CN204644466U

CN204644466U - 晶片托盘

Info

Publication number: CN204644466U
Application number: CN201520086248.4U
Authority: CN
Inventors: 尹志尧; 姜勇
Original assignee: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Current assignee: Medium and Micro Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd.
Priority date: 2015-02-06
Filing date: 2015-02-06
Publication date: 2015-09-16
Anticipated expiration: 2025-02-06

Abstract

本实用新型提供一种晶片托盘，该晶片托盘包括上表面与下表面，所述上表面上设置有呈间隔分布的多个凹部，每一凹部用于放置一待加工晶片，所述凹部的底面平坦，以使放置于内的晶片各处能充分与该底面接触；所述下表面上设置有平坦的主体部以及相对所述主体部凹陷的多个槽，所述槽的底面为平面，并且与所述凹部的底面平行。每一凹部在所述下表面内的投影全部落入对应的槽内。在化学气相沉积反应中使用该晶片托盘，既可保证各晶片表面温度的均匀性，也可实现对温度切换的快速响应。

Description

晶片托盘

技术领域

本实用新型涉及化学气相沉积装置，尤其涉及可应用在该沉积装置中的晶片托盘。

背景技术

许多半导体器件通过在衬底上外延生长半导体材料形成。该衬底通常为圆片形式的结晶材料，通常称作“晶片”。例如，由诸如III-V族半导体的化合物半导体形成的器件通常通过采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来生长化合物半导体连续层而形成。在该工艺中，晶片暴露于气体组合物中，通常包括金属有机化合物以及V族元素源，该气体组合物在晶片被保持在升高温度的同时从晶片的表面流过。III-V族半导体的一个实例是氮化镓，其可以通过具有适宜的晶格间距的衬底上的有机金属镓化合物与氨的反应而形成为例如蓝宝石晶片。通常，在氮化镓及类似化合物的沉积期间，晶片被保持在大约500-1100℃的温度。

复合器件可以在略有不同的反应条件下通过在晶片的表面上沉积连续多个层来制造，作为例子，可添加其他III族或V族元素来相应地改变半导体的晶体结构和带隙。例如，在氮化镓基半导体中，可使用不同比例的铟、铝或两者来改变半导体的带隙。而且，可加入p型或n型掺杂剂来控制每一层的电导率。在所有半导体层已经形成后，且通常在适当的电接触已经应用后，晶片被切割成独立器件。诸如发光二极管(LED)、激光器以及其他电子和光电子器件均可以通过这种方式制造。

在典型的化学气相沉积工艺中，多个晶片被保持在通常称为晶片托盘的装置上，从而每个晶片的上表面在晶片托盘的上表面处暴露。随后晶片托盘被放入反应室中，并且在气体混合物流过晶片托盘的表面的同时，晶片托盘被保持在所需的温度下。在该工艺期间，保持托盘上的不同晶片的上表面上所有点的条件一致很重要。反应气体的组分以及晶片表面的温度的微小变化将会导致所得到的半导体器件的性能的不期望的变化。例如，如果镓和铟氮化物层被沉积，那么晶片表面温度的变化将导致沉积层的组分和带隙的变化。因为铟具有相对高的蒸汽压力，所以在表面温度较高的晶片区域中沉积层将具有较低比例的铟以及较大的带隙。如果沉积层是LED结构的有源光发射层，那么由晶片形成的LED的发射波长也将改变。因此，迄今为止，本领域为保持均匀条件付出了巨大努力。

在业界被广泛接受的一种CVD装置采用具有多个晶片保持区域的大圆片形式的晶片托盘，每个区域适合于保持一个晶片。该晶片托盘被支承在反应室中的心轴上，从而晶片托盘的上表面具有晶片的暴露表面，该暴露表面向上面向气体分配元件。当心轴旋转时，气体被向下导向晶片托盘的上表面，并且向着晶片托盘的周边流过上表面。已用过的气体通过布置在晶片托盘下的通道从反应室排出。晶片托盘通过加热元件保持在需要的升高的温度下，加热元件通常是布置在晶片托盘的下表面下的电阻加热元件。这些加热元件保持在高于晶片表面所需温度的温度，然而气体分配元件通常是保持在低于所需反应温度的温度下，以便防止气体过早的反应。因此，热量由加热元件传递至晶片托盘的下表面，并且通过晶片托盘向上传递至各晶片。

