TWI743806B - 高蝕刻率均勻性之晶圓承載系統及其高蝕刻率均勻性晶圓載盤 - Google Patents

Abstract

本發明為一種高蝕刻率均勻性之晶圓承載系統及其高蝕刻率均勻性晶圓載盤，其包括：一下電極底板；一下電極上蓋板，其具有：一溫度調節流道，且形成一正流向；及複數個流體通道與下電極底板之進氣孔相連通；一高蝕刻率均勻性晶圓載盤，其本體底面與下電極上蓋板形成一溫度調節層；及複數個溫度調節區塊，其係形成於底面，每一溫度調節區塊由至少一溫度調節凹槽所構成，且形成一區塊溫度調節體積，又區塊溫度調節體積之大小，係依照正流向的順序而遞增；以及一滲氣密封環，其係設置於高蝕刻率均勻性晶圓載盤之外緣與下電極上蓋板之間。藉由本發明之實施，可以藉由溫度調節區塊調節晶圓載盤溫度，進而達成高蝕刻率均勻性之功效，此外又可更便利的完成晶圓片的設置或取出。

Description

高蝕刻率均勻性之晶圓承載系統及其高蝕刻率均勻性晶圓載盤

本發明為一種高蝕刻率均勻性之晶圓承載系統及其高蝕刻率均勻性晶圓載盤，特別係用於半導體或光電元件之高蝕刻率均勻性之晶圓承載系統及其高蝕刻率均勻性晶圓載盤。

如圖1A至圖2B所示，在蝕刻機的設備中，為了有效的維持待加工件，例如晶圓片，其表面的最佳溫度及均勻性，因此設計了各種溫度調節的機制，其中圖1A至圖2B係為一種兩片式晶圓載盤結構P100，其係在習知晶圓載盤P110上的習知晶圓置放區P111，設置了多個溫度調節的氣孔P112，藉由溫度調節的氣孔P112注入的流體，對晶圓片進行溫度控制，但這樣的設計，為了避免晶圓片被注入流體頂升或噴飛，又為了防止漏氣，因此必須使用晶圓片上蓋P120壓住晶圓片，如此才能進行蝕刻製程，但使用晶圓片上蓋P120時，必須藉由多顆螺絲P130進行繁雜的鎖固，而且要注意到鎖固施加於晶圓片的壓力，因此對於晶圓片的置放及取出，都會增加相當的時間，且容易因為不小心的碰撞，而造成晶圓片的損壞。

如圖3A所示，除了上述的問題，由於蝕刻機的下電極底板110，其具有冷卻水之冷卻介質注入孔111及冷卻介質排出孔112，又蝕刻機的下電極上蓋板120間形成冷卻水道121，當冷卻水由冷卻介質注入孔111注入後，接著流經冷卻水道121，將熱由冷卻水之冷卻介質排出孔112排出，因此造成冷卻水在冷卻水道121中逐步累積熱能，導致在冷卻介質注入孔111端附近的晶圓片，溫度較低，但愈接近冷卻水之冷卻介質排出孔112端附近的晶圓片，溫度較高，此溫度不均勻的現象不只影響晶圓載盤均溫性、位於入口及出口端附近晶圓片的溫度，也影響到晶圓片蝕刻率的均勻性。

如圖3B所示，習知兩片式晶圓載盤結構P100，各晶圓片之表面溫度，因為受到冷卻流道分佈的影響，又受到在反應腔室內配置位置的影響，以及流體冷卻方式...等因素，使的各晶圓片間之表面溫度差高達10.3℃，又各個晶圓片間之蝕刻率，其差異性亦高達3.49%，最後在溫度標準差方面，也高達4.33℃，因而使產品的品質及良率也受到嚴重的影響。

本發明為一種高蝕刻率均勻性之晶圓承載系統及其高蝕刻率均勻性晶圓載盤，其主要解決晶圓表置放及取出晶圓載盤之便利性，以及各晶圓片表面間，溫度均勻性不佳，所造成蝕刻率均勻性不佳的問題。

