CN112359414A - 石墨基座和mocvd设备 - Google Patents

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葛永晖
梅劲
郭炳磊
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Abstract

本公开提供了一种石墨基座和MOCVD设备，属于半导体技术领域。所述石墨基座为圆盘形结构，所述石墨基座的第一圆形端面包括多个外延片容置槽和多个弧面凹槽，所述多个外延片容置槽沿所述第一圆形端面径向呈多层圆环排列，所述圆环的圆心与所述第一圆形端面的圆心重合，所述弧面凹槽均匀间隔布置于所述多个外延片容置槽之间的第一圆形端面上，所述弧面凹槽的内表面呈球冠状。本公开通过石墨基座的第一圆形端面包括多个外延片容置槽和多个弧面凹槽，弧面凹槽均匀间隔布置于外延片容置槽之间的第一圆形端面上提高石墨基座边缘位置外延层的均匀性，提高外延片一致性。

Description

石墨基座和MOCVD设备
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种石墨基座和MOCVD设备。
背景技术
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。LED具有高效节能、绿色环保的优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。LED制作时，需要在衬底上外延生长半导体晶体材料，形成LED外延片。
目前，外延生长是采用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)实现。MOCVD设备反应室内设有石墨基座和加热设备，石墨基座是采用高纯石墨作基材的圆盘，石墨基座的上表面间隔设有多个口袋(pocket)，一个口袋可以容纳一个衬底。石墨基座的下表面设置在加热装置上。外延生长时，向衬底的表面通入反应物气体，加热设备提供的热量通过石墨基座传递到口袋内的衬底，石墨基座带动衬底旋转，使衬底在反应物气体的流场中均匀、充分地与反射物接触，形成LED外延片。
在实现本公开的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：
外延生长时，石墨基座高速旋转，会进一步带动石墨基座表面附近的反应物气体一同做高速运动。由于粘滞阻力大，且石墨基座边缘的线速度较大，因此，随着外延生长过程中反应室内的状态发生变化，石墨基座边缘流场的雷诺数(Re，Reynolds Number)容易到达边界值，形成不稳定的湍流，并由于离心力的作用，反应物气体会更容易在反应室的侧壁处“堆积”，形成涡流区，从而导致石墨基座边缘部分口袋中的衬底表面生长的外延层不均匀，进而影响外延片的一致性。
发明内容
本公开实施例提供了一种石墨基座和MOCVD设备，可以改善石墨基座边缘部分口袋中的衬底表面生长的外延层的均匀性，奥正外延片质量的一致性。所述技术方案如下：
一方面，本公开实施例提供了一种石墨基座，所述石墨基座为圆盘形结构，所述石墨基座的第一圆形端面包括多个外延片容置槽和多个弧面凹槽，所述多个外延片容置槽沿所述第一圆形端面径向呈多层圆环排列，所述圆环的圆心与所述第一圆形端面的圆心重合，所述弧面凹槽均匀间隔布置于所述多个外延片容置槽之间的第一圆形端面上，所述弧面凹槽的内表面呈球冠状。
可选地，所述弧面凹槽的深度沿从所述第一圆形端面的圆心向所述第一圆形端面的边缘的方向逐渐递增，所述弧面凹槽的球面半径沿从所述第一圆形端面的圆心向所述第一圆形端面的边缘的方向逐渐递增，所述弧面凹槽的开口直径沿从所述第一圆形端面的圆心向所述第一圆形端面的边缘的方向逐渐递增。
可选地，所述弧面凹槽的深度为0.2mm～1mm。
可选地，位于所述第一圆形端面的中心区域的所述弧面凹槽的深度为0.2mm，位于所述第一圆形端面的边缘区域的所述弧面凹槽的深度为1mm。
可选地，所述弧面凹槽的球面半径为1mm～3mm，所述弧面凹槽的开口直径为3mm～5mm。
