CN112366174B - 石墨基座和mocvd设备 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种石墨基座和MOCVD设备，属于半导体技术领域。所述石墨基座为圆盘形结构，所述石墨基座的一个圆形端面上设有多个圆形槽和至少一个三棱锥形凸起；所述多个圆形槽的中心分布在至少两个圆环内，每个所述圆环的圆心与所述圆形端面的圆心重合；所述至少一个三棱锥形凸起分布在至少一个所述圆环远离所述石墨基座的中心的区域内，每个所述三棱锥形凸起位于相邻的两个所述圆形槽之间，每个所述三棱锥形凸起所位于的两个所述圆形槽分布在同一个所述圆环内。本公开在石墨基座设有多个圆形槽的圆形端面上增设至少一个三棱锥形凸起，可以减少圆形槽远离石墨基座中心的区域的反应气体，提高外延片的发光均匀性。

Description

石墨基座和MOCVD设备
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种石墨基座和MOCVD设备。
背景技术
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。LED具有高效节能、绿色环保的优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率LED实现半导体固态照明，有望成为新一代光源进入千家万户，引起人类照明史的革命。
LED制作时，先在衬底上外延生长半导体晶体材料，形成LED外延片；再在LED外延片上设置电极，并对LED外延片进行切割，得到至少两个相互独立的LED芯片；最后对LED芯片进行封装，得到LED。
目前外延生长都是在MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备的反应室内进行。相关技术中，MOCVD设备的反应室内设有石墨基座，石墨基座上间隔设有多个口袋(pocket)，一个口袋内可以放置一个衬底。外延生长时，反应物气体在衬底上生成半导体晶体材料，形成LED外延片。
在实现本公开的过程中，发明人发现相关技术至少存在以下问题：
同一个衬底上不同区域的反应物气体的流量不同，导致衬底上不同区域生成的半导体晶体材料不同，形成的LED外延片不同区域的发光波长不同，波长均匀性无法满足应用需要。
发明内容
本公开实施例提供了一种石墨基座和MOCVD设备，可以改善LED外延片的波长均匀性。所述技术方案如下：
一方面，本公开实施例提供了一种石墨基座，所述石墨基座为圆盘形结构，所述石墨基座的一个圆形端面上设有多个圆形槽和至少一个三棱锥形凸起；所述多个圆形槽的中心分布在至少两个圆环内，每个所述圆环的圆心与所述圆形端面的圆心重合；所述至少一个三棱锥形凸起分布在至少一个所述圆环远离所述石墨基座的中心的区域内，每个所述三棱锥形凸起位于相邻的两个所述圆形槽之间，每个所述三棱锥形凸起所位于的两个所述圆形槽分布在同一个所述圆环内。
可选地，每个所述三棱锥形凸起的一条侧棱朝向所述石墨基座的中心。
可选地，每个所述三棱锥形凸起朝向所述石墨基座的中心的侧棱位于所述石墨基座的径切面上。
可选地，每个所述三棱锥形凸起朝向所述石墨基座的中心的侧棱与所述三棱锥形凸起的底面之间的夹角，小于所述三棱锥形凸起背向所述石墨基座的中心的侧面与所述三棱锥形凸起的底面之间的夹角。
可选地，所述至少一个三棱锥形凸起分布在至少两个所述圆环内，分布在不同所述圆环内的所述三棱锥形凸起背向所述石墨基座的中心的侧边与所述三棱锥形凸起的底面之间的夹角，沿远离所述石墨基座的中心的方向逐渐增大。
可选地，每个所述三棱锥形凸起的侧棱与底面之间的夹角为50°～75°，每个所述三棱锥形凸起的侧面与底面之间的夹角为50°～75°。
可选地，所述至少一个三棱锥形凸起分布在至少两个所述圆环内，分布在不同所述圆环内的所述三棱锥形凸起的高度沿远离所述石墨基座的中心的方向逐渐增大。
