TWM558256U - 晶片載體及化學氣相沉積裝置或外延生長裝置 - Google Patents

Abstract

一種晶片載體，包括：本體，該本體具有彼此相對佈置的頂表面和底表面，頂表面包括具有圓形輪廓的周緣；複數呈圓形的具有第一直徑的凹穴，其設置在晶片載體的頂表面的周緣內且以圓形輪廓的圓心為圓心呈兩個同心圓分佈，複數具有第一直徑的凹穴中的第一部分凹穴均勻且相互外切地佈置在兩個同心圓的第一同心圓中，複數具有第一直徑的凹穴中的第二部分凹穴均勻且相互外切地佈置在兩個同心圓的第二同心圓中，第一同心圓位於第二同心圓內部；並且在頂表面的周緣內還包括複數具有第二直徑的呈圓形的第三部分凹穴，每一個第三部分凹穴位於由第二部分凹穴中的相切的兩個凹穴和相鄰的第一部分凹穴中的兩個凹穴之間的空間內，第二直徑小於第一直徑。

Description

晶片載體及化學氣相沉積裝置或外延生長裝置

本創作總體涉及半導體製造技術，尤其涉及化學氣相沉積或外延生長技術及相關設備，用於在製程期間保持半導體晶片和進行晶片技術生長。更具體地，本申請涉及用於在高溫處理期間在真空系統內支撐晶片的晶片載體，所公開的晶片載體尤其有利於高溫真空處理，例如金屬氣相沉積(MOCVD)製程處理。

在MOCVD處理反應腔中，在其上生長薄膜層的半導體晶片被放置於快速旋轉的晶片載體上，以使它們的表面均勻暴露於反應氣體氣氛中，用以沉積半導體材料。晶片載體典型地是由諸如石墨等高導熱材料機械加工出來的，並且通常塗覆有諸如碳化矽材料的保護層。每個晶片載體具有多外圓形凹部或凹穴，每一個凹部或凹穴中放置有單片的晶片。

在反應腔內，晶片載體被放置在可旋轉軸上，受其支撐並共同快速旋轉。當旋轉軸旋轉時，反應氣體被向下引導到該晶片載體的頂表面上並且經過該頂表面流向該晶片載體的外周。藉由設置在該晶片載體下方的排氣口從反應腔中排出所使用的氣體。藉由加熱元件將該晶片載體保持在所希望的高溫度下。

在MOCVD製程處理中，為了獲得所期望之晶體生長，必須控制諸如溫度、壓強和氣體流速等製程參數。尤其，晶片溫度均勻性是重要考量因素。 導致溫度非均勻性形成的一個可變因素是晶片載體頂表面上的凹穴的形狀和分佈，在晶片載體高速旋轉時，凹穴的形狀和分佈也會影響反應氣體的流動，並最終對晶體生長的品質造成影響。

此外，為了增加MOCVD製程的生產量，需要在晶片載體上盡可能地放置更多的晶片，但這需要在晶片凹穴的數量、佈局、形狀、熱傳遞、溫度均勻控制、對氣體流動的影響等多方面作出優化和平衡。

習知技術中，已有人作出一定的努力，比如中國專利號CN205335232中揭示了一種晶片載體，但其設計在實際使用時並不理想，如圖1所示，在其晶片載體142的頂表面148上，晶片凹穴162排布的佈局並不緊湊，頂表面148上留有大量的間隙(指沒有排布晶片凹穴)，不僅使得晶片載體的晶片製程生產量低，而且，會導致晶片載體的頂表面148的溫度不均勻，且晶片與晶片之間的空隙較大，在晶片載體高速旋轉時，會使得氣體流動不均勻，結果會產生晶片前緣(leading edge)晶體生長不均勻問題而導致低良率，即在每個晶片的旋轉前緣處的晶體生長與在晶片其餘部分上的生長不同；此外，晶片與晶片之間的空隙較大也會導致反應氣體的浪費，從而增加生產成本。

