JP2013131614A - ウエハホルダ - Google Patents
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Abstract
【課題】 膜の形成時におけるウエハの飛び出しを抑制しつつ、ウエハの側面と凹部の側面との接着に基づくウエハの損傷を抑制できるウエハホルダを提供する。
【解決手段】
主面10と、主面10に対して垂直方向Zに凹む凹部20とを備えるウエハホルダ1であって、凹部20は、主面10に平行な底面30と、底面30の外周35から主面10に亘って設けられる側面50と、側面50から凹部20の内側に突出する突出部100と、を有しており、突出部100は、底面30の外周35に沿って設けられており、垂直方向Zにおいて、底面30から突出部100の先端150までの高さtは、底面30から主面10までの高さDの1/3よりも高い。
【選択図】図3
【解決手段】
主面10と、主面10に対して垂直方向Zに凹む凹部20とを備えるウエハホルダ1であって、凹部20は、主面10に平行な底面30と、底面30の外周35から主面10に亘って設けられる側面50と、側面50から凹部20の内側に突出する突出部100と、を有しており、突出部100は、底面30の外周35に沿って設けられており、垂直方向Zにおいて、底面30から突出部100の先端150までの高さtは、底面30から主面10までの高さDの1/3よりも高い。
【選択図】図3
Description
本発明は、ウエハを保持するウエハホルダに関する。
従来、ウエハに膜を形成する際に、ウエハを保持するウエハホルダが知られている。一般的に、ウエハホルダは、主面に対して垂直方向に凹む凹部を備える。ウエハは、凹部に配置されて、保持される。
ウエハに形成される膜は、膜厚が厚くなる方向に成長するだけでなく、ウエハの上面から側面へ向かって成長する。このため、膜の成長に伴って、ウエハの上面だけでなく、ウエハの側面も膜に覆われることがあった。ウエハの側面を覆った膜が、凹部の側面に接触したまま、固まると、ウエハの側面と凹部の側面とが膜によって接着される。このため、ウエハを取り出す際に、ウエハに必要以上の外力を加えることとなり、ウエハに割れや亀裂などの損傷が生じることがあった。ウエハの側面と凹部の側面との接着に基づくウエハの損傷を抑制するために、凹部の構造を工夫する技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1のウエハホルダは、凹部の側面の上側に傾斜面が設けられている。傾斜面は、上側に向かうに連れ凹部が広がるように、傾斜している。従って、傾斜面とウエハの側面との間には、スペースが設けられるため、ウエハの側面と傾斜面との接触面積が小さくなる。その結果、ウエハの側面と凹部の側面との接着が抑制され、ウエハの損傷を抑制できる。
ところで、ウエハに膜を形成する際に、成膜条件を均等にするために、膜の形成時において、主面に対して垂直な方向を軸として、ウエハホルダを高速回転させることがある。
特許文献1のウエハホルダでは、傾斜面は、上側に向かうに連れ凹部が広がるように、傾斜しているため、高速回転時に、傾斜面に沿って、凹部からウエハが飛び出ることがあった。
そこで、本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、膜の形成時におけるウエハの飛び出しを抑制しつつ、ウエハの側面と凹部の側面との接着に基づくウエハの損傷を抑制できるウエハホルダを提供することを目的とする。
上述した課題を解決するため、本発明は、次のような特徴を有している。本発明の特徴は、主面と、前記主面に対して垂直方向に凹む凹部とを備えるウエハホルダであって、前記凹部は、前記主面に平行な底面と、前記底面の外周から前記主面に亘って設けられる側面と、前記側面から前記凹部の内側に突出する突出部と、を有しており、前記突出部は、前記底面の外周に沿って設けられており、前記垂直方向において、前記底面から前記突出部の先端までの高さは、前記底面から前記主面までの高さの1/3よりも高いことを要旨とする。
本発明の特徴によれば、凹部は、側面から凹部の内側に突出する突出部を有しており、突出部は、底面の外周に沿って設けられており、垂直方向において、底面から突出部の先端までの高さは、底面から主面までの高さの1/3よりも高い。
ウエハの上面からウエハの側面に膜が成長しても、突出部が障壁となって、膜の成長が遮られる。従って、底面の外周に沿って設けられた突出部によって、突出部よりも下側(すなわち、底面側)のウエハの側面にまで膜が成長することを阻害できる。これにより、突出部よりも下側の側面を膜が覆うことを抑制できる。