另外，在CVD工艺反应过程中，经常有在不同温度之间快速切换的工艺步骤，这就需要CVD装置的各部件，尤其是晶片托盘能够快速响应这种切换。

迄今为止，尽管本领域为了设计最优化的这种系统付出了巨大的努力，但是进一步的改善仍然是期望。特别地，期望的是在整个晶片托盘上提供更均匀的温度，并且在温度切换中，晶片托盘能快速响应该切换。

实用新型内容

根据本实用新型的一个方面，提供一种晶片托盘，包括上表面与下表面，所述上表面上设置有呈间隔分布的多个凹部，每一凹部用于放置一待加工晶片，所述凹部的底面平坦，以使放置于内的晶片各处能充分与该底面接触；所述下表面上设置有平坦的主体部以及相对所述主体部凹陷的多个槽，所述槽的底面为平面，并且与所述凹部的底面平行；其中，每一凹部在所述下表面内的投影全部落入对应的槽内。

可选的，所述凹部在所述下表面内的投影与所述槽的各边界之间存在间隙。

可选的，所述间隙的宽度w不小于5毫米，并且不超过10毫米。

可选的，各位置处的间隙的宽度w均相等。

可选的，所有相邻凹部的最接近处的间隔均大于所述间隙的宽度w的两倍；

相应的，所述下表面上共设置有与凹部数目相等的呈间隔分布的多个所述槽，每一凹部在所述下表面内的投影全部落入对应的槽内，每一组对应的凹部与槽之间的所述间隙的宽度均相等，为w。

可选的，至少存在这样的一对相邻凹部，它们在最接近处的间隔不大于所述间隙的宽度w的两倍；相应的，与该对相邻凹部对应的一对相邻槽，在该最接近处对应的地方连通而成为一个整体。

可选的，所述下表面上的所有槽连通并成为一个整体，该成为一个整体的较大的槽内，间隔分布着若干所述主体部的组成部分；即，所述主体部被槽分割为不相连的多个部分。

根据本实用新型的另一方面，提供一种晶片托盘，包括上表面与下表面，所述上表面上设置有呈间隔分布的多个凹部，每一凹部用于放置一待加工晶片，所述凹部的底面平坦，以使放置于内的晶片各处能充分与该底面接触；所述下表面上设置有平坦的主体部以及相对所述主体部凹陷的槽，所述主体部的上表面为平面，并且与所述凹部的底面平行；其中，所述凹部在所述下表面内的投影全部落入所述主体部。

可选的，所述凹部在所述下表面内的投影与所述主体部的边界之间存在间隙。

可选的，所述间隙的宽度w不小于5毫米，并且不超过10毫米。

可选的，各位置处的间隙的宽度w均相等。

所述下表面上至少设置有与凹部数目相等的呈间隔分布的多个所述主体部，每一凹部在所述下表面内的投影全部落入对应的主体部内，每一组对应的凹部与主体部之间的所述间隙的宽度均相等，为w。

可选的，在所述下表面的最外缘区域还设置有一个呈环形的主体部，以将所有的所述槽环绕在其内，该呈环形的主体部的上方未设置用于放置待加工晶片的凹部。

可选的，所述下表面上设置有与所述凹部一一对应的多个所述主体部；

至少存在这样的一对相邻凹部，它们在最接近处的间隔不大于所述间隙的宽度w的两倍；相应的，与该对相邻凹部对应的一对相邻主体部，在该最接近处对应的地方连接成一个整体。

可选的，所述下表面上的所有主体部连成一个整体，该整体所构成的区域内间隔分布着若干个槽。

附图说明

图1是根据本实用新型一个实施例的化学气相沉积装置的结构示意图；

图2与图3是可应用在上述沉积装置中的一种晶片托盘的结构示意图；其中，图2(a)示出了该晶片托盘的上表面的主要构造，图2(b)示出了其下表面的主要构造；图3是该晶片托盘的一个切面示意图；

