CN113725060A - 高蚀刻率均匀性的晶圆承载系统及其晶圆载盘结构 - Google Patents

Abstract

本发明为一种高蚀刻率均匀性的晶圆承载系统及其晶圆载盘结构，其包括：下电极底板；下电极上盖板，其具有：温度调节流道，且形成正流向；及多个流体通道与下电极底板的进气孔相连通；高蚀刻率均匀性晶圆载盘，其本体底面与下电极上盖板形成温度调节层；及多个温度调节区块，其是形成于底面，每一温度调节区块由至少一个温度调节凹槽所构成，且形成区块温度调节体积，又区块温度调节体积的大小，是依照正流向的顺序而递增；以及渗气密封环，其是设置于高蚀刻率均匀性晶圆载盘的外缘与下电极上盖板之间。借由本发明的实施，可以借由温度调节区块调节晶圆载盘温度，进而达成高蚀刻率均匀性的功效，此外又可更便利的完成晶圆片的设置或取出。

Description

高蚀刻率均匀性的晶圆承载系统及其晶圆载盘结构

技术领域

本发明为一种高蚀刻率均匀性的晶圆承载系统及其晶圆载盘，特别是用于半导体或光电元件的高蚀刻率均匀性的晶圆承载系统及其高蚀刻率均匀性晶圆载盘。

背景技术

如图1A至图2B所示，在蚀刻机的设备中，为了有效的维持待加工件，例如晶圆片，其表面的最佳温度及均匀性，因此设计了各种温度调节的机制，其中图1A至图2B是一种两片式晶圆载盘结构P100，其是在现有习知晶圆载盘P110上的现有习知晶圆置放区P111，设置了多个温度调节的气孔P112，借由温度调节的气孔P112注入的流体，对晶圆片进行温度控制，但这样的设计，为了避免晶圆片被注入流体顶升或喷飞，又为了防止漏气，因此必须使用晶圆片上盖P120压住晶圆片，如此才能进行蚀刻制程，但使用晶圆片上盖P120时，必须借由多颗螺丝P130进行繁杂的锁固，而且要注意到锁固施加于晶圆片的压力，因此对于晶圆片的置放及取出，都会增加相当的时间，且容易因为不小心的碰撞，而造成晶圆片的损坏。

如图3A所示，除了上述的问题，由于蚀刻机的下电极底板110，其具有冷却水的冷却介质注入孔111及冷却介质排出孔112，又蚀刻机的下电极上盖板120间形成冷却水道121，当冷却水由冷却介质注入孔111注入后，接着流经冷却水道121，将热由冷却水的冷却介质排出孔112排出，因此造成冷却水在冷却水道121中逐步累积热能，导致在冷却介质注入孔111端附近的晶圆片，温度较低，但愈接近冷却水的冷却介质排出孔112端附近的晶圆片，温度较高，此温度不均匀的现象不只影响晶圆载盘均温性、位于入口及出口端附近晶圆片的温度，也影响到晶圆片蚀刻率的均匀性。

如图3B所示，现有习知两片式晶圆载盘结构P100，各晶圆片的表面温度，因为受到冷却流道分布的影响，又受到在反应腔室内配置位置的影响，以及流体冷却方式…等因素，使的各晶圆片间的表面温度差高达10.3℃，又各个晶圆片间的蚀刻率，其差异性亦高达3.49％，最后在温度标准差方面，也高达4.33℃，因而使产品的品质及良率也受到严重的影响。

发明内容

本发明为一种高蚀刻率均匀性的晶圆承载系统及其晶圆载盘，其主要解决晶圆表置放及取出晶圆载盘的便利性，以及各晶圆片表面间，温度均匀性不佳，所造成蚀刻率均匀性不佳的问题。