本發明提供一種高蝕刻率均勻性之晶圓承載系統，其包括：一下電極底板，其具有一冷卻介質注入孔、一冷卻介質排出孔及複數個進氣孔；一下電極上蓋板，其結合於下電極底板上，下電極上蓋板具有：一 溫度調節流道，其形成於鄰接下電極底板之一側，溫度調節流道之一進入端對應於冷卻介質注入孔，又一流出端對應於冷卻介質排出孔，又依照冷卻介質注入孔、溫度調節流道及冷卻介質排出孔順序，形成一正流向；及複數個流體通道，其一對一的與進氣孔相連通結合；一高蝕刻率均勻性晶圓載盤，其包括：一本體，其具有一承載面及一底面，底面與下電極上蓋板上、下對應設置且形成一溫度調節層；複數個晶圓置放區，其係形成於承載面；及複數個溫度調節區塊，其係形成於底面且一對一的位於複數個晶圓置放區下方相對應位置，每一溫度調節區塊係由至少一溫度調節凹槽所構成，又溫度調節凹槽其凹陷體積之總和形成一區塊溫度調節體積，又該些區塊溫度調節體積之大小，係依照正流向的順序而遞增；以及一滲氣密封環，其係設置於高蝕刻率均勻性晶圓載盤之外緣與下電極上蓋板之間。

本發明又提供一種高蝕刻率均勻性晶圓載盤結構，其包括：一本體，其具有一承載面及一底面；複數個晶圓置放區，其係形成於承載面；以及複數個溫度調節區塊，其係形成於底面且一對一的位於複數個晶圓置放區下方相對應位置，每一溫度調節區塊係由至少一溫度調節凹槽所構成，又各溫度調節凹槽之凹陷體積之總和形成一區塊溫度調節體積，又該些區塊溫度調節體積之大小，係依照正流向的順序而遞增。

藉由本發明之實施，至少可以達成下列之進步功效：

一、可以增加晶圓片置放及取出的效率、增加產能，減少損害。

二、可以有效的提升晶圓片表面的溫度均勻性。

三、可以使晶圓片達成更佳的蝕刻率均勻性。

四、藉由優化溫度調節區塊，可控制背面氦氣之溫控分佈，因此可以更精準的達成更好的溫控效果。

為了使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易的理解本發明相關之目的及優點，因此將在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點。

