JP5560355B2 - 一様でない熱抵抗を有するウエハキャリア - Google Patents

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Description

［関連出願の相互参照］
本出願は、２００８年８月２９日に出願された米国仮特許出願第６１／１９０，４９４
号の出願日の利得を主張するものであり、この開示内容は、参照することによって、ここ
に含まれるものとする。
［発明の分野］
本発明は、ウエハ処理装置、このようなウエハ処理装置に用いられるウエハキャリア、
およびウエハ処理の方法に関する。
多くの半導体素子は、基板上での半導体材料のエピタキシャル成長によって、形成され
る。基板は、典型的には、「ウエハ」と一般的に呼ばれている円板状の結晶材料である。
例えば、ＩＩＩ−Ｖ族半導体のような化合物半導体から形成される素子は、典型的には、
有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）を用いて、該化合物半導体の連続層を成長させることに
よって、形成される。このプロセスでは、ウエハは、高温に保持されながら、ウエハの表
面上を流れる、典型的には、有機金属化合物およびＶ族元素の供給源を含むガスの組合せ
に晒されることになる。ＩＩＩ−Ｖ族半導体の一例として、窒化ガリウムが挙げられる。
窒化ガリウムは、適切な結晶格子間隔を有する基板、例えば、サファイア基板上での有機
ガリウム化合物とアンモニアとの反応によって形成することができる、典型的には、ウエ
ハは、窒化ガリウムおよび関連する化合物の堆積中、約５００−１０００℃の温度に維持
されている。
複合素子は、例えば、半導体の結晶構造およびバンドギャップを変化させるために他の
ＩＩＩ族元素または他のＶ族元素を添加するなど、条件をいくらか異ならせて、多くの層
を連続的にウエハの表面上に堆積することによって、製造可能である。例えば、窒化ガリ
ウム基半導体では、該半導体のバンドギャップを変化させるために組成比を変えるのに、
インジウム、アルミニウム、またはそれらの両方を用いることができる。また、各層の導
電率を制御するために、ｐ−型またはｎ型ドーパントを添加することができる。半導体層
の全てが形成された後、典型的には、適切な電気接点が施された後、ウエハは、個々の素
子に切断されることになる。発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザ、および他の電子素子お
よび光電子素子のような素子をこのようにして製造することができる。
典型的な化学蒸着プロセスでは、多数のウエハが、ウエハキャリアと一般的に呼ばれて
いる装置上に、各ウエハの上面をウエハキャリアの上面に露出させて、保持されるように
なっている。次いで、ウエハキャリアは、反応チャンバ内に載置され、所定の温度に維持
される一方、ガス混合物がウエハキャリアの上面の上を流れることになる。このプロセス
中、キャリア上の種々のウエハの上面の全ての点において、均一な条件を維持することが
重要である。反応ガスの組成のわずかなバラツキおよびウエハ表面温度のわずかなバラツ
キによって、得られる半導体素子の特性の望ましくないバラツキが生じる。例えば、もし
ガリウム・インジウム窒化物層が堆積される場合、ウエハ表面温度のバラツキによって、
堆積層の組成およびバンドギャップのバラツキが生じる。インジウムは、比較的高い蒸気
圧を有しているので、堆積層は、表面温度が高いウエハの領域では、低比率のインジウム
および大きいバンドギャップを有することになる。もしこの堆積層がＬＥＤ構造の活性発
光層である場合、該ウエハから形成されたＬＥＤの発光波長も変動することになる。この
ようなことから、当技術分野において、均一な条件を維持することに向けて、これまで、
著しい努力が払われてきている。
業界において広く受け入れられてきているＣＶＤ装置の一形式では、各々が１つのウエ
ハを保持するように適合された多数のウエハ保持領域を有する大きな円板状のウエハキャ
リアが用いられている。このウエハキャリアは、反応チャンバ内において、ウエハの露出
面を有するウエハキャリアの上面をガス分配要素に向かって上向きにして、スピンドル上
に支持されるようになっている。スピンドルが回転されると、ガスがウエハキャリアの上
面に向かって下方に導かれ、該上面を横切って、ウエハキャリアの周辺に向かって流れる
ことになる。使用済みのガスは、ウエハキャリアの下方に配置されたポートを通って、反
応チャンバから排出される。ウエハキャリアは、ウエハキャリアの底面の下方に配置され
た加熱要素、典型的には、電気抵抗加熱要素によって、所望の高温に維持されるようにな
っている。これらの加熱要素は、ウエハキャリアの所望の温度を超える温度に維持される
一方、ガス分配要素は、ガスの早期の反応を阻止するために、典型的には、所望の反応温
度よりも十分に低い温度に維持されるようになっている。従って、熱は、抵抗加熱要素か
らウエハキャリアの底面に伝達され、ウエハキャリアを介して個々のウエハに向かって上
方に流れることになる。
当技術分野において、このようなシステムの最適化したものを設計するために、これま
で、著しい努力が払われてきているが、さらに一層の改良が望まれている。特に、各ウエ
ハの表面を横切る方向における良好な温度均一性およびウエハキャリアの全体を横切る方
向における良好な温度均一性が望まれている。
本発明の一態様は、化学蒸着装置を提供することになる。本発明のこの態様による装置
は、望ましくは、反応チャンバと、反応チャンバに連通しているガス流入構造と、反応チ
ャンバ内に取り付けられた加熱要素と、を備えている。本発明のこの態様による装置は、
望ましくは、互いに逆向きの上面および底面を有する本体を備えているウエハキャリアも
備えている。ウエハキャリアは、好ましくは、加熱要素に生じた熱が主に輻射熱伝達によ
って加熱要素からウエハキャリアの底面に伝達されるように、反応チャンバ内に取り付け
られている。例えば、ウエハキャリアは、本体の底面を加熱要素に直接向き合わせて、加
熱要素の上方に取り付けられているとよい。ウエハキャリアの本体は、望ましくは、複数
のウエハ保持領域を有しており、各ウエハ保持領域内にウエハ支持体を有している。各ウ
エハ支持体は、ウエハの上面を本体の上面に露出させて、ウエハを保持するように適合さ
れている。最も好ましくは、本体の底面は、本体の厚みが変化するように、非平面になっ
ている。以下にさらに説明するように、厚みの差は、ウエハキャリアを通る垂直方向の熱
伝導に対する抵抗の差をもたらすことになる。望ましくは、加熱要素とウエハキャリアの
上面の任意の箇所との間の全熱抵抗は、該箇所における本体の厚みによって直接に変化す
るようになっている。
以下にさらに説明するように、これらの熱抵抗の差を利用することによって、ウエハキ
ャリアとウエハとの間の熱伝達の不均一をもたらすウエハの反りのような因子を補償する
ことができる。また、非平面の底面および関連する熱抵抗の差を利用することによって、
ウエハにおける不均一な温度分布およびウエハキャリアの上面における不均一な温度分布
の他の原因を打ち消すこともできる。
本発明のさらに他の態様は、ウエハを処理する方法を提供することになる。本発明のこ
の態様による方法は、望ましくは、１つまたは複数のウエハをウエハキャリア上に、各ウ
エハをキャリアのウエハ保持領域内に配置し、キャリアの上面に露出させるように、取り
付けるステップであって、キャリアが各ウエハ保持領域内において一様でない熱伝導性を
有している、ステップを含んでいる。この方法は、望ましくは、ウエハキャリアの底面を
、ウエハキャリアを通って伝達された熱がウエハを高温に保持するように、加熱するステ
ップも含んでいる。ウエハが高温にある間に、例えば、露出面に堆積物を形成することに
よって、ウエハの露出面に影響を及ぼすように、反応ガスが加えられてもよい。本発明の
この態様による方法では、ウエハは、反応ガスを加えるステップ中に、反らされる可能性
がある。この反りによって、ウエハキャリアからウエハへの熱伝達の不均一が各ウエハ内
に生じることになる。最も好ましくは、ウエハキャリアの一様でない熱伝導性が、反りに
よって生じる熱伝達の不均一を少なくとも部分的に補償するようになっている。
本発明のさらに他の態様は、ウエハキャリアを提供することになる。本発明のこの態様
によるウエハキャリアは、望ましくは、互いに逆向きの上面および底面と、上面と底面と
の間に延在している中心軸と、を有する本体を備えている。本体の上面は、典型的には、
複数のポケットを有しており、このような各ポケットは、周辺壁を有している。各ポケッ
トの周辺壁は、最も好ましくは、ウエハキャリアの中心軸から遠く離れている周辺壁の領
域において、複数の互いに離間している突起を有しており、該突起は、ポケット内に配置