本发明提供一种高蚀刻率均匀性的晶圆承载系统，其包括：下电极底板，其具有冷却介质注入孔、冷却介质排出孔及多个进气孔；下电极上盖板，其结合于下电极底板上，下电极上盖板具有：温度调节流道，其形成于邻接下电极底板的一侧，温度调节流道的进入端对应于冷却介质注入孔，又流出端对应于冷却介质排出孔，又依照冷却介质注入孔、温度调节流道及冷却介质排出孔顺序，形成正流向；及多个流体通道，其一对一的与进气孔相连通结合；高蚀刻率均匀性晶圆载盘，其包括：本体，其具有承载面及底面，底面与下电极上盖板上、下对应设置且形成温度调节层；多个晶圆置放区，其是形成于承载面；及多个温度调节区块，其是形成于底面且一对一的位于多个晶圆置放区下方相对应位置，每一温度调节区块是由至少一个温度调节凹槽所构成，又温度调节凹槽其凹陷体积的总和形成区块温度调节体积，又所述区块温度调节体积的大小，是依照正流向的顺序而递增；以及渗气密封环，其是设置于高蚀刻率均匀性晶圆载盘的外缘与下电极上盖板之间。

较佳地，其中至少一个该温度调节区块内的所述温度调节凹槽是同心圆/同心环的排列结构。

较佳地，其中至少一个该温度调节区块其中央部位具有中央凹槽，又该区块温度调节体积是该中央凹槽及该多条温度调节凹槽其凹陷体积的总和。

较佳地，其中所述温度调节区块区分成中央区块以及多个周边区块，又该周边区块是环绕于该中央区块的外围。

较佳地，其进一步具有至少一个环状凹槽，其是连通所述周边区块。

较佳地，其进一步具有多个放射状凹槽，又每一该放射状凹槽是连通该中央区块及该周边区块。

本发明又提供一种高蚀刻率均匀性晶圆载盘结构，其包括：本体，其具有承载面及底面；多个晶圆置放区，其是形成于承载面；以及多个温度调节区块，其是形成于底面且一对一的位于多个晶圆置放区下方相对应位置，每一温度调节区块是由至少一个温度调节凹槽所构成，又各温度调节凹槽的凹陷体积的总和形成区块温度调节体积，又所述区块温度调节体积的大小，是依照正流向的顺序而递增。

较佳地，其中每一该温度调节区块内的所述温度调节凹槽是同心圆/同心环的排列结构。

较佳地，其中至少一个该温度调节区块其中央部位具有中央凹槽，又该区块温度调节体积是该中央凹槽及该多条温度调节凹槽其凹陷体积的总和。

较佳地，其中所述温度调节区块区分成中央区块以及多个周边区块，又该周边区块是环绕于该中央区块的外围。

较佳地，其进一步具有至少一个环状凹槽，其是连通所述周边区块。

较佳地，其进一步具有多个放射状凹槽，又每一该放射状凹槽是连通该中央区块及该周边区块。

较佳地，其中该本体为铝基材，又该承载面于该多个晶圆置放区以外的区域，形成有一碳化硅涂层。

借由本发明的实施，至少可以达成下列的进步功效：

一、可以增加晶圆片置放及取出的效率、增加产能，减少损害。

二、可以有效的提升晶圆片表面的温度均匀性。

三、可以使晶圆片达成更佳的蚀刻率均匀性。

四、借由优化温度调节区块，可控制背面氦气的温控分布，因此可以更精准的达成更好的温控效果。

为了使任何熟习相关技艺者了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所揭露的内容、申请专利范围及图式，任何熟习相关技艺者可轻易的理解本发明相关的目的及优点，因此将在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点。