可选地，每个所述三棱锥形凸起的高度为10μm～20μm。
可选地，分布在同一个所述圆环内的所述三棱锥形凸起和所述圆形槽在所述圆形端面的周向上交替排列。
另一方面，本公开实施例提供了一种MOCVD设备，所述MOCVD设备包括石墨基座、反应室、转轴和出气口；所述石墨基座为圆盘形结构，所述石墨基座的一个圆形端面上设有多个圆形槽和至少一个三棱锥形凸起；所述多个圆形槽的中心分布在至少两个圆环内，每个所述圆环的圆心与所述圆形端面的圆心重合；所述至少一个三棱锥形凸起分布在至少一个所述圆环远离所述石墨基座的中心的区域内，每个所述三棱锥形凸起位于相邻的两个所述圆形槽之间，每个所述三棱锥形凸起所位于的两个所述圆形槽分布在同一个所述圆环内；所述石墨基座设置在所述反应室内；所述出气口设置在所述反应室上，所述出气口朝向所述石墨基座设有所述多个圆形槽和所述至少一个三棱锥形凸起的圆形端面；所述转轴和所述出气口位于所述石墨基座的相反两侧，所述转轴与所述石墨基座同轴连接。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
在石墨基座设有多个圆形槽的圆形端面上增设至少一个三棱锥形凸起，三棱锥形凸起对反应气体有阻挡作用，可以减少三棱锥形凸起所在区域的反应气体。由于三棱锥形凸起分布在圆心与圆形端面的圆心重合的圆环内并远离石墨基座的中心，因此三棱锥形凸起减少的是圆形槽远离石墨基座中心的区域的反应气体，从而可以改善反应气体沿远离石墨基座中心的方向逐渐增多的状况，有利于同一个衬底上沉积的外延材料均匀分布，避免同一个外延片的发光波长出现差异，提高外延片的发光均匀性。另外，三棱锥形凸起位于同一个圆环内相邻的两个圆形槽之间，不会对圆形槽造成影响。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的MOCVD设备的结构示意图；
图2是相关技术提供的一种石墨基座的俯视图；
图3是相关技术提供的另一种石墨基座的俯视图；
图4是相关技术提供的石墨基座上外延片发光波长的示意图；
图5是本公开实施例提供的一种石墨基座的结构示意图；
图6是本公开实施例提供的本公开实施例提供的石墨基座的侧视图；
图7是本公开实施例提供的另一种石墨基座的结构示意图；
图8是本公开实施例提供的石墨基座上外延片发光波长的示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
MOCVD设备是目前外延生长的常用设备。图1为本公开实施例提供的MOCVD设备的结构示意图。参见图1，MOCVD设备包括石墨基座100、反应室200、转轴300和出气口400。石墨基座100设置在反应室200内，转轴300同轴连接在石墨基座100上，出气口400安装反应室200的壁面上，转轴300和出气口400位于石墨基座100的相反两侧。出气口400的数量有多个，多个出气口400间隔分布并分别与石墨基座100相对。
图2为相关技术提供的一种石墨基座的俯视图，图3为相关技术提供的另一种石墨基座的俯视图。参见图2和图3，石墨基座100为圆盘形结构，石墨基座100朝向出气口400的圆形端面110上设有多个圆形槽10，多个圆形槽10分布在至少两个圆环30内，每个圆环30的圆心与圆形端面110的圆心重合。
以图2为例，靠近石墨基座100的中心的四个圆形槽10分布在一个圆环30内，远离石墨基座100的中心的十个圆形槽10分布在另一个圆环30内，两个圆环30的圆心都与圆形端面110的圆心重合。
以图3为例，靠近石墨基座100的中心的四个圆形槽10分布在一个圆环30内，中间的十个圆形槽10分布在另一个圆环30内，另外还有远离石墨基座100的中心的十七个圆形槽10分布在又一个圆环30内，三个圆环30的圆心都与圆形端面110的圆心重合。