従来のウエハホルダのように、突出部がない凹部の側面と膜との接触面積は、ウエハの側面の高さに比例する。一方、突出部と膜との接触面積は、成長した膜の膜厚に比例する。膜の膜厚は、ウエハの側面の高さに比べると薄いため、突出部と膜との接触面積は、従来の凹部の側面と膜との接触面積に比べると小さくなる。
以上より、ウエハを取り出す際に、ウエハに加える外力を小さくすることができるため、ウエハの損傷を抑制できる。
本発明の特徴によれば、底面から突出部の先端までの高さは、底面から主面までの高さの1/3よりも高い。ウエハの最大幅となる部分が底面から主面までの高さの1/3以下である場合、ウエハの最大幅となる部分が突出部に引っ掛る。従って、ウエハが上側に移動することを抑制できるため、ウエハホルダを高速回転させても、凹部からウエハが飛び出ることを抑制できる。
また、前記底面の外周に沿った方向において、前記突出部の全長は、前記側面の長さの50%以上であってもよい。
また、前記底面の外周に沿った方向において、前記突出部は、全周に渡って連続していてもよい。
本発明の他の特徴は、主面と、前記主面に対して垂直方向に凹む凹部とを備えるウエハホルダであって、前記凹部は、前記主面に平行な底面と、前記底面の外周から前記主面に亘って設けられる側面と、前記側面から前記凹部の内側に突出する突出部と、を有しており、前記突出部は、前記底面の外周に沿って設けられており、前記垂直方向において、前記底面から前記突出部の先端までの高さは、前記凹部に配置されるウエハの高さの1/2よりも高いことを要旨とする。
また、前記底面の外周に沿った方向において、前記突出部の全長は、前記側面の長さの50%以上であってもよい。
また、前記底面の外周に沿った方向において、前記突出部は、全周に渡って連続していてもよい。
また、ウエハの最高加熱温度に達したときに、前記突出部と前記ウエハとの間隔が1mm以下であってもよい。
本発明によれば、膜の形成時におけるウエハの飛び出しを抑制しつつ、ウエハの側面と凹部の側面との接着に基づくウエハの損傷を抑制できる。
本発明に係るウエハホルダの一例について、図面を参照しながら説明する。具体的には、(1)第1実施形態(2)第2実施形態、(3)第3実施形態、(4)第4実施形態、(5)その他実施形態、について説明する。
以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。図面は模式的なのものであり、各寸法の比率などは現実のものとは異なることを留意すべきである。従って、具体的な寸法などは以下の説明を参酌して判断すべきものである。図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
(1)第1実施形態
(1.1)ウエハホルダ1Aの概略構成
第1実施形態に係るウエハホルダ1Aの概略構成について、図1から図3を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係るウエハホルダ1Aの斜視図である。図2は、第1実施形態に係る凹部20の斜視図である。図3は、第1実施形態に係る凹部20の一部断面図である。具体的には、図3は、垂直方向Z及び径方向Xに沿った凹部20の一部断面図である。
(1.1)ウエハホルダ1Aの概略構成
第1実施形態に係るウエハホルダ1Aの概略構成について、図1から図3を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態に係るウエハホルダ1Aの斜視図である。図2は、第1実施形態に係る凹部20の斜視図である。図3は、第1実施形態に係る凹部20の一部断面図である。具体的には、図3は、垂直方向Z及び径方向Xに沿った凹部20の一部断面図である。
図1に示されるように、ウエハホルダ1は、円板状である。ウエハホルダ1は、主面10と、凹部20とを備える。主面10は、ウエハホルダ1の表面であり、主面10は、ウエハホルダ1の裏面と反対側の面である。
凹部20は、主面10に対して垂直方向Zに凹む。凹部20は、主面10に対して低い部分である。本実施形態において、ウエハホルダ1は、複数の凹部20を備える。凹部20は、垂直方向Zから見て、円形状である。凹部20には、ウエハ200が配置される(図3、図4参照)。凹部20は、底面30と、側面50と、突出部100とを有する。