因此，業界需要提供一種更加實用的晶片載體方案，其不僅能實現高密度晶片佈局，從而提高晶片的生產量和減少反應氣體浪費，而且可以具有較佳的溫度均勻性和反應氣體均勻性。

本創作的目的之一在於提供一種新型的晶片載體，其不僅能實現高密度的晶片佈局，從而提高晶片的生產量，而且可以具有較佳的溫度均勻性和反應氣體均勻性，從而提高製程生長的良率。

為了實現上述創作目的，根據本創作的一個方面，本創作提供一種晶片載體，該晶片載體適用於化學氣相沉積裝置或外延生長裝置，其晶片載體包括：本體，該本體具有彼此相對佈置的頂表面和底表面，頂表面包括具有圓形輪廓的周緣；複數呈圓形的具有第一直徑的凹穴，其設置在晶片載體的頂表面的周緣內且以圓形輪廓的圓心為圓心呈兩個同心圓分佈，複數具有第一直徑的凹穴中的第一部分凹穴均勻且相互外切地佈置在兩個同心圓的第一同心圓中，複數具有第一直徑的凹穴中的第二部分凹穴均勻且相互外切地佈置在兩個同心圓的第二同心圓中，第一同心圓位於第二同心圓內部；並且第二部分凹穴中的任意相鄰的兩個凹穴與位於其內側的相鄰的第一部分凹穴中的一個凹穴的排布方式為：該三個凹穴所確定的三個圓外切，且三個圓的圓心連線構成正三角形。

較佳地，頂表面的周緣內的中心區域還包括一個呈圓形的中心凹穴，其直徑與第一直徑相同，中心凹穴位於第一同心圓所包圍的區域內且與第一同心圓中的每一個凹穴相互外切。

較佳地，在頂表面的周緣內還包括複數具有第二直徑的呈圓形的第三部分凹穴，每一個第三部分凹穴位於由第二部分凹穴中的相切的兩個凹穴和相鄰的第一部分凹穴中的兩個凹穴之間的空間內，第二直徑小於第一直徑。

較佳地，頂表面的周緣內的中心區域還包括一個呈圓形的以圓形輪廓的圓心為圓心的具有第三直徑的中心凹穴，第三直徑小於第一直徑，在第三直徑的中心凹穴與第一部分的凹穴之間還設置有複數呈圓形的第四部分凹 穴，每一個第四部分凹穴與相鄰的具有第三直徑的中心凹穴和第一部分的凹穴中的兩個凹穴相互外切。

較佳地，頂表面的周緣內的中心區域還包括一個呈圓形的以圓形輪廓的圓心為圓心的具有第三直徑的中央區，第三直徑小於第一直徑，在第三直徑的中央區與第一部分的凹穴之間還設置有複數呈圓形的第四部分凹穴，每一個第四部分凹穴與相鄰的具有第三直徑的中央區和第一部分的凹穴中的兩個凹穴相互外切，中央區不設置凹穴。