外延生长的时候，将衬底放置在圆形槽10内，利用转轴300带动石墨基座100转动，利用出气口400向反应室内通入反应气体。由于石墨基座100是转动的，因此石墨基座100的圆形端面上与出气口400相对的区域是不断变化的，反应气体可以传输到不同圆形槽10内的衬底上。反应气体在每个衬底上反应生成外延材料，外延材料沉积在各个衬底上形成外延片。也由于石墨基座100是转动的，因此衬底上的反应气体也会随之转动。在离心力的作用下，反应气体向远离石墨基座100的中心的方向移动，造成反应气体沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增多，同一个衬底上沉积的外延材料不均匀，同一个外延片的发光波长出现差异，发光均匀性无法满足应用需要。
图4为相关技术提供的石墨基座上外延片发光波长的示意图。参见图4，同一个外延片靠近石墨基座100的中心的区域和远离石墨基座100的中心的区域在发光波长上是不同的，特别是远离石墨基座100的中心的十个外延片在发光波长上的差异比较明显。
基于上述情况，本公开实施例提供了一种石墨基座。图5为本公开实施例提供的一种石墨基座的结构示意图。参见图5，石墨基座100为圆盘形结构，石墨基座100的一个圆形端面110上设有多个圆形槽10和至少一个三棱锥形凸起20。多个圆形槽10的中心分布在至少两个圆环30内，每个圆环30的圆心与圆形端面110的圆心重合。至少一个三棱锥形凸起20分布在至少一个圆环30远离石墨基座100的中心的区域内，每个三棱锥形凸起20位于相邻的两个圆形槽10之间，每个三棱锥形凸起20所位于的两个圆形槽10分布在同一个圆环30内。
在本公开实施例中，石墨基座100为圆盘形结构，石墨基座100包括两个圆形端面和一个曲面，两个圆形端面相互平行，曲面位于两个圆形端面之间并与两个圆形端面连接。
如图5所示，多个圆形槽10和至少一个三棱锥形凸起20设置在石墨基座100的同一个圆形端面110上。多个圆形槽10间隔分布在圆形端面110上。以图5为例，靠近石墨基座100的中心的四个圆形槽10分布在一个圆环30内，远离石墨基座100的中心的十个圆形槽10分布在另一个圆环30内，两个圆环30的圆心都与圆形端面110的圆心重合。
同一个圆环30内分布的至少两个三棱锥形凸起20间隔分布在圆形端面110上。以图5为例，十个三棱锥形凸起20间隔分布在远离石墨基座100的中心的圆环30内。
本公开实施例在石墨基座设有多个圆形槽的圆形端面上增设至少一个三棱锥形凸起，三棱锥形凸起对反应气体有阻挡作用，可以减少三棱锥形凸起所在区域的反应气体。由于三棱锥形凸起分布在圆心与圆形端面的圆心重合的圆环内并远离石墨基座的中心，因此三棱锥形凸起减少的是圆形槽远离石墨基座中心的区域的反应气体，从而可以改善反应气体沿远离石墨基座中心的方向逐渐增多的状况，有利于同一个衬底上沉积的外延材料均匀分布，避免同一个外延片的发光波长出现差异，提高外延片的发光均匀性。另外，三棱锥形凸起位于同一个圆环内相邻的两个圆形槽之间，不会对圆形槽造成影响。
在实际应用中，反应气体会从正对石墨基座100的中心的位置通入反应室内，最靠近石墨基座100的中心的圆环30内反应气体的分布比较均匀，反应气体向远离石墨基座100的中心的方向移动产生的影响较小，因此最靠近石墨基座100的中心的圆环30内可以不设置三棱锥形凸起20。
示例性地，三棱锥形凸起20分布的圆环30的数量比圆形槽10分布的圆环30的数量少一个。以图5为例，圆形槽10分布的圆环30的数量为两个，三棱锥形凸起20分布的圆环30的数量为一个。
可选地，如图5所示，每个三棱锥形凸起20的一条侧棱朝向石墨基座100的中心。
由于石墨基座100沿圆形端面110的周向转动，因此反应气体也会沿圆形端面110的周向流动。三棱锥形凸起20的一条侧棱朝向石墨基座100的中心，三棱锥形凸起20靠近石墨基座100的中心的部分在圆形端面110的周向上的长度较小，对反应气体的阻挡作用较弱；同时三棱锥形凸起20远离石墨基座100的中心的部分在圆形端面110的周向上的长度较大，对反应气体的阻挡作用较强，使得三棱锥形凸起20可以有效减少圆形槽10远离石墨基座100中心的区域的反应气体，改善反应气体沿远离石墨基座100中心的方向逐渐增多的状况，有利于同一个衬底上沉积的外延材料均匀分布，避免同一个外延片的发光波长出现差异，提高外延片的发光均匀性。