底面30は、主面10に平行な面である。底面30は、平面である。底面30には、ウエハ200が載置される。従って、底面30は、ウエハ下面200bに接する。本実施形態において、垂直方向Zから見て、底面30は、円形状である。従って、底面30の外周35は、環状である。底面30の外周35に沿った方向は、外周方向Rである。なお、底面30に平行であり、底面30の中心Oと側面50とを結ぶ方向は、径方向Xである。径方向Xにおいて、中心Oに向かう方向は、凹部20の内側に向かう方向であり、側面50に向かう方向は、凹部20の外側に向かう方向である。
側面50は、底面30の外周35から主面10に亘って設けられる。側面50は、外周方向Rに沿った面である。本実施形態において、側面50は、上側面50aと下側面50bとを有する。上側面50aは、垂直方向Zにおいて突出部100よりも主面10側(すなわち、上側)にある面である。上側面50aは、垂直方向Zに平行な面である。下側面50bは、垂直方向Zにおいて突出部100よりも底面30側(すなわち、下側)にある面である。下側面50bは、垂直方向Zに平行な面と、底面30に連なる曲面とを有する。
突出部100は、側面50から凹部20の内側に突出する。すなわち、突出部100は、側面50に対して突出している。また、突出部100は、底面30の外周35に沿って設けられる。すなわち、突出部100は、外周方向Rに沿って設けられる。突出部100の詳細は、後述する。
ウエハホルダ1は、炭化珪素からなることが好ましい。炭化珪素は、熱伝導率が高いため、ウエハ200を均等に加熱できる。これにより、膜にムラが生じず、ウエハ200に品質の良好な膜300が形成される。
(1.2)突出部100の概略構成
第1実施形態に係る突出部100の概略構成について、図2から図4を参照しながら説明する。図4は、第1実施形態に係る凹部20の断面図である。具体的には、図4は、垂直方向Z及び径方向Xに沿った凹部20の断面図である。
第1実施形態に係る突出部100の概略構成について、図2から図4を参照しながら説明する。図4は、第1実施形態に係る凹部20の断面図である。具体的には、図4は、垂直方向Z及び径方向Xに沿った凹部20の断面図である。
図2に示されるように、突出部100は、底面30の外周35に沿って設けられる。突出部100は、外周方向Rに沿って設けられる。突出部100は、外周方向Rに沿って延在する。本実施形態において、突出部100は、1つ設けられる。外周方向Rにおいて、突出部100は、側面50の全周に亘って連続している。外周方向Rにおいて、突出部100は、側面50を一周する。従って、外周方向Rにおいて、突出部100の全長は、側面50の長さと一致する。
図3に示されるように、突出部100は、上側の面である突出上面100aと、下側の面である突出下面100bとを有する。突出上面100aは、主面10側の面である。突出上面100aは、上側面50aと連なる。本実施形態において、突出上面100aは、底面30と平行である。突出下面100bは、底面30側の面である。本実施形態において、突出下面100bは、底面30に対して傾斜している。突出下面100bは、垂直方向Zにおいて主面10に近づくに連れ、径方向Xにおいて凹部20の内側に近づく。突出下面100bは、下側面50bと連なる。
図3に示されるように、突出部100は、先端150を有する。突出部100の先端150は、凹部20の最も内側の端である。すなわち、突出部100の先端150は、径方向Xにおいて、底面30の中心O側の端である。本実施形態おいて、突出部100の先端150は、突出上面100aと突出下面100bとの境界部分である。
突出部100の径方向Xにおける長さkは、0.1mm以上であることが好ましい。突出部100の長さkが0.1mm以上であれば、ウエハ側面200cと凹部20の側面50との距離が離れるため、ウエハ側面200cと凹部20の側面50とが接着されにくくなる。また、突出部100の径方向Xにおける長さkは、2mm以下であることが好ましい。突出部100の長さkが2mm以下であれば、ウエハ側面200cと凹部20の側面50との隙間が小さくなるため、均熱性の低下を抑制できる。なお、突出部100の長さkは、径方向Xにおける側面50から突出部100の先端150までの長さに等しい。
図3に示されるように、ウエハ200は、ウエハ上面200aが主面10側に位置し、ウエハ下面200bが底面30側に位置するように配置される。ウエハ下面200bは、底面30に接するように配置される。