較佳地，第四部分凹穴的直徑與第二直徑相等或不相等。

較佳地，第一部分凹穴的數量為6，第二部分凹穴的數量為12。

較佳地，第一部分凹穴和第二部分凹穴的每一個凹穴的直徑大小範圍為150-152毫米之間。

較佳地，頂表面的具有圓形輪廓的周緣的直徑為770毫米-800毫米。

較佳地，第二直徑大小範圍為50-60毫米。

較佳地，複數具有第一直徑的凹穴用於放置待處理的晶片，第三部分凹穴內用於放置待處理的晶片或與待處理的晶片尺寸和形狀相同的晶片類似物(dummy)。

較佳地，晶片載體還包括佈置在底表面中心區域的凹槽。

較佳地，晶片載體還包括佈置在底表面的鎖定特徵部。

較佳地，鎖定特徵部佈置在底表面的幾何中心處。

較佳地，鎖定特徵部選自由花鍵、卡盤或鎖控配件組成的組中。

為了實現本創作目的，根據本創作的一個方面，本創作提供一種化學氣相沉積裝置或外延生長裝置，包括如上文的晶片載體。

較佳地，所述裝置還包括可旋轉旋轉軸，晶片載體可拆卸地定位在可旋轉旋轉軸上。

為了實現本創作目的，根據本創作的一個方面，本創作提供一種晶片載體，該晶片載體適用於化學氣相沉積裝置或外延生長裝置，晶片載體包括：

本體，該本體具有彼此相對佈置的頂表面和底表面，頂表面包括具有圓形輪廓的周緣；複數呈圓形的具有第一直徑的凹穴，其設置在晶片載體的頂表面的周緣內且以圓形輪廓的圓心為圓心呈兩個同心圓分佈，複數具有第一直徑的凹穴中的第一部分凹穴均勻且相互外切地佈置在兩個同心圓的第一同心圓中，複數具有第一直徑的凹穴中的第二部分凹穴均勻且相互外切地佈置在兩個同心圓的第二同心圓中，第一同心圓位於第二同心圓內部；並且在頂表面的周緣內還包括複數具有第二直徑的呈圓形的第三部分凹穴，每一個第三部分凹穴位於由第二部分凹穴中的相切的兩個凹穴和相鄰的第一部分凹穴中的兩個凹穴之間的空間內，第二直徑小於第一直徑。

較佳地，頂表面的周緣內的中心區域還包括一個呈圓形的中心凹穴，其直徑與第一直徑相同，中心凹穴位於第一同心圓所包圍的區域內且與第一同心圓中的每一個凹穴相互外切。

較佳地，頂表面的周緣內的中心區域還包括一個呈圓形的以圓形輪廓的圓心為圓心的具有第三直徑的中央區，第三直徑小於第一直徑，在第三 直徑的中央區與第一部分的凹穴之間還設置有複數呈圓形的第四部分凹穴，每一個第四部分凹穴與相鄰的具有第三直徑的中央區和第一部分的凹穴中的兩個凹穴相互外切，中央區不設置凹穴。

較佳地，第四部分凹穴的直徑與第二直徑相等或不相等。

較佳地，第一部分凹穴的數量為6，第二部分凹穴的數量為12。

較佳地，第一部分凹穴和第二部分凹穴的每一個凹穴的直徑大小範圍為150-152毫米之間。

較佳地，第二直徑大小範圍為50-60毫米，較佳地為51.28毫米。

為了實現本創作目的，根據本創作的一個方面，本創作提供一種化學氣相沉積裝置或外延生長裝置，包括如上文的晶片載體。

本創作所提供的晶片載體具有諸多優點：本創作提供一種晶片載體新型的凹穴佈置，該佈置便於熱傳輸，實現溫度均勻和氣體反應均勻，減少反應氣體浪費，還能實現用於晶片生長的凹穴的高填充密度。

1‧‧‧反應腔室

100‧‧‧晶片載體

101‧‧‧本體

102‧‧‧晶片載體

103‧‧‧頂表面

104‧‧‧晶片載體

106‧‧‧晶片載體

107‧‧‧周緣

109‧‧‧中心區域

110‧‧‧凹穴

110a‧‧‧第一部分凹穴

110b‧‧‧第二部分凹穴

112‧‧‧中心凹穴

114‧‧‧第三部分凹穴

116‧‧‧第四部分凹穴

118‧‧‧第三直徑的中心凹穴

142‧‧‧晶片載體

148‧‧‧頂表面

162‧‧‧凹穴

2‧‧‧旋轉軸

22‧‧‧三個圓的圓心連線構成正三角形

21‧‧‧頂部

24‧‧‧空間

3‧‧‧晶片載體

3a‧‧‧頂表面

3b‧‧‧底表面

5‧‧‧中央凹部

6a‧‧‧加熱器

6b‧‧‧加熱器

C1‧‧‧同心圓

C2‧‧‧同心圓

C3‧‧‧第三同心圓

M‧‧‧旋轉機構

O‧‧‧圓心

P‧‧‧傳送口

本說明書中包含的圖式，作為本說明書的一部分，示出了本創作的實施方式，並與說明書一起用於解釋和描述本創作的原理和實施。圖式旨在以一種概略的方式描繪所述實施例的主要特徵。圖式的目的並不在於描述實際實施方式的每一詳細特徵，也不在於描繪所述元件的真正尺寸，並且元件不是按比例繪製。