P100:兩片式晶圓載盤結構

P110:習知晶圓載盤

P111:習知晶圓置放區

P112:冷卻氣孔

P120:晶圓片上蓋

P130:螺絲

100:高蝕刻率均勻性之晶圓承載系統

110:下電極底板

111:冷卻介質注入孔

112:冷卻介質排出孔

113:進孔

120:下電極上蓋板

121:溫度調節流道

122:流體通道

130:高蝕刻率均勻性晶圓載盤

131:本體

131a:承載面

131b:底面

131c:溫度調節層

132:晶圓置放區

133:溫度調節區塊

133a:中央區塊

133b:各週邊區塊

133c:溫度調節凹槽

133d:環狀凹槽

133e:放射狀凹槽

133f:中央凹槽

140:滲流密封環

FL1:正流向

TVn:區塊溫度調節體積

center:中央處

[圖1A]為習知通流體冷卻式晶圓載盤之正面示意圖；[圖1B]為習知通流體冷卻式晶圓載盤之背面示意圖；[圖2A]為習知兩片式晶圓載盤之分解示意圖；[圖2B]為習知兩片式晶圓載盤之結合示意圖；[圖3A]為使用習知兩片式晶圓載盤之各晶圓片表面溫度分佈圖；[圖3B]為使用習知兩片式晶圓載盤之單一晶圓片之溫度差及蝕刻率差異特性曲線圖；[圖4A]為本發明之一種高蝕刻率均勻性之晶圓承載系統之剖式實施例圖；[圖4B]為本發明之一種高蝕刻率均勻性之晶圓承載系統之立體分解實施例圖；[圖5A]為一種溫度調節區塊，配置成具有中央區塊以及複數個週邊區塊之分解實施例圖；[圖5B]為一種溫度調節區塊，配置成具有中央區塊以及複數個週邊區塊之結合實施例圖；[圖6]為將圖5B取消1圈環狀凹槽及部分放射狀凹槽之實施例圖； [圖7]為本發明之一種中央區塊及各週邊區塊均為單一整塊溫度調節凹槽之實施例圖；[圖8]為一種各週邊區塊溫度調節凹槽寬度大於中央區塊溫度調節凹槽寬度之實施例圖；[圖9]將圖8之各週邊區塊及中央區塊之溫度調節凹槽寬度設計成均為相同之實施例圖；[圖10]為一種單圈溫度調節凹槽、2圈環狀凹槽、又使用放射狀凹槽連通之實施例圖；[圖11]係將圖10各週邊區塊改成偏心圓溫度調節凹槽之實施例圖；[圖12]為一種5圈同心圓溫度調節凹槽排列形成一溫度調節區塊之實施例圖；[圖13]為一種4圈同心圓溫度調節凹槽排列形成一溫度調節區塊之實施例圖；[圖14]為一種中央區塊最外圈溫度調節凹槽係為放大設計之實施例圖；[圖15]為一種每一溫度調節區塊其最外圈溫度調節凹槽均為放大設計之實施例圖；[圖16]為一種不同位置編號晶圓載盤使用不同溫度調節凹槽設計產生不同溫度分佈特性曲線之實施例圖一；[圖17]為一種不同位置編號晶圓載盤使用不同溫度調節凹槽設計產生不同溫度分佈特性曲線之實施例圖二；[圖18A]為使用本實施例高蝕刻率均勻性之晶圓承載系統之各晶圓片表面分佈圖； [圖18B]為使用本實施例高蝕刻率均勻性之晶圓承載系統之溫度差及蝕刻率差異特性曲線圖；[圖19]為使用圖6高蝕刻率均勻性晶圓載盤之各個晶圓片表面溫度分佈圖；以及[圖20]為使用圖5B及圖6高蝕刻率均勻性晶圓載盤之溫度標準差圖。

如圖4所示，本實施例為一種高蝕刻率均勻性之晶圓承載系統100，其包括：一下電極底板110；一下電極上蓋板120；一高蝕刻率均勻性晶圓載盤130；以及一滲氣密封環140。

下電極底板110，其係用以連接射頻(RF)，使帶正電的粒子受到負偏壓的吸引而加速，然後幾乎垂直對放置於承載面131a的晶圓片進行粒子轟擊(ion-bombardment)，以產生蝕刻率反應。又為了使晶圓片得到溫控或冷卻，因此下電極底板110又具有提供給冷卻介質使用之一冷卻介質注入孔111、一冷卻介質排出孔112及複數個進氣孔113。

冷卻介質注入孔111可用以注入例如是水的冷卻介質，冷卻介質排出孔112則用以排出冷卻介質；又下電極底板110具有複數個進氣孔113，其用以注入溫控流體。

下電極上蓋板120，其結合並覆蓋於下電極底板110上，下電極上蓋板120具有：一溫度調節流道121；及複數個流體通道122。

溫度調節流道121，其係形成於下電極上蓋板120上，且鄰接下電極底板110之一側，溫度調節流道121之進入端對應於冷卻介質注入孔 111，又溫度調節流道121之流出端對應於冷卻介質排出孔112，所以溫控介質會由冷卻介質注入孔111注入溫度調節流道121，接著穿越溫度調節流道121並且與下電極上蓋板120進行溫度交換，以達成對下電極上蓋板120產生溫控作用，最後溫控介質藉由冷卻介質排出孔112排出，又依照冷卻介質注入孔111、溫度調節流道121及冷卻介質排出孔112流動順序，因此形成一正流向FL1。

流體通道122，其一對一的與各進氣孔113相連通結合，也就是說，由下電極底板110之複數個進氣孔113注入的溫控流體，將會再次藉由複數個進氣孔113一對一的與流體通道122銜接，進而穿越通過流體通道122。

