28 подложки, и такое поддерживание позволяет непрерывно производить осаждение полупроводникового материала на подложки с относительно большим листом стекла с сохранением при этом плоскостности этого листа, несмотря на его мягкость и склонность прогибаться в нагретом состоянии.
Обработку продолжают, как было описано выше в связи с фиг. 6, на трех позициях 74, 76 и 78 осаждения, где производят осаждение каждого из полупроводниковых слоев 80, 82 и 84, причем слои 80 и 82 имеют границу 81 раздела между ними, а слои 82 и 84 имеют границу 83 между ними. Как сказано выше, наилучшие результаты получают, когда на поверхность 28 подложки осаждают слой сульфида кадмия, прежде чем осуществят осаждение слоя 82 теллурида кадмия, и когда после осаждения слоя теллурида кадмия осаждают слой 84 другого полупроводника p-типа.
После осаждения полупроводниковых материалов, как описано выше, нагретую подложку быстро охлаждают на позиции 86 охлаждения со скоростью, которая обеспечивает возникновение сжимающих напряжений, что приводит к упрочнению листа стекла. В частности, эту обработку предпочтительно выполняют, производя осаждение слоя теллурида кадмия с нагревом подложки 24 до температуры в диапазоне примерно 570-600oC и с последующим нагревом подложки до температуры в диапазоне примерно 600-640oC, от которой выполняют быстрое охлаждение для создания сжимающих напряжений, упрочняющих лист стекла. Такая обработка уменьшает время нахождения листа стекла при повышенной температуре, когда лист стремится прогнуться, но все же обеспечивает достаточно нагретое состояние перед охлаждением, чтобы способствовать росту сжимающих напряжений, приводящему к упрочнению листа стекла.
Полученный фотогальванический прибор 22, изготовленный с помощью описанного выше устройства и описанным выше способом, имеет осажденный на одной поверхности 28 подложки 24 тонкопленочный слой 82 теллурида кадмия толщиной в диапазоне примерно 1-5 мкм, который имеет кристаллы с размером в диапазоне примерно 1/2-5 мкм. Этот тонкопленочный слой 82 теллурида кадмия имеет усиленную связь с упомянутой одной поверхностью подложки благодаря тому, что его осаждают на ней, нагрев лист стекла до температуры в диапазоне примерно 550-640oC, в замкнутой среде, которую нагревают до температуры выше примерно 650oC, как было описано выше, и в которую вводят пары кадмия и теллура. Это введение паров обеспечивает осаждение их на поверхности 28 подложки в виде слоя 80 теллурида кадмия.
Кроме того, фотогальванический прибор 22 имеет конструкцию, описанную выше в связи с фиг. 4 в отношении других полупроводниковых слоев и пленок, которые осаждены на нем для создания электродов и элементов, которые отделены друг от друга, но соединены последовательно через полупроводниковые слои. Следует подчеркнуть, что термическое упрочнение (закалка) листа 26 стекла подложки путем охлаждения от температуры закалки обеспечивает усиление сцепления теллурида кадмия с упомянутой одной поверхностью 28 подложки.
Как видно из приведенного выше описания, описанные способ и устройство дают фотогальванический прибор, способный вырабатывать дешевую электроэнергию.
Выше были подробно описаны наилучшие варианты осуществления настоящего изобретения, но возможны и другие способы, устройства и фотогальванические приборы в соответствии с настоящим изобретением в пределах объема следующей ниже формулы изобретения.

Claims (32)

1. Способ изготовления фотогальванического прибора, заключающийся в том, что создают замкнутую среду, нагревают ее в установившемся режиме во время обработки и вводят пары кадмия и теллура в замкнутую среду, отличающийся тем, что подают нагретую листовую подложку, содержащую плоский стеклянный лист, в замкнутую среду и осуществляют при повышенной температуре непрерывное высокотемпературное осаждение на одну поверхность подложки слоя теллурида кадмия, служащего в качестве полупроводника для поглощения солнечной энергии, причем подложку ориентируют горизонтально в замкнутой среде таким образом, чтобы одна поверхность подложки была обращена кверху, а другая поверхность подложки была обращена вниз и опиралась на свою периферию для горизонтальной подачи, при этом сохраняют планарность стеклянного листа.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложку поддерживают и подают внутри замкнутой среды размещенными горизонтально роликами роликового конвейера во время осаждения слоя теллурида кадмия на одну обращенную кверху поверхность подложки.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что замкнутую среду нагревают до температуры свыше 650oС, а плоский стеклянный лист нагревают до 550 - 640oC.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что еще один полупроводниковый материал осаждают на одну поверхность подложки в качестве отдельного слоя, имеющего границу раздела со слоем туллурида кадмия.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что еще один полупроводниковый материал осаждают в качестве еще одного слоя на одну поверхность подложки раньше осажденного на ней слоя теллурида кадмия и имеющей границу раздела со слоем теллурида кадмия.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что слой сульфида кадмия выбирают в качестве слоя полупроводникового материала, осаждаемого на одну поверхность подложки раньше слоя теллурида кадмия.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что еще один полупроводниковый материал осаждают в качестве еще одного слоя на одну поверхность подложки после осаждения слоя теллурида кадмия и образуют границу раздела указанного другого полупроводникового материала со слоем теллурида кадмия.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что еще один полупроводниковый материал осаждают в качестве еще одного слоя на одну поверхность подложки раньше осажденного на ней слоя теллурида кадмия и имеющего границу раздела со слоем теллурида кадмия, а последующий полупроводниковый материал осаждают в качестве последующего слоя на одну поверхность подложки после слоя теллурида кадмия, имеющего последующую границу раздела со слоем теллурида кадмия.
9. Способ изготовления по любому из пп.4 - 8, отличающийся тем, что каждый слой полупроводникового материала в дополнение к слою теллурида кадмия вводят в виде паров в замкнутую среду и осаждают на одной поверхности подложки во время ее подачи.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что после осаждения слоя теллурида кадмия подложку охлаждают со скоростью, обеспечивающей сжимающие напряжения, которые упрочняют стеклянный лист.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что осаждение слоя теллурида кадмия выполняют с подложкой, нагреваемой до 570 - 600oC, и затем подложку нагревают до 600 - 640oC, начиная с которой производят охлаждение для обеспечения сжимающих напряжений, которые упрочняют стеклянный лист.