圖1示出習知技術中的晶片載體的示意圖。

圖2示出了運用本創作所提供的各實施例的晶片載體的反應器或反應裝置的示意圖。

圖3示出了圖2所示晶片載體的底表面示意圖。

圖4為本創作所提供的晶片載體的一種實施例的俯視示意圖。

圖5為本創作所提供的晶片載體的另一種實施例的俯視示意圖。

圖6為本創作所提供的晶片載體的另一種實施例的俯視示意圖。

圖7為本創作所提供的晶片載體的另一種實施例的俯視示意圖。

圖2示出了運用本創作所提供的各實施例的晶片載體的反應器或反應裝置。該反應器可以用於化學氣相沉積或外延層生長，然而，應當理解，不限於此。如圖2所示，反應器或反應裝置包括反應腔室1，其中設置有至少一個晶片載體3和用於支撐晶片載體3的旋轉軸2。在反應腔室1的側壁中設置有傳送口P，晶片載體3藉由該傳送口P傳送到反應腔室1中和從反應腔室1中傳送出來。晶片載體3包括用於將數個待處理晶片放置在其上的頂表面3a和底表面3b。頂表面3a設置有數個用於放置待處理晶片(未示出)的凹穴(未示出)。晶片載體3的底表面3b設置有部分朝頂表面3a延伸的中央凹部5(如圖3所示)，其用於插入旋轉軸的頂部21。

通常，在反應腔室1中進行晶片處理之前，晶片載體3位於反應腔室1的外部，並且將數個待處理的晶片(未示出)預先放置在晶片載體3上。然後，藉由機器人或其它手段將晶片載體3經傳送口P傳送到反應腔室1中，再將晶片載體3可拆卸地放置在旋轉軸2上並由其支撐，從而準備好進行晶片處理。在整個後續晶片處理期間，晶片載體3由旋轉軸2支撐。旋轉軸2還連接至包括電機的旋轉機構M。在處理過程中，旋轉機構M驅動旋轉軸2旋轉，其進而強制或驅動晶片載體3旋轉。使用一個或更複數加熱器6a、6b將晶片加熱至高溫。例如，在 550-1200℃下進行III-V層的生長。在完成晶片處理之後，停止旋轉機構M的旋轉，使得旋轉軸2和晶片載體3不再旋轉。藉由機器人或其它手段將晶片載體3與旋轉軸2分開，然後藉由傳送口P將晶片載體3送出反應腔室1。

前述之晶片載體3與旋轉軸2還可以選擇性地包括同步運動配合結構(未圖示)。其同步運動配合結構可以包括一個突出部(未圖示)和一個與之對應的凹槽(未圖示)，突出部和凹陷部分別設置在旋轉軸2的頂部21和晶片載體3的底表面3b上或相反設置。該設計可以參考本申請人先前申請的第CN201220056049.5號之中國專利，該專利中的各實施例均可以運用至本申請中的各實施例中。

較佳地，晶片載體3包括佈置在底表面3b上的鎖定特徵部(未圖示)。其鎖定特徵部佈置在底表面的幾何中心處。鎖定特徵部可以為花鍵、卡盤或鎖控配件(未圖示)。

圖4為本創作所提供的晶片載體的一種實施例，該晶片載體適用於前述的化學氣相沉積裝置或外延生長裝置。如圖4所示，晶片載體100包括：本體101，該本體101具有彼此相對佈置的頂表面103和底表面(未圖示)，頂表面103包括具有圓形輪廓的周緣107，複數呈圓形的具有第一直徑的凹穴110，其設置在晶片載體的頂表面103的周緣107內且以圓形輪廓的圓心0為圓心呈兩個同心圓C1、C2分佈，複數具有第一直徑的凹穴110中的第一部分凹穴110a均勻且相互外切地佈置在兩個同心圓的第一同心圓C1中，複數具有第一直徑的凹穴110中的第二部分凹穴110b均勻且相互外切地佈置在兩個同心圓的第二同心圓C2中，第一同心圓C1位於第二同心圓C2內部；並且第二部分凹穴110b中的任意相鄰的兩個凹穴110b與位於其內側的相鄰的第一部分凹穴110a中的一個凹穴110a 的排布方式為：該三個凹穴所確定的三個圓外切，且三個圓的圓心連線構成正三角形(如圖示號22所示)。