高蝕刻率均勻性晶圓載盤130，其包括：一本體131；複數個晶圓置放區132；及複數個溫度調節區塊133。

本體131，其為高蝕刻率均勻性晶圓載盤130的主結構，其具有位於上方處之承載面131a及位於下方處之底面131b；底面131b與下電極上蓋板120係以上、下對應的關係而設置，因此底面131b與下電極上蓋板120間形成一溫度調節層131c；又上述穿越流體通道122之溫控流體，也因此被注入溫度調節層131c，並且與底面131b產生溫度交換之溫控作用，然後間接的對晶圓置放區132產生溫控作用。又本體131可以是以鋁(Al)作為基材，然後在本體131其承載面131a上，於複數個晶圓置放區132以外之區域，形成有一碳化矽(SiC)塗層，因此使得高蝕刻率均勻性晶圓載盤結構130，再次成為一種表面具有碳化矽塗層之鋁晶圓載盤。

晶圓置放區132，其係形成於承載面131a，當晶圓片被置放於晶圓置放區132時，晶圓片將會被晶圓置放區132產生溫控作用，本實施例之晶圓置放區132因為不需要有冷卻氣孔P112的設置，因此可以避免使用晶圓片上蓋P120，也因此避免繁雜螺絲P130的鎖固過程及可能的損壞。

溫度調節區塊133，其係形成於本體131的底面131b，且複數個溫度調節區塊133係以一對一的對應方式，設置位於複數個晶圓置放區132其下方相對應位置，因此每一晶圓置放區132的溫度調控，可以藉由其對應溫度調節區塊133的設計，而達成預設溫度的調控目標。

上述每一溫度調節區塊133，係由至少一溫度調節凹槽133c所構成，又溫度調節凹槽133c其凹陷體積之總和形成了一區塊溫度調節體積TV，藉由將每一溫度調節區塊133，其區塊溫度調節體積TV設計成適度的大、小，如此就可以使每一溫度調節區塊133產生不同的熱交換效率，因此即可達成使晶圓片表面提升均溫性的目標。

若將冷卻介質注入孔111注入冷卻液，以作為溫控介質為例，此時一般的蝕刻機，其接近冷卻介質注入孔111位置之晶圓片，因為最早接觸冷卻水，因此其表面溫度較低，又隨著流道正流向FL1的順序，冷卻水逐漸被加溫，因此晶圓片的表面溫度也將會逐漸升高，因此為了使晶圓片的表面溫度更為均勻，所以將區塊溫度調節體積TV之大小，係依照正流向FL1的順序而遞增，也就是TV1<TV2...<TVn，如此就可以改善上述因為冷卻水逐漸被加溫而產生溫度不均勻的問題。

滲氣密封環140，其主要用以使由流體通道122注入溫度調節層131c之溫控流體獲得保持及循環，因此將滲氣密封環140設置於高蝕刻 率均勻性晶圓載盤130之外緣與下電極上蓋板120之間。當溫控的流體注入溫度調節層131c後，將會立刻與溫度調節區塊133進行溫度調節，然後藉由滲氣密封環140適量緩慢的排出，藉此以達成氣體保持與循環。

有關溫度調節區塊133的設計，係依照各蝕刻機台及所生產產品之特性，而可以有多樣化的設計，將於下列進行說明。

如圖5A至圖13所示，上述各種溫度調節區塊133可以區分成一中央區塊133a以及複數個週邊區塊133b，又週邊區塊133b係環繞於中央區塊133a之外圍。又設計時，可以進一步具有至少一環狀凹槽133d，其係用以連通各個週邊區塊133b，又或者可進一步具有複數個放射狀凹槽133e，且每一放射狀凹槽133e係連通中央區塊133a及週邊區塊133b。

上述各圖中，圖5B之中央區塊133a及各週邊區塊133b均為單一圈之溫度調節凹槽133c、又具有3個環狀凹槽133d、且中央區塊133a及各週邊區塊133b，均設有放射狀凹槽133e於各溫度調節區塊133內/間進行連通；圖6係將圖5B取消1圈環狀凹槽133d，又部份週邊區塊133b內部，取消了放射狀凹槽133e。

圖7之中央區塊133a及各週邊區塊133b，均為單一整塊之溫度調節凹槽133c設計、又具有2個環狀凹槽133d、且中央區塊133a及各週邊區塊133b間，又藉由放射狀凹槽133e連通之設計。