一般的に、ウエハ200は、垂直方向Zにおけるウエハ200の高さHの1/2の位置が、ウエハ200の幅方向(すなわち径方向X)における最大幅Wとなる(図3、図4参照)。ウエハ200の最大幅となる部分は、ウエハ最大幅部分210である。ウエハ最大幅部分210からウエハ上面200aに向かうに連れ、ウエハ200の幅は、狭くなる。同様に、ウエハ最大幅部分210からウエハ下面200bに向かうに連れ、ウエハ200の幅は、狭くなる。
垂直方向Zにおいて、底面30から突出部100の先端150までの高さtは、底面30から主面10までの高さDの1/3よりも高い。また、底面30から突出部100の先端150までの高さtは、ウエハ200の高さHの1/2よりも高い。すなわち、ウエハ最大幅部分210は、突出部100の先端150よりも底面30側に位置する。
底面30から突出部100の先端150までの高さtは、底面30から主面10までの高さD以下である。底面30から突出部100の先端150までの高さtは、ウエハ200の高さH以下が好ましい。底面30から突出部100の先端150までの高さtは、ウエハ200の高さH以下であれば、ウエハ側面200cと凹部20の側面50との隙間が小さくなるため、均熱性の低下を抑制できる。
本実施形態において、底面30から主面10までの高さDは、ウエハ200の高さHよりも高い。
一般的に、ウエハ200は加熱によって熱膨張する。従って、ウエハ200の熱膨張を考慮して、凹部20及び突出部100の寸法を定めることが好ましい。ウエハ200の最高加熱温度に達したときに、図3に示されるように、突出部100とウエハ200との間隔sが1mm以下であることが好ましい。具体的には、突出部100の先端150とウエハ側面200cとの間隔sが1mm以下であることが好ましい。本実施形態おいて、ウエハ側面200cは、突出部100の先端150に接触する。
ウエハ200の最高加熱温度に達したときに、図4に示されるように、底面30の中心Oを挟んで対向する突出部100の先端150どうしの長さLは、ウエハ200の最大幅Wから2mm加えた長さ以下であることが好ましい。すなわち、最大幅W及び長さLは、以下の式(1)の関係を満たすことが好ましい。
L(mm) ≦ W(mm) + 2 ・・・式(1)
式(1)の関係を満たすことにより、ウエハ側面200cと突出部100との間隔sが短くなるため、突出部100が障壁となって、膜の成長をより妨げることができる。従って、突出部100よりも底面30側のウエハ側面200cを膜300が覆うことを抑制できる。
式(1)の関係を満たすことにより、ウエハ側面200cと突出部100との間隔sが短くなるため、突出部100が障壁となって、膜の成長をより妨げることができる。従って、突出部100よりも底面30側のウエハ側面200cを膜300が覆うことを抑制できる。
(1.3)作用効果
ウエハホルダ1によれば、凹部20は、側面50から凹部20の内側に突出する突出部100を有しており、突出部100は、外周方向Rに沿って設けられており、垂直方向Zにおいて、底面30から突出部100の先端150までの高さtは、底面30から主面10までの高さDの1/3よりも高い。
ウエハホルダ1によれば、凹部20は、側面50から凹部20の内側に突出する突出部100を有しており、突出部100は、外周方向Rに沿って設けられており、垂直方向Zにおいて、底面30から突出部100の先端150までの高さtは、底面30から主面10までの高さDの1/3よりも高い。
突出部100は、外周方向Rに沿っている。このため、図4に示されるように、ウエハ上面200aからウエハ側面200cに膜300が成長しても、突出部100が障壁となって、膜300の成長が遮られる。すなわち、突出部100よりも底面30側のウエハ側面200cにまで膜300が成長することを、突出部100によって阻害できる。このため、突出部100よりも底面30側のウエハ側面200cを膜が覆うことを抑制できる。
また、突出部100にウエハ側面200cが接触するため、ウエハ側面200cと側面50との間には、スペースが設けられる。このため、ウエハ側面200cを覆う膜300が、側面50に接触しにくくなる。
従来のウエハホルダのように、突出部がない凹部の側面と膜との接触面積は、ウエハの側面の高さに比例する。一方、図4に示されるように、突出部100と膜300との接触面積は、成長した膜300の膜厚に比例する。膜300の膜厚は、ウエハ側面200cの高さに比べると薄いため、突出部100と膜300との接触面積は、従来の凹部の側面と膜との接触面積に比べると小さくなる。
これらの結果、ウエハ200を取り出す際に、ウエハ200に加える外力を小さくすることができるため、ウエハ200の損傷を抑制できる。