可选地，位于所述第一圆形端面的中心区域的所述弧面凹槽的球面半径为1mm，位于所述第一圆形端面的中心区域的所述弧面凹槽的开口直径为3mm，位于所述第一圆形端面的边缘区域的所述弧面凹槽的球面半径为3mm，位于所述第一圆形端面的边缘区域的所述弧面凹槽的开口直径为5mm。
可选地，相邻两个所述弧面凹槽的开口边缘之间的距离小于相邻两个所述弧面凹槽的平均开口直径。
可选地，所述弧面凹槽的开口边缘与所述外延片容置槽的开口边缘的最小距离为3mm～6mm，所述弧面凹槽的开口边缘和所述第一圆形端面的边缘的最小距离为3mm～6mm。
可选地，所述弧面凹槽的内表面镀有SiC层。
另一方面，本公开实施例提供了一种MOCVD设备，所述MOCVD设备包括反应室、转轴、出气口和石墨基座；所述石墨基座为圆盘形结构，所述石墨基座的第一圆形端面包括多个外延片容置槽和多个弧面凹槽，所述多个外延片容置槽沿所述第一圆形端面径向呈多层圆环排列，所述圆环的圆心与所述第一圆形端面的圆心重合，所述弧面凹槽均匀间隔布置于所述多个外延片容置槽之间的第一圆形端面上，所述弧面凹槽的内表面呈球冠状；所述石墨基座设置在所述反应室内；所述出气口设置在所述反应室上，所述出气口朝向所述石墨基座设有所述多个外延片容置槽和所述多个弧面凹槽的圆形端面；所述转轴和所述出气口位于所述石墨基座的相反两侧，所述转轴与所述石墨基座同轴连接。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过石墨基座的第一圆形端面包括多个外延片容置槽和多个弧面凹槽，弧面凹槽均匀间隔布置于外延片容置槽之间的第一圆形端面上。弧面凹槽增大了流场中的特征尺寸，使得在高速旋转时，反应物气体经过石墨基座表面的弧面凹槽，会在弧面凹槽中激起微型湍流，由于微型湍流的状态更加无序和不稳定，更易将动能传递至上层的层流，使上层的层流保持稳定，抑制大规模湍流的出现。同时，微型湍流还可以减小石墨盘传递给流场的粘滞阻力，有利于流场稳定，进而提高石墨基座边缘位置外延层的均匀性，提高外延片一致性。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的MOCVD设备的结构示意图；
图2是相关技术提供的石墨基座的俯视图；
图3是本公开实施例提供的石墨基座的俯视图；
图4是本公开实施例提供的图3中A-A向的局部截面图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
MOCVD设备是目前外延生长的常用设备。图1为本公开实施例提供的MOCVD设备的结构示意图。参见图1，MOCVD设备包括石墨基座500、反应室200、转轴300和出气口400。石墨基座500设置在反应室200内，转轴300同轴连接在石墨基座500上，出气口400安装反应室200的壁面上，转轴300和出气口400位于石墨基座500的相反两侧。出气口400的数量有多个，多个出气口400间隔分布并分别与石墨基座500相对。
图2为相关技术提供的一种石墨基座的俯视图。参见图2，石墨基座500为圆盘形结构，石墨基座500朝向出气口400的圆形端面100上设有多个外延片容置槽110，多个外延片容置槽110分布在至少两个圆环30内，每个圆环30的圆心与圆形端面100的圆心重合。
以图2为例，靠近石墨基座500的中心的四个外延片容置槽110分布在一个圆环30内，远离石墨基座500的中心的十个外延片容置槽110分布在另一个圆环30内，两个圆环30的圆心都与圆形端面100的圆心重合。
外延生长的时候，将衬底放置在外延片容置槽110内，利用转轴300带动石墨基座500转动，利用出气口400向反应室内通入反应气体。由于石墨基座500是转动的，因此石墨基座500的圆形端面上与出气口400相对的区域是不断变化的，反应气体可以传输到不同外延片容置槽110内的衬底上。反应气体在每个衬底上反应生成外延材料，外延材料沉积在各个衬底上形成外延片。也由于石墨基座500是转动的，因此衬底上的反应气体也会随之转动。
