CN217641284U - 一种铝盘治具 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种铝盘治具,包括刻蚀载盘,以及设于所述刻蚀载盘上的上盖;所述刻蚀载盘上设有若干个用于放置圆晶片的托盘,所述托盘内开设有若干个用于通入气体的透气孔,所述上盖上设有与所述托盘对应的固定孔;所述托盘的周侧设有围绕所述圆晶片的环形凹槽,以及设于所述环形凹槽内的密封圈,所述环形凹槽的纵截面为上窄下宽的梯形,以使所述密封圈被限制在所述环形凹槽中。通过修改环形凹槽的结构,将环形凹槽的纵截面变为上窄下宽的梯形,使得放置在该环形凹槽中的密封圈被限制在梯形槽中而不易脱落,解决了现有技术中,圆晶片与刻蚀载盘之间设置的橡胶圈易脱落,导致降低工作效率的技术问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及刻蚀载具技术领域,特别涉及一种铝盘治具。
背景技术
发光二极管具有体积小、效率高和寿命长等优点,在交通指示及户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率发光二极管可能实现半导体固态照明,引起人类照明史的革命,从而逐渐成为目前电子学领域的研究热点。为了获得高亮度的LED,关键要提高器件的内量子效率和外量子效率。目前,芯片光提取效率是限制器件外量子效率的主要因素,其主要原因是外延材料、衬底材料以及空气之间的折射率差别较大,导致有源区产生的光在不同折射率材料界面发生全反射而不能导出芯片。
目前主流的技术路线就是用图形衬底来生长外延,此种技术可以缓解衬底和氮化物外延层异质外延生长中由于品格失配引起的应力,减小GaN基外延层穿透位错的密度,提高外延层晶体质量,降低半导体发光材料的非辐射符合中心,增强辐射符合,以提高芯片亮度。目前这种图形衬底的制作方法是先用光刻胶在蓝宝石衬底上做周期性排列的小图形,再利用ICP(增强耦合等离子体)干法刻蚀技术将此光刻胶图形转移到蓝宝石衬底上,而这种干法刻蚀技术在刻蚀的过程中对衬底的冷却至关重要,否则光刻胶图形会因刻蚀的过程中产生的高温而变形,进而无法保证图形的有效转移。
目前ICP刻蚀对衬底的冷却方法是采用铝盘加石英盘,将He直接通入到蓝宝石衬底底部对蓝宝石衬底进行冷却,其中,为确保通入He之后刻蚀载盘与圆晶片之间的气密性,通常会在圆晶片与刻蚀载盘之间设置橡胶圈,但在实际使用过程中,多次的装载圆晶片会使橡胶圈发生偏移而脱落,需要人工重新调整安装橡胶圈,降低了工作效率。
实用新型内容
基于此,本实用新型的目的是提供一种铝盘治具,用于解决现有技术中,圆晶片与刻蚀载盘之间设置的橡胶圈易脱落,导致降低工作效率的技术问题。
本实用新型提出一种铝盘治具,包括刻蚀载盘,以及设于所述刻蚀载盘上的上盖;
所述刻蚀载盘上设有若干个用于放置圆晶片的托盘,所述托盘内开设有若干个用于通入气体的透气孔,所述上盖上设有与所述托盘对应的固定孔;
所述托盘的周侧设有围绕所述圆晶片的环形凹槽,以及设于所述环形凹槽内的密封圈,所述环形凹槽的纵截面为上窄下宽的梯形,以使所述密封圈被限制在所述环形凹槽中。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:通过修改环形凹槽的结构,将环形凹槽的纵截面变为上窄下宽的梯形,使得放置在该环形凹槽中的密封圈被限制在梯形槽中而不易脱落,解决了现有技术中,圆晶片与刻蚀载盘之间设置的橡胶圈易脱落,导致降低工作效率的技术问题。
进一步地,所述铝盘治具,其中,所述刻蚀载盘上设有若干个第一螺纹孔,所述上盖朝向所述刻蚀载盘的一侧设有与所述第一螺纹孔相对应的第二螺纹孔。
进一步地,所述铝盘治具,其中,所述刻蚀载盘上内嵌有若干个第一磁铁,所述上盖朝向所述刻蚀载盘的一侧设有与所述第一磁铁相对应的第二磁铁,所述第一磁铁与所述第二磁铁之间可相互吸附,以使所述刻蚀载盘与所述上盖连为一体。
进一步地,所述铝盘治具,其中,所述上盖为石英盘。
进一步地,所述铝盘治具,其中,所述密封圈采用橡胶或硅胶材料制备而成。