ウエハホルダ1Aによれば、垂直方向Zにおいて、底面30から突出部100の先端150までの高さtは、底面30から主面10までの高さDの1/3よりも高い。ウエハ最大幅部分210が、底面30から主面10までの高さD以下であるため、図5に示されるように、ウエハ最大幅部分210が突出部100に引っ掛る。従って、ウエハ200が上側に移動することを抑制できるため、ウエハホルダ1Aを高速回転させても、凹部20からウエハ200が飛び出ることを抑制できる。
ウエハホルダ1Aによれば、外周方向Rにおいて、突出部100は、側面50の全周に亘って連続している。このため、外周方向Rにおけるウエハ側面200cの何れの部分であっても突出部100が障壁となって、膜300の成長が遮られる。従って、突出部100よりも底面30側のウエハ側面200cを膜300が覆うことをより抑制できる。その結果、ウエハ200の損傷をより抑制できる。
さらに、外周方向Rにおける側面50の何れの部分であってもウエハ最大幅部分210が突出部100に引っ掛るため、凹部20からウエハ200が飛び出すことをより抑制できる。
なお、上側面50aは、垂直方向Zに平行な面である。このため、ウエハホルダを高速回転させた場合において、ウエハ200が突出部100を超えて、凹部20から飛び出そうとしても、上側面50aに当たるため、ウエハ200が飛び出すことをさらに抑制することができる。
(2)第2実施形態
第2実施形態に係るウエハホルダについて、図6を参照しながら説明する。図6は、第2実施形態に係る凹部20の平面図である。なお、上述した第1実施形態と第2実施形態との異なる部分を中心に説明する。第1実施形態と同様の第2実施形態の部分は、適宜省略する。
第2実施形態に係るウエハホルダについて、図6を参照しながら説明する。図6は、第2実施形態に係る凹部20の平面図である。なお、上述した第1実施形態と第2実施形態との異なる部分を中心に説明する。第1実施形態と同様の第2実施形態の部分は、適宜省略する。
第2実施形態において、上述した第1実施形態と異なる部分は、突出部100である。図6に示されるように、第2実施形態において、突出部100は、側面50の半周に亘って連続している。従って、外周方向Rにおいて、突出部100の全長は、側面50の長さの50%である。垂直方向Zから見て、突出部100の外周方向Rに沿った長さは、側面50の外周方向Rに沿った長さ50%である。
本実施形態において、底面30の中心Oは、主面10の中心Cからずれている。また、突出部100は、主面10の中心Cから遠い方に設けられている。従って、ウエハホルダが高速回転した場合、図6に示されるように、遠心力Fが働く方向は、突出部100に向かう方向となる。このため、本実施形態に係る凹部20にウエハ200を配置した場合、ウエハ200は、突出部100に向かって移動する。このため、垂直方向Zから見て、突出部100が設けられていない側面50があっても、ウエハ側面200cと凹部20の側面50とが接着することを抑制できる。
側面50の半周に亘って連続している突出部100によって、膜300の形成時におけるウエハ200の飛び出しを抑制しつつ、ウエハ側面200cと凹部20の側面50との接着に基づくウエハ200の損傷を抑制できる。
なお、外周方向Rにおいて、突出部100の全長は、側面50の長さの50%以上であってもよい。突出部100の全長が、側面50の長さの50%以上であれば、ウエハ側面200cと凹部20の側面50とが接着することをより抑制できる。
(3)第3実施形態
第3実施形態に係るウエハホルダについて、図7を参照しながら説明する。図7は、第3実施形態に係る凹部20の平面図である。なお、上述した第1,2実施形態と第3実施形態との異なる部分を中心に説明する。第1,2実施形態と同様の第3実施形態の部分は、適宜省略する。
第3実施形態に係るウエハホルダについて、図7を参照しながら説明する。図7は、第3実施形態に係る凹部20の平面図である。なお、上述した第1,2実施形態と第3実施形態との異なる部分を中心に説明する。第1,2実施形態と同様の第3実施形態の部分は、適宜省略する。
第3実施形態において、上述した第1,2実施形態と異なる部分は、突出部100である。図7に示されるように、第3実施形態において、突出部100は、4つ設けられている。突出部100は、外周方向Rに沿って断続的に延在する。垂直方向Zから見て、突出部100は、底面30の中心Oを点対称に設けられている。外周方向Rにおいて、各突出部100の長さは、側面50の長さの1/8である。従って、外周方向Rにおいて、突出部100の全長は、側面50の長さの50%である。なお、突出部100の全長は、各突出部100の長さの合計に等しい。