可选地，如图5所示，每个三棱锥形凸起20朝向石墨基座100的中心的侧棱位于石墨基座100的径切面上。
三棱锥形凸起20朝向石墨基座100的中心的侧棱位于石墨基座100的径切面上，也就是说，三棱锥形凸起20的一条侧棱正对石墨基座100的中心，三棱锥形凸起20靠近石墨基座100的中心的部分在圆形端面110的周向上的长度最小，对反应气体的阻挡作用最弱；同时三棱锥形凸起20远离石墨基座100的中心的部分在圆形端面110的周向上的长度最大，对反应气体的阻挡作用最强，使得三棱锥形凸起20可以最大程度减少圆形槽10远离石墨基座100中心的区域的反应气体，改善反应气体沿远离石墨基座100中心的方向逐渐增多的状况，提高外延片的发光均匀性。
图6为本公开实施例提供的石墨基座的侧视图。参见图6，可选地，每个三棱锥形凸起20朝向石墨基座100的中心的侧棱与三棱锥形凸起20的底面之间的夹角，小于三棱锥形凸起20背向石墨基座100的中心的侧面与三棱锥形凸起20的底面之间的夹角。
每个三棱锥形凸起20朝向石墨基座100的中心的侧棱与三棱锥形凸起20的底面之间的夹角，小于三棱锥形凸起20背向石墨基座100的中心的侧面与三棱锥形凸起20的底面之间的夹角，此时三棱锥形凸起20的顶点位于三棱锥形凸起20远离石墨基座100的中心的位置，可以有效减少圆形槽10远离石墨基座100中心的区域的反应气体，改善反应气体沿远离石墨基座100中心的方向逐渐增多的状况，提高外延片的发光均匀性。
图7为本公开实施例提供的另一种石墨基座的结构示意图。图7所示的石墨基座与图5所示的石墨基座基本相同，不同之处在于，圆形槽10和三棱锥形凸起20的分布和数量。具体来说，在图5所示的石墨基座中，四个圆形槽10分布在靠近石墨基座100的中心的圆环30内，十个圆形槽10分布在远离石墨基座100的中心的圆环30内；十个三棱锥形凸起20分布在远离石墨基座100的中心的圆环30内。在图7所示的石墨基座中，四个圆形槽10分布在靠近石墨基座100的中心的圆环30内，十个圆形槽10分布在中间的圆环30内，另外还有十七个圆形槽10分布在远离石墨基座100的中心的圆环30内；十个三棱锥形凸起20分布在远离石墨基座100的中心的圆环30内，另外还有十七个三棱锥形凸起20分布在远离石墨基座100的中心的圆环30内。
可选地，如图7所示，至少一个三棱锥形凸起20分布在至少两个圆环30内，分布在不同圆环30内的三棱锥形凸起20背向石墨基座100的中心的侧边与三棱锥形凸起20的底面之间的夹角，沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增大。
分布在不同圆环30内的三棱锥形凸起20背向石墨基座100的中心的侧边与三棱锥形凸起20的底面之间的夹角，沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增大，远离石墨基座100的中心的圆环30内的三棱锥形凸起20背向石墨基座100的中心的侧边与三棱锥形凸起20的底面之间的夹角较大，靠近石墨基座100的中心的圆环30内的三棱锥形凸起20背向石墨基座100的中心的侧边与三棱锥形凸起20的底面之间的夹角较小。