圖8之中央區塊133a及各週邊區塊133b，均為單一圈溫度調節凹槽133c，但各週邊區塊133b之溫度調節凹槽133c之寬度，係大於中央區塊133a之溫度調節凹槽133c之寬度、又僅具有1個環狀凹槽133d、且中央區塊133a及各週邊區塊133b間係藉由放射狀凹槽133e連通；圖9係將圖8 之各週邊區塊133b及中央區塊133a之溫度調節凹槽133c，其寬度設計成相同之寬度。

又圖10之中央區塊133a及各週邊區塊133b，均為單一圈之溫度調節凹槽133c、又具有2圈環狀凹槽133d、且放射狀凹槽133e係連通於各週邊區塊133b外部之環狀凹槽133d及中央區塊133a間。圖11係將圖10之各週邊區塊133b，其等寬度之溫度調節凹槽133c，改成非等寬度或偏心圓之溫度調節凹槽133c；又如圖12至圖15所示，每一個溫度調節區塊133內之溫度調節凹槽133c，其可以為一同心圓/同心環之排列結構；又至少一溫度調節區塊133，其中央部位可以具有一中央凹槽133f；又每一個溫度調節區塊133之溫度調節總體積，其係為中央凹槽133f及複數條溫度調節凹槽133c，其所有凹陷體積之總和。

如圖12所示，每一溫度調節區塊133，係由5圈同心圓/同心環之溫度調節凹槽133c，排列形成一溫度調節區塊133；如圖13所示，每一溫度調節區塊133，係由4圈同心圓/同心環之溫度調節凹槽133c，排列形成一溫度調節區塊133。

如圖14所示，每一溫度調節區塊133，係由複數圈同心圓/同心環之溫度調節凹槽133c排列形成，又其中央區塊133a，位於最外圈之溫度調節凹槽133c係為放大之設計；如圖15所示，每一溫度調節區塊133，係由複數圈同心圓/同心環之溫度調節凹槽133c排列形成，又每一溫度調節區塊133，位於最外圈之溫度調節凹槽133c均為放大之設計。

當本實施例使用碳化矽之高蝕刻率均勻性晶圓載盤130時，根據固體-流體介面之熱傳機制，流在溫度調節凹槽中的熱傳機制，可以用公式dQ/dt--k A △T/△x進行表達，其中Q是熱通量，t是時間，k是材料的熱導係數，A是流體通道122表面積，T是承載面131a溫度，x是承載面131a與溫度調節凹槽133c間之厚度(距離)。dQ/dt表單位時間內通過介面的熱通量，即熱傳的效率；△T/△x表示距離變化下的溫度變化量。一般而言，在溫度300K時，氦氣的熱導係數k大約為0.15W/m*K，又固體材料碳化矽的熱導係數k大約為500W/m*K。因此，舉例來說，如果高蝕刻率均勻性晶圓載盤130下方的溫度調節凹槽133c，絕大部分是由熱導係數k相對較高的材料碳化矽組成的話，也就是區塊溫度調節體積TVn較小時，此時熱傳的效率dQ/dt就提升，被加工晶圓的溫度容易下降；反之，若溫度調節凹槽133c，是由熱導係數相對較低的材料氦氣充滿，也就是區塊溫度調節體積TVn較大時，則此時熱傳的效率dQ/dt變低，因此熱能容易累積在高蝕刻率均勻性晶圓載盤130下方的溫度調節凹槽133c處，所以晶圓的溫度將會較高。

由於dQ/dt與材料熱導係數k及表面積成正比，因此可以藉由單位時間的熱通量此關係進行溫度的調節，進而改善蝕刻率均勻性的控制。一般而言，固體的熱導係數比流體高，傳熱效率較好；因此在固體-流體介面，如果流體通道122表面積較固體區域大，表示在固體-液體介面，流體主導介面的熱傳機制，則熱傳的效率則會較低，反之若流體通道122表面積較固體區域小，表示在固體-液體介面，固體主導介面的熱傳機制，則熱傳的效率較高。