附图说明

[图1A]为现有习知通流体冷却式晶圆载盘的正面示意图。

[图1B]为现有习知通流体冷却式晶圆载盘的背面示意图。

[图2A]为现有习知两片式晶圆载盘的分解示意图。

[图2B]为现有习知两片式晶圆载盘的结合示意图。

[图3A]为使用现有习知两片式晶圆载盘的各晶圆片表面温度分布图。

[图3B]为使用现有习知两片式晶圆载盘的单一晶圆片的温度差及蚀刻率差异特性曲线图。

[图4A]为本发明的一种高蚀刻率均匀性的晶圆承载系统的剖式实施例图。

[图4B]为本发明的一种高蚀刻率均匀性的晶圆承载系统的立体分解实施例图。

[图5]为一种温度调节区块，配置成具有中央区块以及多个周边区块的的实施例图。

[图6]为将图5取消1圈环状凹槽及部分放射状凹槽的实施例图。

[图7]为本发明的一种中央区块及各周边区块均为单一整块温度调节凹槽的实施例图。

[图8]为一种各周边区块温度调节凹槽宽度大于中央区块温度调节凹槽宽度的实施例图。

[图9]将图8的各周边区块及中央区块的温度调节凹槽宽度设计成均为相同的实施例图。

[图10]为一种单圈温度调节凹槽、2圈环状凹槽、又使用放射状凹槽连通的实施例图。

[图11]是将图10各周边区块改成偏心圆温度调节凹槽的实施例图。

[图12]为一种5圈同心圆温度调节凹槽排列形成温度调节区块的实施例图。

[图13]为一种4圈同心圆温度调节凹槽排列形成温度调节区块的实施例图。

[图14]为一种中央区块最外圈温度调节凹槽是放大设计的实施例图。

[图15]为一种每一温度调节区块其最外圈温度调节凹槽均为放大设计的实施例图。

[图16]为一种不同位置编号晶圆载盘使用不同温度调节凹槽设计产生不同温度分布特性曲线的实施例图一。

[图17]为一种不同位置编号晶圆载盘使用不同温度调节凹槽设计产生不同温度分布特性曲线的实施例图二。

[图18A]为使用本实施例高蚀刻率均匀性的晶圆承载系统的各晶圆片表面分布图。

[图18B]为使用本实施例高蚀刻率均匀性的晶圆承载系统的温度差及蚀刻率差异特性曲线图。

[图19]为使用图6高蚀刻率均匀性晶圆载盘的各个晶圆片表面温度分布图。

[图20]为使用图5及图6高蚀刻率均匀性晶圆载盘的温度标准差图。

【主要元件符号说明】

P100：两片式晶圆载盘结构 P110：现有习知晶圆载盘

P111：现有习知晶圆置放区 P112：冷却气孔

P120：晶圆片上盖 P130：螺丝

100：高蚀刻率均匀性的晶圆承载系统 110：下电极底板

111：冷却介质注入孔 112：冷却介质排出孔

113：进孔 120：下电极上盖板

121：温度调节流道 122：流体通道

130：高蚀刻率均匀性晶圆载盘 131：本体

131a：承载面 131b：底面

131c：温度调节层 132：晶圆置放区

133：温度调节区块 133a：中央区块

133b：各周边区块 133c：温度调节凹槽

133d：环状凹槽 133e：放射状凹槽

133f：中央凹槽 140：渗流密封环

FL1：正流向 TVn：区块温度调节体积

center：中央处

具体实施方式

如图4所示，本实施例为一种高蚀刻率均匀性的晶圆承载系统100，其包括：下电极底板110；下电极上盖板120；高蚀刻率均匀性晶圆载盘130；以及渗气密封环140。

下电极底板110，其是用以连接射频(RF)，使带正电的粒子受到负偏压的吸引而加速，然后几乎垂直对放置于承载面131a的晶圆片进行粒子轰击(ion-bombardment)，以产生蚀刻率反应。又为了使晶圆片得到温控或冷却，因此下电极底板110又具有提供给冷却介质使用的冷却介质注入孔111、冷却介质排出孔112及多个进气孔113。