されたウエハの縁の互いに離間している部分に係合するように適合されている。以下にさ
らに説明するように、このような突起は、ウエハの縁と周辺壁との間の接触を最小限に抑
えるのを助長し、かつウエハをポケットの中心に保持するのを助長することになる。これ
らの効果は、各ウエハの上面を横切る方向における良好な温度均一性を促進する傾向にあ
る。
これらおよび他の特徴ならびに利点は、図面と関連して以下に述べる詳細な説明からさ
らに容易に理解されるだろう。
本発明の一実施形態による化学蒸着装置を示す簡略化した断面図である。 図１の装置に用いられるウエハキャリアの略上面図である。 ウエハキャリアをウエハと関連して示す、図２の線３−３に沿った略部分断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるウエハキャリアを示す、図３と同様の図である。 本発明のさらに他の実施形態によるウエハキャリアを示す、図３と同様の図である。 本発明のさらに他の実施形態によるウエハキャリアを示す、図３と同様の図である。 本発明のさらに他の実施形態によるウエハキャリアを示す、図３と同様の図である。 本発明のさらに他の実施形態によるウエハキャリアの一部を示す略部分上面図である。 図８の線９−９に沿った部分断面図である。 本発明のさらなる実施形態によるウエハキャリアを示す略部分断面図である。 本発明のさらなる実施形態によるウエハキャリアを示す略部分断面図である。 本発明のさらなる実施形態によるウエハキャリアを示す略部分断面図である。 図１２に示されているウエハキャリアの略部分上面図である。 図１３に示されている領域を拡大して示す略部分上面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるウエハキャリアを示す略部分断面図である。
本発明の一実施形態による化学蒸着装置は、反応チャンバ１０を備えている。反応チャ
ンバ１０は、該チャンバの一端に配置されたガス分配要素１２を有している。ガス分配要
素１２を有するこの端は、本明細書では、チャンバ１０の「上（top）」端と呼ばれてい
る。チャンバのこの端は、典型的には、必ずしも制限されないが、通常の重力座標系にお
いてチャンバの上端に位置している。従って、重力の上下方向に沿っているかどうかとは
無関係に、本明細書において用いられる下方向は、ガス分配要素１２から離れる方向を指
し、上方向は、チャンバ内においてガス分配要素１２に向かう方向を指している。同様に
、要素の「上（top）」面および「底（bottom）」面は、本明細書では、チャンバ１０お
よび要素１２の座標系を基準にして記載されている。ガス分配要素１２は、ＣＶＤプロセ
スに用いられるガス供給源１４、例えば、キャリアガスの供給源１４、およびＩＩＩ族金
属の供給源、典型的には、有機金属化合物およびＶ族元素の供給源、例えば、アンモニア
または他のＶ族水素化物のような反応ガスの供給源１４に接続されている。ガス分配要素
は、種々のガスを受け入れ、ガス流を略下方向に導くように、構成されている。ガス分配
要素１２は、望ましくは、冷媒システム１６にも接続されている。冷媒システム１６は、
運転中にガス分配要素の温度を所望の温度に維持するために、液体をガス分配要素内に循
環するように構成されている。チャンバ１０には、排気システム１８も装備されている。
排気システム１８は、ガス分配要素からガスが連続的に下方向に流れることを可能とする
ために、使用済みガスをチャンバの内部からチャンバの底またはその近くのポート（図示
せず）内に取り出すように構成されている。
スピンドル２０が、その中心軸２２を上下方向に延ばして、チャンバ内に配置されてい
る。スピンドルは、その上端、すなわち、ガス分配要素１２に最も近いスピンドルの端に
、取付け具２４を有している。図示されている特定の実施形態では、取付け具２４は、略
円錐状の要素である。スピンドル２０は、該スピンドルを軸２２を中心として回転させる
ように構成された電動モータ駆動装置のような回転駆動機構２６に接続されている。加熱
装置２８が、取付け具２４の下方においてスピンドル２０を囲んで、チャンバ内に取り付
けられている。チャンバには、ウエハキャリアの挿入および取出しを行うための開閉式ポ
ート３０も設けられている。前述の要素は、従来の構成であってもよい。例えば、適切な
反応チャンバが、本出願の譲受人である米国ニューヨーク州プレインビューのビーコ・イ
ンストルメンツ（Veeco Instruments）社からTURBODISC（登録商標）の名称で市販されて
いる。
図１に示されている作動状態では、ウエハキャリア３２は、スピンドルの取付け具２４
上に取り付けられている。ウエハキャリアは、略円板の形態にある本体を備える構造を有
している。本体は、望ましくは、非金属耐火材料の一体の平板として形成されている。こ
の非金属耐火材料は、例えば、炭化ケイ素、窒化ボロン、炭化ボロン、窒化アルミニウム
、アルミナ、サファイア、水晶、黒鉛、およびその組合せからなる群から選択される材料
から形成されており、この材料には、炭化物、窒化物、または酸化物のような耐火被膜が
施されていてもよいし、施されていなくてもよい。ウエハキャリアの本体は、本明細書で
は「上（top）」面３４と呼ばれる第１の主面と、本明細書では「底（bottom）」面３６
と呼ばれる第２の主面と、を有している。ウエハキャリアの構造は、取付け部３８も有し
ている。取付け部３８は、スピンドルの取付け具２４に係合するように構成されていると
共に、ウエハキャリアの本体を（上面３４をガス分配要素１２に向かって上向きにして、
下面３６をガス分配要素から離れる方に向かって、従って、加熱要素２８に向かって下向
きにして）スピンドル上に保持するように構成されている。単なる例示にすぎないが、ウ
エハキャリアの本体は、約４６５ｍｍの直径を有しており、上面３４と下面３２との間の
キャリアの厚みは、約１５．９ｍｍである。図示されている特定の実施形態では、取付け
部３８は、本体３２の底面に、円錐台形状の凹部として形成されている。しかし、同時継
続中の共有に係る米国特許出願公開第２００９／０１５５０２８Ａ１号に記載されている
ように、この構造は、本体とは別に形成されたハブを備え、取付け具がこのようなハブ内
に組み入れられるようになっていてもよい。なお、この特許の開示内容は、参照すること
によって、ここに含まれるものとする。また、取付け部の構成は、スピンドルの構成に依
存して決められることになる。
ウエハキャリア３２は、図１−３に破線によって示されている多数の個々のウエハ保持
領域４０を有している。ウエハ保持領域は、説明を明瞭にするために、図１−３では破線
によって境界が定められているが、通常、互いに隣接しているウエハ保持領域間に識別可
能な物理的境界は存在していない。ウエハキャリアの上面３４は、種々のウエハ保持領域
内に延在している連続的な主部分３５を備えている。主部分３５は、略平坦であるとよい
。各ウエハ保持領域は、個々のウエハ４２を保持するように適合されたウエハ支持体を備
えている。図１−３に示されている特定の実施形態では、各ウエハ保持領域におけるウエ
ハ支持体は、円形ポケット４４を備えている。ポケット４４は、上面３４の主部分３５か
らウエハキャリアの本体内に延在している。このような各ポケットは、主部分３５によっ
て画定されている上面３４の全体的な高さの下方に凹んだ床面４６を有している。この実
施形態では、床面４６は、名目的に平面であり、理想的には、正確に平坦である。しかし
、実際の製造上の許容誤差によって、その平坦度は、典型的には、完全な平面から約０．
０００５インチ（１３μｍ）の最大誤差寸法を含んでいる。このような誤差寸法は、例え
ば、床面を凹ませるために生じるものである。この開示に用いられている「実質的に平坦
（substantially flat）」という用語は、約３０μｍ以下の範囲内にある平坦な面を指し
ていると理解されたい。床面４６は、上面３４の全体的な平面と実質的に直交する中心軸
４８を有する円の形をしている。支持棚５０が、床面４６を囲んでいる。支持棚５０は、
床面４６の上にいくらか持ち上がった上向き面を有している。支持棚５０は、中心軸４８
と同心になって床面を取り囲んでいるループの形状を有している。図示されている実施形
態では、各ポケットは、約２インチ（５０．８ｍｍ）の直径を有するウエハを受け入れる
ように構成されている。公称２インチ（５ｃｍ）のウエハ直径の場合、支持棚５０の上向
き面は、床面４６から上方に約２０μｍから約１００μｍ、望ましくは、約２０−５０μ
ｍの距離Ｄ４６だけ離れており、支持棚の厚みＷ５０は、約０．５−０．７ｍｍになって
いる。大口径ウエハを保持することを目的とする大径ポケットの場合、これらの寸法は、
通常、さらに大きくなるだろう。支持棚５０の表面は、望ましくは、床面４６の平面と平
行の平面内に配置されている。また、支持棚５０は、ウエハキャリア上面３４の主部分３