本実施形態おいて、突出部100と突出部100との間において、突出部100よりも下側のウエハ側面200cまで、膜300は、成長する。しかしながら、ウエハ側面200cは、突出部100に当たるため、ウエハ200と側面50との間にはスペースが設けられる。このため、ウエハ側面200cが膜300に覆われても、膜300は、側面50に接触しにくい。このため、ウエハ側面200cと凹部20の側面50とが接着することを抑制できる。断続的に延在している突出部100によって、膜300の形成時におけるウエハ200の飛び出しを抑制しつつ、ウエハ側面200cと凹部20の側面50との接着に基づくウエハ200の損傷を抑制できる。
なお、外周方向Rにおいて、突出部100の全長は、側面50の長さの50%以上であってもよい。例えば、側面50の長さの1/8の長さをもつ突出部100が5つ以上設けられていてもよい。また、各突出部100の長さが、側面50の長さの1/8よりも長くても良い。突出部100の全長が、側面50の長さの50%以上であれば、ウエハ側面200cと凹部20の側面50とが接着することをより抑制できる。
(4)第4実施形態
第4実施形態に係るウエハホルダについて、図8を参照しながら説明する。図8は、第4実施形態に係る凹部20の一部断面図である。なお、上述した第1〜3実施形態と第4実施形態との異なる部分を中心に説明する。第1〜3実施形態と同様の第4実施形態の部分は、適宜省略する。
第4実施形態に係るウエハホルダについて、図8を参照しながら説明する。図8は、第4実施形態に係る凹部20の一部断面図である。なお、上述した第1〜3実施形態と第4実施形態との異なる部分を中心に説明する。第1〜3実施形態と同様の第4実施形態の部分は、適宜省略する。
第4実施形態において、上述した第1実施形態と異なる部分は、突出部100の先端150の高さtである。第4実施形態において、図8に示されるように、突出部100の先端150の高さtは、底面30から主面10までの高さDと等しい。従って、突出部100の先端150は、主面10と同一面上にある。突出上面100aは、主面10と同一面上にある。突出下面100bは、底面30に対して傾斜している。突出下面100bは、垂直方向Zにおいて主面10に近づくに連れ、径方向Xにおいて凹部20の内側に近づく。突出下面100bは、下側面50bと連なる。
ウエハ200を凹部20に配置するときに、ウエハ200の最大幅Wが底面30の中心Oを挟んで対向する突出部100の先端150どうしの長さLよりも小さいことが好ましい。ウエハ200が凹部20に配置できない可能性があるためである。また、ウエハ200の加熱時において、ウエハ200の最大幅Wが底面30の中心Oを挟んで対向する突出部100の先端150どうしの長さLよりも大きいことが好ましい。凹部20の開口よりもウエハ200の大きさが大きいため、ウエハの飛び出しをより抑制することができる。
図8に示されるように、本実施形態において、突出部100とウエハ側面200cとの間隔sは、突出下面100bとウエハ側面200cとの間隔である。間隔sは、1mm以下であることが好ましい。1mm以下であれば、突出部100が障壁となって、膜300の成長が遮られる。すなわち、突出部100よりも底面30側のウエハ側面200cにまで膜300が成長することを、突出部100によって阻害できる。このため、突出部100よりも底面30側のウエハ側面200cを膜が覆うことを抑制できる。
本実施形態において、底面30に対して傾斜している突出下面100bにウエハ側面200cが接触するため、ウエハ側面200cと下側面50bとの間には、スペースが設けられる。このため、ウエハ側面200cを膜300が覆っても、側面50に接触しにくくなる。
(5)その他実施形態
本発明の実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。
本発明の実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。
上述した実施形態では、垂直方向Zから見て、凹部20は、円形状であり、底面30は、円形状であったが、これに限られない。凹部20及び底面30は、配置されるウエハ200の形状に合わせて適宜変更可能である。例えば、垂直方向Zから見て、多角形状であってもよい。