冷却介质注入孔111可用以注入例如是水的冷却介质，冷却介质排出孔112则用以排出冷却介质；又下电极底板110具有多个进气孔113，其用以注入温控流体。

下电极上盖板120，其结合并覆盖于下电极底板110上，下电极上盖板120具有：温度调节流道121；及多个流体通道122。

温度调节流道121，其是形成于下电极上盖板120上，且邻接下电极底板110的一侧，温度调节流道121的进入端对应于冷却介质注入孔111，又温度调节流道121的流出端对应于冷却介质排出孔112，所以温控介质会由冷却介质注入孔111注入温度调节流道121，接着穿越温度调节流道121并且与下电极上盖板120进行温度交换，以达成对下电极上盖板120产生温控作用，最后温控介质借由冷却介质排出孔112排出，又依照冷却介质注入孔111、温度调节流道121及冷却介质排出孔112流动顺序，因此形成正流向FL1。

流体通道122，其一对一的与各进气孔113相连通结合，也就是说，由下电极底板110的多个进气孔113注入的温控流体，将会再次借由多个进气孔113一对一的与流体通道122衔接，进而穿越通过流体通道122。

高蚀刻率均匀性晶圆载盘130，其包括：本体131；多个晶圆置放区132；及多个温度调节区块133。

本体131，其为高蚀刻率均匀性晶圆载盘130的主结构，其具有位于上方处的承载面131a及位于下方处的底面131b；底面131b与下电极上盖板120是以上、下对应的关系而设置，因此底面131b与下电极上盖板120间形成温度调节层131c；又上述穿越流体通道122的温控流体，也因此被注入温度调节层131c，并且与底面131b产生温度交换的温控作用，然后间接的对晶圆置放区132产生温控作用。又本体131可以是以铝(Al)作为基材，然后在本体131其承载面131a上，在多个晶圆置放区132以外的区域，形成有一碳化硅(SiC)涂层，因此使得高蚀刻率均匀性晶圆载盘结构130，再次成为一种表面具有碳化硅涂层的铝晶圆载盘。

晶圆置放区132，其是形成于承载面131a，当晶圆片被置放于晶圆置放区132时，晶圆片将会被晶圆置放区132产生温控作用，本实施例的晶圆置放区132因为不需要有冷却气孔P112的设置，因此可以避免使用晶圆片上盖P120，也因此避免繁杂螺丝P130的锁固过程及可能的损坏。

温度调节区块133，其是形成于本体131的底面131b，且多个温度调节区块133是以一对一的对应方式，设置位于多个晶圆置放区132其下方相对应位置，因此每一晶圆置放区132的温度调控，可以借由其对应温度调节区块133的设计，而达成预设温度的调控目标。

上述每一温度调节区块133，是由至少一个温度调节凹槽133c所构成，又温度调节凹槽133c其凹陷体积的总和形成了区块温度调节体积TV，借由将每一温度调节区块133，其区块温度调节体积TV设计成适度的大、小，如此就可以使每一温度调节区块133产生不同的热交换效率，因此即可达成使晶圆片表面提升均温性的目标。

若将冷却介质注入孔111注入冷却液，以作为温控介质为例，此时一般的蚀刻机，其接近冷却介质注入孔111位置的晶圆片，因为最早接触冷却水，因此其表面温度较低，又随着流道正流向FL1的顺序，冷却水逐渐被加温，因此晶圆片的表面温度也将会逐渐升高，因此为了使晶圆片的表面温度更为均匀，所以将区块温度调节体积TV的大小，是依照正流向FL1的顺序而递增，也就是TV1<TV2…<TVn，如此就可以改善上述因为冷却水逐渐被加温而产生温度不均匀的问题。

渗气密封环140，其主要用以使由流体通道122注入温度调节层131c的温控流体获得保持及循环，因此将渗气密封环140设置于高蚀刻率均匀性晶圆载盘130的外缘与下电极上盖板120之间。当温控的流体注入温度调节层131c后，将会立刻与温度调节区块133进行温度调节，然后借由渗气密封环140适量缓慢的排出，借此以达成气体保持与循环。