５の下方に凹んでいる。望ましくは、上面３４から支持棚の上向き面までの距離Ｄ５０は
、処理されることになるウエハの厚みよりも約７５−１７５μｍ大きくなっている。例え
ば、２インチの公称直径および４３０ｎｍの公称厚みを有するサファイアを処理するよう
に構成されたウエハキャリアでは、Ｄ５０は、約５００−６００μｍであるとよい。
壁５２が、支持棚５０の全周、従って、ポケッ４４の全周を囲んで、支持棚５０からウ
エハキャリアの上面３４に向かって上方に延在している。壁５２は、中心軸４８に向かっ
て内方に角度Ａ、典型的には、約１０°傾斜している。従って、壁５２は、円錐台の形状
を有している。
ウエハキャリア本体３２の底面３６は、各ウエハ保持領域４０内において、底面が非平
面部を有していることを除いて、略平面である。該非平面部は、この実施形態では、底面
からウエハキャリア本体３２内に延在している略円錐状の凹部５４である。この実施形態
では、各凹部は、約１２０°の夾角αおよび約３−６ｍｍの深さ、さらに典型的には、約
４−５ｍｍの深さを有している。各ウエハ保持領域４０内における凹部５４は、該領域に
おける床面４６の中心軸４８と同軸になっており、これによって、凹部５４は、床面の中
心と真っ直ぐに並んでいる。従って、ウエハキャリア本体３２の厚みｔは、床４６と真っ
直ぐに並んでいる領域内において、変化していることになる。厚みは、床の中心、すなわ
ち、軸４８において、最小ｔｍｉｎになっており、徐々に大きくなり、凹部５４の外側、
すなわち、床の周辺の近くで、最大ｔｍａｘになっている。前述したように、ウエハキャ
リア本体３２は、望ましくは、実質的に均一組成を有する一体の要素である。従って、ウ
エハキャリア本体を構成している材料は、実質的に均一の熱伝導率を有している。垂直方
向におけるウエハキャリア本体の熱伝導性は、どの箇所においても、ウエハキャリア本体
の厚みと逆比例している。垂直方向に流れる熱に対するウエハキャリア本体の熱伝導抵抗
は、ウエハキャリア本体の厚みｔと正比例している。従って、中心軸では、熱伝導抵抗は
、比較的低くなっており、床面の周辺では、ウエハキャリア本体の熱伝導抵抗は、比較的
高くなっている。
運転に際して、ウエハ４２がウエハキャリアに装填され、該ウエハキャリアが図示され
ている動作位置にあるスピンドル２０（図１）上に載置される。図３に最もよく示されて
いるように、各ウエハ４２の周辺が支持棚５０上に載っている。好ましくは、ウエハと支
持棚との間の重なりは、例えば、最小でも約１ｍｍ以下である。各ウエハの上面４３は、
各ポケットを囲んでいるウエハキャリア上面３４の主部分３５とほぼ同一平面にある。各
ウエハの底面４５は、床面４６に向かって下向きになっているが、該床面から上方に離間
している。次いで、反応ガスを供給するために、ガス供給装置１４およびガス供給要素１
２が作動され、ウエハキャリアをスピンドルの軸２２を中心として回転させるために、ス
ピンドル２０が回転される。
スピンドルおよびウエハキャリアが回転すると、加熱要素２０が、主に輻射熱伝達およ
び加熱要素とウエハキャリアの底面との間に介在しているガスを介するいくらかの対流お
よび伝導によって、ウエハキャリアの底面３６を加熱する。輻射熱は、図３において符号
５６によって示されている。ウエハキャリアの底面に伝達された熱は、上面３４に向かっ
ておよび上面のポケット４４内に配置されたウエハ４２に向かって、上方に流れることに
なる。熱は、ウエハキャリアの上面からおよび各ウエハ４２の露出した上向き面、すなわ
ち、上面４３から周囲に、特に、比較的冷えているガス流入構造１２に連続的に伝達され
ることになる。
図１、３に示されている動作位置では、ウエハキャリアの底面３６は、加熱要素２８と
直接向き合っている。この開示に用いられている「直接向き合っている（directly confr
onts）」という用語は、加熱要素とウエハキャリアとの底面との間に、それらの間に介在
するどのような中実要素によっても遮られない直接の見通し線が存在していることを意味
している。ウエハキャリアの底面３６は、望ましくは、加熱要素２８から上方に距離Ｈを
隔てて配置されている。この距離は、凹部５４内において大きく、各凹部５４の最深点に
おいて最大Ｈｍａｘになっており、凹部の外側で最小Ｈｍｉｎになっている。すなわち、
距離Ｈは、厚みｔとは逆に変化することになる。
他の規定がない限り、この開示に用いられている「垂直方向の熱抵抗（vertical therm
al resistance）」という用語は、水平面における単位面積当たりの上向きの熱流に対す
る抵抗を指している。「水平（horizontal）」面は、上方向と直交する平面である。ウエ
ハキャリア本体の底面３６と上面３４との間を通る熱流に対するウエハキャリア本体の垂
直方向熱抵抗Ｒ３６−３４は、ウエハキャリア本体の厚みｔと正比例して変化している。
理論上は、ウエハキャリアがより厚い箇所では、距離Ｈがより小さいので、加熱要素２８
とウエハキャリア本体の底面との間の輻射熱伝達に対する抵抗は、ウエハキャリアがより
厚い箇所では、いくらか小さくなっている。しかし、実際には、この差は、無視できるほ
ど小さい。また、加熱要素２８から反応チャンバ内のガスを介してウエハキャリア底面に
至る対流および伝導による熱伝達に対する抵抗は、ウエハキャリアがより厚くてＨがより
小さい箇所では、小さい。しかし、全ての箇所において、対流および伝導による熱伝達は
、輻射熱伝達と比較して小さい。従って、加熱要素２８と底面３６との間の垂直方向熱抵
抗Ｒ２８−３６の変動は、本体の底面と本体の上面との間の垂直方向熱抵抗の変動と比較
して、小さい。その結果、加熱要素２８とウエハキャリアの上面３４の特定箇所との間の
熱流に対する垂直方向熱抵抗Ｒ２８−３４は、その箇所直下のウエハキャリアの厚みによ
って直接に変化することになる。例えば、ポケットの床４６上の箇所（図３）の場合、中
心軸４８の近くで底面の凹部５４と真っ直ぐに並んでいる位置では、ウエハキャリア本体
の厚みｔがｔｍｉｎと等しく、その結果として、Ｒ２８−３４も小さい。床４６上の周辺
に近い位置では、厚みｔ＝ｔｍａｘであり、その結果として、Ｒ２８−３４も大きい。
堆積プロセスは、各ウエハ４２の露出した上面４３上に化合物半導体を堆積するように
なっている。典型的には、堆積される第１の半導体層は、約１−１０μｍ厚みの基層また
はバッファ層のようなものであり、これに続いて、素子の活性層をなす極めて薄い活性層
が堆積されることになる。例えば、多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を含むＬＥＤでは、ＭＱ
Ｗ構造の発光層は、約２０−３０Å（２−３ｎｍ）厚みである。活性層に続いて、キャリ
ア閉じ込め、電気注入、電流分配、および物理的保護などを目的として、さらなる層が堆
積されることになる。この堆積プロセス中、ウエハ４２は、比較的予測可能な態様で反る
傾向にある。この反りは、典型的には、堆積される半導体材料とウエハとの間の格子定数
の差およびウエハを横切る方向に与えられる熱勾配によって生じるものである。図示され
ている例では、この反りは、ウエハを上方向に凸状にしている。すなわち、この反りは、
ウエハの上面４３を凸状にしている。反りの程度は、図３では、説明を明瞭にするための
、大きく誇張されている。典型的には、約５０ｍｍ直径のウエハの場合、このような反り
Ｄｗは、典型的には、約５μｍである。ただし、この直径のウエハを用いるいくつかのプ
ロセスでは、数１０μｍ程度の大きな反りが生じることもある。所定のプロセスにおいて
、反りＤｗは、ウエハ直径の二乗に比例して生じる傾向にある。従って、もし他の因子が
等しい場合、６インチの公称直径のウエハは、２インチの公称直径のウエハの反りの９倍
大きい反りを呈することになる。
各ウエハの上面４３に行き渡る温度は、加熱要素２８（図１）とウエハ上面４３との間
の全熱抵抗に依存している。床４６と真っ直ぐに並んでいるウエハの任意の点において、
全熱抵抗は、加熱要素２８とウエハキャリアの底面との間の輻射熱伝達に対する抵抗と、
底面と床面４６との間の伝導に関連する熱抵抗と、ウエハの底面４５と床面４６との間の
間隙６０を横切る熱伝導に対する抵抗と、ウエハ自体を通る伝導に対する抵抗と、の合計
である。前述したように、加熱要素２８と底面３６との間の輻射熱伝達に対する抵抗は、
ウエハキャリアの全体にわたって実質的に均一である。理論上は、凹部５４の表面が底面
３６の周囲部分よりも加熱要素からいくらか大きい距離を隔てているので、凹部に関連す
る輻射熱伝達に対する抵抗がいくらか大きくなっている。しかし、実際には、この差は、
無視できるほど小さい。ウエハ４２を通る伝導に対する抵抗も、ウエハの全体にわたって
実質的に均一である。しかし、床面４６から間隙６０を横切ってウエハの底面４５に至る
熱伝達に対する抵抗は、ウエハの反りのせいで変動することになる。間隙６０は、典型的