較佳地，圖4中前述第一部分凹穴110a的數量為6，第二部分凹穴110b的數量為12。第一部分凹穴110a和第二部分凹穴110b的每一個凹穴的直徑大小範圍為150-152毫米之間，較佳地為150.8毫米。頂表面103的具有圓形輪廓的周緣107的直徑為770至800毫米之間。

藉由前述晶片載體上的凹穴佈局，可以在同樣尺寸大小和面積的晶片載體的圓形區域內盡可能多地、緊湊地排布複數晶片，一方面可以提高每一個晶片載體的晶片的產量和生產率，另外一方面，由於晶片在晶片載體上排布均勻、緊湊，晶片載體的頂表面103上沒有放置晶片的區域被大大地減少，且頂表面103上的晶片以同心圓方式均勻分佈並盡可能地相切，從而有利於晶片上方的反應氣流密度在晶片載體高速旋轉時更加均勻，也會顯著改善整個晶片載體上的溫度傳導和分佈的均勻性，二者共同作用，會大大地改善晶片製程處理時的良率。當整個晶片載體的頂表面上盡可能更多、且有規則地、緊湊地設置可放置晶片的凹穴時，這些有益效果將會更加明顯，可以藉由下述各實施描述可知。

圖5為本創作所提供的晶片載體的另一種實施例。圖5所示實施例與圖4所示實施例大體相同，為了說明方便，二者相同的部件用相同的圖式編號表示。在圖4所示的實施例中，晶片載體的頂表面103的周緣107內的中心區域109上沒有設置用於放置晶片的凹穴。在圖5所示的晶片載體102中，在其頂表面的周緣107內的中心區域109還包括一個呈圓形的中心凹穴112，其直徑與前述的第一直徑相同，中心凹穴112位於第一同心圓C1所包圍的區域內且與前述第一同心 圓C1中的每一個凹穴110a相互外切。可以選擇地，中心凹穴112內可以放置與前述複數呈圓形的具有第一直徑的凹穴110(110a、110b)內一樣的待處理晶片，也可以放置與待處理晶片的尺寸和形狀相同的晶片類似物(dummy wafer)。若在該中心區域放置待處理晶片，可以增加生產量，並改善氣流在此處的均勻性和在此處的溫度均勻性；若在此處放置與待處理晶片的尺寸和形狀相同的晶片類似物(dummy wafer)，也可以改善氣流在此處的均勻性和此處的溫度均勻性。

較佳地，圖5中前述第一部分凹穴110a的數量為6，第二部分凹穴110b的數量為12。第一部分凹穴110a、第二部分凹穴110b、中心凹穴112中的每一個凹穴的直徑大小範圍為150-152毫米之間，較佳地為150.8毫米。頂表面103的具有圓形輪廓的周緣107的直徑為770毫米-800毫米。

為了進一步提高生產量、改善氣流在晶片上方的均勻性和晶片被加熱的溫度均勻性，本創作還可以作如圖6、圖7所示的變形。同樣地，圖6所示實施例與圖4或圖5所示實施例大體相同，為了說明方便，二者相同的部件用相同的圖式編號表示。

如圖6所示，在晶片載體104的頂表面的周緣107內還包括複數具有第二直徑的呈圓形的第三部分凹穴114，每一個第三部分凹穴114位於由第二部分凹穴110b中的相切的兩個凹穴110b和相鄰的第一部分凹穴110a中的兩個凹穴110a之間的空間24內，第三部分凹穴114均勻且相互外切地佈置在以前述圓形輪廓的圓心0為圓心的第三同心圓C3中，第二直徑小於第一直徑。較佳地，第二直徑大小範圍為50-60毫米，較佳地為51.28毫米。可選擇地，該第三部分凹穴114內可以放置具有第二直徑尺寸的待處理晶片，也可以放置或與待處理晶片的尺寸和形狀相同的晶片類似物(dummy wafer)。在第三部分凹穴114內放置待處 理晶片，可以增加生產量，並改善氣流在此處的均勻性和在此處的溫度均勻性；若在此處放置待處理晶片的尺寸和形狀相同的晶片類似物(dummy wafer)，也可以改善氣流在此處的均勻性和此處的溫度均勻性。

