JPH10102257A - 化学的気相成長法による成膜装置 - Google Patents
化学的気相成長法による成膜装置Info
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- JPH10102257A JPH10102257A JP8277164A JP27716496A JPH10102257A JP H10102257 A JPH10102257 A JP H10102257A JP 8277164 A JP8277164 A JP 8277164A JP 27716496 A JP27716496 A JP 27716496A JP H10102257 A JPH10102257 A JP H10102257A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45508—Radial flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C23C16/4587—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
- C23C16/4588—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically the substrate being rotated
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 副生成物の生成・付着を抑制してメンテナン
スを軽減し、装置の稼働率を高める。 【解決手段】 処理基板１を保持する一対の保持板２・
３を、処理基板の保持面同士が材料ガスの流路を挟んで
互いに対向するように設けると共に、これらの保持板の
各背面に処理基板を加熱するためのヒータ１３をそれぞ
れ配置した。特に、保持板を垂直方向に沿って配置し
た。また、ヒータを収容するべくヒータの保持体４・５
に設けられた凹所１４を、防塵板１６で開口部を覆って
密封すると共に、減圧手段２０によって反応室Ａより低
圧に保持するようにした。
スを軽減し、装置の稼働率を高める。 【解決手段】 処理基板１を保持する一対の保持板２・
３を、処理基板の保持面同士が材料ガスの流路を挟んで
互いに対向するように設けると共に、これらの保持板の
各背面に処理基板を加熱するためのヒータ１３をそれぞ
れ配置した。特に、保持板を垂直方向に沿って配置し
た。また、ヒータを収容するべくヒータの保持体４・５
に設けられた凹所１４を、防塵板１６で開口部を覆って
密封すると共に、減圧手段２０によって反応室Ａより低
圧に保持するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学的気相成長法
（ＣＶＤ）を用いた成膜装置に関するものである。
（ＣＶＤ）を用いた成膜装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】反応室内に収容して加熱された処理基板
に対し、当該反応室中に導入させた材料ガスを接触さ
せ、気相化学反応によって処理基板の表面に例えばガリ
砒素化合膜その他の被膜層が材料ガスの種類に応じて熱
分解生成される化学的気相成長法による成膜装置が知ら
れている。
に対し、当該反応室中に導入させた材料ガスを接触さ
せ、気相化学反応によって処理基板の表面に例えばガリ
砒素化合膜その他の被膜層が材料ガスの種類に応じて熱
分解生成される化学的気相成長法による成膜装置が知ら
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような成膜装置に
おいては、材料ガスとの接触によって反応室内で生成さ
れる砒素等の不用な副生成物が、例えば、材料ガスの流
れを制御するために処理基板の保持板に対向して設けら
れた調流壁面や、その他の部位に付着または堆積され
る。この副生成物は、材料ガスの利用効率を低下させた
り、その粉塵が処理基板の被膜層に混入して品質を低下
させる恐れもあるので、これを除去するためにメンテナ
ンスを頻繁に行わねばならず、稼働率が低いといった不
都合があった。また、ヒータを収容するためにヒータの
保持体に設けられた凹所にも防塵板との隙間から材料ガ
スが侵入してヒータの表面等に副生成物が付着し、ヒー
タの効率を低下させるといった不都合があった。
おいては、材料ガスとの接触によって反応室内で生成さ
れる砒素等の不用な副生成物が、例えば、材料ガスの流
れを制御するために処理基板の保持板に対向して設けら
れた調流壁面や、その他の部位に付着または堆積され
る。この副生成物は、材料ガスの利用効率を低下させた
り、その粉塵が処理基板の被膜層に混入して品質を低下
させる恐れもあるので、これを除去するためにメンテナ
ンスを頻繁に行わねばならず、稼働率が低いといった不
都合があった。また、ヒータを収容するためにヒータの
保持体に設けられた凹所にも防塵板との隙間から材料ガ
