CN110277344A - 一种外延片生长用承载盘 - Google Patents

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李亦衡
张葶葶
朱廷刚
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Abstract

本发明涉及一种外延片生长用承载盘，包括盘体、开设在所述的盘体表面上的至少三个用于生长外延片的第一槽体，多个所述的第一槽体外侧之间所述的盘体表面形成一个交界区域，在所述的交界区域上开设有第二槽体。本发明通过在盘体的交界区域处开设第二槽体的方式，改善了第一槽体交界处局部的温场均匀性，从而达到提升外延薄膜厚度均匀性的目的，生长的外延片无明显厚度不均匀现象；对现有承载盘的结构改进小，成本低。

Description

一种外延片生长用承载盘
技术领域
本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种外延片生长用承载盘。
背景技术
化合物半导体包括GaAs，GaN，SiC等以化合物形式存在的半导体材料。化合物半导体薄膜一般通过外延技术在同质或者异质衬底上人工合成，承载盘是外延生长时用于承载衬底的工具。在外延生长过程中：温度、压力、气体流速等因素决定了半导体薄膜的性能，其中，承载盘的温场均匀性是一项重要技术指标。
如图1所示的承载盘，其包括盘体1、开设在盘体1表面上的多个槽体13，这些槽体即用于生长外延片2。但是，在实际生长过程中槽体13交界处因为三角区的存在造成生长过程中局部的温场不均匀，从而导致接近三角区处外延片2的厚度不均匀（偏薄），最终降低了外延片的良率。
发明内容
本发明的目的是提供一种外延片生长用承载盘。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种外延片生长用承载盘，包括盘体、开设在所述的盘体表面上的至少三个用于生长外延片的第一槽体，多个所述的第一槽体外侧之间所述的盘体表面形成一个交界区域，在所述的交界区域上开设有第二槽体。
优选地，所述的第二槽体的深度为300-1500μm。
优选地，所述的第二槽体的面积占所述的交界区域面积的95%以上。
优选地，所述的第二槽体开设在所述的交界区域的中部。
优选地，所述的第一槽体呈圆形。
进一步优选地，所述的第一槽体的直径为2-12英寸。
优选地，相邻两个所述的第一槽体之间的间距为5-10mm。
优选地，所述的第一槽体的面积大于所述的第二槽体的面积。
优选地，三个所述的第一槽体外侧之间所述的盘体表面形成一个所述的交界区域。
优选地，所述的承载盘为石墨承载盘。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点和效果：
本发明通过在盘体的交界区域处开设第二槽体的方式，改善了第一槽体交界处局部的温场均匀性，从而达到提升外延薄膜厚度均匀性的目的，生长的外延片无明显厚度不均匀现象；对现有承载盘的结构改进小，成本低。
附图说明
附图1为现有技术的结构示意图；
附图2为本实施例的结构示意图。
其中：1、盘体；10、第一槽体；11、交界区域；12、第二槽体；13、槽体；2、外延片。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如图2所示的一种外延片生长用承载盘，承载盘具体为石墨承载盘，其包括盘体1、开设在盘体1表面上的至少三个用于生长外延片的第一槽体10。第一槽体10通常呈圆形，当然其他形状也是可以的；第一槽体10的面积大小取决于所放晶圆大小，第一槽体10的直径通常为2-12英寸，如2英寸对应第一槽体10的大小为50 mm，6英寸对应第一槽体10的直径为150 mm，8英寸对应第一槽体10的直径为200 mm，第一槽体10间为紧密排列，如2寸盘相邻第一槽体10圆心的间距一般为50-60 mm，6寸盘为相邻第一槽体10圆心间距一般为150-160mm，即第一槽体10与第一槽体10之间间隔10mm左右。
在本实施例中：第一槽体10呈环形分布六个，并在中部还设置一个。这样中部的一个第一槽体10与环形的两个第一槽体10外侧之间盘体1表面形成一个交界区域11。
在交界区域11上还开设有一个第二槽体12，第二槽体12的深度为300-1500μm，第二槽体12设置在交界区域11的中部，其的面积占交界区域11面积的95%以上，也就是说，尽量占满整个交界区域11。通常来说：第一槽体10的面积大于第二槽体12的面积。
在本实施例中：三个第一槽体10外侧之间的盘体1表面形成一个交界区域11，此时第二槽体12具体呈三角形，优选地为等边三角形；如四个第一槽体10外侧之间的盘体1表面形成一个交界区域11时，此时第二槽体12即呈四边形。
这样，通过在交界区域11处开设第二槽体12的方式，改善了第一槽体10交界处局部的温场均匀性，从而达到提升外延薄膜厚度均匀性的目的。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种外延片生长用承载盘，包括盘体、开设在所述的盘体表面上的至少三个用于生长外延片的第一槽体，多个所述的第一槽体外侧之间所述的盘体表面形成一个交界区域，其特征在于：在所述的交界区域上开设有第二槽体。
2.根据权利要求1所述的一种外延片生长用承载盘，其特征在于：所述的第二槽体的深度为300-1500μm。
3.根据权利要求1所述的一种外延片生长用承载盘，其特征在于：所述的第二槽体的面积占所述的交界区域面积的95%以上。
4.根据权利要求1所述的一种外延片生长用承载盘，其特征在于：所述的第二槽体开设在所述的交界区域的中部。
5.根据权利要求1所述的一种外延片生长用承载盘，其特征在于：所述的第一槽体呈圆形。
6.根据权利要求5所述的一种外延片生长用承载盘，其特征在于：所述的第一槽体的直径为2-12英寸。
7.根据权利要求1所述的一种外延片生长用承载盘，其特征在于：相邻两个所述的第一槽体之间的间距为5-10mm。
8.根据权利要求1所述的一种外延片生长用承载盘，其特征在于：所述的第一槽体的面积大于所述的第二槽体的面积。
9.根据权利要求1所述的一种外延片生长用承载盘，其特征在于：三个所述的第一槽体外侧之间所述的盘体表面形成一个所述的交界区域。
10.根据权利要求1所述的一种外延片生长用承载盘，其特征在于：所述的承载盘为石墨承载盘。
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