承上所述，接下來為了方便說明不同溫度調節凹槽133c設計及數量，也就是不同區塊溫度調節體積TVn，所產生不同熱分布均勻性的效果，因此使用以碳化矽製作之高蝕刻率均勻性晶圓載盤130為實驗範例，又其條件參數如下：晶圓置放區132之深度為0.6公厘(mm)，晶圓置放區132之直徑為101公厘，溫度調節凹槽133c之深度為0.1公厘，又使用氦氣(He)作為溫度調節流體，此時量測一晶圓片由中央處(center)至距離晶圓片邊緣3公厘處間，晶圓片表面溫度的變化，說明如下：如圖16所示，當晶圓置放區132之底面131b，設計成具有4圈溫度調節凹槽133c時，則晶圓片表面，在中央處與距離晶圓片邊緣3公厘(mm)處，產生了8℃的表面溫差範圍；當晶圓置放區132之底面131b，設計成具有2圈溫度調節凹槽133c時，則晶圓片表面，在中央處與距離晶圓片邊緣3公厘(mm)處，產生了6.22℃的溫表面溫差範圍；又當晶圓置放區132之底面131b，設計成具有5圈溫度調節凹槽133c時，則晶圓片表面，在中央處與距離晶圓片邊緣3公厘(mm)處，產生了8.31℃的表面溫差範圍。

如圖17所示，當晶圓置放區132之底面131b，設計成具有2圈但深度為0.8公厘之溫度調節凹槽133c時，則晶圓片表面，在中央處與距離晶圓片邊緣3公厘(mm)處，產生了6.52℃的表面溫差範圍；又當晶圓置放區132之底面131b，設計成一整塊深度都為0.8之溫度調節凹槽133c時，則晶圓片表面，在中央處與距離晶圓片邊緣3公厘(mm)處，產生了2.59℃的表面溫差範圍。

如圖3、圖18A及圖18B所示，當使用圖5B之高蝕刻率均勻性晶圓載盤130實施態進行量測時，可以得知各個晶圓片之表面溫差，已經由 習知之10.3℃降至本實施例的7.4℃，因次在溫度均勻性上有顯著的提升；又以各個晶圓片間之蝕刻率差異性而言，也從習知之3.49%降至本實施例的2.05%，因此在蝕刻率均勻性上也有顯著的提升。

如圖3及圖19所示，當使用圖6之高蝕刻率均勻性晶圓載盤130實施態進行量測時，可以得知各個晶圓片之表面溫差範圍，已經由習知之10.3℃降至本實施例的5.7℃，因次再次證明在溫度均勻性上有顯著的提升。

如圖3及圖20所示，當再次以標準差進行比較時，習知之標準差為4.33℃，但本實施例之圖5B及圖6之高蝕刻率均勻性晶圓載盤130，其溫度標準差分別為3.52℃及2.59℃，因次再次證明在溫度均勻的穩定性上，有顯著的提升。

惟上述各實施例係用以說明本發明之特點，其目的在使熟習該技術者能瞭解本發明之內容並據以實施，而非限定本創作之專利範圍，故凡其他未脫離本發明所揭示之精神而完成之等效修飾或修改，仍應包含在以下所述之申請專利範圍中。

100:高蝕刻率均勻性之晶圓承載系統

110:下電極底板

111:冷卻介質注入孔

112:冷卻介質排出孔

113:進氣孔

120:下電極上蓋板

121:溫度調節流道

122:流體通道

130:高蝕刻率均勻性晶圓載盤

131:本體

131a:承載面

131b:底面

131c:溫度調節層

132:晶圓置放區

133:溫度調節區塊

133c:溫度調節凹槽

140:滲氣密封環

FL1:正流向

TV:區塊溫度調節體積

Claims (12)