スが侵入してヒータの表面等に副生成物が付着し、ヒー
タの効率を低下させるといった不都合があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決し
て、副生成物の生成・付着を抑制してメンテナンスを軽
減し、装置の稼働率を高めるために、本発明において
は、材料ガスが供給される反応室内に、処理基板を保持
する保持板と、前記処理基板を加熱するヒータとを設け
た化学的気相成長法による成膜装置において、前記保持
板を、前記処理基板の保持面同士が材料ガスの流路を挟
んで互いに対向するように一対設けると共に、該一対の
保持板の各背面に前記ヒータをそれぞれ配置したものと
した。これにより、互いに対向配置された保持板が互い
に調流壁として作用し、従来、調流壁面の副生成物とな
っていたものが処理基板の生成膜に取って代わるため、
調流壁面の副生成物の除去作業が不要となり、メンテナ
ンスが軽減される。しかも、調流壁面の副生成物の生成
に費やされて無駄になっていた材料ガスの一部が、処理
基板の成膜に利用されるため、材料ガスの利用効率が高
まる。その上、装置を大型化することなく同時に処理可
能な枚数を倍増させることができる。さらに、一対の保
持板を挟んで両側にヒータが配置されるため、反応室内
の温度分布が均一化される。
て、副生成物の生成・付着を抑制してメンテナンスを軽
減し、装置の稼働率を高めるために、本発明において
は、材料ガスが供給される反応室内に、処理基板を保持
する保持板と、前記処理基板を加熱するヒータとを設け
た化学的気相成長法による成膜装置において、前記保持
板を、前記処理基板の保持面同士が材料ガスの流路を挟
んで互いに対向するように一対設けると共に、該一対の
保持板の各背面に前記ヒータをそれぞれ配置したものと
した。これにより、互いに対向配置された保持板が互い
に調流壁として作用し、従来、調流壁面の副生成物とな
っていたものが処理基板の生成膜に取って代わるため、
調流壁面の副生成物の除去作業が不要となり、メンテナ
ンスが軽減される。しかも、調流壁面の副生成物の生成
に費やされて無駄になっていた材料ガスの一部が、処理
基板の成膜に利用されるため、材料ガスの利用効率が高
まる。その上、装置を大型化することなく同時に処理可
能な枚数を倍増させることができる。さらに、一対の保
持板を挟んで両側にヒータが配置されるため、反応室内
の温度分布が均一化される。
【０００５】特に、前記一対の保持板を垂直方向に沿っ
て配置すると好ましい。これにより、一方の保持板に生
成された副生成物等の異物が、他方の保持板に配置され
た処理基板の生成膜上に落下して付着するのを防ぐ。
て配置すると好ましい。これにより、一方の保持板に生
成された副生成物等の異物が、他方の保持板に配置され
た処理基板の生成膜上に落下して付着するのを防ぐ。
【０００６】その上、前記保持板が、複数の前記処理基
板を回転させるターンテーブルであると良い。これによ
り、一対の保持板の各々に保持された複数の処理基板間
の成膜の均一化を図ることができる。
板を回転させるターンテーブルであると良い。これによ
り、一対の保持板の各々に保持された複数の処理基板間
の成膜の均一化を図ることができる。
【０００７】これに加えて、前記一対のターンテーブル
の回転方向を逆にすると好ましい。これにより、一対の
ターンテーブル間を流通する材料ガスがターンテーブル
の回転に随伴して材料ガスと処理基板との接触が不均一
化するのを防ぎ、複数の処理基板への成膜を均一化し得
る。
の回転方向を逆にすると好ましい。これにより、一対の
ターンテーブル間を流通する材料ガスがターンテーブル
の回転に随伴して材料ガスと処理基板との接触が不均一
化するのを防ぎ、複数の処理基板への成膜を均一化し得
る。
【０００８】また、材料ガスが供給される反応室内に、
処理基板を保持する保持板と、前記処理基板を加熱する
ヒータとを設けた化学的気相成長法による成膜装置にお
いて、前記ヒータを収容するべくヒータの保持体に設け
られた凹所を、防塵板で開口部を覆って密封すると共
に、減圧手段によって前記反応室より低圧に保持するよ
うにした。これにより、凹所の内外の圧力差でもって防
塵板がヒータ保持体に圧着され、凹所の気密性が効果的
に高められることから、凹所内への材料ガスの侵入を抑
制することができる。そして、凹所内を略真空状態に保
持することが可能となるため、凹所内面への副生成物の
付着を略完全に防止することができる。
処理基板を保持する保持板と、前記処理基板を加熱する
ヒータとを設けた化学的気相成長法による成膜装置にお
いて、前記ヒータを収容するべくヒータの保持体に設け
られた凹所を、防塵板で開口部を覆って密封すると共
に、減圧手段によって前記反応室より低圧に保持するよ
うにした。これにより、凹所の内外の圧力差でもって防
塵板がヒータ保持体に圧着され、凹所の気密性が効果的
に高められることから、凹所内への材料ガスの侵入を抑
制することができる。そして、凹所内を略真空状態に保