には、プロセスガスの停滞層で満たされている。このガスは、比較的低い熱伝達率を有し
ているので、間隙を横切る熱伝達に対する抵抗が、加熱要素とウエハ上面との間の熱伝達
に対する全抵抗のかなりの部分をもたらすことになる。間隙６０の熱抵抗は、間隙の高さ
に直接的に関連している。ウエハの周辺に近いウエハの部分では、間隙の高さは、単純に
床面の上方の支持棚５０の高さ、すなわち、Ｄ４６である。しかし、中心軸４８に隣接す
る箇所では、間隙６０の高さは、ウエハの反り距離ＤＷによって大きくなっている。従っ
て、間隙の熱抵抗は、中心軸４８の近くで最大である。
凹部５４によってもたらされるウエハキャリア本体３２の一様でない厚み、従って、一
様でない熱抵抗が、間隙６０による一様でない熱抵抗の影響を打ち消すことになる。すな
わち、ウエハキャリア本体は、中心軸４８に隣接する箇所では、最小の熱抵抗を有してお
り、中心軸４８から遠く離れた箇所では、より大きい熱抵抗を有している。換言すれば、
加熱要素からウエハ上面までの全熱抵抗は、Ｒ２８−３４（加熱要素と床４６内における
ウエハ上面３４上の点との間の熱抵抗）、間隙６０の熱抵抗、およびウエハ自体の熱抵抗
である。ここで、間隙６０の熱抵抗がより大きい箇所において、熱抵抗Ｒ２８−３４が、
より小さくなっている。
各ウエハ保持領域の床４６と真っ直ぐに並んでいる領域におけるウエハキャリアの厚み
の差は、素子の最も重要な層が形成されるプロセスの段階において、ウエハキャリアの様
々な熱伝達率の相殺効果を最適化するように、選択されている。具体的には、反り距離Ｄ
Ｗは、ウエハ上面へのバッファ層のような第１の層の堆積中に徐々に大きくなる。ｔｍｉ
ｎとｔｍａｘとの間の厚みの差を選択するのに用いられる予測反りＤＷは、バッファ層の
堆積の後でかつ作製されることになる素子における最も重要な層の堆積中に生じるＤＷの
値に対応するように、選択されるべきである。
ウエハキャリア３２の中実材料の熱伝導率は、間隙６０内の滞留ガスの熱伝導率よりも
何倍も大きい。従って、所定の反りＤＷの影響を打ち消すのに必要な厚みの差（ｔｍａｘ
−ｔｍｉｎ）は、ＤＷよりも何倍も大きい。例えば、約５〜７μｍの予想される反りを打
ち消すために、厚みの差（ｔｍａｘ−ｔｍｉｎ）は、望ましくは、約３ｍｍから約６ｍｍ
の範囲内にある。所定の用途に必要な正確な差（ｔｍａｘ−ｔｍｉｎ）は、熱伝達の計算
から導くことができる。しかし、さらに好ましくは、凹部５４に対する（ｔｍａｘ−ｔｍ
ｉｎ）の最適値、従って、最適な深さは、異なる深さの凹部を有する試験ウエハキャリア
を用いて、堆積の均一性に及ぼすこれらの影響を観察する実際の試験によって、決定され
るとよい。例えば、ＧａＮ基ＬＥＤを形成するための一プロセスにおいて、どのような凹
部５４も有していない第１のキャリア上で処理されたウエハは、「ブルズアイ（bullseye
）」パターンを示している。ウエハの中心から形成されたＬＥＤは、比較的長い発光波長
を有しており、ウエハの周辺から形成されたＬＥＤは、比較的短い発光波長を示している
。これは、発光波長を制御する層の堆積中、ウエハの中心におけるウエハ上面４３が、ウ
エハの周辺におけるウエハ上面よりもかなり冷却されていることを示している。また、発
光波長の分布は、比較的広くなっており、ウエハの５％を超える部分が、平均発光波長よ
り３ｎｍを超える発光波長を有している。比較的深い円錐凹部５４を有する第２のウエハ
キャリアは、逆のブルズアイパターンを生じ、各ウエハの中心から形成されたＬＥＤは、
周辺から形成されたＬＥＤよりもかなり短い発光波長を有している。また、同じように広
い波長分布を有している。これは、凹部５４が反りを過補償していることを示している。
深さがより浅い円錐凹部を有する第３のキャリアは、第１のキャリアまたは第２のキャリ
アのいずれよりも狭い波長分布を生じている。従って、第２のキャリアに用いられた凹部
が、製造工程におけるさらなるキャリアに用いられることとする。
比較的高い熱伝導率を有する中実材料の厚みを変化させることによって、様々な熱伝導
性をもたらすことは、理想的な厚みの差（ｔｍａｘ−ｔｍｉｎ）からのわずかなずれが熱
伝達に取るに足らない影響しか及ぼさないという基本的な利点をもたらすことになる。例
えば、凹部５４の深さの許容誤差は、実際の機械加工公差による約±１０μｍ（±０．０
００５インチ）とすることができる。床面４６をＤＷの予想値と等しい量だけ凸状にする
ことによって、ウエハの反りを完全に補償することも可能であろう。しかし、このような
構成は、１μｍよりも著しく小さい許容誤差を必要とし、かつ床面を意図的な凸状に形成
するために複雑な機械加工プロセスを必要とするだろう。
本発明のさらに他の実施形態（図４）によるウエハキャリア１３２は、図１−３に関し
て前述した特徴と同様の床面１４６および支持棚１５０を有するポケット１４４を有して
いる。この実施形態によるウエハキャリアの底面１４０は、各床面の中心軸１４８と真っ
直ぐに並んだ凹部１５４の形態にある非平面部を有している。これらの特徴部は、図１−
３に関して前述したのと実質的に同様に機能するものである。加えて、図４のウエハキャ
リア１３２は、各ウエハ保持領域の支持棚１４６と真っ直ぐに並んだ突起または増厚領域
１７０の形態にあるさらに他の非平面部を有している。すなわち、各増厚領域１７０は、
床面の中心軸１４８と同心、従って、支持棚１５０と同心のループの形態にある。運転に
際して、各ポケット１４４内のウエハ１４２の周辺は、支持棚１５０上に載っている。こ
れによって、ウエハの周辺への熱伝達のより直接的な経路がもたらされることになる。換
言すれば、支持棚１５０とウエハの周辺との間の直接的な接触は、床面１４６とウエハの
底面との間の間隙１６０を介する熱伝達によってもたらされる熱抵抗よりは小さい熱抵抗
をもたらしている。突起１７０によってもたらされる増厚は、支持棚と真っ直ぐに並んで
いる領域におけるウエハキャリア本体１３２の熱抵抗を高め、これによって、この差を打
ち消すことになる。これは、ウエハ周辺と隣接領域との間の表面温度の差を最小限に抑え
るのを助長することになる。
加えて、ウエハキャリア１３２の底面は、ポケット１４４間のキャリア上面の領域１３
４ａと真っ直ぐに並んださらに他の突起１７２を有している。この突起は、ウエハキャリ
アのこれらの領域の熱抵抗をさらに高めるものである。ウエハキャリアとウエハ１４２と
の間の界面は、かなりの熱抵抗をもたらすことになる。これは、ウエハ上面１４３の温度
をウエハキャリア上面１３４の主部分１３５によって画定されている周囲領域の温度未満
に低下させる傾向がある。これらの温度間の差を最小限に抑えることが望ましい。突起１
７２によって得られたこの高められた熱抵抗は、これらの付加的な界面の影響を打消し、
これによって、主部分１３５の温度をウエハ上面１４３の温度の近くに保持することにな
る。これに関連して、ウエハキャリアの主部分１３５の放射率は、典型的には、ウエハ上
面１４３の放射率と異なっている。放射率の差は、主部分１３５とウエハ上面との間の温
度差に影響を及ぼすことになる。主部分の放射率がウエハの放射率よりも著しく高い場合
、主部分は、ウエハ上面よりも低温になる傾向がある。この場合、ウエハキャリアは、上
面の主部分と真っ直ぐに並んだ底面の部分に、突起ではなく、むしろ凹部を有していると
よい。この場合（図示せず）、ウエハキャリア上面の主部分と真っ直ぐに並んだウエハキ
ャリアの部分は、ポケットおよびウエハと真っ直ぐに並んだウエハキャリアの部分よりも
薄くなっており、より低い熱抵抗を有することになる。
図５に示されているウエハキャリア２３２は、図１〜３のウエハキャリアと同様である
。しかし、底面２４０の凹部２５４は、前述した円錐形状ではなく、略ドーム状形状を有
している。
図６のウエハキャリア３２２では、各凹部３５４は、円錐台の形をしており、ポケット
３４４の中心軸３４８を横切って延在している平面３５５を有している。
図７のウエハキャリア４３２は、反りが前述した反りと逆になる。従って、ウエハ４４
２が下向きに凸状になる、すなわち、ウエハの底面４４５が、ポケットの中心軸４４８に
隣接する箇所において、床面４４６に向かって下方に湾曲するようなプロセスに用いられ
るように、構成されている。この場合、キャリアとウエハとの間の間隙４６０は、中心軸
４４８に隣接する箇所において、最小の厚み、従って、最小の熱抵抗を有している。従っ
て、ウエハキャリア底面４４０の非平面部は、中心軸に隣接する箇所において、比較的大
きい厚みｔｍａｘをもたらし、ウエハの周辺に近い箇所において、比較的小さい厚みｔｍ
ｉｎをもたらすように、構成されている。
本発明のさらに他の実施形態によるウエハキャリア５３２は、前述したのと実質的に同
じように、各ウエハ保持領域内においてキャリアの上面５３２に形成されたポケット５４