12. Устройство изготовления фотогальванического прибора, содержащее кожух с внутренним пространством для вмещения регулируемой среды, печь, расположенную в кожухе и имеющую корпус, образующий нагреваемую камеру, сообщающуюся с внутренним пространством кожуха, в результате чего регулируемая среда также находится внутри нагреваемой камеры, роликовый конвейер, содержащий горизонтальные ролики, отделенные друг от друга интервалом внутри нагреваемой камеры печи и выполненные с возможностью помещения на них и подачи нагретой подложки, содержащей стеклянный лист, и по меньшей мере одну станцию осаждения нагретого пара полупроводникового материала внутри печи на обращенную кверху поверхность подложки, отличающееся тем, что каждый ролик роликового конвейера имеет по меньшей мере один конец, выходящий наружу из нагреваемой камеры печи через ее корпус, при этом роликовый конвейер также содержит механизм привода роликов, расположенный внутри кожуха снаружи печи и выполненный с возможностью вращательного приведения в движение концов роликов, выступающих наружу из нагреваемой камеры печи через ее корпус.
13. Устройство по п.12, отличающееся тем, что содержит дополнительную станцию осаждения на подложке дополнительного слоя еще одного полупроводникового материала, имеющего границу раздела с первым указанным слоем полупроводникового материала.
14. Устройство по п. 12, отличающееся тем, что содержит две дополнительные станции осаждения, причем одна из двух дополнительных станций осаждения выполнена с возможностью осаждения на подложку дополнительного слоя еще одного полупроводникового материала раньше первого указанного слоя полупроводникового материала и возможность получения с ним границы раздела, а другая из двух дополнительных станций осаждения выполнена с возможностью осаждения на подложку еще одного дополнительного слоя последующего полупроводникового материала после первого указанного слоя полупроводникового материала и возможностью получения еще одной границы раздела с первым указанным слоем полупроводникового материала.
15. Устройство по п.12, отличающееся тем, что станция осаждения содержит контейнер исходного материала, расположенный в печи над роликовым конвейером для приема исходного материала, который сублимируется для обеспечения нагретого пара, который осаждают в качестве слоя полупроводникового материала.
16. Устройство по п.15, отличающееся тем, что контейнер исходного материала станции осаждения содержит контейнерный желоб, открывающийся вверх.
17. Устройство по п.16, отличающееся тем, что станция осаждения также содержит отражатель, расположенный над контейнером исходного материала и имеющий форму, открытую вниз.
18. Устройство по п.15, отличающееся тем, что контейнер исходного материала содержит удлиненные контейнерные желобы, которые открываются вверх и проходят параллельно конвейерным роликам, и отражатели, расположенные над контейнерными желобами и имеющие форму, открытую вниз.
19. Устройство по п.12, отличающееся тем, что станция осаждения содержит систему подачи нагретого пара, температурой которого можно управлять без воздействия при этом на температуру подложки в печи, причем подача нагретого пара имеет средство подающего трубопровода для направления нагретого пара к станции осаждения, выполненную с возможностью осаждения на обращенную кверху поверхность поданной конвейером подложки в качестве слоя полупроводникового материала.
20. Устройство по п.19, отличающееся тем, что система подачи нагретого пара содержит нагреватель для подачи нагретого пара и источник газа-носителя для переноса нагретого пара от нагревателя по средству подающего трубопровода к станции осаждения.
21. Устройство по п.20, отличающееся тем, что система подачи нагретого пара содержит пару нагревателей для подачи отдельных нагретых составляющих пара и подача нагретого пара также содержит источник газа-носителя для переноса нагретого пара от пары нагревателей по трубопроводному средству подачи к станции осаждения.
22. Устройство по п.12, отличающееся тем, что механизм привода содержит непрерывную систему привода, которая приводит в действие концы конвейерных роликов, выступающих наружу из печи в кожухе, в котором заключена контролируемая среда.
23. Устройство по п.12, отличающееся тем, что оба конца каждого конвейерного ролика выступают наружу из печи на противоположных ее сторонах и механизм привода содержит пару непрерывных систем привода, которые соответственно являются опорой и фрикционно приводят в действие концы роликов конвейера на противоположных сторонах печи внутри кожуха, в котором заключена контролируемая среда.
24. Устройство по любому из пп.12, 15, 19, 20, 21, 22 или 23, отличающееся тем, что содержит станцию охлаждения, расположенную по ходу последовательности процесса после станции осаждения для охлаждения подложки со слоем полупроводникового материала, осажденного на ней, и выполненную с возможностью упрочнения стеклянного листа на подложке.
25. Фотогальванический прибор, содержащий листовую подложку, которая содержит плоский стеклянный лист и имеет обращенные в противоположные стороны поверхности, отличающийся тем, что каждая из обращенных в противоположные стороны поверхностей имеет площадь, равную по меньшей мере 1000 см2, причем слой теллурида кадмия в виде тонкой пленки осажден на одной из поверхностей подложки с толщиной 1 - 5 мкм и имеет кристаллы размером 1/2 - 5 мкм, слой теллурида кадмия в виде тонкой пленки имеет связь с одной поверхностью подложки путем осаждения на нее и при этом стеклянный лист ориентирован горизонтально и нагрет в замкнутой среде, которую нагревают и в которую пары кадмия и теллура введены для осаждения как слоя теллурида кадмия на одной ее стороне, которая обращена кверху, в то время как другая ее поверхность обращена вниз и опирается на свою периферию для горизонтальной подачи, при этом сохраняя плоскостность стеклянного листа.
26. Прибор по п.25, отличающийся тем, что содержит еще один слой еще одного полупроводникового материала, осажденного на одну поверхность подложки и имеющего границу раздела со слоем теллурида кадмия.
27. Прибор по п.25, отличающийся тем, что содержит еще один слой еще одного полупроводникового материала, осажденного на одной поверхности подложки раньше слоя теллурида кадмия и имеющего границу раздела со слоем теллурида кадмия.
28. Прибор по п.27, отличающийся тем, что слой полупроводникового материала, осажденного на одну поверхность подложки до слоя теллурида кадмия, является сульфидом кадмия.