图4是利用该晶片托盘保持晶片进行化学气相沉积的过程中，晶片表面温度的分布图；

图5至图7是本实用新型一个实施例所提供的可应用于上述沉积装置中的晶片托盘的结构示意图；其中，图5(a)与图5(b)是该晶片托盘的不同视角的立体图，以分别展示该晶片托盘的上表面与下表面的主要构造；图6是其上表面的平面视图；图7是该晶片托盘的一个切面示意图；

图8是利用如图5所示晶片托盘进行化学气相沉积的过程中，晶片表面温度的分布图；

图9与图10共同展示了上述实施例的一个变更实施方式；其中，图9(a)展示了晶片托盘上表面的主要结构，图9(b)展示了其下表面的主要结构；图10是该晶片托盘上表面的平面视图；

图11与图12是本实用新型另一实施例给出的晶片托盘的结构示意图；其中，图11是该晶片托盘的上表面的平面视图；图12是该晶圆托盘的一个切面示意图；

图13所示是图11与图12所示晶片托盘的一个变例。

具体实施方式

根据本实用新型的一个实施例的化学气相沉积装置如图1所示，其包括反应室10，该反应室10具有设置在反应室的一个端部处的气体分配元件12。这里，具有气体分配元件12的端部指反应室10的“顶”端。气体分配元件12连接至用于CVD工艺的气体源14，该气体源14例如是载气以及诸如源于III族金属(典型地为金属有机化合物)的反应气体，以及例如氨气或其它V族氢化物的源于V族元素的反应气体。气体分配元件12被配置为接收各种气体，并大体上在向下的方向上引导气流。气体分配元件12理想地还连接至冷却系统16，该冷却系统16被配置为使液体循环流过气体分配元件12，以便在操作期间将气体分配元件12的温度保持在需要的温度。反应室10还配备排气系统18，该排气系统18被配置为经过位于或靠近反应室10底部的端口(未示出)从反应室10的内部排出废气，以便允许来自气体分配元件12的向下方向的连续气体流动。

心轴20被配置在反应室10中，以使得心轴的中心轴线22在向上和向下的方向上延伸。心轴20在其顶端具有装配件24，该顶端即为最靠近气体分配元件12的心轴20的端部。在所描绘的特定实施例中，装配件24为大体圆锥形元件。心轴20连接至例如电动马达驱动器的旋转驱动机构26，该旋转驱动机构26被配置使心轴20围绕轴线22旋转。加热元件28被安装在反应室10中，并且在装配件24下方围绕心轴20。反应室10还设有可开启的端口30，以用于晶片托盘32的插入和移出。

在图1所示的运行条件下，晶片托盘32被安装在心轴20的装配件24上。该晶片托盘32大体上为圆盘形结构。该托盘32理想地被形成为由非金属耐火材料制成的单片板，该非金属耐火材料例如是选自由碳化硅、氮化硼、碳化硼、氮化铝、氧化铝、蓝宝石、石英、石墨及其组合物所组成的组；该托盘32具有或不具有耐火涂层，该耐火涂层例如是碳化物、氮化物或氧化物。晶片托盘32具有上表面34以及下表面36。晶片托盘32的结构还具有装配件38，该装配件38被配置成为接合心轴20的装配件24并将晶片托盘32保持在该心轴20上，其中所述上表面34向上面向气体分配元件12，所述下表面36向下面向加热元件28并且远离(或背离)气体分配元件12。装配件38的结构将取决于心轴20的构造。在所示出的特定实施例中，装配件38被形成为晶片托盘32的下表面36中的截头圆锥形凹部。