４を有している。各ポケット５４４は、平坦な床面５４６を有している。ここでも、各ポ
ケットには、ウエハの周辺に係合し、ウエハを床面５４６の上方に保持するための支持棚
が設けられている。しかし、この実施形態では、各ポケットの支持棚は、複数の棚領域５
５０として設けられている。これらの棚領域５５０は、床の周辺に沿って、従って、ポケ
ットの中心軸５４８の周りに、互いに離間している。これによって、ウエハの周辺と支持
棚との間の接触が、最小限に抑えられ、従って、このような接触から生じることになるウ
エハキャリアとウエハとの間の熱伝達の不均一さが、最小限に抑えられることになる。
さらに、この実施形態では、各ポケットは、ポケットの内部からウエハキャリアの上面
５３４に向かって上方に延在している壁５５２によって、境界が定められている。ここで
も、周辺壁５５２は、図９に示されているように、内方に傾斜しており、その結果、周囲
面は、ウエハキャリアの上面５４８に向かう上方向において、ポケットの中心軸５４８に
向かって内方に傾斜している。しかし、この実施形態では、周囲壁５５２は、ウエハキャ
リアの中心軸５２２から最も遠いポケットの部分、言い換えれば、ウエハキャリアを全体
として見たとき、ウエハキャリアをスピンドルに保持する取付け部５３８およびウエハキ
ャリアの回転軸から最も遠いポケットの部分に沿って、凹部５７０によって中断されてい
る。従って、周囲壁および凹部は、図８に示されているように、上から見て、非円形形状
を画定している。この非円形形状は、円形の周囲壁と凹部との交点に１対の突起５５３を
備えている。これらの突起は、互いに離間しており、ウエハキャリアの中心軸５２２から
ポケットの中心軸５４８を通って延在している半径線５５５の両側に配置されている。運
転中、ウエハに作用する回転または「遠心力（centrifugal force）」による加速度が、
ウエハを中心軸５２２から最も遠い領域内の周囲壁に向かって押す傾向にある。凹部５７
０は、ウエハの周辺と内方に傾斜している周辺壁との間の接触力を最大にし、従って、ウ
エハに加えられる下向き力を最大にし、これによって、ウエハを支持棚５５０に係合させ
て保持する傾向にある。ポケット内に配置されている円形ウエハは、突起５５３において
ウエハキャリアに係合し、他の箇所において周辺壁からいくらか離間してとどまっている
。ウエハが突起においてのみ周辺壁に係合しているので、ウエハの縁を通る熱伝達が、最
小限に抑えられることになる。これによって、ウエハ内の温度のバラツキが、最小限に抑
えられる傾向にある。
図８、９を参照して前述したポケット構成を有するウエハキャリアは、本明細書におい
て説明したようなその底面上の非平面特徴部を有するものとして作製されてもよいし、ま
たはそのような非平面特徴部を有しないものとして作製されてもよい。
図１〜７を参照して前述したウエハキャリアでは、床面は、実質的に平坦である。しか
し、これは、本質的な特徴ではない。何故なら、湾曲した床面を用いても、本発明を行う
ことができるからである。例えば、図１０に示されているウエハキャリア本体７３２は、
図１−３を参照して前述したウエハキャリア本体３２と略同様である。しかし、キャリア
本体６３２は、意図的に凹状にされている床面６４６を有している。ポケットの中心軸６
４８における各床面の中心部分は、軸６４８から遠く離れている床面の周辺部分よりも下
方に距離Ｃｆだけ凹んでいる。この凹状床面によって、ウエハと床面との間の間隙６６０
は、ウエハの中心軸６４８において、ウエハの周辺におけるよりも大きくなっている。こ
れによって、ウエハの上向き反りＤＷにおけるのと同じように、軸６４８の近くの間隙６
６０の熱抵抗が大きくなっている。換言すれば、床面の湾曲Ｃｆの影響と上向き反りＤｗ
の影響とが加算されていることになる。床面の湾曲とウエハの反りとのこの複合的影響は
、凹部６５４の形態にある非平面部によって打ち消されることになる。凹部６５４は、間
隙６６０が最大の熱抵抗を有している中心軸６４８の近くにおいて、キャリア本体に最小
厚み、従って、最小の熱抵抗をもたらすようになっている。
図１１の実施形態では、床面７４６は、凸状である。すなわち、床面の湾曲Ｃｆは、ポ
ケットの中心軸７４８の近くで間隙７６０の大きさを縮小している。図示されている実施
形態では、ウエハは、上向きの反りを有している。この反りは、中心軸７４８の近くで間
隙７６０の大きさを増加させる傾向にある。しかし、凸状湾曲Ｃｆは、反りＤｗよりも大
きいので、間隙７６０の大きさは、中心軸７４８の近くで最小になっており、この間隙の
熱抵抗も、中心軸の近くで最小になっている。この反りと床面湾曲との複合的影響を打ち
消すために、ウエハキャリア本体は、非平面部７５４を有している。非平面部７５４は、
本体の厚み、従って、熱抵抗が、軸７４８の近くの箇所において、軸から遠く離れている
箇所におけるよりも大きくなるように構成されている。
図１２〜１４に示されているウエハキャリアは、図１〜３を参照して前述したものと同
様の主部分８３５およびポケット８４４を備える上面８３４を有している。ここでも、各
ポケットは、床８４６と、支持棚８５０と、支持棚から上面の主部分８３５に向かって上
方に突出している周辺壁８５２と、を備えている。ここでも、ウエハキャリアは、中心軸
８２２を有しており、運転中、このような軸を中心として回転するように、スピンドルに
取り付けられるように適合されている。各ポケットは、該ポケットの幾何学的中心に、中
心軸８４８も有している。周辺壁８５２は、ポケット中心軸８４８をほぼ完全に取り巻い
て延在している弧状部分を備えている。しかし、ウエハキャリアの中心軸８２２から最も
遠い周辺壁の領域は、非円形形状を有している。周辺壁のこの領域は、周辺壁の弧状部分
から内方に突出している１対の突起８５３を有している。このような１つの突起が、図１
４に詳細に示されている。突起８５３は、ウエハキャリア中心軸からポケットの中心軸８
４８を通って延在している半径線８５５の両側において、互いに離間している。図１２に
最もよく示されているように、各突起８５３は、ポケット中心軸８４８に向かって内向き
の当接面８５７を有している。各当接面８５７は、棚８５０から主部分８３５に向かう上
方向において、ポケット中心軸に向かって内方に傾斜している。
運転に際して、円形ウエハ８４２は、各ウエハの底面を対応するポケットの棚８５０に
係合させて、ポケット内に配置されることになる。中心軸８２２を中心とするウエハキャ
リアの回転によって生じた遠心力は、各ウエハを中心軸から外方に押す傾向にある。各ウ
エハは、ポケット内において、２つの突起８５３の当接面８５７に寄り掛かることになる
。これらの突起は、ウエハの縁が該突起に寄り掛かったとき、ウエハがポケットの軸８４
８と同心となるように、寸法決めされている。従って、ウエハは、ウエハの全周にわたっ
て等しく棚８５０に重なることになる。換言すれば、棚８５０の内縁とウエハの縁との間
の重なっている距離Ｄｏ（図１２，１３）は、一定である。これは、ウエハの周囲におけ
るウエハの底と棚との間の熱伝達を等しくする傾向にある。さらに、ウエハの縁が互いに
離間している小さい突起８５３としか接触していないので、ウエハの縁と周辺壁８５２と
の間の熱伝達が最小限に抑えられることになる。
本発明のさらに他の実施形態によるウエハキャリア（図１５）は、図１−３を参照して
前述したウエハキャリアと略同様の構成を有している。しかし、図１５のウエハキャリア
では、底面における各凹部９５４が、水平方向においてポケットの中心９４８から位置ず
れしている。従って、最も高い熱伝導性および最も低い熱抵抗を有するウエハキャリアの
最も薄い部分が、ポケットの床９４６の中心から位置ずれした床の部分９４６ａの下方に
位置している。この構成を用いて、プロセスガスの流れパターンのようなプロセス条件に
よって生じたウエハの不均等な熱伝達の影響を打ち消すことができる。例えば、ウエハキ
ャリアが回転している反応チャンバ内では、ウエハキャリアの回転軸に最も近い各ウエハ
の部分は、回転軸から最も遠い部分よりも大きく冷却される可能性がある。何故なら、プ
ロセスガスは、回転軸から離れる運動成分を有するウエハを超えて流れるからである。ま
た、互いに異なるウエハまたは同じウエハの互いに異なる部分を横切って流れるプロセス
ガスは、互いに異なる温度にある可能性がある。例えば、ウエハキャリアの主面がウエハ
の表面よりも冷えている場合、プロセスガスの温度は、ウエハキャリアの周辺におけるウ
エハに達する前の該ガスの経路に依存することになる。もしこの経路の大部分がウエハ表
面に拡がっており、経路の小さい部分のみがウエハキャリアの主面に拡がっている場合、
ガスは、１つの温度にある。しかし、もしこの経路の大部分がウエハキャリア主面に拡が
っている場合、ガスは、より低い温度にある。本明細書において説明した技術を用いて、
これらの影響を打ち消し、種々のウエハの上面を均一な温度に維持することができる。さ