有关温度调节区块133的设计，是依照各蚀刻机台及所生产产品的特性，而可以有多样化的设计，将在下列进行说明。

如图5至图13所示，上述各种温度调节区块133可以区分成中央区块133a以及多个周边区块133b，又周边区块133b是环绕于中央区块133a的外围。又设计时，可以进一步具有至少一个环状凹槽133d，其是用以连通各个周边区块133b，又或者可进一步具有多个放射状凹槽133e，且每一放射状凹槽133e是连通中央区块133a及周边区块133b。

上述各图中，图5的中央区块133a及各周边区块133b均为单一圈的温度调节凹槽133c、又具有3个环状凹槽133d、且中央区块133a及各周边区块133b，均设有放射状凹槽133e于各温度调节区块133内/间进行连通；图6是将图5取消1圈环状凹槽133d，又部份周边区块133b内部，取消了放射状凹槽133e。

图7的中央区块133a及各周边区块133b，均为单一整块的温度调节凹槽133c设计、又具有2个环状凹槽133d、且中央区块133a及各周边区块133b间，又借由放射状凹槽133e连通的设计。

图8的中央区块133a及各周边区块133b，均为单一圈温度调节凹槽133c，但各周边区块133b的温度调节凹槽133c的宽度，是大于中央区块133a的温度调节凹槽133c的宽度、又仅具有1个环状凹槽133d、且中央区块133a及各周边区块133b间是借由放射状凹槽133e连通；图9是将图8的各周边区块133b及中央区块133a的温度调节凹槽133c，其宽度设计成相同的宽度。

又图10的中央区块133a及各周边区块133b，均为单一圈的温度调节凹槽133c、又具有2圈环状凹槽133d、且放射状凹槽133e是连通于各周边区块133b外部的环状凹槽133d及中央区块133a间。图11是将图10的各周边区块133b，其等宽度的温度调节凹槽133c，改成非等宽度或偏心圆的温度调节凹槽133c；

又如图12至图15所示，每一个温度调节区块133内的温度调节凹槽133c，其可以为同心圆/同心环的排列结构；又至少一个温度调节区块133，其中央部位可以具有中央凹槽133f；又每一个温度调节区块133的温度调节总体积，其是中央凹槽133f及多条温度调节凹槽133c，其所有凹陷体积的总和。

如图12所示，每一温度调节区块133，是由5圈同心圆/同心环的温度调节凹槽133c，排列形成温度调节区块133；如图13所示，每一温度调节区块133，是由4圈同心圆/同心环的温度调节凹槽133c，排列形成温度调节区块133。

如图14所示，每一温度调节区块133，是由多圈同心圆/同心环的温度调节凹槽133c排列形成，又其中央区块133a，位于最外圈的温度调节凹槽133c是放大的设计；如图15所示，每一温度调节区块133，是由多圈同心圆/同心环的温度调节凹槽133c排列形成，又每一温度调节区块133，位于最外圈的温度调节凹槽133c均为放大的设计。

当本实施例使用碳化硅的高蚀刻率均匀性晶圆载盘130时，根据固体-流体介面的热传机制，流在温度调节凹槽中的热传机制，可以用公式dQ/dt＝-k A△T/△x进行表达，其中Q是热通量，t是时间，k是材料的热导系数，A是流体通道122表面积，T是承载面131a温度，x是承载面131a与温度调节凹槽133c间的厚度(距离)。dQ/dt表单位时间内通过介面的热通量，即热传的效率；△T/△x表示距离变化下的温度变化量。一般而言，在温度300K时，氦气的热导系数k大约为0.15W/m*K，又固体材料碳化硅的热导系数k大约为500W/m*K。因此，举例来说，如果高蚀刻率均匀性晶圆载盘130下方的温度调节凹槽133c，绝大部分是由热导系数k相对较高的材料碳化硅组成的话，也就是区块温度调节体积TVn较小时，此时热传的效率dQ/dt就提升，被加工晶圆的温度容易下降；反之，若温度调节凹槽133c，是由热导系数相对较低的材料氦气充满，也就是区块温度调节体积TVn较大时，则此时热传的效率dQ/dt变低，因此热能容易累积在高蚀刻率均匀性晶圆载盘130下方的温度调节凹槽133c处，所以晶圆的温度将会较高。