持することが可能となるため、凹所内面への副生成物の
付着を略完全に防止することができる。
【０００９】特に、前記凹所は、複数の棒状をなす前記
ヒータを個別に収容する複数の溝であり、該複数の溝の
開口部を全体的に覆うように前記防塵板を設け、該防塵
板の内面に前記複数の溝の各々の開口縁部を当接させる
と良い。これにより、防塵板が多数の支持点で支持され
るため、内外の圧力差によって防塵板に生じる応力が軽
減され、防塵板の板厚を削減可能となる。
ヒータを個別に収容する複数の溝であり、該複数の溝の
開口部を全体的に覆うように前記防塵板を設け、該防塵
板の内面に前記複数の溝の各々の開口縁部を当接させる
と良い。これにより、防塵板が多数の支持点で支持され
るため、内外の圧力差によって防塵板に生じる応力が軽
減され、防塵板の板厚を削減可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に添付の図面に示された実施
形態に基づいて本発明の構成を詳細に説明する。
形態に基づいて本発明の構成を詳細に説明する。
【００１１】図１は、本発明に基づき構成された化学的
気相成長法による成膜装置の要部を示している。この成
膜装置は、互いに対向して左右に一対設けられた処理基
板１の保持板としてのターンテーブル２・３と、これら
一対のターンテーブル２・３の左右両側にそれぞれ設け
られた処理基板１を加熱するためのヒータユニット４・
５とを有している。これらのターンテーブル２・３並び
にヒータユニット４・５は、図示しない下方にも、ター
ンテーブル２・３の回転中心線Ｃを中心として対称的に
設けられている。
気相成長法による成膜装置の要部を示している。この成
膜装置は、互いに対向して左右に一対設けられた処理基
板１の保持板としてのターンテーブル２・３と、これら
一対のターンテーブル２・３の左右両側にそれぞれ設け
られた処理基板１を加熱するためのヒータユニット４・
５とを有している。これらのターンテーブル２・３並び
にヒータユニット４・５は、図示しない下方にも、ター
ンテーブル２・３の回転中心線Ｃを中心として対称的に
設けられている。
【００１２】左右のターンテーブル２・３は、その中心
において水平方向に設けられた回転軸６・７によって鉛
直平面上を回転可能に支持されており、回転軸６・７に
連結された図示しない回転駆動機構によって回転動作さ
れるようになっている。ターンテーブル２・３の径方向
中間部には、処理基板１に対して化学的に安定なカーボ
ン材等からなるリング状のサセプタ８・９が設けられて
おり、これら左右のサセプタ８・９の各々に、複数の処
理基板１が周方向に複数列んで設けられている。左右の
サセプタ８・９に保持された処理基板１は、互いに成膜
面を対向させて配置されている。
において水平方向に設けられた回転軸６・７によって鉛
直平面上を回転可能に支持されており、回転軸６・７に
連結された図示しない回転駆動機構によって回転動作さ
れるようになっている。ターンテーブル２・３の径方向
中間部には、処理基板１に対して化学的に安定なカーボ
ン材等からなるリング状のサセプタ８・９が設けられて
おり、これら左右のサセプタ８・９の各々に、複数の処
理基板１が周方向に複数列んで設けられている。左右の
サセプタ８・９に保持された処理基板１は、互いに成膜
面を対向させて配置されている。
【００１３】図中左側のターンテーブル２の筒状をなす
回転軸６の内部には、これと同軸的に材料ガスの導入管
１０が挿設されており、図示しないガス供給装置から供
給された材料ガスが、導入管１０の開口から噴出され、
矢印に示すように、左右のターンテーブル２・３間の流
路を軸心から半径方向に流動しながら、処理基板１に対
して所定の化学反応を生じさせ、処理基板１の表面に材
料ガスの性状に応じた被膜が生成される。その後、材料
ガスは、処理基板１との化学反応による副生成ガスを伴
って、左右のヒータユニット４・５の外周部から延出さ
れたガイド部材１１・１２間の間隙を通って、図示しな
い回収口から系外に排出される。
回転軸６の内部には、これと同軸的に材料ガスの導入管
１０が挿設されており、図示しないガス供給装置から供
給された材料ガスが、導入管１０の開口から噴出され、
矢印に示すように、左右のターンテーブル２・３間の流
路を軸心から半径方向に流動しながら、処理基板１に対
して所定の化学反応を生じさせ、処理基板１の表面に材
料ガスの性状に応じた被膜が生成される。その後、材料
ガスは、処理基板１との化学反応による副生成ガスを伴
って、左右のヒータユニット４・５の外周部から延出さ
れたガイド部材１１・１２間の間隙を通って、図示しな
い回収口から系外に排出される。
【００１４】材料ガスは、ターンテーブル２の中心の導
入管１０の開口から周方向に均等に噴出されるが、ヒー
タユニット４・５で熱せられて上昇傾向で拡散する。こ
のような材料ガスに対し、ターンテーブル２・３の回転
に伴って、上下に位置する処理基板１が順次入れ替わる