らに他の変形態様では、不均一なウエハ表面温度を意図的にもたらすために、これらの技
術が適用されてもよい。このような不均一な温度は、例えば、互いに異なる経路に沿って
流れるプロセスガスにおける不均一な反応物質の濃度の影響を打ち消すために、用いられ
てもよい。
図１５のウエハキャリアは、熱バリア９７０も備えている。熱バリアは、ウエハキャリ
ア本体内の水平方向における熱伝導を阻止するものである。このようなバリアは、互いに
異なる垂直方向における熱伝導性を有するウエハキャリアの部分間に熱隔離をもたらして
いる。このような隔離は、一様でない熱伝導性の効果を強めることになる。これらの熱バ
リアは、ウエハキャリアの周囲材料よりも低い熱伝導率を有する薄い垂直方向に延在して
いる材料層を備えているとよい。代替的に、これらの熱バリアは、ウエハキャリアを個々
の断片として作製し、ウエハキャリア内において垂直方向に延在している表面においてこ
れらの断片間に界面をもたらすことによって、形成されてもよい。例えば、図１５のキャ
リアは、上面の主部分およびポケット床９４６の一部を画定している大きい部分９０１と
、各ポケットの床の部分９４６を画定している小さい部分９０２と、を備えている。界面
またはバリア９７０は、該小さい部分を取り巻く円筒面の形態にあるとよい。さらに他の
変更形態では、この小さい部分は、各ポケットの床の全体を画定していてもよい。
本発明から逸脱することなく、前述した特徴の多くの変更または組合せが利用されても
よい。単なる例示として、本発明は、窒化ガリウム基半導体の処理に関連して説明してき
たが、本質的にどのような半導体の処理に適用されてもよい。従って、ガリウム、インジ
ウム、およびアルミニウムの一種または多種を窒素、リン、アンチモン、およびヒ素の一
種または多種と組み合わせて含んでいるＩＩＩ−Ｖ族半導体が形成されてもよい。また、
ＩＩ−ＶＩ族半導体およびシリコンおよびダイアモンド状炭素のようなＩＶ族半導体が、
同様に処理されてもよい。さらに、本発明は、堆積以外の他の処理に適用されてもよい。
前述した特徴の多くの他の変更および組合せが利用されてもよい。例えば、一様でない
熱抵抗をもたらすために、ウエハキャリア本体の厚みを変化させる代わりに、本体の組成
を各ウエハによって占有されている領域内において変化させてもよい。単なる例示にすぎ
ないが、ウエハキャリアは、その底面に、キャリア本体の周囲材料よりも実質的に高いか
または低い熱伝導率を有する金属または他の材料によって充填された凹部を有していても
よい。このような実施形態は、材料間の界面においてさらに他の熱伝導性を有することが
でき、このような界面は、熱抵抗に影響を与えることになる。
図１を参照して前述した実施形態は、熱が加熱要素２８からキャリアの底面３６に直接
伝達される「サスセプタレス（susceptorless）」処理装置である。同様の原理は、熱が
加熱要素から一般的に「サセプタ（susceptor）」と呼ばれる中間要素に伝達され、次い
で、サセプタからキャリアに伝達される装置に適用されてもよい。しかし、このような熱
伝達は、望ましくは、サセプタとウエハキャリアの底面との間の滞留プロセスガスによっ
て満たされる空間を介する伝達を含んでいない。
本明細書において、本発明を特定の実施形態を参照して説明してきたが、これらの実施
形態は、本発明の原理および用途の単なる例示にすぎないことを理解されたい。従って、
例示的な実施形態に対して多くの修正形態がなされてもよく、添付の特許請求の範囲に規
定されている本発明の精神および範囲から逸脱することなく、他の構成が考案されてもよ
いことを理解されたい。

Claims (21)

  1. 水平方向に延在している互いに逆向きの上面および底面を有する本体を備えているウエハキャリアにおいて、前記本体は、複数のウエハ保持領域を有しており、前記本体は、各ウエハ保持領域にウエハ支持体を画定しており、このような各ウエハ支持体は、ウエハを前記ウエハの上面を前記本体の上面に露出させて保持するように適合されており、前記本体は、水平方向における熱の伝導を阻止する１つまたは複数の熱バリアを有し、
    前記ウエハキャリアは、垂直方向の熱伝導性において互いに異なる熱伝導性を備える第１と第２の領域を有しており、前記１つまたは複数の熱バリアは、前記第１の領域及び第２の領域間に配置され、前記１つまたは複数の熱バリアは、前記第１の領域及び第２の領域とは異なる熱伝導性を備える第３の領域を含む
    ことを特徴とするウエハキャリア。
  2. 前記複数のウエハ保持領域の各々が、中心軸を有しており、各ウエハ保持領域が、該ウエハ保持領域の周辺壁に２つのウエハ支持体を備えており、該２つのウエハ支持体が、互いに離間しており、当該ウエハキャリアの中心軸から該ウエハ保持領域の中心軸を通って延びる半径線の両側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のウエハキャリア。
  3. 各ウエハ支持体は、ウエハの周辺部分と係合して前記ウエハを前記ウエハの主部分が当該キャリアの前記本体から離間するように保持するように、構成されていることを特徴とする請求項１に記載のウエハキャリア。
  4. 各ウエハ支持体は、床と、前記床の周辺において前記床の上方に配置された支持棚と、を備えていることを特徴とする請求項１に記載のウエハキャリア。
  5. 当該ウエハキャリアの前記底面は、当該ウエハキャリアの厚みが各ウエハ保持領域内で変化するように、各ウエハ保持領域内に１つ以上の非平面部を有していることを特徴とする請求項４に記載のウエハキャリア。
  6. 前記底面の前記非平面部は、各ウエハ保持領域内において、前記本体が、前記床と真っ直ぐに並んだ領域内において、非均一な厚みを有するように、構成されていることを特徴とする請求項５に記載のウエハキャリア。
  7. 各ウエハ保持領域内において、前記本体の厚みは、前記床の中心と真っ直ぐに並んだ箇所において、局部的に最小になっていることを特徴とする請求項６に記載のウエハキャリア。
  8. 各ウエハ保持領域内において、前記本体の厚みは、前記床の中心から位置ずれしている箇所において、局部的に最小になっていることを特徴とする請求項６に記載のウエハキャリア。
  9. 各ウエハ保持領域内において、前記本体の厚みは、前記床の中心と真っ直ぐに並んだ箇所において、局部的に最大になっていることを特徴とする請求項６に記載のウエハキャリア。
  10. 前記床の各々は、実質的に平面であることを特徴とする請求項６に記載のウエハキャリア。
  11. 前記本体の前記上面は、前記ウエハ保持領域間に延在している主部分を備えており、各ウエハ支持体は、床と支持棚とを有するポケットを備えており、前記床および支持棚は、前記ポケット内において、前記床が前記ポケットの底面をなすように、前記上面の前記主部分から凹んでいることを特徴とする請求項１に記載のウエハキャリア。
  12. 前記上面の前記主部分の少なくとも一部の直下の前記本体の厚みが、前記ポケットの前記床の直下の前記本体の厚みよりも大きくなっていることを特徴とする請求項１１に記載のウエハキャリア。
  13. 各支持棚は実質的に連続的であり、前記床を取り囲んでいることを特徴とする請求項１１または１２に記載のウエハキャリア。
  14. 各支持棚は、前記床の周辺に沿って互いに離間している複数の棚領域を備えていることを特徴とする請求項１１または１２に記載のウエハキャリア。
  15. 各ウエハ保持領域内において、前記本体は、前記支持棚と真っ直ぐに並んだ領域において、該領域と直接隣接している前記床と真っ直ぐに並んだ領域におけるよりも大きい厚みを有していることを特徴とする請求項１１または１２に記載のウエハキャリア。
  16. 前記本体は、被膜が施されているかまたは施されていない耐火材料の実質的に一体の平板からなっていることを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載のウエハキャリア。
  17. 前記本体は、複数のポケットを備えており、前記１つ以上の熱バリアの各々は、前記ポケットのうちの少なくとも１つの直下の当該キャリアの前記本体の領域を囲んでいることを特徴とする請求項１に記載のウエハキャリア。
  18. 当該キャリアの前記本体の一部分が一体であり、前記１つ以上の熱バリアが、前記一体の部分の底面の上方を垂直方向に延びていることを特徴とする請求項１に記載のウエハキャリア。
  19. 当該キャリアの前記本体は、前記本体の中心においてスピンドルに取り付けられ、前記複数のウエハ保持領域は、前記スピンドルの軸を中心にして周状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のウエハキャリア。