在流场中相对流场运动的物体会近似受到两种阻力，分别是粘滞阻力(FricitonDrog)和压差阻力(Pressure Drag)。粘滞阻力来自于流体本身的粘性，由流体在物体表面的速度梯度产生，属于表面摩擦力(Skin Firction)，其大小与物体的浸湿面积成正比。压差阻力来自运动物体后侧尾流低压区与物体前侧的压力差，其本质也是由于流体本身的粘性所产生的。理想状况下，若粘性阻力消失，压差阻力也会消失。当流体流过物体表面时，由于粘滞阻力的存在，会使得流经物体表面的流场速度放缓。此处引入用来表征流体流动稳定程度的无量纲数Re(Reynolds Number，雷诺数)，其表示如下的公式(1)：
Figure BDA0002713619210000041
其中，ρ表示流体密度，μ表示流体粘性系数，L表示流场中的特征尺度，v表示流体的运动速度。Re数值的大小表示了流体运动的稳定程度。当Re越大，代表流场的流动越发不稳定，极易在边界扰动下形成湍流(Turbulent Flow)。而Re越小，扰动则更加容易被表面粘滞所抵消，使得流体更加容易保持层流(Laminar Flow)的状态。而外延生长时并不希望湍流的出现，因为大面积的湍流会影响外延片的品质。
基于上述情况，本公开实施例提供了一种石墨基座，该石墨基座为圆盘形结构，圆盘形结构的表面包括相对的第一圆形端面100和第二圆形端面、以及连接第一圆形端面100和第二圆形端面的侧面。
图3为本公开实施例提供的石墨基座的俯视图。参见图3，石墨基座的第一圆形端面100包括多个外延片容置槽110和多个弧面凹槽120，多个外延片容置槽110沿第一圆形端面100径向呈多层圆环排列，圆环的圆心与第一圆形端面100的圆心重合，弧面凹槽120均匀间隔布置于多个外延片容置槽110之间的第一圆形端面100上，弧面凹槽120的内表面呈球冠状。
本公开实施例通过石墨基座的第一圆形端面100包括多个外延片容置槽110和多个弧面凹槽120，弧面凹槽120均匀间隔布置于外延片容置槽110之间的第一圆形端面100上。弧面凹槽增大了公式1中的流场中的特征尺寸L，使得在高速旋转时，反应物气体经过石墨基座表面的弧面凹槽120，会在弧面凹槽120中激起微型湍流，由于微型湍流的状态更加无序和不稳定，更易将动能传递至上层的层流，使上层的层流保持稳定，抑制大规模湍流的出现。同时，微型湍流还可以减小石墨盘传递给流场的粘滞阻力，有利于流场稳定，进而提高石墨基座边缘位置外延层的均匀性，提高外延片一致性。
在本公开实施例中，反应物气体可以包括III族、II族元素的有机化合物和第V、VI族元素的氢化物反应气体，例如利用镓源和NH3反应形成GaN涂层。
可选地，多个弧面凹槽120在第一圆形端面100上相对第一圆形端面100的圆心中心对称，从而保证在第一圆形端面100的对称性，使得石墨基座在旋转时，反应物气体的流场更加稳定。
在本公开实施例的第一种实施方式中，多个弧面凹槽120沿第一圆形端面100径向呈多层圆环排列，圆环的圆心与第一圆形端面100的圆心重合。
在本公开实施例的第二种实现方式中，多个弧面凹槽120也可以在外延片容置槽110之间的第一圆形端面100上按矩形阵列、蜂窝阵列等其他阵列形式排布。
图4为本公开实施例提供的图3中A-A向的局部截面图。参见图4，弧面凹槽120的内表面呈球冠状，弧面凹槽120的深度h为球冠的高度，弧面凹槽120的球面半径r为球冠所在球面的半径，弧面凹槽120的开口直径d为球冠的底面直径。
可选地，如图4所示，弧面凹槽120的深度h为0.2mm～1mm，弧面凹槽120的球面半径r为1mm～3mm，弧面凹槽120的开口直径d为3mm～5mm。
在高速旋转时，反应物气体经过石墨基座表面的弧面凹槽120，会在弧面凹槽120中激起微型湍流，该微型湍流的大小与弧面凹槽120的体积有关。控制弧面凹槽120的体积能够有效控制微型湍流的大小，一方面可以避免引起的微型湍流太小，起不到抑制大规模湍流的出现的效果，另一方面也可以防止引起的微型湍流太大，引入新的气流的不稳定因素。
可选地，第一圆形端面100的边缘的弧面凹槽120的体积大于第一圆形端面100的圆心的弧面凹槽120的体积。