石墨基座100的转动，使得石墨基座100的圆形端面110上的反应气体随之转动，反应气体在离心力的作用下向远离石墨基座100的中心的方向聚集，因此外延片的发光均匀性沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐变差。远离石墨基座100的外延片的发光均匀性较差，利用远离石墨基座100的中心的圆环30内的三棱锥形凸起20背向石墨基座100的中心的侧边与三棱锥形凸起20的底面之间的夹角较大，可以有效减小远离石墨基座100的中心的圆形槽10远离石墨基座100的中心的区域的反应气体，改善远离石墨基座100的中心的圆形槽10上反应气体分布均匀的状况，提高远离石墨基座100的中心的圆形槽10内外延片的发光均匀性。靠近石墨基座100的外延片的发光均匀性较好，利用靠近石墨基座100的中心的圆环30内的三棱锥形凸起20背向石墨基座100的中心的侧边与三棱锥形凸起20的底面之间的夹角较小，可以适当减少靠近石墨基座100的中心的圆形槽10远离石墨基座100的中心的区域的反应气体，改善靠近石墨基座100的中心的圆形槽10上反应气体分布均匀的状况，提高靠近石墨基座100的中心的圆形槽10内外延片的发光均匀性。
可选地，每个三棱锥形凸起20的侧棱与底面之间的夹角为50°～75°，每个三棱锥形凸起20的侧面与底面之间的夹角为50°～75°。
当三棱锥形凸起20的侧棱与底面之间的夹角小于50°，或者每个三棱锥形凸起20的侧面与底面之间的夹角小于50°时，受到圆形槽10开设区域的限制，三棱锥形凸起20的高度较低，对反应气体的阻挡作用较小，很难改变圆形槽上的反应气体的分布，无法有效提高外延片的发光均匀性；当三棱锥形凸起20的侧棱与底面之间的夹角大于75°，或者每个三棱锥形凸起20的侧面与底面之间的夹角大于75°时，对反应气体的阻挡作用太大，有可能使圆形槽10上靠近石墨基座100的中心的区域的反应气体反超圆形槽10上远离石墨基座100的中心的区域的反应气体，还是会造成圆形槽10上反应气体的分布不均匀，降低外延片的发光均匀度，而且还有可能影响到石墨基座100上反应气体整体的稳定性。
每个三棱锥形凸起20的侧棱与底面之间的夹角为50°～75°，每个三棱锥形凸起20的侧面与底面之间的夹角为50°～75°，可以适当减少圆形槽10远离石墨基座100的中心的区域的反应气体，有效改善反应气体沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增多的状况，有利于同一个衬底上沉积的外延材料均匀分布，避免同一个外延片的发光波长出现差异，提高外延片的发光均匀性。
示例性地，分布在不同圆环30内的三棱锥形凸起20背向石墨基座100的中心的侧边与三棱锥形凸起20的底面之间的夹角，沿远离石墨基座100的中心的方向从50°逐渐增大至75°。
可选地，至少一个三棱锥形凸起20分布在至少两个圆环30内，分布在不同圆环30内的三棱锥形凸起20的高度沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增大。
分布在不同圆环30内的三棱锥形凸起20的高度沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增大，远离石墨基座100的中心的圆环30内的三棱锥形凸起20的高度较大，靠近石墨基座100的中心的圆环30内的三棱锥形凸起20的高度较小。
如前所述，远离石墨基座100的外延片的发光均匀性较差，利用远离石墨基座100的中心的圆环30内的三棱锥形凸起20的高度较大，可以有效减小远离石墨基座100的中心的圆形槽10远离石墨基座100的中心的区域的反应气体，改善远离石墨基座100的中心的圆形槽10上反应气体分布均匀的状况，提高远离石墨基座100的中心的圆形槽10内外延片的发光均匀性。靠近石墨基座100的外延片的发光均匀性较好，利用靠近石墨基座100的中心的圆环30内的三棱锥形凸起20的高度较小，可以适当减少靠近石墨基座100的中心的圆形槽10远离石墨基座100的中心的区域的反应气体，改善靠近石墨基座100的中心的圆形槽10上反应气体分布均匀的状况，提高靠近石墨基座100的中心的圆形槽10内外延片的发光均匀性。
可选地，每个三棱锥形凸起20的高度为10μm～20μm，如20μm。