ため、複数の処理基板１に材料ガスを均等に接触させて
成膜を均一化することができる。また、左右のターンテ
ーブル２・３を互いに異なる方向に回転させるようにす
ると、処理基板１に対して新鮮な材料ガスを均等に接触
させることができる。
入管１０の開口から周方向に均等に噴出されるが、ヒー
タユニット４・５で熱せられて上昇傾向で拡散する。こ
のような材料ガスに対し、ターンテーブル２・３の回転
に伴って、上下に位置する処理基板１が順次入れ替わる
ため、複数の処理基板１に材料ガスを均等に接触させて
成膜を均一化することができる。また、左右のターンテ
ーブル２・３を互いに異なる方向に回転させるようにす
ると、処理基板１に対して新鮮な材料ガスを均等に接触
させることができる。
【００１５】ヒータユニット４・５は、リング状に曲成
された複数のヒータ１３と、これらのヒータ１３を個別
に収容するヒータ収容溝１４がターンテーブル２・３と
の対向面１５ａに複数凹設されたヒータ保持体１５と、
ヒータ収容溝１４の開口を閉止するべくヒータ保持体１
５に被着された防塵板１６とからなっている。複数のヒ
ータ収容溝１４は、ターンテーブル２・３の回転中心線
Ｃを中心にして同心円状に設けられており、各々に対応
した径の異なるヒータ１３がそれぞれ収容されている。
ヒータ１３には、反応室Ａを所要の温度に加熱する容量
を備えた赤外線ランプ等が用いられる。
された複数のヒータ１３と、これらのヒータ１３を個別
に収容するヒータ収容溝１４がターンテーブル２・３と
の対向面１５ａに複数凹設されたヒータ保持体１５と、
ヒータ収容溝１４の開口を閉止するべくヒータ保持体１
５に被着された防塵板１６とからなっている。複数のヒ
ータ収容溝１４は、ターンテーブル２・３の回転中心線
Ｃを中心にして同心円状に設けられており、各々に対応
した径の異なるヒータ１３がそれぞれ収容されている。
ヒータ１３には、反応室Ａを所要の温度に加熱する容量
を備えた赤外線ランプ等が用いられる。
【００１６】ヒータ収容溝１４の内面には、所要の鏡面
処理が施されており、ヒータ１３の発する熱線を反射す
るリフレクタの役割を持たせている。ヒータ収容溝１４
の開口を閉止する防塵板１６は、ヒータ１３の発する熱
線を透過可能で、かつ所要の強度を有する石英ガラスか
らなっている。この防塵板１６は、リング状をなし、そ
の内外の周縁部に一対、ヒータ収容溝１４の気密性を高
めるためのシール材１７・１８が設けられている。
処理が施されており、ヒータ１３の発する熱線を反射す
るリフレクタの役割を持たせている。ヒータ収容溝１４
の開口を閉止する防塵板１６は、ヒータ１３の発する熱
線を透過可能で、かつ所要の強度を有する石英ガラスか
らなっている。この防塵板１６は、リング状をなし、そ
の内外の周縁部に一対、ヒータ収容溝１４の気密性を高
めるためのシール材１７・１８が設けられている。
【００１７】ヒータ収容溝１４は、所要の管路１９を介
して真空ポンプ２０に接続されており、ヒータ収容溝１
４内を反応室Ａに比較して低圧に保持するようになって
いる。例えば、減圧ＣＶＤ法によって反応室Ａ内の圧力
を１０-2Ｔｏｒｒとした場合、ヒータ収容溝１４内の圧
力は、１０-3Ｔｏｒｒに保持される。これにより、ヒー
タ収容溝１４と反応室Ａとの圧力差でもって防塵板１６
がヒータ保持体１５に圧着され、ヒータ収容溝１４の気
密性が効果的に高められる。
して真空ポンプ２０に接続されており、ヒータ収容溝１
４内を反応室Ａに比較して低圧に保持するようになって
いる。例えば、減圧ＣＶＤ法によって反応室Ａ内の圧力
を１０-2Ｔｏｒｒとした場合、ヒータ収容溝１４内の圧
力は、１０-3Ｔｏｒｒに保持される。これにより、ヒー
タ収容溝１４と反応室Ａとの圧力差でもって防塵板１６
がヒータ保持体１５に圧着され、ヒータ収容溝１４の気
密性が効果的に高められる。
【００１８】また、ヒータ収容溝１４の開口縁部の端
面、すなわちターンテーブル２・３との対向面１５ａ
が、防塵板１６の内面に当接されており、これによって
防塵板１６が多点支持され、ヒータ収容溝１４の内外の
圧力差によって防塵板１６に生じる応力を軽減してい
る。
面、すなわちターンテーブル２・３との対向面１５ａ
が、防塵板１６の内面に当接されており、これによって
防塵板１６が多点支持され、ヒータ収容溝１４の内外の
圧力差によって防塵板１６に生じる応力を軽減してい
る。
【００１９】なお、左右のターンテーブル２・３の一
方、例えば、右側のターンテーブル３を軸線方向に移動
可能に構成し、左側のターンテーブル２に対して近接ま
たは離間するようにしても良い。このようにすると、特
願平８−７５１３４号にて本件出願人が先に提案した化
学的気相成長法による成膜装置と同様に、最適条件で能
率的且つ安価に各種の成膜を行うことができる。
方、例えば、右側のターンテーブル３を軸線方向に移動
可能に構成し、左側のターンテーブル２に対して近接ま
たは離間するようにしても良い。このようにすると、特
願平８−７５１３４号にて本件出願人が先に提案した化