由于dQ/dt与材料热导系数k及表面积成正比，因此可以借由单位时间的热通量此关系进行温度的调节，进而改善蚀刻率均匀性的控制。一般而言，固体的热导系数比流体高，传热效率较好；因此在固体-流体介面，如果流体通道122表面积较固体区域大，表示在固体-液体介面，流体主导介面的热传机制，则热传的效率则会较低，反之若流体通道122表面积较固体区域小，表示在固体-液体介面，固体主导介面的热传机制，则热传的效率较高。

承上所述，接下来为了方便说明不同温度调节凹槽133c设计及数量，也就是不同区块温度调节体积TVn，所产生不同热分布均匀性的效果，因此使用以碳化硅制作的高蚀刻率均匀性晶圆载盘130为实验范例，又其条件参数如下：晶圆置放区132的深度为0.6公厘(mm)，晶圆置放区132的直径为101公厘，温度调节凹槽133c的深度为0.1公厘，又使用氦气(He)作为温度调节流体，此时量测晶圆片由中央处(center)至距离晶圆片边缘3公厘处间，晶圆片表面温度的变化，说明如下：

如图16所示，当晶圆置放区132的底面131b，设计成具有4圈温度调节凹槽133c时，则晶圆片表面，在中央处与距离晶圆片边缘3公厘(mm)处，产生了8℃的表面温差范围；当晶圆置放区132的底面131b，设计成具有2圈温度调节凹槽133c时，则晶圆片表面，在中央处与距离晶圆片边缘3公厘(mm)处，产生了6.22℃的温表面温差范围；又当晶圆置放区132的底面131b，设计成具有5圈温度调节凹槽133c时，则晶圆片表面，在中央处与距离晶圆片边缘3公厘(mm)处，产生了8.31℃的表面温差范围。

如图17所示，当晶圆置放区132的底面131b，设计成具有2圈但深度为0.8公厘的温度调节凹槽133c时，则晶圆片表面，在中央处与距离晶圆片边缘3公厘(mm)处，产生了6.52℃的表面温差范围；又当晶圆置放区132的底面131b，设计成整块深度都为0.8的温度调节凹槽133c时，则晶圆片表面，在中央处与距离晶圆片边缘3公厘(mm)处，产生了2.59℃的表面温差范围。

如图3、图18A及图18B所示，当使用图5的高蚀刻率均匀性晶圆载盘130实施态进行量测时，可以得知各个晶圆片的表面温差，已经由现有习知的10.3℃降至本实施例的7.4℃，因次在温度均匀性上有显著的提升；又以各个晶圆片间的蚀刻率差异性而言，也从现有习知的3.49％降至本实施例的2.05％，因此在蚀刻率均匀性上也有显著的提升。

如图3及图19所示，当使用图6的高蚀刻率均匀性晶圆载盘130实施态进行量测时，可以得知各个晶圆片的表面温差范围，已经由现有习知的10.3℃降至本实施例的5.7℃，因次再次证明在温度均匀性上有显著的提升。

如图3及图20所示，当再次以标准差进行比较时，现有习知的标准差为4.33℃，但本实施例的图5及图6的高蚀刻率均匀性晶圆载盘130，其温度标准差分别为3.52℃及2.59℃，因次再次证明在温度均匀的稳定性上，有显著的提升。

惟上述各实施例是用以说明本发明的特点，其目的在使熟习该技术者能了解本发明的内容并据以实施，而非限定本发明的专利范围，故凡其他未脱离本发明所揭示的精神而完成的等效修饰或修改，仍应包含在申请专利范围中。

Claims (13)

