CN211848131U - 一种石墨盘 - Google Patents
一种石墨盘 Download PDFInfo
- Publication number
- CN211848131U CN211848131U CN202020059232.5U CN202020059232U CN211848131U CN 211848131 U CN211848131 U CN 211848131U CN 202020059232 U CN202020059232 U CN 202020059232U CN 211848131 U CN211848131 U CN 211848131U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graphite
- groove
- center
- windward
- disc according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Abstract
本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及一种石墨盘，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置复数个放置晶片的凹槽，所述凹槽外缘包括迎风区域和非迎风区域，其特征在于：所述迎风区域设置用于分散气流的突出部。本实用新型在凹槽外缘的迎风区域设置分散气流的突出部，当石墨盘高速旋转时，突出部可以使流入的气流降低流速，进而从突出部的两侧进行流动，从而有效解决迎风区域的波长不均匀性问题。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体设备领域，尤其涉及一种石墨盘。
背景技术
发光二极管（英文为Light Emitting Diode，简称LED）是一种固态半导体二极管发光器件，被广泛用于指示灯、显示屏等照明领域发。现阶段制取LED晶圆片的方法主要是通过金属有机化合物化学气相沉淀（英文为Metal-organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD）实现，可以简述其流程如下：将外延晶圆衬底（如蓝宝石衬底/Si衬底）放入石墨承载盘（Wafer carrier）的凹槽上，将其石墨承载盘一起传入MOCVD 反应室内，通过将反应室温度加热到设定好的温度，并配合通入有机金属化合物和五族气体，使它们在晶圆衬底上断开化学键并重新聚合形成LED外延层。
随着LED的发展，尤其是近几年Mirco LED，Mini LED概念的提出，波长均匀性正变得越来越重要，也因为这个原因，使用低转速生长的Aixtron机台由于均匀性的优势也成为市场中普遍看好的机型，但由于机台的稼动率较低，因此会造成成本的劣势，而在这个方面，美国Veeco公司及国产中微等厂家具备明显的优势。而Veeco/中微机台影响波长均匀性的最主要原因为气流导致的迎风面波长问题,尤其集中在外圈。
发明内容
为解决外延生长时石墨盘上的晶片波长不均匀性的问题，本实用新型提供了一种石墨盘，在凹槽外缘的迎风区域设置分散气流的突出部，从而有效解决迎风区域的波长不均匀性问题。具体技术方案如下：
一种石墨盘，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置复数个放置晶片的凹槽，所述凹槽外缘包括迎风区域和非迎风区域，其特征在于：所述迎风区域设置用于分散气流的突出部。
优选的，每个所述凹槽外缘的突出部与凹槽中心的连线与凹槽中心与石墨盘中心的连线的角度不同。
优选的，所述突出部与凹槽中心的连线与凹槽中心与石墨盘中心的连线的角度呈30°~90°。
优选的，所述突出部为规则或者不规则的突起。
优选的，所述突出部的高度范围为0.1mm~10mm。
优选的，所述突出部为石墨突起。
优选的，所述第一表面还具有碳化硅层。
优选的，所述凹槽包括位于靠近和远离石墨盘中心的第一圈凹槽和第二圈凹槽。
优选的，所述凹槽的底部为平整形或者突出形或者凹陷形。
优选的，所述凹槽的直径为2~8寸。
本实用新型在凹槽外缘的迎风区域设置分散气流的突出部，当石墨盘高速旋转时，突出部可以使流入的气流降低流速，进而从突出部的两侧进行流动，从而有效解决迎风区域的波长不均匀性问题。
附图说明
图1为本实用新型之石墨盘俯视结构示意图。
图2为本实用新型之石墨盘剖视结构示意图。
具体实施方式
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
当MOCVD机台进行高速旋转时（转速为200~1200RPM），由于离心力的作用，晶片S靠近石墨盘中心一侧的区域易翘起从而导致该区域温度较低,导致波长偏长以及STD偏差；同时由于晶片S翘起，导致翘起部分受气流影响，产生严重的迎风面波长异常现象。
因此，本实用新型提供一种石墨盘，其具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面上设置复数个放置晶片S的凹槽10，而凹槽10外缘包括迎风区域和非迎风区域，本实用新型为分散迎风区域的气流，在迎风区域设置用于分散气流的突出部20。
凹槽10包括位于靠近和远离石墨盘中心的第一圈凹槽11和第二圈凹槽12。凹槽10的底部为平整形或者突出形或者凹陷形，例如tab盘、rim盘或者tab盘和rim盘的结合。凹槽10的直径为2~8寸，用于放置2~8寸的衬底，进行外延生长。本实用新型对此不作特别限制，可以根据实际生产需要石墨盘的类型以及尺寸。
突出部20的具体位置描述如下：每个所述凹槽10外缘的突出部20与凹槽10中心的连线与凹槽10中心与石墨盘中心的连线的角度不同，其角度范围呈30°~90°。
在进行外延生长时，石墨盘可以顺时针旋转，也可以逆时针旋转。当其逆时针旋转时，第一圈凹槽11外缘的突出部20位于靠近石墨盘中心一侧的凹槽10边缘，而第二圈凹槽12外缘的突出部20位于远离石墨盘中心一侧的凹槽10边缘，并且其与凹槽10中心的连线与凹槽10中心与石墨盘中心的连线的角度范围呈30°~90°而当石墨盘顺时针旋转时，突出部20的位置则与上述相反。
对于突出部20的结构，本实用新型不作特别限制，突出部20可以为规则结构或者不规则结构，但是其高度范围最好设置为0.1mm~10mm。其材质可以为石墨，也可以为其他材质。突出部20可以在制作石墨盘时，在其迎风面制作凹凸不平的结构作为突出部20，用于分散流入的气流；也可以在石墨盘制作完成后，在其迎风面增设突出部20，突出部20可以相对于石墨盘可拆卸。
