JPS6293374A - 静電潜像担持体の製造装置 - Google Patents

静電潜像担持体の製造装置

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JPS6293374A
JPS6293374A JP23411585A JP23411585A JPS6293374A JP S6293374 A JPS6293374 A JP S6293374A JP 23411585 A JP23411585 A JP 23411585A JP 23411585 A JP23411585 A JP 23411585A JP S6293374 A JPS6293374 A JP S6293374A
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JP
Japan
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support
reaction chamber
electrodes
chamber
electrode
Prior art date
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JP23411585A
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English (en)
Inventor
Toshihiko Hiratani
敏彦 平谷
Yasuo Kishi
岸 靖雄
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコン層を感光体として備えた
静電潜像担持体の製造装置に関するものである。
〔従来技術〕
通常この主の担持体は導電性の円筒形をなす支特休表面
に光導電層を積層形成して構成されるのが一般的である
が、光導電層として近年アモルファスシリコンを主成分
としたものが提案されている。アモルファスシリコンを
主成分とする光導電層はセレン、硫化カドミウムを主成
分とする旧来のものに比較して耐熱性、耐摩擦性に冨み
、無害であるうえ高光感度であり、また長波長光に対し
ても十分な感度を有するので、複写機、レーザプリンタ
を用いたインテリジェントコピーにも適用できる等多く
の利点を有しており、その開発が進められている。
ところで導電性を備えた支持体に対してアモルファスシ
リコン層を蒸着形成する場合、従来は第5図に示す如く
行われていた。第5図は従来装置の縦断面図であり反応
室月内に配設した円筒状をなす電極42内の中心にヒー
タ44を内蔵する加熱筒45を配設し、電極42と加熱
筒45との間に支持体46を位置させ、支持体46を加
熱しつつ供給管を通して支持体46周囲に反応ガスを供
給し、プラズマ反応によって支持体46表面にアモルフ
ァスシリコン層を蒸着形成せしめるようになっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで上述した如き従来の製造装置にあっては電極4
2が円筒形に一体形成されているために電極42内に対
する支持体46の挿入、取出しは必然的に電極の上方又
は下方から行わざるを冑ず、作業が極めて煩わしく、特
に複数の反応室41を並列配置して、支持体46を各反
応室4Iに順次的に移動してゆく場合、支持体46に対
し横方向移動と上、下移動とを反復して行わせねばなら
ず移送手段が複雑となって設備コスl−が高く、またこ
の挿脱の都度反応室の気密性が失われるためポンプの駆
動時間も長くなってランニングコストが高く、その上生
産能力も低いという問題があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はかかる事情に鑑みなされたものであってその目
的とするところは円筒形状をなす電極をその軸と平行な
向きに少なくとも2分割して夫々の分割電極に、相互に
接近、離反させる手段を設けることによって電極内に対
する支持体の挿入。
取り出しを単なる水平移動等の一方向の移動のみで容易
に行い得、複数の反応室を並列配置した場合にも支持体
を横移動するのみで各反応室内の電極内に順次的に挿入
させ、またこれから取り出すことが可能となり、挿脱に
際して反応室の気密性が失われることもなく構成が簡略
化でき設備コストも安価になり、生産能率の向上を図り
得るようにした静電潜像担持体の製造装置を提供するに
ある。
本発明に係る静電潜像担持体の製造装置は反応室内に配
した円筒状をなす電極の内側に導電性を有する支持体を
位置させ、減圧下で原料ガスをプラズマ分解し、支持体
表面にアモルファスシリコン膜を形成してなる静電潜像
担持体を製造する装置において、前記円筒状をなす電極
をその軸と平行な向きに少なくとも2分割すると共に各
分割電極にこれを相互に接離せしめるべく移動する手段
を設けたことを特徴とする。
〔実施例〕
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。第1図は本発明に係る静電潜像担持体の製造装
置(以下本発明装置という)を示す模式的縦断面図、第
2図は第1図のn−n線による横断面で示す模式的横断
面図、第3図は同じく動作説明図であり、図中1は反応
室、211.2rは電極、31’、3rは原料ガス供給
用のノズル、4は搬送台、5はヒータを兼ねる支軸、6
は導電性を有する円筒形の支持体を示している。
反応室1は中空の略立方体形に形成されており、前、後
側壁には第2,3図に明らかな如く開口部la、 Ib
が設けられ、夫々ゲーl−バルブIc、 Idにて開閉
されるようになっている。また反応室1の内部は下部寄
りの位置で仕切板1eにて上、下に仕切られており、上
部の空間内には電極2I!、2r、ノズル31.3rが
配設され、また下部空間内には、支軸5に支持体6を直
立状態に保持した搬送台4が左、右側壁に設けたガイド
部材9.9にて前。
後方向に往復移動可能に配設されている。分割電極21
1.2rは従来の円筒形をなす電極をその軸心線を含む
平面にて縦割すした半割円筒形をなし、また各ノズル3
7!、3rは電極21!、2rと同しく半割円筒形であ
って、しかも夫々中空に形成されており、両側縁には上
、下方向に複数の吹出r−,73,lを備えている。
電極21とノズル37!と、また電極2rとノズル3r
とは夫々相互の間に所要の間隔を隔て、且つ電極24.