一种可应用在上述化学气相沉积装置中的晶片托盘32’如图2所示，其中，图2(a)示出了其上表面34’的主要构造，图2(b)示出了其下表面36’的主要构造。如图所示，晶片托盘32’的上表面34’上设置有多个用于保持或容纳晶片的凹部342’，每一凹部342’呈圆形，用于保持一个圆形晶片于其内。该晶片托盘32’的下表面36’上设置有多个呈同心圆排布的圆形槽362’。在反应室中，槽362’直接面对下方的加热元件，并作为反射部将来自加热元件的辐射加热射线进行多次反射，从而可提高加热元件对晶片托盘32’的加热效率。这些槽362’基本均匀遍布于整个下表面36’，因而通常其已被认为可改善加热的均匀性。

关于该晶片托盘32’更详细的信息可参见于2012年5月16日授权公告的、名称为“一种用于化学气相沉积工艺的反应器”的中国实用新型专利CN 202220200U。

然而，实用新型的发明人发现，该晶片托盘32’在加热均匀性方面仍存在些许缺陷。如图3(图3是该托盘32’的一个切面示意图)所示，由于槽362’的存在，使得即使是同一个晶片S(或者凹部342’)下方的托盘厚度在不同区域处也有明显差异：具体为，槽所在区域处的托盘厚度H₁明显小于其它区域处的托盘厚度H₂。这导致，在CVD工艺中，位于槽362’上方的晶片S区域表面测得的温度T₁总是略高于晶片S其它区域表面测得的温度T₂，如图4(图4是晶片表面温度在不同区域处的分布图，其中，横轴Q对应的是晶片S表面的相应区域，纵轴T对应的是相应区域在CVD反应中所测得的表面温度)所示。该两处的温差虽然不太大而常遭忽略，但也足以对工艺的均匀性造成些许不良影响。

图5所示为本实用新型一个实施例所提供的可应用于如图1所示化学气相沉积装置中的晶片托盘。其中，图5(a)与图5(b)是其不同角度的立体图，以分别展示该晶片托盘的上表面与下表面的主要构造。如图中所示，晶片托盘32为圆盘状的单片板，其上表面34主要由两部分组成：平坦的主体部340；相对主体部340凹陷的凹部342。其中，多个凹部342大致均匀地分布于上表面34各处，并被主体部340分割开来。每一凹部342用于放置一个待加工的晶片，凹部342的底面3421(可参考图7)平坦，以使放置于内的晶片各处能充分与该底面3421接触。

晶片托盘32的下表面36亦主要由两部分组成：平坦的主体部360；相对主体部360凹陷的槽362。在图中给定的实施例中，槽362与凹部342的形状相同(尺寸不要求相同)，且中心重合。槽362的底面3621(可参考图7)为平面，且与凹部342的底面3421平行。说明一点，这里所称的“槽”泛指低于周围区域而形成的任何坑、沟、渠、孔、凹陷等结构，但如该结构之后又被其它材质重新填充或占据，使其在CVD工艺中不再呈现凹陷状态的，则不能被视为是符合该定义的“槽”。举例而言，图1中作为装配件38的截头圆锥形凹部，由于其与心轴20的顶端装配而不再以凹陷的状态呈现，因而其不能看作是符合该定义的下表面的“槽”。

设置该槽362的优点至少包括两个方面：

(1)、在CVD工艺进行温度切换的过程中，晶片托盘32能够快速响应该切换。由于Q＝Cm△T(其中，Q为吸收或放出的热量；C为比热容，与材料本身有关；m为晶片托盘的质量；△T为温度变化)，可知，对于给定材料的晶片托盘(其比热容C不变)而言，其它条件不变(主要指加热条件不变)的情况下，晶片托盘质量m越小，温度变化△T(温度响应速度)越快。说明一点，这里的槽362并不必如图2中的槽362’那样作为反射部用来反射特定频段的射线，因而它的尺寸、形状、材料等不必如槽362’那样符合相应的反射要求。