29. Прибор по п.25, отличающийся тем, что содержит еще один слой еще одного полупроводникового материала, осажденного на одной поверхности подложки после слоя теллурида кадмия и имеющего границу раздела со слоем теллурида кадмия.
30. Прибор по п.25 отличающийся тем, что содержит еще один слой еще одного полупроводникового материала, осажденного на одну поверхность подложки раньше слоя теллурида кадмия и имеющего с ним границу раздела, и последующий слой последующего полупроводникового материала, осажденного на одну поверхность подложки после слоя теллурида кадмия и имеющего последующую границу раздела со слоем теллурида кадмия.
31. Прибор по любому из пп. 26 - 30, отличающийся тем, что содержит первую электропроводящую пленку на одной поверхности подложки, по которой осажден первоначально осажденный слой, и вторую электропроводящую пленку, осажденную на одну поверхность подложки по окончательно осажденному слою.
32. Прибор по п.26, отличающийся тем, что лист стекла подложки закален и его обращенные в противоположные стороны поверхности находятся под сжатием, а средняя часть находится в состоянии растяжения и закалка стеклянного листа выполнена с возможностью усиления сцепления с одной упомянутой поверхностью подложки теллурида кадмия.
RU94046004/25A 1992-05-12 1993-05-06 Способ и устройство для изготовления фотогальванических приборов и фотогальванический прибор RU2129744C1 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US881,683 1992-05-12
US07/881,683 US5248349A (en) 1992-05-12 1992-05-12 Process for making photovoltaic devices and resultant product
US881.683 1992-05-12
PCT/US1993/004320 WO1993023881A1 (en) 1992-05-12 1993-05-06 Process and apparatus for making photovoltaic devices and resultant product

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU94046004A RU94046004A (ru) 1996-09-27
RU2129744C1 true RU2129744C1 (ru) 1999-04-27

Family

ID=25378967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU94046004/25A RU2129744C1 (ru) 1992-05-12 1993-05-06 Способ и устройство для изготовления фотогальванических приборов и фотогальванический прибор

Country Status (11)

Country Link
US (4) US5248349A (ru)
EP (2) EP0640247B1 (ru)
JP (2) JPH07508138A (ru)
KR (1) KR950701455A (ru)
AT (1) ATE380397T1 (ru)
AU (1) AU670090B2 (ru)
CA (1) CA2134241C (ru)
DE (1) DE69334189T2 (ru)
ES (1) ES2297827T3 (ru)
RU (1) RU2129744C1 (ru)
WO (1) WO1993023881A1 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2461915C1 (ru) * 2011-04-28 2012-09-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет (ТГУ) Ядерная батарейка
WO2014143995A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Powerhouse Electrical Contractors Inc. Photovoltaic and wind energy production system
RU2569086C2 (ru) * 2011-07-26 2015-11-20 Эл Джи Кем, Лтд. Нанокристаллические слои на основе диоксида титана с низкой температурой отжига для применения в сенсибилизированных красителем солнечных элементах и способы их получения
RU2675403C1 (ru) * 2017-11-14 2018-12-19 Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московской области "Университет "Дубна" (Государственный университет "Дубна") СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БАЗОВЫХ СЛОЕВ ГИБКИХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ CdTe В КВАЗИЗАМКНУТОМ ОБЪЕМЕ

Families Citing this family (227)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5501744A (en) * 1992-01-13 1996-03-26 Photon Energy, Inc. Photovoltaic cell having a p-type polycrystalline layer with large crystals
US5248349A (en) * 1992-05-12 1993-09-28 Solar Cells, Inc. Process for making photovoltaic devices and resultant product
JPH06163955A (ja) * 1992-11-27 1994-06-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池用基板及び太陽電池
US5393675A (en) * 1993-05-10 1995-02-28 The University Of Toledo Process for RF sputtering of cadmium telluride photovoltaic cell
WO1996011500A1 (en) * 1994-10-06 1996-04-18 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Thin film solar cell
US5772431A (en) * 1995-05-22 1998-06-30 Yazaki Corporation Thin-film solar cell manufacturing apparatus and manufacturing method
US5712187A (en) * 1995-11-09 1998-01-27 Midwest Research Institute Variable temperature semiconductor film deposition
DE69727655T2 (de) * 1996-05-28 2004-07-29 Matsushita Battery Industrial Co. Ltd., Moriguchi Verfahren zur herstellung einer cdte-schicht
US5772715A (en) * 1997-01-17 1998-06-30 Solar Cells, Inc. System and method for processing sheet glass
US5747199A (en) * 1997-01-24 1998-05-05 Eastman Kodak Company Method of making color filter arrays by transferring two or more colorants simultaneously
US5811156A (en) * 1997-01-24 1998-09-22 Eastman Kodak Company Method of making a color filter array by colorant transfer and etch
US5776641A (en) * 1997-01-24 1998-07-07 Eastman Kodak Company Method of making color filter arrays by colorant transfer using chemical mechanical polishing
US6268014B1 (en) * 1997-10-02 2001-07-31 Chris Eberspacher Method for forming solar cell materials from particulars
US5945163A (en) * 1998-02-19 1999-08-31 First Solar, Llc Apparatus and method for depositing a material on a substrate
US6037241A (en) * 1998-02-19 2000-03-14 First Solar, Llc Apparatus and method for depositing a semiconductor material
DE19813910A1 (de) * 1998-03-28 1999-09-30 Ald Vacuum Techn Gmbh Vorrichtung zur Wärmebehandlung von plattenförmigen beschichteten Substraten
JP3349953B2 (ja) * 1998-05-25 2002-11-25 シャープ株式会社 基板処理装置
US6058740A (en) * 1999-02-23 2000-05-09 First Solar, Llc Glass substrate deposition system having lateral alignment mechanism
US6732166B1 (en) * 1999-05-28 2004-05-04 Intel Corporation Method of distributed resource management of I/O devices in a network cluster
EP1061589A3 (en) * 1999-06-14 2008-08-06 Kaneka Corporation Method of fabricating thin-film photovoltaic module
JP2001114533A (ja) * 1999-10-20 2001-04-24 Nippon Sheet Glass Co Ltd 透明導電膜付きガラス板およびこれを用いたガラス物品