由于离心力的作用，石墨基座边缘的线速度很大，导致反应物气体会更容易在第一圆形端面100的边缘处形成涡流区，产生不稳定的湍流。将第一圆形端面100的边缘的弧面凹槽120的体积设计的比第一圆形端面100的圆心的弧面凹槽120的体积大，可以更好的稳定第一圆形端面100的边缘的反应物气体的流场，提高外延片的均一性。
可选地，弧面凹槽120的体积沿从第一圆形端面100的圆心向第一圆形端面100的边缘的方向逐渐递增。
石墨基座的线速度与距离石墨基座中心的距离成正比，弧面凹槽120的体积沿从第一圆形端面100的圆心向第一圆形端面100的边缘的方向逐渐递增，可以使得弧面凹槽120引起的微型湍流的大小与距离石墨基座中心的距离成正比，从而配合同一石墨基座不同位置的线速度产生不同大小的微型湍流，使微型湍流上方的层流保持稳定，从而更好地稳定第一圆形端面100上的反应物气体的流场。
可选地，弧面凹槽120的深度h沿从第一圆形端面100的圆心向第一圆形端面100的边缘的方向逐渐递增。
示例性地，靠近第一圆形端面100的边缘的弧面凹槽120的深度h是靠近第一圆形端面100的圆心的弧面凹槽120的深度的3～5倍。
可选地，弧面凹槽120的球面半径r沿从第一圆形端面100的圆心向第一圆形端面100的边缘的方向逐渐递增。
示例性地，靠近第一圆形端面100的边缘的弧面凹槽120的球面半径r是靠近第一圆形端面100的圆心的弧面凹槽120的球面半径r的2～3倍。
可选地，弧面凹槽120的开口直径d沿从第一圆形端面100的圆心向第一圆形端面100的边缘的方向逐渐递增。
示例性地，靠近第一圆形端面100的边缘的弧面凹槽120的开口直径d是靠近第一圆形端面100的圆心的弧面凹槽120的开口直径d的2～3倍。
在实际应用中，可以将第一圆形端面100沿从第一圆形端面100的圆心向第一圆形端面100的边缘的方向划分为1个中心区域和多个环形区域，同一区域中的弧面凹槽120的深度h相同，同一区域中的弧面凹槽120的球面半径r相同，同一区域中的弧面凹槽120的开口直径相同，相邻区域中的弧面凹槽120的深度h沿从第一圆形端面100的圆心向第一圆形端面100的边缘的方向逐渐递增、相邻区域中的弧面凹槽120的球面半径r沿从第一圆形端面100的圆心向第一圆形端面100的边缘的方向逐渐递增、相邻区域中的弧面凹槽120的开口直径沿从第一圆形端面100的圆心向第一圆形端面100的边缘的方向逐渐递增。
示例性地，如图3所示，多个外延片容置槽110分布在第一圆形端面100上沿径向布置的两个圆环内，在靠近第一圆形端面100的圆心的圆环内外延片容置槽110的中心连成的圆形以内区域为第一圆形端面100的中心区域，在远离第一圆形端面100的圆心的圆环内外延片容置槽110的连成的圆形以外的区域为第一圆形端面100的边缘区域，第一圆形端面100的中心区域和第一圆形端面100的边缘区域之间的区域为第一圆形端面100的在中间区域。
位于第一圆形端面100的中心区域的弧面凹槽120的深度为0.2mm、位于第一圆形端面100的中心区域的弧面凹槽120的球面半径为1mm，位于第一圆形端面100的中心区域的弧面凹槽120的开口直径为3mm。
位于第一圆形端面100的中间区域的弧面凹槽120的深度为0.6mm、位于第一圆形端面100的中间区域的弧面凹槽120的球面半径为2mm，位于第一圆形端面100的中间区域的弧面凹槽120的开口直径为4mm。
示例性地，各个区域的弧面凹槽120的深度h、弧面凹槽120的球面半径r以及弧面凹槽120的开口直径d的大小也可以相同，此时设计上更为方便，同时在一定程度上也可以起到稳定反应物气体的流场，提高石墨基座边缘位置外延层的均匀性，提高外延片一致性的作用。
在本公开实施例的第一种实现方式中，可以同一层中的弧面凹槽120的深度h相同、同一层中的弧面凹槽120的球面半径r相同、同一层中的弧面凹槽120的开口直径相同，相邻层中的弧面凹槽120的深度h沿从第一圆形端面100的圆心向第一圆形端面100的边缘的方向逐渐递增、相邻层中的弧面凹槽120的球面半径r沿从第一圆形端面100的圆心向第一圆形端面100的边缘的方向逐渐递增、相邻层中的弧面凹槽120的开口直径沿从第一圆形端面100的圆心向第一圆形端面100的边缘的方向逐渐递增。