2rを外側に、ノズル3j!、3rを内側にした状態で
凸面となった背側の中央部を、ボックス16、16内に
配したエアシリンダのロッド+6a、 16aに一体的
に固定されており、エアシリンダの駆動によって両電極
21..2r、ノズル37!、3rが第2図に示す如く
左右に離反せしめられ、また第3図に示す如く相互に円
筒形をなすよう突き合されるようになっている。各電極
2L2rにはエアシリンダのロッド16a、 16a内
に配した給電線を介してボックス16.16から図示し
ない電源に接続されており、ノズル3L3rから噴出さ
れる原料ガスを分解し、プラズマ反応を生ぜしめるよう
になっている。
またノズル314.3rには夫々反応室1の左、右側壁
を貫通して原料ガス供給管17a、 ]、7bの各一端
が接続され、供給管17aの他端は中途にパルプを介在
させて、S目+、 、  u2.R2I+ 6 、 P
I(3等のガスボンへにまた供給管17bの他端は同じ
く途中にバルブを介在させて02 、 N113 、 
CI+4等のガスボンへに夫々接続されており、必要に
応じて支持体6の周囲に噴出せしめられるようになって
いる。
電極211.2rは実施例では軸と平行な向きに2分割
した構成につき説明したが、2分割以上に分割してもよ
いし、また電極27!、2rの形状も同形の半円弧状に
限るものでもない。
一方搬送台4は、矩形板状に形成され、その中央部に軸
受4aが固定され、この軸受4aに前記したヒータを兼
ねる支軸5が搬送台4を上、下に言通し、その上方過半
部を仕切板1eに形成した溝1fを通って上方に突き出
し、且つ下端部を搬送台4の下方に突き出した状態で枢
支されている。支軸5の上端には支持体6の押え具5a
が、また、軸受4aの真−ヒには支持体6の支持具5b
が、更に下端にはスターホイール5c及びスリップリン
グ5d+ 5eが固定されている。押え具5aは直径が
支持体6の内径よりも若干大きい円盤の下面に支持体6
の内径と略等しい外径を有する円筒部を設けて構成され
、円筒部を支持体6の内側に嵌め合せ、円盤の下面周縁
部を支持体6の上端面に押し当てた状態で支軸5の上端
にねし止め固定されている。
また支持具5bは円錐台形に形成され、上端の直径は支
持体6の内径よりも若干小さくなるよう設定してあって
、支軸5に嵌挿固定せしめられており、支持体6の下端
開口部に上端部を嵌合せしめ、テーパ面によって位置決
め固定するようになっている。この支持具5bには支持
体6の温度を測定するための熱電対5fが付設されてい
る。
搬送台4のガイド部材9,9は反応室1の左。
右側壁から中央部寄りに離れた位置において、夫々前、
後側壁間にわたって伝動系を内蔵するケース9a、 9
aを相対向して平行に配設し、各ケース9a。
9aからその長手方向に一定の間隔で上、下一対のロー
ル9b、 9cを中央側に向けて張り出させて構成して
あり、右側壁の外部に設けたモータ9dにてケース9a
、 9a内の伝動系を介して下部ロール9cを回転駆動
せしめるようになっている。搬送台4はその左右側縁を
上、下ロール9b、 9e間に挟み込んだ状態で上部ロ
ール9cにて押えつつ、下部ロール9bにて、搬送台4
を前後方向に移動され、支持体6を電極27!、2rで
囲われた内側に位置させ、またこの外側に取り出す外、
反応室1の開口部1a。
1bにわたって移動せしめ得るようにしである。
反応室1の底壁の中央下面には支軸5の回転駆動用モー
タ7、支軸5に対する給電用の電源8及び熱電対5fに
対しコネクタ12aを昇降するエアシリンダ12が配設
されており、夫々モータ7はフック7aを取付けた出力
軸をスターホイール5cの駆動域に、また電源8は端子
に取り付けたブラシをスリップリング5d、 5eの移