US6547922B2 (en) * 2000-01-31 2003-04-15 Canon Kabushiki Kaisha Vacuum-processing apparatus using a movable cooling plate during processing
US6962613B2 (en) * 2000-03-24 2005-11-08 Cymbet Corporation Low-temperature fabrication of thin-film energy-storage devices
US6706963B2 (en) * 2002-01-25 2004-03-16 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell interconnection
US20030192585A1 (en) * 2002-01-25 2003-10-16 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cells incorporating rigid substrates
US7205473B2 (en) * 2002-01-25 2007-04-17 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic powered multimedia greeting cards and smart cards
US20030192584A1 (en) * 2002-01-25 2003-10-16 Konarka Technologies, Inc. Flexible photovoltaic cells and modules formed using foils
US20050284513A1 (en) * 2002-08-08 2005-12-29 Christoph Brabec Chip card comprising an integrated energy converter
US7186911B2 (en) * 2002-01-25 2007-03-06 Konarka Technologies, Inc. Methods of scoring for fabricating interconnected photovoltaic cells
US6858158B2 (en) * 2002-01-25 2005-02-22 Konarka Technologies, Inc. Low temperature interconnection of nanoparticles
US6913713B2 (en) * 2002-01-25 2005-07-05 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic fibers
US6949400B2 (en) * 2002-01-25 2005-09-27 Konarka Technologies, Inc. Ultrasonic slitting of photovoltaic cells and modules
US6900382B2 (en) * 2002-01-25 2005-05-31 Konarka Technologies, Inc. Gel electrolytes for dye sensitized solar cells
US7414188B2 (en) 2002-01-25 2008-08-19 Konarka Technologies, Inc. Co-sensitizers for dye sensitized solar cells
CA2447451C (en) * 2000-05-12 2013-02-12 Xtreamlok Pty. Ltd. Information security method and system
CA2409312C (en) 2000-05-25 2010-09-07 John Repasky Ballast block deck system and pedestal assembly therefor
US6423565B1 (en) 2000-05-30 2002-07-23 Kurt L. Barth Apparatus and processes for the massproduction of photovotaic modules
US7032324B2 (en) 2000-09-24 2006-04-25 3M Innovative Properties Company Coating process and apparatus
US20030230003A1 (en) * 2000-09-24 2003-12-18 3M Innovative Properties Company Vapor collection method and apparatus
US7143528B2 (en) * 2000-09-24 2006-12-05 3M Innovative Properties Company Dry converting process and apparatus
US6521566B1 (en) 2000-10-04 2003-02-18 Catalytica Energy Systems, Inc. Mixed oxide solid solutions
US20030044539A1 (en) * 2001-02-06 2003-03-06 Oswald Robert S. Process for producing photovoltaic devices
US6559411B2 (en) 2001-08-10 2003-05-06 First Solar, Llc Method and apparatus for laser scribing glass sheet substrate coatings
US6719848B2 (en) 2001-08-16 2004-04-13 First Solar, Llc Chemical vapor deposition system
WO2003044299A2 (en) 2001-11-16 2003-05-30 First Solar, Llc Photovoltaic array
US6617507B2 (en) 2001-11-16 2003-09-09 First Solar, Llc Photovoltaic array
WO2003065393A2 (en) * 2002-01-25 2003-08-07 Konarka Technologies, Inc. Displays with integrated photovoltaic cells
CN100539200C (zh) * 2002-01-25 2009-09-09 科纳卡科技有限公司 染料敏化太阳能电池的结构和材料
US7294209B2 (en) * 2003-01-02 2007-11-13 Cymbet Corporation Apparatus and method for depositing material onto a substrate using a roll-to-roll mask
US6906436B2 (en) * 2003-01-02 2005-06-14 Cymbet Corporation Solid state activity-activated battery device and method
US20040131760A1 (en) * 2003-01-02 2004-07-08 Stuart Shakespeare Apparatus and method for depositing material onto multiple independently moving substrates in a chamber
US7603144B2 (en) * 2003-01-02 2009-10-13 Cymbet Corporation Active wireless tagging system on peel and stick substrate
US6959517B2 (en) * 2003-05-09 2005-11-01 First Solar, Llc Photovoltaic panel mounting bracket
US7211351B2 (en) 2003-10-16 2007-05-01 Cymbet Corporation Lithium/air batteries with LiPON as separator and protective barrier and method
CN1957487A (zh) * 2004-01-06 2007-05-02 Cymbet公司 具有一个或者更多个可限定层的层式阻挡物结构和方法
US20050257824A1 (en) * 2004-05-24 2005-11-24 Maltby Michael G Photovoltaic cell including capping layer
US7780787B2 (en) * 2004-08-11 2010-08-24 First Solar, Inc. Apparatus and method for depositing a material on a substrate
WO2006023263A2 (en) * 2004-08-18 2006-03-02 Solar Fields, Llc Atmospheric pressure chemical vapor deposition
US7195848B2 (en) * 2004-08-30 2007-03-27 Eastman Kodak Company Method of making inlaid color filter arrays
EP1813133B1 (en) * 2004-11-09 2017-08-09 Robert Bosch Gmbh Public address system
DE102006011517B4 (de) 2005-04-08 2009-07-16 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Transporteinrichtung, insbesondere zum Transport flächiger Substrate durch eine Beschichtungsanlage
US7927659B2 (en) * 2005-04-26 2011-04-19 First Solar, Inc. System and method for depositing a material on a substrate
US7968145B2 (en) 2005-04-26 2011-06-28 First Solar, Inc. System and method for depositing a material on a substrate
US7931937B2 (en) * 2005-04-26 2011-04-26 First Solar, Inc. System and method for depositing a material on a substrate
US20070012244A1 (en) * 2005-07-15 2007-01-18 Cymbet Corporation Apparatus and method for making thin-film batteries with soft and hard electrolyte layers
US7776478B2 (en) 2005-07-15 2010-08-17 Cymbet Corporation Thin-film batteries with polymer and LiPON electrolyte layers and method
US7931989B2 (en) 2005-07-15 2011-04-26 Cymbet Corporation Thin-film batteries with soft and hard electrolyte layers and method
EP1917558B1 (en) * 2005-08-22 2018-07-25 Merck Patent GmbH Displays with integrated photovoltaic cells
KR100741975B1 (ko) * 2005-08-25 2007-07-23 삼성에스디아이 주식회사 열처리 장치 및 이를 이용한 열처리 방법
US20070079867A1 (en) * 2005-10-12 2007-04-12 Kethinni Chittibabu Photovoltaic fibers
US7442413B2 (en) * 2005-11-18 2008-10-28 Daystar Technologies, Inc. Methods and apparatus for treating a work piece with a vaporous element
US9017480B2 (en) * 2006-04-06 2015-04-28 First Solar, Inc. System and method for transport
US9105776B2 (en) * 2006-05-15 2015-08-11 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using semiconductor materials
US8017860B2 (en) 2006-05-15 2011-09-13 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials
EP2044642B1 (en) * 2006-07-18 2014-02-26 Cymbet Corporation Photolithographic manufacture of a solid-state microbattery
US9147778B2 (en) * 2006-11-07 2015-09-29 First Solar, Inc. Photovoltaic devices including nitrogen-containing metal contact
US9337069B2 (en) 2007-02-01 2016-05-10 Willard & Kelsey Solar Group, Llc Method for glass sheet semiconductor coating
JP5591695B2 (ja) * 2007-06-26 2014-09-17 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー 薄膜カプセル内の半導体ウェハの再結晶化およびその関連工程
US8071179B2 (en) * 2007-06-29 2011-12-06 Stion Corporation Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials
US7919400B2 (en) * 2007-07-10 2011-04-05 Stion Corporation Methods for doping nanostructured materials and nanostructured thin films
WO2009029901A1 (en) 2007-08-31 2009-03-05 Applied Materials, Inc. Production line module for forming multiple sized photovoltaic devices
US20100047954A1 (en) * 2007-08-31 2010-02-25 Su Tzay-Fa Jeff Photovoltaic production line
AU2008297944A1 (en) * 2007-09-11 2009-03-19 Centrotherm Photovoltaics Ag Method and apparatus for thermally converting metallic precursor layers into semiconducting layers, and also solar module
US8058092B2 (en) * 2007-09-28 2011-11-15 Stion Corporation Method and material for processing iron disilicide for photovoltaic application
US8759671B2 (en) 2007-09-28 2014-06-24 Stion Corporation Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices
US20090087939A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Stion Corporation Column structure thin film material using metal oxide bearing semiconductor material for solar cell devices
US8614396B2 (en) * 2007-09-28 2013-12-24 Stion Corporation Method and material for purifying iron disilicide for photovoltaic application
US8287942B1 (en) 2007-09-28 2012-10-16 Stion Corporation Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material
CN101790792A (zh) 2007-11-02 2010-07-28 第一太阳能有限公司 包括掺杂的半导体膜的光伏器件
US7998762B1 (en) 2007-11-14 2011-08-16 Stion Corporation Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration
US20110017298A1 (en) 2007-11-14 2011-01-27 Stion Corporation Multi-junction solar cell devices
TWI452703B (zh) * 2007-11-16 2014-09-11 Semiconductor Energy Lab 光電轉換裝置及其製造方法
EP2075850A3 (en) * 2007-12-28 2011-08-24 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
US20090188603A1 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling laminator temperature on a solar cell
US20090191031A1 (en) * 2008-01-28 2009-07-30 Willard & Kelsey Solar Group, Llc System and method for cooling semiconductor coated hot glass sheets
US8440903B1 (en) 2008-02-21 2013-05-14 Stion Corporation Method and structure for forming module using a powder coating and thermal treatment process
US8075723B1 (en) 2008-03-03 2011-12-13 Stion Corporation Laser separation method for manufacture of unit cells for thin film photovoltaic materials
US8772078B1 (en) 2008-03-03 2014-07-08 Stion Corporation Method and system for laser separation for exclusion region of multi-junction photovoltaic materials
US7939454B1 (en) 2008-05-31 2011-05-10 Stion Corporation Module and lamination process for multijunction cells
US20090301562A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method
US8642138B2 (en) * 2008-06-11 2014-02-04 Stion Corporation Processing method for cleaning sulfur entities of contact regions
US8003432B2 (en) * 2008-06-25 2011-08-23 Stion Corporation Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material
US9087943B2 (en) 2008-06-25 2015-07-21 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material
US7981778B2 (en) * 2009-07-22 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Directional solid phase crystallization of thin amorphous silicon for solar cell applications
US8334455B2 (en) 2008-07-24 2012-12-18 First Solar, Inc. Photovoltaic devices including Mg-doped semiconductor films
US8207008B1 (en) 2008-08-01 2012-06-26 Stion Corporation Affixing method and solar decal device using a thin film photovoltaic
KR20110059724A (ko) * 2008-08-26 2011-06-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 레이저 재료 제거 방법 및 장치
US20100180927A1 (en) * 2008-08-27 2010-07-22 Stion Corporation Affixing method and solar decal device using a thin film photovoltaic and interconnect structures
US20110017257A1 (en) * 2008-08-27 2011-01-27 Stion Corporation Multi-junction solar module and method for current matching between a plurality of first photovoltaic devices and second photovoltaic devices
US20100051090A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Stion Corporation Four terminal multi-junction thin film photovoltaic device and method
US20100059115A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 First Solar, Inc. Coated Substrates and Semiconductor Devices Including the Substrates
US7855089B2 (en) * 2008-09-10 2010-12-21 Stion Corporation Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials
US8569613B1 (en) 2008-09-29 2013-10-29 Stion Corporation Multi-terminal photovoltaic module including independent cells and related system
US8236597B1 (en) 2008-09-29 2012-08-07 Stion Corporation Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8026122B1 (en) 2008-09-29 2011-09-27 Stion Corporation Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8394662B1 (en) 2008-09-29 2013-03-12 Stion Corporation Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008110B1 (en) * 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008111B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk copper species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8501521B1 (en) 2008-09-29 2013-08-06 Stion Corporation Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008112B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8476104B1 (en) 2008-09-29 2013-07-02 Stion Corporation Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US7960204B2 (en) * 2008-09-30 2011-06-14 Stion Corporation Method and structure for adhesion of absorber material for thin film photovoltaic cell