1.一种高蚀刻率均匀性的晶圆承载系统，其特征在于，其包括：

下电极底板，其具有冷却介质注入孔、冷却介质排出孔及多个进气孔；

下电极上盖板，其结合于该下电极底板上，该下电极上盖板具有：

温度调节流道，其形成于邻接该下电极底板的一侧，该温度调节流道的进入端对应于该冷却介质注入孔，又流出端对应于该冷却介质排出孔，又依照该冷却介质注入孔、该温度调节流道及该冷却介质排出孔顺序，形成正流向；及

多个流体通道，其一对一的与所述进气孔相连通结合；

高蚀刻率均匀性晶圆载盘，其包括：

本体，其具有承载面及底面，该底面与该下电极上盖板上、下对应设置且形成温度调节层；

多个晶圆置放区，其是形成于该承载面；及

多个温度调节区块，其是形成于该底面且一对一的位于该多个晶圆置放区下方相对应位置，每一该温度调节区块是由至少一个温度调节凹槽所构成，又该温度调节凹槽其凹陷体积的总和形成区块温度调节体积，又所述区块温度调节体积的大小，是依照该正流向的顺序而递增；以及

渗气密封环，其是设置于该高蚀刻率均匀性晶圆载盘的外缘与该下电极上盖板之间。

2.根据权利要求1所述的晶圆承载系统，其特征在于，其中至少一个该温度调节区块内的所述温度调节凹槽是同心圆/同心环的排列结构。

3.根据权利要求2所述的晶圆承载系统，其特征在于，其中至少一个该温度调节区块其中央部位具有中央凹槽，又该区块温度调节体积是该中央凹槽及该多条温度调节凹槽其凹陷体积的总和。

4.根据权利要求1至3其中之一项所述的晶圆承载系统，其特征在于，其中所述温度调节区块区分成中央区块以及多个周边区块，又该周边区块是环绕于该中央区块的外围。

5.根据权利要求4所述的晶圆承载系统，其特征在于，其进一步具有至少一个环状凹槽，其是连通所述周边区块。

6.根据权利要求4所述的晶圆承载系统，其特征在于，其进一步具有多个放射状凹槽，又每一该放射状凹槽是连通该中央区块及该周边区块。

7.一种高蚀刻率均匀性晶圆载盘结构，其特征在于，其包括：

本体，其具有承载面及底面；

多个晶圆置放区，其是形成于该承载面；以及

多个温度调节区块，其是形成于该底面且一对一的位于该多个晶圆置放区下方相对应位置，每一该温度调节区块是由至少一个温度调节凹槽所构成，又各该温度调节凹槽的凹陷体积的总和形成区块温度调节体积，又所述区块温度调节体积的大小，是依照该正流向的顺序而递增。

8.根据权利要求7所述的高蚀刻率均匀性晶圆载盘结构，其特征在于，其中每一该温度调节区块内的所述温度调节凹槽是同心圆/同心环的排列结构。

9.根据权利要求7所述的高蚀刻率均匀性晶圆载盘结构，其特征在于，其中至少一个该温度调节区块其中央部位具有中央凹槽，又该区块温度调节体积是该中央凹槽及该多条温度调节凹槽其凹陷体积的总和。

10.根据权利要求7至9其中之一项所述的高蚀刻率均匀性晶圆载盘结构，其特征在于，其中所述温度调节区块区分成中央区块以及多个周边区块，又该周边区块是环绕于该中央区块的外围。

11.根据权利要求10所述的高蚀刻率均匀性晶圆载盘结构，其特征在于，其进一步具有至少一个环状凹槽，其是连通所述周边区块。

12.根据权利要求10所述的高蚀刻率均匀性晶圆载盘结构，其特征在于，其进一步具有多个放射状凹槽，又每一该放射状凹槽是连通该中央区块及该周边区块。

13.根据权利要求7所述的高蚀刻率均匀性晶圆载盘结构，其特征在于，其中该本体为铝基材，又该承载面于该多个晶圆置放区以外的区域，形成有一碳化硅涂层。

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