可选地，相邻两个弧面凹槽120的开口边缘之间的距离小于相邻两个弧面凹槽120的平均开口直径。
由于湍流具有比层流更加强的抗分离能力，密集的弧面凹槽120分布会使得对应位置的流场的粘滞阻力会大大降低，使得石墨基座激起的流场对反应室内的扰动和涡流也会降低，进一步提高反应物气体的流场的稳定性。
可选地，如图4所示，弧面凹槽120的开口边缘与外延片容置槽110的开口边缘的最小距离s为3mm～6mm。
控制弧面凹槽120的开口边缘与外延片容置槽110的开口边缘的距离，以避免弧面凹槽120的设置影响外延片容置槽110的强度，导致在旋转过程中外延片容置槽发生破裂，使得外延片容置槽中的外延片因为固定不稳，发生偏转或移动。
示例性地，弧面凹槽120的开口边缘与外延片容置槽110的开口边缘的最小距离s为4mm。
可选地，弧面凹槽120的开口边缘和第一圆形端面100的边缘的最小距离为3mm～6mm。控制弧面凹槽120的开口边缘和第一圆形端面100的边缘的距离，可以避免弧面凹槽120的设置影响石墨基座的强度，导致在旋转过程中石墨基座损坏。
可选地，弧面凹槽120的表面和石墨基座的内表面均镀有SiC层，以防止石墨基座在加热过程中挥发杂质或者石墨基座表面被反应物气体腐蚀。
本公开实施例提供了一种MOCVD设备。如图1所示，MOCVD设备包括石墨基座500、反应室200、转轴300和出气口400。石墨基座为圆盘形结构，石墨基座的第一圆形端面100包括多个外延片容置槽110和多个弧面凹槽120，多个外延片容置槽110沿第一圆形端面100径向呈多层圆环排列，圆环的圆心与第一圆形端面100的圆心重合，弧面凹槽120均匀间隔布置于多个外延片容置槽110之间的第一圆形端面100上，弧面凹槽120的内表面呈球冠状。石墨基座500设置在反应室200内。出气口400设置在反应室200上，出气口400朝向石墨基座500设有多个外延片容置槽110和多个弧面凹槽120的圆形端面100。转轴300和出气口400位于石墨基座500的相反两侧，转轴300与石墨基座500同轴连接。
在本公开实施例中，反应室200包括侧壁和水平底板，石墨基座500可旋转地固定在水平底板上。
弧面凹槽增大了流场中的特征尺寸L，使得在高速旋转时，反应物气体经过石墨基座表面的弧面凹槽120，会在弧面凹槽中激起微型湍流，由于微型湍流的状态更加无序和不稳定，更易将动能传递至上层的层流，使上层的层流保持稳定，抑制大规模湍流的出现。同时，微型湍流还可以减小石墨盘传递给流场的粘滞阻力，有利于流场稳定，进而提高石墨基座边缘位置外延层的均匀性，提高外延片一致性。
可选地，石墨基座可以通过设置于水平底板上的连接机构及驱动机构带动旋转，从而带动石墨基座上的LED外延片旋转，以增强工艺结构的均一性。当然，石墨基座也可以以其他的已知的或者未来开发出来的旋转方式旋转。
为了向反应室内通入反应物气体，作为一种实施方式，该设备的顶部还可以设置有气体分布装置。
在一种实现方式中，气体分布装置至少包括在反应室的顶部设置相互连接的气体扩散槽和多个气体分布孔，气体扩散槽与气体传输管道相连接，气体传输管道又与气体源相连接。反应气体经由气体传输管道、气体扩散槽和气体分布孔输入至反应室内部。
可选地，在石墨基板的下方或附近的其他位置可以设置各类常用的或者未来可能采用的加热装置和温度控制装置，这样可以在工艺过程中，保持石墨基座上方外延片容置腔里的衬底温度控制在约500℃至约1400℃之间。
可选地，MOCVD设备的反应室的内部还设置有排气装置，排气装置置于反应室下方，通过排气装置可以维持反应室在反应开始前成一真空的处理环境，以避免引入其他杂质气体，保证其中的外延片的沉积质量。
在进行LED外延片沉积时，反应室内部的石墨基板和石墨基板的外延片容置腔中的衬底会被加热至约500℃至约1400℃之间，反应物气体从反应室的适当位置处通入反应室的内部，反应物气体在热的作用下起化学反应而在外延片容置腔内的衬底上沉积薄膜或外延生长薄膜，石墨基座在外延片生长过程中保持旋转，弧面凹槽增大了流场中的特征尺寸L，使得在高速旋转时，反应物气体经过石墨基座表面的弧面凹槽，会在弧面凹槽中激起微型湍流，由于微型湍流的状态更加无序和不稳定，更易将动能传递至上层的层流，使上层的层流保持稳定，抑制大规模湍流的出现。同时，微型湍流还可以减小石墨盘传递给流场的粘滞阻力，有利于流场稳定，进而提高石墨基座边缘位置外延层的均匀性，提高外延片一致性。