学的気相成長法による成膜装置と同様に、最適条件で能
率的且つ安価に各種の成膜を行うことができる。
【００２０】
【発明の効果】このように本発明によれば、互いに対向
配置された保持板が調流壁として作用し、従来、処理基
板に対向して設けられた調流壁面の副生成物となってい
たものが処理基板の生成膜に取って代わるため、調流壁
面の副生成物の除去作業が不要となり、メンテナンスを
軽減する上で大きな効果がある。しかも、調流壁面の副
生成物の生成に費やされて従来無駄になっていた材料ガ
スの一部が、処理基板の成膜に利用されるため、材料ガ
スの利用効率が高まる。その上、装置を大型化すること
なく同時に処理可能な枚数を倍増させることができ、生
産性を高めるといった利点が得られる。さらに、一対の
保持板を挟んで両側にヒータが配置されるため、反応室
内の温度分布が均一化し、生成膜の品質を高める上で極
めて顕著な効果がある。
配置された保持板が調流壁として作用し、従来、処理基
板に対向して設けられた調流壁面の副生成物となってい
たものが処理基板の生成膜に取って代わるため、調流壁
面の副生成物の除去作業が不要となり、メンテナンスを
軽減する上で大きな効果がある。しかも、調流壁面の副
生成物の生成に費やされて従来無駄になっていた材料ガ
スの一部が、処理基板の成膜に利用されるため、材料ガ
スの利用効率が高まる。その上、装置を大型化すること
なく同時に処理可能な枚数を倍増させることができ、生
産性を高めるといった利点が得られる。さらに、一対の
保持板を挟んで両側にヒータが配置されるため、反応室
内の温度分布が均一化し、生成膜の品質を高める上で極
めて顕著な効果がある。
【００２１】特に、一対の保持板を垂直方向に沿って配
置すると、一方の保持板に生成された副生成物等の異物
が、他方の保持板に配置された処理基板の生成膜上に落
下して付着するのを防ぐことができる。
置すると、一方の保持板に生成された副生成物等の異物
が、他方の保持板に配置された処理基板の生成膜上に落
下して付着するのを防ぐことができる。
【００２２】さらに、保持板が、複数の処理基板を回転
させるターンテーブルであると、一対の保持板の各々に
保持された複数の処理基板への成膜を均一化し得る。特
に、上記のように一対の保持板を左右に対向配置した場
合に、成膜の均一化を図り、生産性を高める上で大きな
効果がある。
させるターンテーブルであると、一対の保持板の各々に
保持された複数の処理基板への成膜を均一化し得る。特
に、上記のように一対の保持板を左右に対向配置した場
合に、成膜の均一化を図り、生産性を高める上で大きな
効果がある。
【００２３】これに加えて、一対のターンテーブルの回
転方向を逆にすると好ましい。これにより、一対のター
ンテーブル間を流通する材料ガスがターンテーブルの回
転に随伴して材料ガスと処理基板との接触が不均一化す
るのを防ぎ、複数の処理基板への成膜を均一化し得る。
転方向を逆にすると好ましい。これにより、一対のター
ンテーブル間を流通する材料ガスがターンテーブルの回
転に随伴して材料ガスと処理基板との接触が不均一化す
るのを防ぎ、複数の処理基板への成膜を均一化し得る。
【００２４】また、ヒータが収容される凹所内をその外
側の反応室に比較して低圧に保持すると、凹所の内外の
圧力差でもって防塵板をヒータの保持体に圧着させるこ
とができ、凹所の気密性が効果的に高められ、凹所内へ
の材料ガスの侵入を抑制することができる。そして、凹
所内を略真空状態に保持することが可能となるため、凹
所内面への副生成物の付着を略完全に防止することがで
きる。
側の反応室に比較して低圧に保持すると、凹所の内外の
圧力差でもって防塵板をヒータの保持体に圧着させるこ
とができ、凹所の気密性が効果的に高められ、凹所内へ
の材料ガスの侵入を抑制することができる。そして、凹
所内を略真空状態に保持することが可能となるため、凹
所内面への副生成物の付着を略完全に防止することがで
きる。
【００２５】特に、棒状のヒータを収容する凹所とし
て、ヒータの保持体に複数の溝を形成し、該複数の溝の
縁部を防塵板に当接させるようにすると、防塵板が多数
の支持点で支持されるため、内外の圧力差によって防塵
板に生じる応力が軽減され、防塵板の板厚を削減し得
る。これにより、処理基板とヒータとの離間距離が短縮
され、加熱分解能や高温性能等の加熱性能を向上させる
ことができる。
て、ヒータの保持体に複数の溝を形成し、該複数の溝の
縁部を防塵板に当接させるようにすると、防塵板が多数
の支持点で支持されるため、内外の圧力差によって防塵
板に生じる応力が軽減され、防塵板の板厚を削減し得
る。これにより、処理基板とヒータとの離間距離が短縮
され、加熱分解能や高温性能等の加熱性能を向上させる
ことができる。
【図１】本発明に基づき構成された化学的気相成長法に
よる成膜装置を示す要部断面図。
よる成膜装置を示す要部断面図。