應當理解，圖6所示的實施例中，中心凹穴112也可以變形為像圖4所示的實施例，即，在晶片載體的頂表面的周緣107內的中心區域109上不設置用於放置晶片的凹穴。

較佳地，圖6及其變形實施例中，第一部分凹穴110a的數量為6，第二部分凹穴110b的數量為12，第三部分凹穴114的數量為6。第一部分凹穴110a、第二部分凹穴110b、中心凹穴112中的每一個凹穴的直徑大小範圍為150-152毫米，較佳地為150.8毫米；第三部分凹穴114的直徑大小範圍為50-60毫米，較佳地為51.28毫米。頂表面103的具有圓形輪廓的周緣107的直徑為770毫米-800毫米。

圖7示出了晶片載體的另外一種實施例變形。在晶片載體106的頂表面的周緣107內的中心區域109上還可以設置複數具有較小直徑尺寸的凹穴。作為一種實施方式，頂表面的周緣107內的中心區域109還包括一個呈圓形的以圓形輪廓的圓心0為圓心的具有第三直徑的中心凹穴118，第三直徑小於第一直徑，在第三直徑的中心凹穴118與第一部分的凹穴110a之間還設置有複數呈圓形的第四部分凹穴116。第四部分凹穴116的直徑可以與第二直徑相等，也可以與第二直徑不相等。較佳地，每一個第四部分凹穴116與相鄰的前述具有第三直徑的中心凹穴118和第一部分的凹穴110a中的兩個凹穴110a相互外切。

應當理解，作為對圖7實施例的變形，也可以在圖7所示的中心凹穴118處所在的中央區109不設置凹穴，而其它設置與圖7實施例相同。

較佳地，圖7及其變形實施例中，第一部分凹穴110a的數量為6，第二部分凹穴110b的數量為12，第三部分凹穴114的數量為6，第四部分凹穴116的數量為6。第一部分凹穴110a、第二部分凹穴110b中的每一個凹穴的直徑大小範圍為150-152毫米之間；第三部分凹穴114的直徑大小範圍為50-60毫米，較佳地為51.28毫米；第四部分凹穴116的直徑大小範圍為50-60毫米，較佳地為51.28毫米；中心凹穴118的直徑大小範圍為70-76毫米，較佳地為73.6毫米。頂表面103的具有圓形輪廓的周緣107的直徑為770毫米-800毫米。

前述詳述了本創作中的晶片載體的頂表面上的凹穴設計，其底表面可以有各種設計。比如，如圖3所示，底表面包括中央凹部5。該設計及與之配合連接的旋轉軸的設計可以參考本申請人先前申請的第201110375777.2號中國專利所記載的各種實施方式，該專利中的各實施例均可以運用至本申請中的各實施例中。

應當理解，前述各實施例中的兩個凹穴的外圓周“相切”是沿用數學和幾何用語，此處的“相切”是指兩個凹穴的外圓周在距離上盡可能地靠近且不重疊。在實際製造晶片載體時，兩個凹穴不可能百分百地“相切”，二者允許有一些微小距離，比如存在1.5毫米至30毫米的間隙，這些具有一定間隙的變形實施例也涵蓋於本專利申請的保護範圍內。

相較於習知技術，本創作所提供的晶片載體具有諸多優點和有益技術效果。首先，本創作晶片載體具有新的凹穴佈置，所佈置的凹穴在晶片載體的頂表面具有高填充和佈局密度，晶片排布佈局緊湊，提高了晶片處理的面積，可以顯著提高生產量和生產率，減少反應氣體浪費，並且，在晶片載體的頂表面按一定的幾何規則有序地排布足夠多的凹穴，用於放置晶片或晶片類似 物，避免中間存在較大間隙，保證了晶片載體高速旋轉過程時氣體流動的均勻性，從而一方面盡可能地減少晶片載體的頂表面上的“空白區域”(指不放置晶片的區域)和放置晶片所造成的差異，進而減少溫度不均勻和反應氣體不均勻對整個晶片載體上的晶片的生長的影響，另一方面，該佈局可以同時和產品良率。