(2)、在CVD工艺中，晶片托盘32需要在心轴的驱动下高速旋转，因而其必须维持足够的强度(其与晶片托盘的“厚度“紧密相关)以避免在旋转中受损。由于槽362只是设置在局部，并不充满整个下表面，因而晶片托盘32其它区域(主要是主体部360所在区域)的厚度并不会减少，因而，晶片托盘32的强度几乎不会因槽362而大幅缩减，从而能够适应快速旋转的要求。

为使槽362的设置不会如图2中所示晶片托盘32’那样影响到晶片表面温度的均匀性，晶片托盘32中槽362的设置还需要满足：使得凹部342内各处的厚度H(可结合图7所示。这里所称的“厚度”特指的是竖直方向，尤其是心轴的轴向或者说长度方向)相等；或者，至少不能让槽362破坏该相等的厚度。

可满足上述温度均匀性的、槽362的一种设置方式为：凹部342在下表面36内的投影(所选用的作为投影线的照射光线应与心轴的轴向或者说长度方向平行)全部落入所述槽362内(包括落在边界上的情形)；或者说，槽362在上表面34内的投影(所选用的作为投影线的照射光线应与心轴的轴向或者说长度方向平行)能覆盖住整个凹部342(包括两者边界重合的情形)，如图6(图6是上表面34的平面视图。为了清楚展示凹部342与槽362之间的相对位置关系，在图6中将槽362投影到了上表面34；图6中，圆形虚线框勾勒出的即是槽362投影后的边界)所示。在该情形下，槽362的存在会减少整个凹部342内各个区域的厚度，只要保证减少的幅度相同，原本相同的厚度会在减少后仍然相同。由于凹部342内各处的托架厚度H相等，因而，放置在其内的晶片在进行CVD加工过程中，晶片整个上表面具有更佳的温度均匀性，如图8所示(图8是图5与图6所示实施例中晶片不同区域表面温度的分布示意图，其中，横轴Q对应的是晶片S表面的相应区域，纵轴T对应的是相应区域在CVD反应中所测得的表面温度。从图中可以看出，在反应中晶片S表面的温度高度一致)。

作为更佳的实施方式，凹部342在下表面36内的投影与槽362的各边界之间存在间隙G。该间隙G内的托盘部分可作为温度扩散缓冲区，避免晶片的边缘区域的温度受热量扩散的影响。请结合图7(图7是该晶片托盘32一个切面示意图)，晶片S下方的托架厚度H小于槽外区域O的托架厚度H₀，该厚度的差异会导致晶片S表面的温度高于槽外区域的托架表面的温度。假如不存在间隙G，晶片S直接与槽外区域O的晶片托架32相邻，那么温度较高的晶片S表面不可避免地要扩散热量至槽外区域O的托架表面，直至晶片S边缘处的温度与槽外区域O的托架表面的温度齐平，这个热量扩散的过程可能会导致晶片边缘处的温度略低于晶片中央处，不利于晶片表面温度的均匀性。而间隙G的存在使得上述热量扩散只在或主要在间隙G所在区域的托架表面与槽外区域O的托架表面进行，而不直接影响晶片S。

经验证，当该间隙G的宽度w不小于5mm(毫米)时，已可基本使上述热量扩散对晶片表面温度的影响降低至完全可接受的程度。当该间隙G的宽度w增大至10mm(毫米)后，继续增大宽度w已几乎不能进一步改善晶片表面的温度均匀性。

在图5与图6示出的实施例中，对于同一个凹部342与对应的槽362而言，它们在各位置处的间隙G的宽度w均相等。因而，它们的形状相同，且中心重合。不同凹部342对应的间隙G的宽度w也相等。当然，在其它实施例中，这些间隙的宽度均可不同。在图6中，上表面34上各凹部342之间的间隔较大(大于间隙G宽度w的两倍)，因而，下表面36上对应设置的各槽362之间留有足够的间距而不发生干扰(或者说交叠、重合)。