US8008198B1 (en) 2008-09-30 2011-08-30 Stion Corporation Large scale method and furnace system for selenization of thin film photovoltaic materials
US7947524B2 (en) 2008-09-30 2011-05-24 Stion Corporation Humidity control and method for thin film photovoltaic materials
US8425739B1 (en) 2008-09-30 2013-04-23 Stion Corporation In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials
US8232134B2 (en) 2008-09-30 2012-07-31 Stion Corporation Rapid thermal method and device for thin film tandem cell
US7863074B2 (en) 2008-09-30 2011-01-04 Stion Corporation Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells
US8053274B2 (en) * 2008-09-30 2011-11-08 Stion Corporation Self cleaning large scale method and furnace system for selenization of thin film photovoltaic materials
US7910399B1 (en) * 2008-09-30 2011-03-22 Stion Corporation Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates
US8383450B2 (en) 2008-09-30 2013-02-26 Stion Corporation Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials
US20100078059A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Stion Corporation Method and structure for thin film tandem photovoltaic cell
US8217261B2 (en) * 2008-09-30 2012-07-10 Stion Corporation Thin film sodium species barrier method and structure for cigs based thin film photovoltaic cell
US7964434B2 (en) * 2008-09-30 2011-06-21 Stion Corporation Sodium doping method and system of CIGS based materials using large scale batch processing
US8741689B2 (en) 2008-10-01 2014-06-03 Stion Corporation Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials
US20110018103A1 (en) * 2008-10-02 2011-01-27 Stion Corporation System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices
US8435826B1 (en) 2008-10-06 2013-05-07 Stion Corporation Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8003430B1 (en) * 2008-10-06 2011-08-23 Stion Corporation Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
TW201027784A (en) * 2008-10-07 2010-07-16 Applied Materials Inc Advanced platform for processing crystalline silicon solar cells
US8168463B2 (en) 2008-10-17 2012-05-01 Stion Corporation Zinc oxide film method and structure for CIGS cell
US8082672B2 (en) * 2008-10-17 2011-12-27 Stion Corporation Mechanical patterning of thin film photovoltaic materials and structure
TW201027779A (en) * 2008-11-19 2010-07-16 First Solar Inc Photovoltaic devices including heterojunctions
US8344243B2 (en) 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
CN102292817A (zh) * 2008-11-25 2011-12-21 第一太阳能有限公司 包括铜铟镓硒的光伏器件
US8076224B2 (en) * 2008-12-08 2011-12-13 Calyxo Gmbh Thin-film deposition and recirculation of a semi-conductor material
US8084682B2 (en) * 2009-01-21 2011-12-27 Yung-Tin Chen Multiple band gapped cadmium telluride photovoltaic devices and process for making the same
EP2396513A4 (en) 2009-02-13 2018-03-07 First Solar, Inc Photovoltaic power plant output
US20100212731A1 (en) * 2009-02-25 2010-08-26 First Solar, Inc. Photovoltaic Devices Including Controlled Copper Uptake
US8563850B2 (en) * 2009-03-16 2013-10-22 Stion Corporation Tandem photovoltaic cell and method using three glass substrate configuration
US20100243437A1 (en) * 2009-03-25 2010-09-30 Alliance For Sustainable Energy, Llc Research-scale, cadmium telluride (cdte) device development platform
US8618411B2 (en) * 2009-04-08 2013-12-31 David M. Schwartz Method of making photovoltaic cell
US20100273279A1 (en) * 2009-04-27 2010-10-28 Applied Materials, Inc. Production line for the production of multiple sized photovoltaic devices
DE102009019127A1 (de) 2009-04-29 2011-05-05 Eisenmann Anlagenbau Gmbh & Co. Kg Ofen zur Herstellung von photovoltaischen Dünnschichtzellen
US8241943B1 (en) 2009-05-08 2012-08-14 Stion Corporation Sodium doping method and system for shaped CIGS/CIS based thin film solar cells
US8372684B1 (en) 2009-05-14 2013-02-12 Stion Corporation Method and system for selenization in fabricating CIGS/CIS solar cells
US20100330711A1 (en) * 2009-06-26 2010-12-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for inspecting scribes in solar modules
US8507786B1 (en) 2009-06-27 2013-08-13 Stion Corporation Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells
WO2011006050A1 (en) * 2009-07-10 2011-01-13 First Solar, Inc. Photovoltaic devices including zinc
FR2948492B1 (fr) * 2009-07-24 2012-03-09 Tile S Recristallisation complete de plaquettes semiconductrices
US8398772B1 (en) 2009-08-18 2013-03-19 Stion Corporation Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity
CN101640233B (zh) * 2009-08-21 2011-11-30 成都中光电阿波罗太阳能有限公司 用磁控溅射法生产CdS/CdTe太阳能电池的装置
US20110065227A1 (en) * 2009-09-15 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Common laser module for a photovoltaic production line
US8174444B2 (en) * 2009-09-26 2012-05-08 Rincon Research Corporation Method of correlating known image data of moving transmitters with measured radio signals
US8809096B1 (en) 2009-10-22 2014-08-19 Stion Corporation Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials
US8247255B2 (en) * 2009-12-15 2012-08-21 PrimeStar, Inc. Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US20110139073A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-16 Primestar Solar, Inc. Conveyor assembly for a vapor deposition apparatus
US8481355B2 (en) * 2009-12-15 2013-07-09 Primestar Solar, Inc. Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US8187555B2 (en) * 2009-12-15 2012-05-29 Primestar Solar, Inc. System for cadmium telluride (CdTe) reclamation in a vapor deposition conveyor assembly
US8163089B2 (en) * 2009-12-16 2012-04-24 Primestar Solar, Inc. Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US8430966B2 (en) * 2009-12-16 2013-04-30 Primestar Solar, Inc. Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US20110139247A1 (en) * 2009-12-16 2011-06-16 Primestar Solar, Inc. Graded alloy telluride layer in cadmium telluride thin film photovoltaic devices and methods of manufacturing the same