当三棱锥形凸起20的高度小于10μm时，三棱锥形凸起20的高度较低，对反应气体的阻挡作用较小，很难改变圆形槽上的反应气体的分布，无法有效提高外延片的发光均匀性；当三棱锥形凸起20的高度大于20μm时，对反应气体的阻挡作用太大，有可能使圆形槽10上靠近石墨基座100的中心的区域的反应气体反超圆形槽10上远离石墨基座100的中心的区域的反应气体，还是会造成圆形槽10上反应气体的分布不均匀，降低外延片的发光均匀度，而且还有可能影响到石墨基座100上反应气体整体的稳定性。
每个三棱锥形凸起20的高度为10μm～20μm，可以适当减少圆形槽10远离石墨基座100的中心的区域的反应气体，有效改善反应气体沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增多的状况，有利于同一个衬底上沉积的外延材料均匀分布，避免同一个外延片的发光波长出现差异，提高外延片的发光均匀性。
示例性地，分布在不同圆环30内的三棱锥形凸起20的高度沿远离石墨基座100的中心的方向从10μm逐渐增大至20μm。
可选地，分布在同一个圆环30内的三棱锥形凸起20和圆形槽10在圆形端面110的周向上交替排列。
三棱锥形凸起20和圆形槽10在圆形端面110的周向上交替排列，三棱锥形凸起20尽可能设置在所有区域，以最大程度改善反应气体沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增多的状况。而且三棱锥形凸起20和圆形槽10在圆形端面110的周向上交替排列，三棱锥形凸起20沿圆形端面110的周向均匀分布在圆形端面110上，有利于圆形端面110上反应气体整体的稳定性。
可选地，每个三棱锥形凸起20的底面边长为1mm～10mm，如10mm。
当三棱锥形凸起20的底面边长小于1mm时，三棱锥形凸起20的底面面积减小，对反应气体的阻挡作用较小，很难改变圆形槽上的反应气体的分布，无法有效提高外延片的发光均匀性；当三棱锥形凸起20的底面边长大于10mm时，三棱锥形凸起20的底面面积较大，有可能影响到圆形槽10的设置。
每个三棱锥形凸起20的底面边长为1mm～10mm，可以适当减少圆形槽10远离石墨基座100的中心的区域的反应气体，有效改善反应气体沿远离石墨基座100的中心的方向逐渐增多的状况，有利于同一个衬底上沉积的外延材料均匀分布，避免同一个外延片的发光波长出现差异，提高外延片的发光均匀性。
示例性地，各个三棱锥形凸起20的底面边长相同。
各个三棱锥形凸起20的底面边长相同，有利于三棱锥形凸起20均匀分布在石墨基座100上。而且石墨基座100未设置圆形槽10的空间有限，各个三棱锥形凸起20的底面边长相同，方便布置。
本公开实施例提供了一种MOCVD设备。如图1所示，MOCVD设备包括石墨基座100、反应室200、转轴300和出气口400。石墨基座100为圆盘形结构，石墨基座100的一个圆形端面110上设有多个圆形槽10和至少一个三棱锥形凸起20。多个圆形槽10的中心分布在至少两个圆环30内，每个圆环30的圆心与圆形端面110的圆心重合。至少一个三棱锥形凸起20分布在至少一个圆环30远离石墨基座100的中心的区域内，每个三棱锥形凸起20位于相邻的两个圆形槽10之间，每个三棱锥形凸起20所位于的两个圆形槽10分布在同一个圆环30内。石墨基座100设置在反应室200内。出气口400设置在反应室200上，出气口400朝向石墨基座100设有多个圆形槽10和至少一个三棱锥形凸起20的圆形端面110。转轴300和出气口400位于石墨基座100的相反两侧，转轴300与石墨基座100同轴连接。
图8为本公开实施例提供的石墨基座上外延片发光波长的示意图。参见图8，相比于图4，同一个外延片靠近石墨基座100的中心的区域和远离石墨基座100的中心的区域在发光波长上的差异很小，特别是远离石墨基座100的中心的十个外延片在发光波长上的差异明显减小。