当上表面34上的凹部342数目较多，不得不布置得较密集(比如，不能保证所有相邻的凹部342在它们最接近处的间隔都能够大于间隙G的宽度w的两倍)时，那么，下表面36上设置的槽362通常也会排布得更密集，甚至会发生相邻的槽362连成一体的情形，如图9与图10(图9与图10共同显示了上述实施例的一个变更实施方式。其中，图9(a)展示了晶片托盘32上表面的主要结构，图9(b)展示了其下表面的主要结构。图10是该晶片托盘32上表面的平面视图。为了清楚展示凹部342与槽362之间的相对位置关系，在图10中将槽362投影到了上表面34；图10中，虚线框勾勒出的即是槽362投影后的边界)所示。这并不影响它实质上的效果。

在图9与图10给出的实施例中，下表面36上的所有槽362连通并成为一个整体，该成为一个整体的较大的槽内，间隔分布着若干个(这里的“若干”代表的数目可以是一个或更多个)所述主体部360的组成部分。也就是说，主体部360被槽362分割成为了不相连的多个(即两个或更多)部分。残留在槽362内的、零散分布的主体部360部分可提高整个托盘的强度。

说明一点，可将所有的主体部视为一个整体，即将它们的整体视作一个完整的主体部，被(槽)分割开来的每一部分都可视为该主体部的组成部分；也可将被分割开来的每一部分都视为一个完整、独立的主体部，从而认为下表面上设置有多个主体部。描述的都是上述结构。为行文的流畅性及前后文的衔接便利性，本文在描述不同的实施例或不同组的权利要求时，可能根据需要选取上述两种表达中的任一种，而未保持严格统一。敬请注意。

将上述各实施例中设置在晶片托盘32下表面36内的主体部360与槽362的位置进行互换，即可获得另外一组可行的实施例。以下举例进行简要说明。

本实用新型另一实施例给出的晶片托盘132如图11与图12所示。其中，图11是晶片托盘132上表面134的平面视图。为了清楚展示设置于上表面134的凹部1342与设置于下表面136的主体部1360之间的相对位置关系，在图11中将主体部1360投影到了上表面134；图11中的圆形虚线框勾勒出的即是主体部1360投影后的边界。图12是晶圆托盘132的一个切面示意图。

如图中所示，晶片托盘132为圆盘状的单片板，其上表面134主要由两部分组成：平坦的主体部1340；相对主体部1340凹陷的凹部1342。其中，多个凹部1342大致均匀地分布于上表面134各处，并被主体部1340分割开来。每一凹部1342用于放置一个待加工的晶片，凹部1342的底面13421平坦，以使放置于内的晶片各处能充分与该底面13421接触。

晶片托盘132的下表面136亦主要由两部分组成：平坦的主体部1360；相对主体部1360凹陷的槽1362。在图中给定的实施例中，主体部1360与凹部1342的形状相同(尺寸不要求相同)，且中心重合。主体部1360的上表面13601为平面，且与凹部1342的底面13421平行。与前面实施例类似，这里所称的“槽”泛指低于周围区域而形成的任何坑、沟、渠、孔、凹陷等结构，但如该结构之后又被其它材质重新填充或占据，使其在CVD工艺中不再呈现凹陷状态的，则不能被视为是符合该定义的“槽”。

凹部1342在下表面136内的投影(所选用的作为投影线的照射光线应与心轴的轴向或者说长度方向平行)全部落入所述主体部1360内(包括落在边界上的情形)；或者说，主体部1360在上表面134内的投影(所选用的作为投影线的照射光线应与心轴的轴向或者说长度方向平行)能覆盖住整个凹部1342(包括两者边界重合的情形)。在该情形下，槽1362的存在不会影响到整个凹部1342内各个区域的厚度。由于凹部1342内各处的托架厚度H相等，因而，放置在其内的晶片在进行CVD加工过程中，晶片整个上表面具有更佳的温度均匀性。