１ 処理基板 ２・３ ターンテーブル ４・５ ヒータユニット ６・７ 回転軸 ８・９ サセプタ １０ 材料ガスの導入管 １１・１２ ガイド部材 １３ ヒータ １４ ヒータ収容溝 １５ ヒータ保持体 １６ 防塵板 １７・１８ シール材 １９ 管路 ２０ 真空ポンプ Ａ 反応室 Ｃ ターンテーブルの回転中心線
Claims (6)
- 【請求項１】 材料ガスが供給される反応室内に、処
理基板を保持する保持板と、前記処理基板を加熱するヒ
ータとを設けた化学的気相成長法による成膜装置であっ
て、 前記保持板を、前記処理基板の保持面同士が材料ガスの
流路を挟んで互いに対向するように一対設けると共に、
該一対の保持板の各背面に前記ヒータをそれぞれ配置し
たことを特徴とする化学的気相成長法による成膜装置。 - 【請求項２】 前記一対の保持板を垂直方向に沿って
配置したことを特徴とする請求項１に記載の化学的気相
成長法による成膜装置。 - 【請求項３】 前記保持板が、複数の前記処理基板を
回転させるターンテーブルであることを特徴とする請求
項１若しくは請求項２に記載の化学的気相成長法による
成膜装置。 - 【請求項４】 前記一対のターンテーブルの回転方向
を逆にしたことを特徴とする請求項３に記載の化学的気
相成長法による成膜装置。 - 【請求項５】 材料ガスが供給される反応室内に、処
理基板を保持する保持板と、前記処理基板を加熱するヒ
ータとを設けた化学的気相成長法による成膜装置であっ
て、 前記ヒータを収容するべくヒータの保持体に設けられた
凹所を、防塵板で開口部を覆って密封すると共に、減圧
手段によって前記反応室より低圧に保持するようにした
ことを特徴とする化学的気相成長法による成膜装置。 - 【請求項６】 前記凹所は、複数の棒状をなす前記ヒ
ータを個別に収容する複数の溝であり、該複数の溝の開
口部を全体的に覆うように前記防塵板を設け、該防塵板
の内面に前記複数の溝の各々の開口縁部を当接させたこ
とを特徴とする請求項５に記載の化学的気相成長法によ
る成膜装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8277164A JPH10102257A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 化学的気相成長法による成膜装置 |
| US09/280,891 US6106628A (en) | 1996-09-27 | 1999-03-29 | Heater unit for chemical vapor deposition systems |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8277164A JPH10102257A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 化学的気相成長法による成膜装置 |
| US09/280,891 US6106628A (en) | 1996-09-27 | 1999-03-29 | Heater unit for chemical vapor deposition systems |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10102257A true JPH10102257A (ja) | 1998-04-21 |
Family
ID=26552283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8277164A Pending JPH10102257A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 化学的気相成長法による成膜装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6106628A (ja) |
| JP (1) | JPH10102257A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228174B1 (en) | 1999-03-26 | 2001-05-08 | Ichiro Takahashi | Heat treatment system using ring-shaped radiation heater elements |
| JP2007096280A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-04-12 | Japan Pionics Co Ltd | 気相成長装置 |
| JP2007254821A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Kaneka Corp | 透明導電膜付基板の製造方法、及び該製造方法を備える装置 |