以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种石墨基座，其特征在于，所述石墨基座(100)为圆盘形结构，所述石墨基座(100)的一个圆形端面(110)上设有多个圆形槽(10)和至少一个三棱锥形凸起(20)；所述多个圆形槽(10)的中心分布在至少两个圆环(30)内，每个所述圆环(30)的圆心与所述圆形端面(110)的圆心重合；所述至少一个三棱锥形凸起(20)分布在至少一个所述圆环(30)远离所述石墨基座(100)的中心的区域内，每个所述三棱锥形凸起(20)位于相邻的两个所述圆形槽(10)之间，每个所述三棱锥形凸起(20)所位于的两个所述圆形槽(10)分布在同一个所述圆环(30)内；每个所述三棱锥形凸起(20)的一条侧棱朝向所述石墨基座(100)的中心。
2.根据权利要求1所述的石墨基座，其特征在于，每个所述三棱锥形凸起(20)朝向所述石墨基座(100)的中心的侧棱位于所述石墨基座(100)的径切面上。
3.根据权利要求1或2所述的石墨基座，其特征在于，每个所述三棱锥形凸起(20)朝向所述石墨基座(100)的中心的侧棱与所述三棱锥形凸起(20)的底面之间的夹角，小于所述三棱锥形凸起(20)背向所述石墨基座(100)的中心的侧面与所述三棱锥形凸起(20)的底面之间的夹角。
4.根据权利要求1或2所述的石墨基座，其特征在于，所述至少一个三棱锥形凸起(20)分布在至少两个所述圆环(30)内，分布在不同所述圆环(30)内的所述三棱锥形凸起(20)背向所述石墨基座(100)的中心的侧边与所述三棱锥形凸起(20)的底面之间的夹角，沿远离所述石墨基座(100)的中心的方向逐渐增大。
5.根据权利要求4所述的石墨基座，其特征在于，每个所述三棱锥形凸起(20)的侧棱与底面之间的夹角为50°～75°，每个所述三棱锥形凸起(20)的侧面与底面之间的夹角为50°～75°。
6.根据权利要求1或2所述的石墨基座，其特征在于，所述至少一个三棱锥形凸起(20)分布在至少两个所述圆环(30)内，分布在不同所述圆环(30)内的所述三棱锥形凸起(20)的高度沿远离所述石墨基座(100)的中心的方向逐渐增大。
7.根据权利要求6所述的石墨基座，其特征在于，每个所述三棱锥形凸起(20)的高度为10μm～20μm。
8.根据权利要求1或2所述的石墨基座，其特征在于，分布在同一个所述圆环(30)内的所述三棱锥形凸起(20)和所述圆形槽(10)在所述圆形端面(110)的周向上交替排列。
9.一种MOCVD设备，其特征在于，所述MOCVD设备包括石墨基座(100)、反应室(200)、转轴(300)和出气口(400)；所述石墨基座(100)为圆盘形结构，所述石墨基座(100)的一个圆形端面(110)上设有多个圆形槽(10)和至少一个三棱锥形凸起(20)；所述多个圆形槽(10)的中心分布在至少两个圆环(30)内，每个所述圆环(30)的圆心与所述圆形端面(110)的圆心重合；所述至少一个三棱锥形凸起(20)分布在至少一个所述圆环(30)远离所述石墨基座(100)的中心的区域内，每个所述三棱锥形凸起(20)位于相邻的两个所述圆形槽(10)之间，每个所述三棱锥形凸起(20)所位于的两个所述圆形槽(10)分布在同一个所述圆环(30)内；每个所述三棱锥形凸起(20)的一条侧棱朝向所述石墨基座(100)的中心；所述石墨基座(100)设置在所述反应室(200)内；所述出气口(400)设置在所述反应室(200)上，所述出气口(400)朝向所述石墨基座(100)设有所述多个圆形槽(10)和所述至少一个三棱锥形凸起(20)的圆形端面(110)；所述转轴(300)和所述出气口(400)位于所述石墨基座(100)的相反两侧，所述转轴(300)与所述石墨基座(100)同轴连接。
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