US8328946B2 (en) * 2009-12-30 2012-12-11 Primestar Solar, Inc. Conveyor assembly with removable rollers for a vapor deposition system
US8252117B2 (en) * 2010-01-07 2012-08-28 Primestar Solar, Inc. Automatic feed system and related process for introducing source material to a thin film vapor deposition system
US8430963B2 (en) * 2010-01-07 2013-04-30 Primestar Solar, Inc. Cool-down system and method for a vapor deposition system
US8859880B2 (en) * 2010-01-22 2014-10-14 Stion Corporation Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices
US8263494B2 (en) 2010-01-25 2012-09-11 Stion Corporation Method for improved patterning accuracy for thin film photovoltaic panels
US20110207301A1 (en) 2010-02-19 2011-08-25 Kormanyos Kenneth R Atmospheric pressure chemical vapor deposition with saturation control
IT1399480B1 (it) * 2010-03-15 2013-04-19 Stral S R L Apparecchiatura per la deposizione di materiale semiconduttore su vetro
US8142521B2 (en) * 2010-03-29 2012-03-27 Stion Corporation Large scale MOCVD system for thin film photovoltaic devices
US9096930B2 (en) 2010-03-29 2015-08-04 Stion Corporation Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices
US8409407B2 (en) 2010-04-22 2013-04-02 Primestar Solar, Inc. Methods for high-rate sputtering of a compound semiconductor on large area substrates
US8361229B2 (en) * 2010-04-22 2013-01-29 Primestar Solar, Inc. Seal configuration for a system for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
US8252619B2 (en) 2010-04-23 2012-08-28 Primestar Solar, Inc. Treatment of thin film layers photovoltaic module manufacture
US20110265865A1 (en) * 2010-04-28 2011-11-03 General Electric Company Photovoltaic cells with cadmium telluride intrinsic layer
US8361232B2 (en) 2010-04-29 2013-01-29 Primestar Solar, Inc. Vapor deposition apparatus and process for continuous indirect deposition of a thin film layer on a substrate
JP5753445B2 (ja) 2010-06-18 2015-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置
CN102971110B (zh) 2010-06-30 2015-04-15 第一太阳能有限公司 高温活化工艺
US20120021536A1 (en) 2010-07-23 2012-01-26 Primestar Solar, Inc. Method and system for application of an insulating dielectric material to photovoltaic module substrates
US8461061B2 (en) 2010-07-23 2013-06-11 Stion Corporation Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
US8628997B2 (en) 2010-10-01 2014-01-14 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
US7939363B1 (en) 2010-10-27 2011-05-10 General Electric Company Systems and methods of intermixing cadmium sulfide layers and cadmium telluride layers for thin film photovoltaic devices
US7943415B1 (en) 2010-10-27 2011-05-17 Primestar Solar Inc. Methods of sputtering cadmium sulfide layers for use in cadmium telluride based thin film photovoltaic devices
DE102010060292B4 (de) 2010-11-01 2023-05-25 Antec Solar Gmbh Verfahren und CSS-Reaktor zum kontinuierlichen Beschichten von Substraten
US20120052617A1 (en) * 2010-12-20 2012-03-01 General Electric Company Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a doped thin film layer on a substrate
US8187386B2 (en) 2010-12-22 2012-05-29 Primestar Solar, Inc. Temporally variable deposition rate of CdTe in apparatus and process for continuous deposition
US8771421B2 (en) 2010-12-23 2014-07-08 First Solar, Inc. Entrance and exit roll seal configuration for a vapor deposition system
US8728200B1 (en) 2011-01-14 2014-05-20 Stion Corporation Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials
US8998606B2 (en) 2011-01-14 2015-04-07 Stion Corporation Apparatus and method utilizing forced convection for uniform thermal treatment of thin film devices
US8247741B2 (en) 2011-03-24 2012-08-21 Primestar Solar, Inc. Dynamic system for variable heating or cooling of linearly conveyed substrates
US8247686B2 (en) 2011-05-31 2012-08-21 Primestar Solar, Inc. Multi-layer N-type stack for cadmium telluride based thin film photovoltaic devices and methods of making
US8188562B2 (en) 2011-05-31 2012-05-29 Primestar Solar, Inc. Multi-layer N-type stack for cadmium telluride based thin film photovoltaic devices and methods of making
US8241930B2 (en) 2011-05-31 2012-08-14 Primestar Solar, Inc. Methods of forming a window layer in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device
US11996517B2 (en) 2011-06-29 2024-05-28 Space Charge, LLC Electrochemical energy storage devices
US10601074B2 (en) 2011-06-29 2020-03-24 Space Charge, LLC Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices
US11527774B2 (en) 2011-06-29 2022-12-13 Space Charge, LLC Electrochemical energy storage devices
US9853325B2 (en) 2011-06-29 2017-12-26 Space Charge, LLC Rugged, gel-free, lithium-free, high energy density solid-state electrochemical energy storage devices
DE102011080202A1 (de) * 2011-08-01 2013-02-07 Gebr. Schmid Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von dünnen Schichten
US8677932B2 (en) 2011-08-03 2014-03-25 First Solar, Inc. Apparatus for metering granular source material in a thin film vapor deposition apparatus
US8436445B2 (en) 2011-08-15 2013-05-07 Stion Corporation Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices
JP2013058562A (ja) 2011-09-07 2013-03-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
US8673777B2 (en) 2011-09-30 2014-03-18 First Solar, Inc. In-line deposition system and process for deposition of a thin film layer
JP2013084751A (ja) * 2011-10-07 2013-05-09 Sharp Corp 光起電力素子の欠陥修復方法および欠陥修復装置
DE102011116136B4 (de) 2011-10-15 2021-05-12 Onejoon Gmbh Anlage zur Behandlung von Werkstücken
US8722136B2 (en) 2011-10-21 2014-05-13 First Solar, Inc. Heat strengthening of a glass superstrate for thin film photovoltaic devices
JP2015503225A (ja) 2011-11-04 2015-01-29 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ソーラーモジュール用の耐久性ポリオレフィン接着材料
JP2015503219A (ja) 2011-11-04 2015-01-29 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ソーラーモジュールにおける使用のためのポリオレフィン接着剤
WO2013077866A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 3M Innovative Properties Company Integrated films for use in solar modules