以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种石墨基座，其特征在于，所述石墨基座为圆盘形结构，所述石墨基座的第一圆形端面(100)包括多个外延片容置槽(110)和多个弧面凹槽(120)，所述多个外延片容置槽(110)沿所述第一圆形端面(100)径向呈多层圆环排列，所述圆环的圆心与所述第一圆形端面(100)的圆心重合，所述弧面凹槽(120)均匀间隔布置于所述多个外延片容置槽(110)之间的第一圆形端面(100)上，所述弧面凹槽(120)的内表面呈球冠状。
2.根据权利要求1所述的石墨基座，其特征在于，所述弧面凹槽(120)的深度沿从所述第一圆形端面(100)的圆心向所述第一圆形端面(100)的边缘的方向逐渐递增，所述弧面凹槽(120)的球面半径沿从所述第一圆形端面(100)的圆心向所述第一圆形端面(100)的边缘的方向逐渐递增，所述弧面凹槽(120)的开口直径沿从所述第一圆形端面(100)的圆心向所述第一圆形端面(100)的边缘的方向逐渐递增。
3.根据权利要求2所述的石墨基座，其特征在于，所述弧面凹槽(120)的深度为0.2mm～1mm。
4.根据权利要求3所述的石墨基座，其特征在于，位于所述第一圆形端面(100)的中心区域的所述弧面凹槽(120)的深度为0.2mm，位于所述第一圆形端面(100)的边缘区域的所述弧面凹槽(120)的深度为1mm。
5.根据权利要求2～4任一项所述的石墨基座，其特征在于，所述弧面凹槽(120)的球面半径为1mm～3mm，所述弧面凹槽(120)的开口直径为3mm～5mm。
6.根据权利要求5所述的石墨基座，其特征在于，位于所述第一圆形端面(100)的中心区域的所述弧面凹槽(120)的球面半径为1mm，位于所述第一圆形端面(100)的中心区域的所述弧面凹槽(120)的开口直径为3mm，位于所述第一圆形端面(100)的边缘区域的所述弧面凹槽(120)的球面半径为3mm，位于所述第一圆形端面(100)的边缘区域的所述弧面凹槽(120)的开口直径为5mm。
7.根据权利要求1～4任一项所述的石墨基座，其特征在于，相邻两个所述弧面凹槽(120)的开口边缘之间的距离小于相邻两个所述弧面凹槽(120)的平均开口直径。
8.根据权利要求7所述的石墨基座，其特征在于，所述弧面凹槽(120)的开口边缘与所述外延片容置槽(110)的开口边缘的最小距离为3mm～6mm，所述弧面凹槽(120)的开口边缘和所述第一圆形端面(100)的边缘的最小距离为3mm～6mm。
9.根据权利要求1～4任一项所述的石墨基座，其特征在于，所述弧面凹槽(120)的内表面镀有SiC层。
10.一种MOCVD设备，其特征在于，所述MOCVD设备包括反应室(200)、转轴(300)、出气口(400)和石墨基座(500)；所述石墨基座(500)为圆盘形结构，所述石墨基座(500)的第一圆形端面(100)包括多个外延片容置槽(110)和多个弧面凹槽(120)，所述多个外延片容置槽(110)沿所述第一圆形端面(100)径向呈多层圆环排列，所述圆环的圆心与所述第一圆形端面(100)的圆心重合，所述弧面凹槽(120)均匀间隔布置于所述多个外延片容置槽(110)之间的第一圆形端面(100)上，所述弧面凹槽(120)的内表面呈球冠状；所述石墨基座(500)设置在所述反应室(200)内；所述出气口(400)设置在所述反应室(200)上，所述出气口(400)朝向所述石墨基座(500)设有所述多个外延片容置槽(110)和所述多个弧面凹槽(120)的圆形端面(100)；所述转轴(300)和所述出气口(400)位于所述石墨基座(500)的相反两侧，所述转轴(300)与所述石墨基座(500)同轴连接。
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