  20. 前記第１の領域は前記第２の領域よりも高い熱伝導性を備え、前記本体は複数のポケットを備え、前記第１の領域は前記ポケットの少なくとも１つに真っ直ぐに並んでいることを特徴とする請求項１に記載のウエハキャリア。
  21. 前記第１の領域は前記ポケットの床の少なくとも一部を画定することを特徴とする請求項２０に記載のウエハキャリア。
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Families Citing this family (299)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101802254B (zh) 2007-10-11 2013-11-27 瓦伦斯处理设备公司 化学气相沉积反应器
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US20110049779A1 (en) * 2009-08-28 2011-03-03 Applied Materials, Inc. Substrate carrier design for improved photoluminescence uniformity
JP5882918B2 (ja) 2010-02-24 2016-03-09 ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド 温度分配制御装置を用いる処理方法および処理装置
US8888919B2 (en) * 2010-03-03 2014-11-18 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with sloped edge
CN102959140B (zh) * 2010-04-30 2016-01-20 佳能安内华股份有限公司 外延膜形成方法、真空处理设备、半导体发光元件制造方法、半导体发光元件和照明装置
US8535445B2 (en) * 2010-08-13 2013-09-17 Veeco Instruments Inc. Enhanced wafer carrier
JP5615102B2 (ja) * 2010-08-31 2014-10-29 株式会社ニューフレアテクノロジー 半導体製造方法及び半導体製造装置
US9076827B2 (en) 2010-09-14 2015-07-07 Applied Materials, Inc. Transfer chamber metrology for improved device yield
US20120227667A1 (en) * 2011-03-10 2012-09-13 Applied Materials, Inc. Substrate carrier with multiple emissivity coefficients for thin film processing
US20120234229A1 (en) * 2011-03-16 2012-09-20 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly for thin film deposition systems
US8958061B2 (en) * 2011-05-31 2015-02-17 Veeco Instruments Inc. Heated wafer carrier profiling
CN102828169A (zh) * 2011-06-13 2012-12-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种载片托盘、托盘装置和结晶膜生长设备
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
WO2013033315A2 (en) * 2011-09-01 2013-03-07 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with thermal features
DE102011055061A1 (de) * 2011-11-04 2013-05-08 Aixtron Se CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor
JP2013131614A (ja) * 2011-12-21 2013-07-04 Bridgestone Corp ウエハホルダ
KR101928356B1 (ko) * 2012-02-16 2018-12-12 엘지이노텍 주식회사 반도체 제조 장치
CN103074607A (zh) * 2012-02-22 2013-05-01 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 石墨盘、具有上述石墨盘的反应腔室
US9816184B2 (en) * 2012-03-20 2017-11-14 Veeco Instruments Inc. Keyed wafer carrier
KR20130111029A (ko) * 2012-03-30 2013-10-10 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치
US10316412B2 (en) * 2012-04-18 2019-06-11 Veeco Instruments Inc. Wafter carrier for chemical vapor deposition systems
JP5794194B2 (ja) * 2012-04-19 2015-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US20140084529A1 (en) * 2012-09-26 2014-03-27 Chae Hon KIM Wafer carrier with pocket
US20140102372A1 (en) * 2012-10-11 2014-04-17 Epistar Corporation Wafer carrier
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP2016015353A (ja) * 2012-11-20 2016-01-28 サンケン電気株式会社 半導体製造装置、半導体装置、および、半導体装置の製造方法
CN102983093B (zh) * 2012-12-03 2016-04-20 安徽三安光电有限公司 一种用于led外延晶圆制程的石墨承载盘
KR102017744B1 (ko) 2012-12-12 2019-10-15 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
CN103938186B (zh) * 2013-01-23 2016-12-07 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 托盘、mocvd反应腔和mocvd设备
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9929310B2 (en) 2013-03-14 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Oxygen controlled PVD aluminum nitride buffer for gallium nitride-based optoelectronic and electronic devices
US9273413B2 (en) 2013-03-14 2016-03-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with temperature distribution control
US10167571B2 (en) * 2013-03-15 2019-01-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems
CN104183532B (zh) * 2013-05-24 2017-04-12 理想晶延半导体设备（上海）有限公司 用于承载基片的基座及其基片处理的方法
US9814099B2 (en) * 2013-08-02 2017-11-07 Applied Materials, Inc. Substrate support with surface feature for reduced reflection and manufacturing techniques for producing same
KR101477142B1 (ko) * 2013-09-13 2014-12-29 (주)티티에스 기판 지지대 및 이를 구비하는 기판 지지 장치.