WO2013077874A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 3M Innovative Properties Company Integrated films for use in solar modules
US9054245B2 (en) 2012-03-02 2015-06-09 First Solar, Inc. Doping an absorber layer of a photovoltaic device via diffusion from a window layer
US20130252367A1 (en) * 2012-03-26 2013-09-26 Primestar Solar, Inc. System and process for forming thin film photovoltaic device
US9196779B2 (en) 2012-07-12 2015-11-24 Stion Corporation Double sided barrier for encapsulating soda lime glass for CIS/CIGS materials
US20140110225A1 (en) * 2012-10-24 2014-04-24 Primestar Solar, Inc. Conveyor assembly with geared, removable rollers for a vapor deposition system
WO2014151532A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 First Solar, Inc. Method of reducing semiconductor window layer loss during thin film photovoltaic device fabrication, and resulting device structure
WO2014151594A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 First Solar, Inc. High efficiency photovoltaic device employing cadmium sulfide telluride and method of manufacture
US9093599B2 (en) 2013-07-26 2015-07-28 First Solar, Inc. Vapor deposition apparatus for continuous deposition of multiple thin film layers on a substrate
DE102014017451A1 (de) 2014-11-26 2016-06-02 Eisenmann Se Anlage zum Behandeln eines Guts
DE102017116650A1 (de) * 2017-07-24 2019-01-24 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Prozessieranordnung und Verfahren zum Konditionieren einer Prozessieranordnung
EP3762989A4 (en) 2018-03-07 2021-12-15 Space Charge, LLC THIN FILM SOLID STATE ENERGY STORAGE DEVICES

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4015558A (en) * 1972-12-04 1977-04-05 Optical Coating Laboratory, Inc. Vapor deposition apparatus
US3934970A (en) 1975-02-19 1976-01-27 Mcmaster Harold Glass tempering system
US3947242A (en) 1975-02-19 1976-03-30 Mcmaster Harold Roller hearth furnace for glass sheets
US3994711A (en) 1975-09-15 1976-11-30 Mcmaster Harold Glass tempering system including oscillating roller furnace
GB1523991A (en) * 1976-04-13 1978-09-06 Bfg Glassgroup Coating of glass
US4207119A (en) * 1978-06-02 1980-06-10 Eastman Kodak Company Polycrystalline thin film CdS/CdTe photovoltaic cell
US4315096A (en) * 1980-07-25 1982-02-09 Eastman Kodak Company Integrated array of photovoltaic cells having minimized shorting losses
US4392451A (en) * 1980-12-31 1983-07-12 The Boeing Company Apparatus for forming thin-film heterojunction solar cells employing materials selected from the class of I-III-VI2 chalcopyrite compounds
US4465575A (en) * 1981-09-21 1984-08-14 Atlantic Richfield Company Method for forming photovoltaic cells employing multinary semiconductor films
US4650921A (en) * 1985-10-24 1987-03-17 Atlantic Richfield Company Thin film cadmium telluride solar cell
JPS62132371A (ja) * 1985-12-05 1987-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 太陽電池モジュール
US4697974A (en) * 1986-01-24 1987-10-06 Trimedia Corporation Pallet-loading system
US5016562A (en) * 1988-04-27 1991-05-21 Glasstech Solar, Inc. Modular continuous vapor deposition system
EP0346815A3 (en) * 1988-06-13 1990-12-19 Asahi Glass Company Ltd. Vacuum processing apparatus and transportation system thereof
US5248349A (en) * 1992-05-12 1993-09-28 Solar Cells, Inc. Process for making photovoltaic devices and resultant product

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Ken Zweibel Harnessing Solar Power, Plenum Press, New Jork and London, 1990, p.p.181 - 198. *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2461915C1 (ru) * 2011-04-28 2012-09-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский государственный университет (ТГУ) Ядерная батарейка
RU2569086C2 (ru) * 2011-07-26 2015-11-20 Эл Джи Кем, Лтд. Нанокристаллические слои на основе диоксида титана с низкой температурой отжига для применения в сенсибилизированных красителем солнечных элементах и способы их получения
WO2014143995A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Powerhouse Electrical Contractors Inc. Photovoltaic and wind energy production system
RU2675403C1 (ru) * 2017-11-14 2018-12-19 Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Московской области "Университет "Дубна" (Государственный университет "Дубна") СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БАЗОВЫХ СЛОЕВ ГИБКИХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ CdTe В КВАЗИЗАМКНУТОМ ОБЪЕМЕ

Also Published As

Publication number Publication date
RU94046004A (ru) 1996-09-27
DE69334189T2 (de) 2008-11-27
US5470397A (en) 1995-11-28
CA2134241C (en) 2004-07-13
US5248349A (en) 1993-09-28
JPH07508138A (ja) 1995-09-07
EP1903614A2 (en) 2008-03-26
ATE380397T1 (de) 2007-12-15
EP0640247B1 (en) 2007-12-05
US5372646A (en) 1994-12-13
CA2134241A1 (en) 1993-11-25
US5536333A (en) 1996-07-16
ES2297827T3 (es) 2008-05-01
WO1993023881A1 (en) 1993-11-25
AU670090B2 (en) 1996-07-04
DE69334189D1 (de) 2008-01-17
JP2003060215A (ja) 2003-02-28
AU4237893A (en) 1993-12-13
EP1903614A3 (en) 2014-09-17
EP0640247A4 (en) 1997-01-29
JP3839750B2 (ja) 2006-11-01
KR100296054B1 (ru) 2001-10-24
EP0640247A1 (en) 1995-03-01
KR950701455A (ko) 1995-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2129744C1 (ru) Способ и устройство для изготовления фотогальванических приборов и фотогальванический прибор
EP1160880B1 (en) Process for the mass production of photovoltaic modules
US6974976B2 (en) Thin-film solar cells
US8071421B2 (en) Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates
FR2568725A1 (fr) Generateur thermo-electrique et son procede de fabrication
CN102034895B (zh) 用于大规模处理覆盖玻璃基板的基于cis和/或cigs的薄膜的热管理和方法
US6470823B2 (en) Apparatus and method for forming a deposited film by a means of plasma CVD
JP6697118B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法
JP4513179B2 (ja) 薄膜太陽電池の製造装置
JPH10247625A (ja) ＣｄＴｅ膜の形成方法とそれを用いた太陽電池
JPH06260669A (ja) 半導体素子連続製造装置
JPH09219368A (ja) 半導体薄膜の形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20040507