上述した第1実施形態では、上側面50aは、垂直方向Zに平行であったが、これに限られない。上側面50aは、垂直方向Zに対して傾斜していてよい。上側面50aは、垂直方向Zにおいて主面10に近づくに連れ、径方向Xにおいて凹部20の内側に近づくように傾斜していることが好ましい。すなわち、上側面50aが、上側に向かうに連れ凹部が狭くなるように、傾斜していることが好ましい。これにより、ウエハホルダを高速回転させても、上側面50aに当たりやすくなり、凹部20からウエハ200が飛び出ることをさらに抑制できる。
上述した実施形態では、突出上面100aは、底面30と平行であり、突出下面100bは、底面30に対して傾斜していたが、これに限られない。突出上面100aは、底面30に対して傾斜していてもよい。具体的には、突出上面100aは、垂直方向Zにおいて底面30に近づくに連れ、径方向Xにおいて凹部20の内側に近づくように傾斜していてもよい。また、突出上面100a及び突出下面100bは、底面30と平行であってもよい。この場合、突出部100の先端150は、面状である。
上述した実施形態では、底面30から主面10までの高さDは、ウエハ200の高さHよりも高かったが、底面30から主面10までの高さDは、ウエハ200の高さHよりも低くてもよい。ただし、底面30から突出部100の先端150までの高さtは、ウエハ200の高さHの1/2よりも高い。
なお、上述した実施形態における各特徴は、発明を損なわない範囲内において、適宜組み合わせることが可能である。
以上のように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
1,1A…ウエハホルダ、 10…主面、 20…凹部、 30…底面、 35…外周、 50…側面、 50a…上側面、 50b…下側面、 100…突出部、 100a…突出上面、 100b…突出下面、 150…先端、 200…ウエハ、 200a…ウエハ上面、 200b…ウエハ下面、 200c…ウエハ側面、 210…ウエハ最大幅部分、 300…膜
Claims (7)
- 主面と、前記主面に対して垂直方向に凹む凹部とを備えるウエハホルダであって、
前記凹部は、前記主面に平行な底面と、前記底面の外周から前記主面に亘って設けられる側面と、前記側面から前記凹部の内側に突出する突出部と、を有しており、
前記突出部は、前記底面の外周に沿って設けられており、
前記垂直方向において、前記底面から前記突出部の先端までの高さは、前記底面から前記主面までの高さの1/3よりも高いウエハホルダ。 - 前記底面の外周に沿った方向において、前記突出部の全長は、前記側面の長さの50%以上である請求項1に記載のウエハホルダ。
- 前記底面の外周に沿った方向において、前記突出部は、全周に渡って連続している請求項1又は2に記載のウエハホルダ。
- 主面と、前記主面に対して垂直方向に凹む凹部とを備えるウエハホルダであって、
前記凹部は、前記主面に平行な底面と、前記底面の外周から前記主面に亘って設けられる側面と、前記側面から前記凹部の内側に突出する突出部と、を有しており、
前記突出部は、前記底面の外周に沿って設けられており、
前記垂直方向において、前記底面から前記突出部の先端までの高さは、前記凹部に配置されるウエハの高さの1/2よりも高いウエハホルダ。 - 前記底面の外周に沿った方向において、前記突出部の全長の長さは、前記側面の長さの50%以上である請求項4に記載のウエハホルダ。
- 前記底面の外周に沿った方向において、前記突出部は、全周に渡って連続している請求項4又は5に記載のウエハホルダ。
- 前記ウエハの最高加熱温度に達したときに、前記突出部と前記ウエハとの間隔が1mm以下である請求項4から6の何れか1項に記載のウエハホルダ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011279827A JP2013131614A (ja) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | ウエハホルダ |
PCT/JP2012/082190 WO2013094491A1 (ja) | 2011-12-21 | 2012-12-12 | ウエハホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011279827A JP2013131614A (ja) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | ウエハホルダ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013131614A true JP2013131614A (ja) | 2013-07-04 |