本創作是參照具體實施方式描述的，但其所有方面都應為示意性而非限定性的。此外，藉由研究本專利所揭露的創作特徵和實施，熟悉本創作領域的技術人員也可以較為容易地想出其他實施方式。本專利所述實施方式的各種方面和/或元件可以在等離子體腔室技術中單獨或以任意組合使用。說明書和圖式中的說明的特徵和實施方式應僅理解為示例性質，而本創作的真正範圍和精神則是由下列申請專利範圍中所定義的。

Claims (25)

1. 一種晶片載體，該晶片載體適用於化學氣相沉積裝置或外延生長裝置，其中，該晶片載體包括：一本體，該本體具有彼此相對佈置的一頂表面和一底表面，該頂表面包括具有一圓形輪廓的周緣；複數呈圓形的具有一第一直徑的凹穴，其設置在該晶片載體的頂表面的周緣內且以該圓形輪廓的圓心為圓心呈兩個同心圓分佈，該複數具有第一直徑的凹穴中的第一部分凹穴均勻且相互外切地佈置在該兩個同心圓的第一同心圓中，該複數具有第一直徑的凹穴中的第二部分凹穴均勻且相互外切地佈置在該兩個同心圓的第二同心圓中，該第一同心圓位於該第二同心圓內部；以及該第二部分凹穴中的任意相鄰的兩個凹穴與位於其內側的相鄰的第一部分凹穴中的一個凹穴的排布方式為：該三個凹穴所確定的三個圓外切，且三個圓的圓心連線構成正三角形。
2. 如申請專利範圍第1項所述之晶片載體，其中，該頂表面的周緣內的中心區域還包括一個呈圓形的中心凹穴，其直徑與該第一直徑相同，該中心凹穴位於該第一同心圓所包圍的區域內且與該第一同心圓中的每一個凹穴相互外切。
3. 如申請專利範圍第1項所述之晶片載體，其中，在該頂表面的周緣內還包括複數具有第二直徑的呈圓形的第三部分凹穴，每一個該第三部分凹穴位於由該第二部分凹穴中的相切的兩個凹穴和相鄰的第一部分凹穴中的兩個凹穴之間的空間內，該第二直徑小於該第一直徑。
4. 如申請專利範圍第3項所述之晶片載體，其中，該頂表面的 周緣內的中心區域還包括一個呈圓形的以該圓形輪廓的圓心為圓心的具有第三直徑的中心凹穴，該第三直徑小於該第一直徑，在該第三直徑的中心凹穴與該第一部分的凹穴之間還設置有複數呈圓形的第四部分凹穴，每一個第四部分凹穴與相鄰的該具有第三直徑的中心凹穴和該第一部分的凹穴中的兩個凹穴相互外切。
5. 如申請專利範圍第3項所述之晶片載體，其中，該頂表面的周緣內的中心區域還包括一個呈圓形的以該圓形輪廓的圓心為圓心的具有第三直徑的中央區，該第三直徑小於該第一直徑，在該第三直徑的中央區與該第一部分的凹穴之間還設置有複數呈圓形的第四部分凹穴，每一個第四部分凹穴與相鄰的該具有第三直徑的中央區和該第一部分的凹穴中的兩個凹穴相互外切，該中央區不設置凹穴。
6. 如申請專利範圍第4或5項所述之晶片載體，其中，該第四部分凹穴的直徑與該第二直徑相等或不相等。
7. 如申請專利範圍第1或2項所述之晶片載體，其中，該第一部分凹穴的數量為6，該第二部分凹穴的數量為12。
8. 如申請專利範圍第7項所述之晶片載體，其中，該第一部分凹穴和該第二部分凹穴的每一個凹穴的直徑大小範圍為150-152毫米之間。
9. 如申請專利範圍第7項所述之晶片載體，其中，該頂表面的具有圓形輪廓的周緣的直徑範圍為770-800毫米。
10. 如申請專利範圍第3項所述之晶片載體，其中，該第二直徑大小範圍為50-60毫米。