動域に、更にエアシリンダ12はコネクタ12aを取り
付けたロッドを熱電対5fの端子の移動域に夫々臨ませ
て配設しである。
支持体6が電極2β、 2r間に位置するよう搬送台4
が反応室Iの中央にきたときモータ7の出力軸に設けら
れているフック7aがスターホイール5cに係合し、モ
ータ7の駆動によって支軸5.換言すれば支持体6を回
転駆動せしめ、また電源8の端子に設けたブラシは支軸
5下端のスリップリング5d、 5eに接触して支軸5
に給電してこれを加熱し、更にエアシリンダ12のロッ
ドに設けたコネクタ12aは熱電対5fの端子と対向し
、エアシリンダ12の駆動によってコネクタ12aを熱
電対5「の端子乙こ対し接離せしめるようになっている
その他図中18は反応室1からの吸気管であり途中にバ
ルブ18a、 18b、サーボポンプI80を介在させ
てロータリーポンプPに接続されており、ロークリポン
プPの作動によって反応室l内を適切な真空度に設定す
るようになっている。またSはセンサであって搬送台4
が支持体6を電極2(!、2r間に位置せしめる位置に
移動したとき、これを検知して搬送台4をその位置に停
止−uしめるべくモータ9dへの給電を遮断するように
しである。
而して上述した如き本発明装置にあっては、反応室1の
デーl−バルブ1cを開いて開口部1aを開放し、搬送
台4を途中まで引き出した状態で支持体6を支軸5に外
嵌し、その下端を支持具5bに嵌合せしめた状態で押え
具5aを支軸5に鯉合緊締せしめて、支持体6の上端部
を押圧し、支持体6を支軸5にこれと同心一体的に固定
する。
ついでガイド部材9のモータ9dを駆動し、搬送台4を
反応室Iの中央部に向けて移動セしめる。
反応室1内においては、ボックス16.16内のエアシ
リンダを作動して電極2e、2r、ノズル37!。
3rを第2図に示す如く左、右に離反せしめてあり、支
持体6は離反した電極27!、2r間を通ってその中央
に迄達するとセンサSがこれを検知し、モータ9dを止
めて、搬送台4を停止させる。この状態ではモータ7の
出力軸に設けたフック7aは支軸5の下端のスターホイ
ール5cに係合し、また電源8の端子に設けたブラシは
支軸5の下端近傍に設けたスリップリング5d、 5e
に当接する。
また熱電対の端子下にはコネクタ+2aが対向しエアシ
リンダ12が作動してコネクタ12aを上昇せしめて端
子に接続ゼしめられる。ロークリポンプPが作動して反
応室1内を1O−3Torr程度の真空度に設定し、ま
たボックス16内のエアシリンダが作動してロッド16
a、 16aを伸長させ、電極2e、2r、ノズル:H
!、3rを接合せしめて支持体6の周囲を囲繞する。
支軸5を発熱せしめて、支持体6を150〜300゛C
に加熱しつつノズル3j!、3rから夫々原料ガスを支
持体6の周囲に噴出せしめて反応室1内を0.5〜2T
orrの圧力に維持し、電極27!、2rに高周波電圧
を印加し、支持体6との間にプラズマを生起せしめて支
持体6の表面に非晶質シリコン(a−si:H)膜を形
成せしめる。
膜の形成が終了すれば前述の動作を逆に行って、搬送台
4を他方の開口部1bから外方に延在するよう移動し、
周面に光導電膜を形成された支持体6を取り出し新たな
支持体と交換し、再び」二記の作業を反復してゆく。
第7図は本発明の他の実施例を示す模式的横断面図であ
り、反応室は第1.第2.第3反応室21゜22.23
を連接して形成すると共に更に第1反応室21の入口側
には取込室24を、また第3反応室23の出口側には取
出室25を夫々連接配置し2て構成されている。
各第12第2.第3反応室21.22.23、取込室2
4、取出室25の各隔壁にはゲートバルブ21a、 2
2a。