1. 一種高蝕刻率均勻性之晶圓承載系統，其包括：一下電極底板，其具有一冷卻介質注入孔、一冷卻介質排出孔及複數個進氣孔；一下電極上蓋板，其結合於該下電極底板上，該下電極上蓋板具有：一溫度調節流道，其形成於鄰接該下電極底板之一側，該溫度調節流道之一進入端對應於該冷卻介質注入孔，又一流出端對應於該冷卻介質排出孔，又依照該冷卻介質注入孔、該溫度調節流道及該冷卻介質排出孔順序，形成一正流向；及複數個流體通道，其一對一的與該些進氣孔相連通結合；一高蝕刻率均勻性晶圓載盤，其包括：一本體，其具有一承載面及一底面，該底面與該下電極上蓋板上、下對應設置且形成一溫度調節層；複數個晶圓置放區，其係形成於該承載面；及複數個溫度調節區塊，其係形成於該底面且一對一的位於該複數個晶圓置放區下方相對應位置，每一該溫度調節區塊係由至少一溫度調節凹槽所構成，又該溫度調節凹槽其凹陷體積之總和形成一區塊溫度調節體積，又該些區塊溫度調節體積之大小，係依照該正流向的順序而遞增；以及一滲氣密封環，其係設置於該高蝕刻率均勻性晶圓載盤之外緣與該下電極上蓋板之間。
2. 如請求項1所述之晶圓承載系統，其中至少一該溫度調節區塊內之該些溫度調節凹槽係為一同心圓/同心環之排列結構。
3. 如請求項2所述之晶圓承載系統，其中至少一該溫度調節區塊其中央部位具有一中央凹槽，又該區塊溫度調節體積係為該中央凹槽及該複數條溫度調節凹槽其凹陷體積之總和。
4. 如請求項1至請求項3其中之一項所述之晶圓承載系統，其中該些溫度調節區塊區分成一中央區塊以及複數個週邊區塊，又該週邊區塊係環繞於該中央區塊之外圍。
5. 如申請專利範圍第4項所述之晶圓承載系統，其進一步具有至少一環狀凹槽，其係連通該些週邊區塊。
6. 如申請專利範圍第4項所述之晶圓承載系統，其進一步具有複數個放射狀凹槽，又每一該放射狀凹槽係連通該中央區塊及一該週邊區塊。
7. 一種高蝕刻率均勻性晶圓載盤結構，其包括：一本體，其具有一承載面及一底面；複數個晶圓置放區，其係形成於該承載面；以及複數個溫度調節區塊，其係形成於該底面且一對一的位於該複數個晶圓置放區下方相對應位置，每一該溫度調節區塊係由至少一溫度調節凹槽所構成，又各該溫度調節凹槽之凹陷體積之總和形成一區塊溫度調節體積，又該些區塊溫度調節體積之大小，係依照一正流向的順序而遞增；其中至少一該溫度調節區塊其中央部位具有一中央凹槽，又該區塊溫度調節體積係為該中央凹槽及該複數條溫度調節凹槽其凹陷體積之總和。
8. 如請求項7所述之高蝕刻率均勻性晶圓載盤結構，其中每一該溫度調節區塊內之該些溫度調節凹槽係為一同心圓/同心環之排列結構。
9. 如請求項7至請求項8其中之一項所述之高蝕刻率均勻性 晶圓載盤結構，其中該些溫度調節區塊區分成一中央區塊以及複數個週邊區塊，又該週邊區塊係環繞於該中央區塊之外圍。
10. 如申請專利範圍第9項所述之高蝕刻率均勻性晶圓載盤結構，其進一步具有至少一環狀凹槽，其係連通該些週邊區塊。
11. 如申請專利範圍第9項所述之高蝕刻率均勻性晶圓載盤結構，其進一步具有複數個放射狀凹槽，又每一該放射狀凹槽係連通該中央區塊及一該週邊區塊。
12. 一種高蝕刻率均勻性晶圓載盤結構，其包括：一本體，其具有一承載面及一底面；複數個晶圓置放區，其係形成於該承載面；以及複數個溫度調節區塊，其係形成於該底面且一對一的位於該複數個晶圓置放區下方相對應位置，每一該溫度調節區塊係由至少一溫度調節凹槽所構成，又各該溫度調節凹槽之凹陷體積之總和形成一區塊溫度調節體積，又該些區塊溫度調節體積之大小，係依照一正流向的順序而遞增；其中該本體為一鋁基材，又該承載面於該複數個晶圓置放區以外之區域，形成有一碳化矽塗層。

Images