11. 如申請專利範圍第3項所述之晶片載體，其中，該複數具有 第一直徑的凹穴用於放置待處理的晶片，該第三部分凹穴內用於放置待處理的晶片或與待處理的晶片尺寸和形狀相同的晶片類似物(dummy)。
12. 如申請專利範圍第1或2項所述之晶片載體，其中，該晶片載體還包括佈置在該底表面中心區域的一凹槽。
13. 如申請專利範圍第1或2項所述之晶片載體，其中，該晶片載體還包括佈置在該底表面的一鎖定特徵部。
14. 如申請專利範圍第13項所述之晶片載體，其中，該鎖定特徵部佈置在該底表面的幾何中心處。
15. 如申請專利範圍第13項所述之晶片載體，其中，該鎖定特徵部選自由花鍵、卡盤或鎖控配件組成的組中。
16. 一種化學氣相沉積裝置或外延生長裝置，其中，該裝置包括如申請專利範圍第1項至第14項中任一項所述的晶片載體。
17. 如申請專利範圍第16項所述之化學氣相沉積裝置或外延生長裝置，其中，還包括一可旋轉旋轉軸，該晶片載體可拆卸地定位在該可旋轉旋轉軸上。
18. 一種晶片載體，該晶片載體適用於化學氣相沉積裝置或外延生長裝置，其中，該晶片載體包括：一本體，該本體具有彼此相對佈置的一頂表面和一底表面，該頂表面包括一具有圓形輪廓的周緣；複數呈圓形的具有一第一直徑的凹穴，其設置在該晶片載體的頂表面的周緣內且以該圓形輪廓的圓心為圓心呈兩個同心圓分佈，該複數具有第一直徑的凹穴中的第一部分凹穴均勻且相互外切地佈置在 該兩個同心圓的第一同心圓中，該複數具有第一直徑的凹穴中的第二部分凹穴均勻且相互外切地佈置在該兩個同心圓的第二同心圓中，該第一同心圓位於該第二同心圓內部；以及在該頂表面的周緣內還包括複數具有第二直徑的呈圓形的第三部分凹穴，每一個該第三部分凹穴位於由該第二部分凹穴中的相切的兩個凹穴和相鄰的第一部分凹穴中的兩個凹穴之間的空間內，該第二直徑小於該第一直徑。
19. 如申請專利範圍第18項所述之晶片載體，其中，該頂表面的周緣內的中心區域還包括一個呈圓形的中心凹穴，其直徑與該第一直徑相同，該中心凹穴位於該第一同心圓所包圍的區域內且與該第一同心圓中的每一個凹穴相互外切。
20. 如申請專利範圍第18項所述之晶片載體，其中，該頂表面的周緣內的中心區域還包括一個呈圓形的以該圓形輪廓的圓心為圓心的具有第三直徑的中央區，該第三直徑小於該第一直徑，在該第三直徑的中心凹穴與該第一部分的凹穴之間還設置有複數呈圓形的第四部分凹穴，每一個第四部分凹穴與相鄰的該具有第三直徑的中央區和該第一部分的凹穴中的兩個凹穴相互外切，該中央區不設置凹穴。
21. 如申請專利範圍第20項所述之晶片載體，其中，該第四部分凹穴的直徑與該第二直徑相等或不相等。
22. 如申請專利範圍第18或19或20或21項所述之晶片載體，其中，該第一部分凹穴的數量為6，該第二部分凹穴的數量為12。
23. 如申請專利範圍第18或19或20或21項所述之晶片載體，其中，該第一部分凹穴和第二部分凹穴的每一個凹穴的直徑大小範 圍為150-152毫米之間。
24. 如申請專利範圍第18或19或20或21項所述之晶片載體，其中，該第二直徑大小範圍為50-60毫米。
25. 一種化學氣相沉積裝置或外延生長裝置，其中，包括如申請專利範圍第18項至第24項中任一項所述的晶片載體。