23a、 24aが設けられ、また取込室24には夫々
ゲートバルブ24a、 25bが設けられ、デー1−バ
ルブ21a。
22a、 23a、 24aの開閉によって相互に連通
、遮断され、またゲートバルブ24a、 25bの開閉
によって支持体6の取り込み、取り出しが行なわれるよ
うになっている。
第1.第3反応室1.3の構造は第1〜3図に示した反
応室と実質的に同じであり、内部上方には夫々エアシリ
ンダにて接離移動される半円弧状の電極241,2r及
び半円弧状のノズル31.3rを備え、また左、右側壁
下部にはガイド部材9,9が配設され、このガイド部材
9,9の4−1下ロ一ル間に搬送台4の左、右側縁が載
架せしめられ、搬送台4は取込室24から反応室21.
22.23を経て取出室25に至る間を夫々支持体6を
載置した状態で順次的に移動せしめられてゆくようにな
っていまた第2反応室22は内部に6組の夫々半円筒状
をなず電極27!、2r及びノズル37!、3rが夫々
共通の支持フレームに一列に並べて配設されており、共
通のエアシリンダにて同時的に接近、 lllli反せ
しめられる構成となっている。他の構成は前記第1.第
2反応室2]、 23における構成点実質的に同しであ
り、対応する部分には同し番号を付しである。
而してこのようにな本発明装置にあってはゲートバルブ
24aを開いて予め支持体6を七ソトシた状態の搬送台
4を取込室24内に送り込め、デー1−バルブ24aを
閉じて、取込室24内を所定の真空度に設定した後、ゲ
ートバルブ21aを閉し、ガイド部材9に沿って搬送台
4を第1反応室21内に送り込みゲートバルブ21aを
閉して第1反応室21内にて例えばSiH4,112、
112II 5等の原料ガスを用いて、支持体6表面に
第1屓の非晶質シリコン(a−3i二I()膜を生成し
、成膜が終了するとこれを第2反応室22に移す。
一方、この間取込窓24内には別の搬送台4に取り付け
た支持体6を取り込んでおき、第1反応室21で成膜を
終了した支持体6を第2反応室22へ送り込む過程で同
時的に、取込室24内の搬送台4を第1反応室2】内へ
送り込む。
第2反応室22内へ送り込まれた搬送台4は支持体6が
最初の電極267!、26r組の中間に位置するよう設
定されて第2膜の第1回目の成膜を行う。
このようにして、夫々搬送台4に取り付けられた状態で
支持体6を順次的に移送、停止、成膜の過程を反復しつ
つ取出し室25側に移されてゆくことになる。従って第
2反応室22内では通常6個の1射込台4が位置せしめ
られ夫々の支持体に対して第2膜を6段階に分けて成膜
されることとなる。
第3反応室23内での第3股の形成が終了すると取出室
25内に移され、ここから搬送台4と共に外部に取出り
出され、支持体6表面に対する成膜が自動的に行われる
ようになっている。
なお、実施例では第1.第3反応室21.23は各−組
の電極を用いた構成を示すしであるが、例えば2組以上
配設して第2反応室22におけると同様に第1.第3膜
を2段階又はそれ以」二の段階にわたって形成すること
としてもよく、膜厚を勘案して適宜採択すればよい。
〔効果〕
以上の如く本発明装置にあっては、原料ガスをプラズマ
分解するための電極は軸方向に少なくとも2分割されて
相互に接近離反するよう構成されているから、両極で囲
われた内側への支持体の挿入、またはこれからの取り出
しは電極の接離移動によって、例えば水平移動の如く一
方向への移動のみで行うことが出来て、従来の如き上、
下移動。
水平移動の2方向への移動が不要となり、支持体の移動
手段の構成が簡略化されて設備コス1−が安価となるこ
とは勿論、静電潜像担持体自体の製造能率も向上するな