| JP2009516375A (ja) * | 2005-11-11 | 2009-04-16 | ディーエスジー テクノロジーズ | 熱加工システム、部品、および方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3298001B2 (ja) * | 1998-07-27 | 2002-07-02 | 株式会社スーパーシリコン研究所 | エピタキシャル成長炉 |
| US7090727B2 (en) * | 2001-08-17 | 2006-08-15 | Micron Technology, Inc. | Heated gas line body feedthrough for vapor and gas delivery systems and methods for employing same |
| US20050217799A1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-06 | Tokyo Electron Limited | Wafer heater assembly |
| EP2449595B1 (en) | 2009-06-30 | 2017-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US9570328B2 (en) | 2010-06-30 | 2017-02-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for use with multi-zonal heating sources |
| DE102011115841A1 (de) | 2010-11-19 | 2012-05-24 | Heraeus Noblelight Gmbh | Bestrahlungsvorrichtung |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3707672A1 (de) * | 1987-03-10 | 1988-09-22 | Sitesa Sa | Epitaxieanlage |
| US5198034A (en) * | 1987-03-31 | 1993-03-30 | Epsilon Technology, Inc. | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment |
| US5133284A (en) * | 1990-07-16 | 1992-07-28 | National Semiconductor Corp. | Gas-based backside protection during substrate processing |
| EP0628644B1 (en) * | 1993-05-27 | 2003-04-02 | Applied Materials, Inc. | Improvements in or relating to susceptors suitable for use in chemical vapour deposition devices |
| US5554224A (en) * | 1994-03-31 | 1996-09-10 | Foltyn; Steve R. | Substrate heater for thin film deposition |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP8277164A patent/JPH10102257A/ja active Pending
-
1999
- 1999-03-29 US US09/280,891 patent/US6106628A/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228174B1 (en) | 1999-03-26 | 2001-05-08 | Ichiro Takahashi | Heat treatment system using ring-shaped radiation heater elements |
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| JP2009516375A (ja) * | 2005-11-11 | 2009-04-16 | ディーエスジー テクノロジーズ | 熱加工システム、部品、および方法 |
| JP2007254821A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Kaneka Corp | 透明導電膜付基板の製造方法、及び該製造方法を備える装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6106628A (en) | 2000-08-22 |
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