CN103614709B (zh) * 2013-12-12 2015-10-07 济南大学 用于mocvd反应室的组合基座式电磁加热装置
TWI650832B (zh) 2013-12-26 2019-02-11 維克儀器公司 用於化學氣相沉積系統之具有隔熱蓋的晶圓載具
CN103824796B (zh) * 2014-01-07 2017-04-12 苏州新纳晶光电有限公司 用于led外延制程的石墨承载盘及其配套衬底
TWI654666B (zh) * 2014-01-27 2019-03-21 Veeco Instruments, Inc. 用於化學氣相沉積系統之具有複合半徑容置腔的晶圓載具
KR102181390B1 (ko) * 2014-02-07 2020-11-20 엘지이노텍 주식회사 반도체 제조 장치
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
DE102014114947A1 (de) * 2014-05-16 2015-11-19 Aixtron Se Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten sowie einen Suszeptor zur Verwendung in einer derartigen Vorrichtung
JP2015222802A (ja) * 2014-05-23 2015-12-10 株式会社東芝 ウエハホルダおよび蒸着装置
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6449074B2 (ja) 2015-03-25 2019-01-09 住友化学株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US10438795B2 (en) * 2015-06-22 2019-10-08 Veeco Instruments, Inc. Self-centering wafer carrier system for chemical vapor deposition
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US20170032992A1 (en) 2015-07-31 2017-02-02 Infineon Technologies Ag Substrate carrier, a method and a processing device
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
DE102016209012A1 (de) * 2015-12-18 2017-06-22 E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH Heizeinrichtung
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
JP6924196B2 (ja) * 2016-01-19 2021-08-25 インテヴァック インコーポレイテッド 基板製造用のパターンチャック
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10629416B2 (en) * 2017-01-23 2020-04-21 Infineon Technologies Ag Wafer chuck and processing arrangement
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR20190122230A (ko) * 2017-02-28 2019-10-29 에스지엘 카본 에스이 기판-캐리어 구조
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10829866B2 (en) 2017-04-03 2020-11-10 Infineon Technologies Americas Corp. Wafer carrier and method
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
USD860146S1 (en) 2017-11-30 2019-09-17 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a 33-pocket configuration
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
USD860147S1 (en) 2018-03-26 2019-09-17 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover
USD858469S1 (en) 2018-03-26 2019-09-03 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover
USD866491S1 (en) 2018-03-26 2019-11-12 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover
USD863239S1 (en) 2018-03-26 2019-10-15 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover
USD854506S1 (en) 2018-03-26 2019-07-23 Veeco Instruments Inc. Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
CN108642477A (zh) * 2018-05-24 2018-10-12 济南大学 一种用于电磁加热mocvd反应室的加热装置
JP6826554B2 (ja) * 2018-05-25 2021-02-03 日機装株式会社 サセプタ、半導体の製造方法、及び半導体の製造装置
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
CN108987539A (zh) * 2018-05-31 2018-12-11 华灿光电（浙江）有限公司 一种适用于发光二极管外延片生长的石墨基座
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
JP1648519S (ja) 2018-10-04 2019-12-23
EP3863043A4 (en) * 2018-10-04 2021-11-03 Toyo Tanso Co., Ltd. SUSCEPTOR
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
CN109666922B (zh) * 2018-11-23 2021-04-27 华灿光电（浙江）有限公司 一种石墨基座
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
EP3689543B1 (de) * 2019-01-30 2022-09-21 Carl Zeiss Vision International GmbH Vorrichtung und verfahren zur einbringung einer optischen linse in eine wendeeinrichtung
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
CN114761615A (zh) * 2019-12-20 2022-07-15 苏州晶湛半导体有限公司 一种晶圆承载盘及化学气相淀积设备
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
DE102020120449A1 (de) * 2020-08-03 2022-02-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Wafer-carrier und system für eine epitaxievorrichtung
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN113278952B (zh) * 2021-03-26 2022-12-06 华灿光电(苏州）有限公司 石墨基板
CN113278953B (zh) * 2021-03-26 2022-06-17 华灿光电(苏州）有限公司 石墨基板
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN117089926B (zh) * 2023-10-20 2024-01-16 杭州海乾半导体有限公司 一种用于提高碳化硅外延片均匀性的载具及其使用方法

Family Cites Families (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7103019A (ja) * 1971-03-06 1972-09-08
NL7209297A (ja) * 1972-07-01 1974-01-03
US3993018A (en) * 1975-11-12 1976-11-23 International Business Machines Corporation Centrifugal support for workpieces
US5242501A (en) * 1982-09-10 1993-09-07 Lam Research Corporation Susceptor in chemical vapor deposition reactors
JPS60173852A (ja) * 1984-02-20 1985-09-07 Wakomu:Kk ウエ−ハ処理用基板ホルダ
US4512841A (en) * 1984-04-02 1985-04-23 International Business Machines Corporation RF Coupling techniques
JPS6396912A (ja) * 1986-10-14 1988-04-27 Toshiba Ceramics Co Ltd 基板ホルダ−
JPS63186422A (ja) * 1987-01-28 1988-08-02 Tadahiro Omi ウエハサセプタ装置
JPH01256118A (ja) * 1988-04-05 1989-10-12 Sumitomo Metal Ind Ltd 気相反応装置
JPH04123265U (ja) * 1991-04-15 1992-11-06 昭和電工株式会社 気相成長装置のウエーハ載置台
US5155652A (en) * 1991-05-02 1992-10-13 International Business Machines Corporation Temperature cycling ceramic electrostatic chuck
US5195729A (en) * 1991-05-17 1993-03-23 National Semiconductor Corporation Wafer carrier
JPH05275355A (ja) * 1992-03-27 1993-10-22 Toshiba Corp 気相成長装置
JPH05335253A (ja) * 1992-06-01 1993-12-17 Toshiba Corp 気相成長装置
JPH0610140A (ja) * 1992-06-24 1994-01-18 Fuji Film Micro Device Kk 薄膜堆積装置
NL9300389A (nl) * 1993-03-04 1994-10-03 Xycarb Bv Substraatdrager.
JP2652759B2 (ja) * 1993-09-03 1997-09-10 コマツ電子金属株式会社 気相成長装置用バレル型サセプタのウエハポケット
EP0664347A3 (en) * 1994-01-25 1997-05-14 Applied Materials Inc Plant for the deposition of a uniform layer of a material on a substrate.
US6074696A (en) * 1994-09-16 2000-06-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing method which utilizes a rotary member coupled to a substrate holder which holds a target substrate
JPH0936049A (ja) * 1995-07-21 1997-02-07 Mitsubishi Electric Corp 気相成長装置およびこれによって製造された化合物半導体装置
US5761023A (en) * 1996-04-25 1998-06-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback
US6001183A (en) * 1996-06-10 1999-12-14 Emcore Corporation Wafer carriers for epitaxial growth processes
US5837058A (en) * 1996-07-12 1998-11-17 Applied Materials, Inc. High temperature susceptor
JPH1060674A (ja) * 1996-08-23 1998-03-03 Shibaura Eng Works Co Ltd 真空処理装置
JP3596710B2 (ja) * 1996-09-10 2004-12-02 信越半導体株式会社 気相成長装置用サセプタ
KR100660416B1 (ko) * 1997-11-03 2006-12-22 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 개량된 저질량 웨이퍼 지지 시스템
US6143079A (en) * 1998-11-19 2000-11-07 Asm America, Inc. Compact process chamber for improved process uniformity
JP2000355766A (ja) * 1999-06-15 2000-12-26 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板処理方法
JP4592849B2 (ja) * 1999-10-29 2010-12-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置
US6391804B1 (en) * 2000-06-09 2002-05-21 Primaxx, Inc. Method and apparatus for uniform direct radiant heating in a rapid thermal processing reactor
US20020018506A1 (en) * 2000-06-19 2002-02-14 Lambda Physik Ag Line selection of molecular fluorine laser emission
US6634882B2 (en) * 2000-12-22 2003-10-21 Asm America, Inc. Susceptor pocket profile to improve process performance
US6506252B2 (en) * 2001-02-07 2003-01-14 Emcore Corporation Susceptorless reactor for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition
US6902623B2 (en) * 2001-06-07 2005-06-07 Veeco Instruments Inc. Reactor having a movable shutter
JP2003037071A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd サセプタ、気相成長装置および気相成長方法
US20030089457A1 (en) * 2001-11-13 2003-05-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling a thermal conductivity profile for a pedestal in a semiconductor wafer processing chamber
ITMI20020306A1 (it) * 2002-02-15 2003-08-18 Lpe Spa Suscettore dotato di rientranze e reattore epitassiale che utilizza lo stesso
US7070660B2 (en) * 2002-05-03 2006-07-04 Asm America, Inc. Wafer holder with stiffening rib
US7381276B2 (en) * 2002-07-16 2008-06-03 International Business Machines Corporation Susceptor pocket with beveled projection sidewall
US20040011780A1 (en) * 2002-07-22 2004-01-22 Applied Materials, Inc. Method for achieving a desired process uniformity by modifying surface topography of substrate heater
JP2004128271A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Toyo Tanso Kk サセプタ
DE10260672A1 (de) * 2002-12-23 2004-07-15 Mattson Thermal Products Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Substraten
DE10261362B8 (de) * 2002-12-30 2008-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Substrat-Halter
EP1615261B8 (en) * 2003-04-02 2019-09-18 SUMCO Corporation Semiconductor wafer heat treatment jig
JP2004327761A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp エピタキシャル成長用サセプタ
JP4599816B2 (ja) * 2003-08-01 2010-12-15 信越半導体株式会社 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP2005136025A (ja) * 2003-10-29 2005-05-26 Trecenti Technologies Inc 半導体製造装置、半導体装置の製造方法及びウエハステージ
JP4647595B2 (ja) * 2004-02-25 2011-03-09 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 気相成長装置
US20050217585A1 (en) * 2004-04-01 2005-10-06 Blomiley Eric R Substrate susceptor for receiving a substrate to be deposited upon
KR20060023220A (ko) * 2004-09-09 2006-03-14 삼성전자주식회사 반도체 제조용 베이크 장치
US7544251B2 (en) * 2004-10-07 2009-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
CN101115862A (zh) * 2005-02-16 2008-01-30 维高仪器股份有限公司 用于生长GaN晶片的晶片承载器
TWI327339B (en) * 2005-07-29 2010-07-11 Nuflare Technology Inc Vapor phase growing apparatus and vapor phase growing method
US8603248B2 (en) * 2006-02-10 2013-12-10 Veeco Instruments Inc. System and method for varying wafer surface temperature via wafer-carrier temperature offset
KR20070093493A (ko) * 2006-03-14 2007-09-19 엘지이노텍 주식회사 서셉터 및 반도체 제조장치
JP2007251078A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Nuflare Technology Inc 気相成長装置
DE102006018514A1 (de) * 2006-04-21 2007-10-25 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zur Steuerung der Oberflächentemperatur eines Substrates in einer Prozesskammer
US8021487B2 (en) 2007-12-12 2011-09-20 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with hub
US20110049779A1 (en) * 2009-08-28 2011-03-03 Applied Materials, Inc. Substrate carrier design for improved photoluminescence uniformity
DE102011055061A1 (de) * 2011-11-04 2013-05-08 Aixtron Se CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor

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