Family
ID=48668384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011279827A Withdrawn JP2013131614A (ja) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | ウエハホルダ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013131614A (ja) |
WO (1) | WO2013094491A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150132527A1 (en) * | 2013-11-12 | 2015-05-14 | International Business Machines Corporation | Handle wafer |
US10287685B2 (en) | 2013-08-29 | 2019-05-14 | Maruwa Co., Ltd. | Susceptor |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021082824A (ja) * | 2021-01-27 | 2021-05-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3596710B2 (ja) * | 1996-09-10 | 2004-12-02 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置用サセプタ |
JP2007251078A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-09-27 | Nuflare Technology Inc | 気相成長装置 |
JP5537766B2 (ja) * | 2007-07-04 | 2014-07-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置及び気相成長方法 |
JP2009071210A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Covalent Materials Tokuyama Corp | サセプタおよびエピタキシャル成長装置 |
JP2010028013A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Sumco Corp | 気相成長装置用のサセプタ |
US20100055318A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with varying thermal resistance |
-
2011
- 2011-12-21 JP JP2011279827A patent/JP2013131614A/ja not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-12-12 WO PCT/JP2012/082190 patent/WO2013094491A1/ja active Application Filing
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10287685B2 (en) | 2013-08-29 | 2019-05-14 | Maruwa Co., Ltd. | Susceptor |
US20150132527A1 (en) * | 2013-11-12 | 2015-05-14 | International Business Machines Corporation | Handle wafer |
US9716010B2 (en) * | 2013-11-12 | 2017-07-25 | Globalfoundries Inc. | Handle wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013094491A1 (ja) | 2013-06-27 |
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