进一步地,所述铝盘治具,其中,所述刻蚀载盘上对称设有两个防呆凸块,所述上盖上设有与所述防呆凸块相对应的防呆孔。
进一步地,所述铝盘治具,其中,所述固定孔的内圈位置环形阵列有若干个止挡片。
进一步地,所述铝盘治具,其中,所述固定孔的边缘为倾斜的倒角结构。
附图说明
图1为本实用新型第一实施例中铝盘治具的立体图;
图2为本实用新型第一实施例中铝盘治具的分解图;
图3为本实用新型第一实施例中刻蚀载盘的具体结构示意图;
图4为本实用新型第一实施例中上盖的具体结构示意图;
图5为本实用新型第一实施例中刻蚀载盘的剖视图;
图6为图5中A位置的局部放大示意图;
图7为本实用新型第二实施例中刻蚀载盘的具体结构示意图;
图8为本实用新型第二实施例中上盖的具体结构示意图;
主要元件符号说明:
刻蚀载盘 | 10 | 上盖 | 20 |
托盘 | 11 | 固定孔 | 21 |
环形凹槽 | 31 | 密封圈 | 32 |
防呆凸块 | 41 | 防呆孔 | 42 |
止挡片 | 50 | 第一螺纹孔 | 61 |
第二螺纹孔 | 62 | 第一磁铁 | 71 |
第二磁铁 | 72 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本实用新型。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型,下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的若干实施例。但是,本实用新型可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是,当元件被称为“固设于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请结合图1至图6,所示为本实用新型第一实施例中的铝盘治具,包括刻蚀载盘10,以及设于所述刻蚀载盘10上的上盖20;
所述刻蚀载盘10上设有若干个用于放置圆晶片的托盘11,所述托盘11内开设有若干个用于通入气体的透气孔,所述上盖20上设有与所述托盘11对应的固定孔21,具体地,在本实施例中,托盘11的数量为9个,其中一个托盘11设置在刻蚀载盘10的圆心位置,其余8个托盘11围绕刻蚀载盘10的圆心设置;;
所述托盘11的周侧设有围绕所述圆晶片的环形凹槽31,以及设于所述环形凹槽31内的密封圈32,所述环形凹槽31的纵截面为上窄下宽的梯形,以使所述密封圈32被限制在所述环形凹槽31中,其中密封圈32采用橡胶材料制备而成。
实际应用中,设置在环形凹槽31内的密封圈32要做适应性调整,修改传统密封圈32直径由1.0mm改成1.2mm,使得密封圈32安装在环形凹槽31内时有一定的膨胀空间从而更加契合环形凹槽31。
具体地,所述刻蚀载盘10上设有若干个第一螺纹孔61,所述上盖20朝向所述刻蚀载盘10的一侧设有与所述第一螺纹孔61相对应的第二螺纹孔62。实际应用中,操作人员可通过螺丝从刻蚀载盘10的底部穿过第一螺纹孔61连接上盖20的第二螺纹孔62,实现刻蚀载盘10和上盖20之间的连接固定,其中,第二螺纹孔62不贯穿上盖20,避免螺纹孔与螺丝之间的螺纹连接存在间隙而导致漏气。
进一步地,所述刻蚀载盘10上对称设有两个防呆凸块41,所述上盖20上设有与所述防呆凸块41相对应的防呆孔42。具体地,防呆凸块41的一端为弧形倒角、另一端为直倒角,在装配上盖20的过程中,通过防呆凸块41对应防呆孔42,实现刻蚀载盘10与上盖20之间精度定位,提升装配效率,另外,防呆凸块41两端的形状结构不同,还可起到防呆的作用,避上盖20装反或装错。
进一步地,所述固定孔21的内圈位置环形阵列有若干个止挡片50。可以理解地,通过止挡块抵压在圆晶片表面进一步提升固定效果。
进一步地,所述固定孔21的边缘为倾斜的倒角结构。所述倒角的弧度为30~45度。可以理解的,上盖20可以阻挡刻蚀等离子体对刻蚀载盘10的直接损伤,为防止上盖20与等离子体的反应,上盖20常采用绝缘性材料制成,例如石英盘,其固定孔21的边缘为倒角设计,可避免边缘等离子溅射,导致晶片边缘蚀刻速率偏慢。
综上,本实用新型上述实施例当中的铝盘治具,通过修改环形凹槽的结构,将环形凹槽的纵截面变为上窄下宽的梯形,使得放置在该环形凹槽中的密封圈被限制在梯形槽中而不易脱落,解决了现有技术中,圆晶片与刻蚀载盘之间设置的橡胶圈易脱落,导致降低工作效率的技术问题。
请查阅图7至图8,所示为本实用新型第二实施例中的铝盘治具,本实施例当中的铝盘治具与第一实施例当中的铝盘治具的不同之处在于:所述刻蚀载盘10上内嵌有若干个第一磁铁71,所述上盖20朝向所述刻蚀载盘10的一侧设有与所述第一磁铁71相对应的第二磁铁72,所述第一磁铁71与所述第二磁铁72之间可相互吸附,以使所述刻蚀载盘10与所述上盖20连为一体。可以理解地,通过磁铁吸附的方式替代螺丝连接,刻蚀载盘10装配完需刻蚀的圆晶片后,上盖20轻轻对准刻蚀载盘10,就能被磁铁强力吸住,随后可以直接放入机台作业,大大提升了作业效率,且不会再产生螺丝屑,降低了产品表面颗粒,提升产品品质。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (8)
1.一种铝盘治具,其特征在于,包括刻蚀载盘,以及设于所述刻蚀载盘上的上盖;
所述刻蚀载盘上设有若干个用于放置圆晶片的托盘,所述托盘内开设有若干个用于通入气体的透气孔,所述上盖上设有与所述托盘对应的固定孔;
所述托盘的周侧设有围绕所述圆晶片的环形凹槽,以及设于所述环形凹槽内的密封圈,所述环形凹槽的纵截面为上窄下宽的梯形,以使所述密封圈被限制在所述环形凹槽中。
2.根据权利要求1所述的铝盘治具,其特征在于,所述刻蚀载盘上设有若干个第一螺纹孔,所述上盖朝向所述刻蚀载盘的一侧设有与所述第一螺纹孔相对应的第二螺纹孔。
3.根据权利要求1所述的铝盘治具,其特征在于,所述刻蚀载盘上内嵌有若干个第一磁铁,所述上盖朝向所述刻蚀载盘的一侧设有与所述第一磁铁相对应的第二磁铁,所述第一磁铁与所述第二磁铁之间可相互吸附,以使所述刻蚀载盘与所述上盖连为一体。
4.根据权利要求1所述的铝盘治具,其特征在于,所述上盖为石英盘。
5.根据权利要求1所述的铝盘治具,其特征在于,所述密封圈采用橡胶或硅胶材料制备而成。
6.根据权利要求1所述的铝盘治具,其特征在于,所述刻蚀载盘上对称设有两个防呆凸块,所述上盖上设有与所述防呆凸块相对应的防呆孔。
7.根据权利要求1所述的铝盘治具,其特征在于,所述固定孔的内圈位置环形阵列有若干个止挡片。
8.根据权利要求1所述的铝盘治具,其特征在于,所述固定孔的边缘为倾斜的倒角结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202221885344.1U CN217641284U (zh) | 2022-07-21 | 2022-07-21 | 一种铝盘治具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202221885344.1U CN217641284U (zh) | 2022-07-21 | 2022-07-21 | 一种铝盘治具 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN217641284U true CN217641284U (zh) | 2022-10-21 |
Family
ID=83634946
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202221885344.1U Active CN217641284U (zh) | 2022-07-21 | 2022-07-21 | 一种铝盘治具 |
Country Status (1)
Country | Link |
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