作为更佳的实施方式，凹部1342在下表面136内的投影与主体部1360的各边界之间存在间隙G。该间隙G内的托盘部分可作为温度扩散缓冲区，避免晶片的边缘区域的温度受热量扩散的影响。理由与前述实施例类似，不再赘述。

前面被详细描述过的各实施例中的各处细节及改进点同样适用于本实施例(或经简单变化后容易适用于本实施例)，这里不再一一阐释。

作为对该实施例的进一步改进，可在所述下表面136的最外缘区域另设置一个呈环形的主体部1360，以将所有的所述槽1362环绕在其内，该呈环形的主体部1360的上方未对应设置用于放置待加工晶片的凹部，仅用来增强托盘132的强度，如图13所示。

尽管本实用新型已经通过参考特定实施例加以描述，但应当理解的是，这些实施例仅仅是本实用新型的原理及其应用的示例性说明。因此应当理解的是，在不脱离由所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围的情况下，可以对这些示例性实施例做出多种修改，并得出其他配置。

Claims

1.晶片托盘，包括上表面与下表面，所述上表面上设置有呈间隔分布的多个凹部，每一凹部用于放置一待加工晶片，所述凹部的底面平坦，以使放置于内的晶片各处能充分与该底面接触；所述下表面上设置有平坦的主体部以及相对所述主体部凹陷的多个槽，所述槽的底面为平面，并且与所述凹部的底面平行；其特征在于，每一凹部在所述下表面内的投影全部落入对应的槽内。

2.如权利要求1所述的晶片托盘，其中，所述凹部在所述下表面内的投影与所述槽的各边界之间存在间隙。

3.如权利要求2所述的晶片托盘，其中，所述间隙的宽度w不小于5毫米，并且不超过10毫米。

4.如权利要求2所述的晶片托盘，其中，各位置处的间隙的宽度w均相等。

5.如权利要求4所述的晶片托盘，其中，所有相邻凹部的最接近处的间隔均大于所述间隙的宽度w的两倍；

6.如权利要求4所述的晶片托盘，其中，至少存在这样的一对相邻凹部，它们在最接近处的间隔不大于所述间隙的宽度w的两倍；相应的，与该对相邻凹部对应的一对相邻槽，在该最接近处对应的地方连通而成为一个整体。

7.如权利要求6所述的晶片托盘，其中，所述下表面上的所有槽连通并成为一个整体，该成为一个整体的较大的槽内，间隔分布着若干所述主体部的组成部分；即，所述主体部被槽分割为不相连的多个部分。

8.晶片托盘，包括上表面与下表面，所述上表面上设置有呈间隔分布的多个凹部，每一凹部用于放置一待加工晶片，所述凹部的底面平坦，以使放置于内的晶片各处能充分与该底面接触；所述下表面上设置有平坦的主体部以及相对所述主体部凹陷的槽，所述主体部的上表面为平面，并且与所述凹部的底面平行；其特征在于，所述凹部在所述下表面内的投影全部落入所述主体部。

9.如权利要求8所述的晶片托盘，其中，所述凹部在所述下表面内的投影与所述主体部的边界之间存在间隙。

10.如权利要求9所述的晶片托盘，其中，所述间隙的宽度w不小于5毫米，并且不超过10毫米。

11.如权利要求9所述的晶片托盘，其中，各位置处的间隙的宽度w均相等。

12.如权利要求11所述的晶片托盘，其中，所有相邻凹部的最接近处的间隔均大于所述间隙的宽度w的两倍；

13.如权利要求12所述的晶片托盘，其中，在所述下表面的最外缘区域还设置有一个呈环形的主体部，以将所有的所述槽环绕在其内，该呈环形的主体部的上方未设置用于放置待加工晶片的凹部。

14.如权利要求11所述的晶片托盘，其中，所述下表面上设置有与所述凹部一一对应的多个所述主体部；

15.如权利要求14所述的晶片托盘，其中，所述下表面上的所有主体部连成一个整体，该整体所构成的区域内间隔分布着若干个槽。