ど本発明は優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置の模式的断面図、第2図は第1図の
U−n線による模式的横断面図、第3図は同じく動作説
明図、第4図は本発明の他の実施例を示す模式的横断面
図、第5図は従来装置の縦断面図である。 I・・・反応室 1a、 lb・・・開口部 1c、 
ld・・・ゲートバルブ 1e・・・仕切板1f・・・
溝 27!、2r・・・電極31.3r・・・ノズル 
4・・・搬送台 5・・・支軸5a・・・押え具 5b
・・・支軸5C・・・スターホイール5d、 5e・・
・スリップリング 5f・・・熱電対 6・・・支持体
 7・・・モータ 8・・・電源 9・・・ガイド部材
9a・・・ケース 9b、 9■・・・ロール 9d・
・・モータ 12・・・エアシリンダ 12a・・・コ
ネクタ 17a、 17b・・・原料ガスの供給管 1
8・・・吸気管 18a、 18b・・・バルブ18c
・・・サーボポンプ 21.22.23・・・反応室2
4・・・取込室  25・・・取出室 P・・・ロータ
リーポンプ S・・・センサ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、反応室内に配した円筒状をなす電極の内側に導電性
    を有する支持体を位置させ、減圧下で原料ガスをプラズ
    マ分解し、支持体表面にアモルファスシリコン膜を形成
    してなる静電潜像担持体を製造する装置において、前記
    円筒状をなす電極をその軸と平行な向きに少なくとも2
    分割すると共に、各分割電極にこれを相互に接離せしめ
    るべく移動する手段を設けたことを特徴とする静電潜像
    担持体の製造装置。 2、前記反応室は複数個相互に連通、遮断可能に連接さ
    れている特許請求の範囲第1項記載の静電潜像担持体の
    製造装置。 3、反応室内に配した円筒状をなす電極の内側に導電性
    を有する支持体を位置させ、減圧下で原料ガスをプラズ
    マ分解し、支持体表面にアモルファスシリコン膜を形成
    してなる静電潜像担持体の製造装置において、軸と平行
    な向きに少なくとも2分割された筒状の前記電極と、各
    分割電極を相互に接離せしめるべく移動させる手段と、
    前記支持体を着脱可能に保持する支持部材及び該支持部
    材に保持された支持体をその内側から加熱するヒータを
    備えた搬送台と、前記支持体を分割電極で囲われる内、
    外に位置させるべく搬送台を水平移動させる手段とを具
    備することを特徴とする静電潜像担持体の製造装置。 4、前記反応室は複数個相互に連通、遮断可能に連接さ
    れている特許請求の範囲第3項記載の静電潜像担持体の
    製造装置。
JP23411585A 1985-10-18 1985-10-18 静電潜像担持体の製造装置 Pending JPS6293374A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6431980A (en) * 1987-07-29 1989-02-02 Fujitsu Ltd Formation of hydrogenated amorphous c-si film
JPH02175879A (ja) * 1988-12-27 1990-07-09 Tel Sagami Ltd 化学的気相成長方法及び化学的気相成長装置
JP2003160868A (ja) * 2001-11-27 2003-06-06 Kobe Steel Ltd プラズマ成膜装置及びインライン式プラズマ成膜装置

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