石墨盘的第一表面还具有碳化硅层（图中未示出），碳化硅层覆盖在石墨盘表面，由于碳化硅层的导热系数更高，可以提高石墨盘的温度一致性，另外，碳化硅层还用于保护石墨盘表面，防止石墨被反应气体侵蚀。
本实用新型在凹槽10外缘的迎风区域设置分散气流的突出部20，当石墨盘高速旋转时，突出部20可以使流入的气流降低流速，进而从突出部20的两侧进行流动，从而有效解决迎风区域的波长不均匀性问题。
应当理解的是，上述具体实施方案为本实用新型的优选实施例，本实用新型的范围不限于该实施例，凡依本实用新型所做的任何变更，皆属本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种石墨盘，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置复数个放置晶片的凹槽，所述凹槽外缘包括迎风区域和非迎风区域，其特征在于：所述迎风区域设置用于分散气流的突出部。
2.根据权利要求1所述的一种石墨盘，其特征在于：每个所述凹槽外缘的突出部与凹槽中心的连线与凹槽中心与石墨盘中心的连线的角度不同。
3.根据权利要求1所述的一种石墨盘，其特征在于：所述突出部与凹槽中心的连线与凹槽中心与石墨盘中心的连线的角度呈30°~90°。
4.根据权利要求1所述的一种石墨盘，其特征在于：所述突出部为规则或者不规则的突起。
5.根据权利要求1所述的一种石墨盘，其特征在于：所述突出部的高度范围为0.1mm~10mm。
6.根据权利要求1所述的一种石墨盘，其特征在于：所述突出部为石墨突起。
7.根据权利要求1所述的一种石墨盘，其特征在于：所述第一表面还具有碳化硅层。
8.根据权利要求1所述的一种石墨盘，其特征在于：所述凹槽包括位于靠近和远离石墨盘中心的第一圈凹槽和第二圈凹槽。
9.根据权利要求1所述的一种石墨盘，其特征在于：所述凹槽的底部为平整形或者突出形或者凹陷形。
10.根据权利要求1所述的一种石墨盘，其特征在于：所述凹槽的直径为2~8寸。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020059232.5U CN211848131U (zh) | 2020-01-13 | 2020-01-13 | 一种石墨盘 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020059232.5U CN211848131U (zh) | 2020-01-13 | 2020-01-13 | 一种石墨盘 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN211848131U true CN211848131U (zh) | 2020-11-03 |
Family
ID=73212585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202020059232.5U Active CN211848131U (zh) | 2020-01-13 | 2020-01-13 | 一种石墨盘 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN211848131U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022099544A1 (zh) * | 2020-11-12 | 2022-05-19 | 苏州晶湛半导体有限公司 | 一种石墨盘 |
-
2020
- 2020-01-13 CN CN202020059232.5U patent/CN211848131U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022099544A1 (zh) * | 2020-11-12 | 2022-05-19 | 苏州晶湛半导体有限公司 | 一种石墨盘 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104409402B (zh) | 用于led外延晶圆制程的石墨承载盘 | |
| CN103168353B (zh) | 增强的晶圆载体 | |
| US8562746B2 (en) | Sectional wafer carrier | |
| CN104051316B (zh) | 可调控局域温场的石墨承载盘 | |
| KR20150132486A (ko) | 화학 기상 증착 시스템의 개선된 가열 균일성을 제공하는 웨이퍼 캐리어 | |
| CN207227547U (zh) | 用于mocvd设备中的石墨盘 | |
| CN103730395A (zh) | 晶片载具 | |
| CN104047051A (zh) | 用于led外延晶圆制程的石墨承载盘 | |
| CN109161873B (zh) | 一种石墨基座 | |
| CN211848131U (zh) | 一种石墨盘 | |
| CN107326342A (zh) | 用于mocvd设备中的石墨盘 | |
| CN204550790U (zh) | 外延生长用石墨承载盘 | |
| CN112366174B (zh) | 石墨基座和mocvd设备 | |
| JP5161748B2 (ja) | 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| CN104451605A (zh) | Mocvd设备的石墨托盘 | |
| CN110079790A (zh) | 石墨基座 | |
| CN216919482U (zh) | 一种石墨盘及反应装置 | |
| CN113279056B (zh) | 石墨基板及其制造方法 | |
| CN210314481U (zh) | 一种石墨盘及其配套衬底 | |
| CN215925142U (zh) | 一种碳化硅外延生长用托盘结构 | |
| JP6832770B2 (ja) | 熱化学蒸着装置の基板ホルダー | |
| CN211654784U (zh) | 一种石墨盘 | |
| WO2022047784A1 (zh) | 一种晶片承载盘 | |
| CN211771539U (zh) | Mocvd石墨盘 | |
| CN211848133U (zh) | 一种石墨盘 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |