JP2732393B2 - シリンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置 - Google Patents
シリンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置Info
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- silicon substrate
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリンダー型シリコン
エピタキシャル層成長装置におけるシリコン基板保持用
のポケット構造に関する。
エピタキシャル層成長装置におけるシリコン基板保持用
のポケット構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記シリンダー型シリコンエピタキシャ
ル層成長装置は図５に示す構造を有しており、石英製の
シリンダー型反応管１１内に多角錐台状のサセプタ１２
を回転自在に設け、このサセプタ１２の側壁面に形成さ
れた円形凹部のポケット１３にシリコン単結晶基板（図
示せず）を設置し、ヒータ１４により反応管１１を加熱
し、サセプタ１２を回転させると共に、エピタキシャル
成長原料ガス１５を反応管１１内に下向流で流過させる
ことにより、前記シリコンエピタキシャル層を成長させ
るものである。
ル層成長装置は図５に示す構造を有しており、石英製の
シリンダー型反応管１１内に多角錐台状のサセプタ１２
を回転自在に設け、このサセプタ１２の側壁面に形成さ
れた円形凹部のポケット１３にシリコン単結晶基板（図
示せず）を設置し、ヒータ１４により反応管１１を加熱
し、サセプタ１２を回転させると共に、エピタキシャル
成長原料ガス１５を反応管１１内に下向流で流過させる
ことにより、前記シリコンエピタキシャル層を成長させ
るものである。
【０００３】前記サセプタ１２はカーボン製の母材にＳ
ｉＣコートを施したものであり、ポケット１３は単純な
円形凹部として形成され、このポケット１３内にはシリ
コン基板を保持するための特別な構造物は設けられてい
ない。このため、ポケット内部においてシリコン基板２
１は図６および図７に示すように、ポケット下部ではそ
の内周面（内縁部）１３ａと基板の面取り部先端が接触
し、一方、ポケット上部ではポケット底面１３ｂと基板
裏面端部で接触することにより保持されている。
ｉＣコートを施したものであり、ポケット１３は単純な
円形凹部として形成され、このポケット１３内にはシリ
コン基板を保持するための特別な構造物は設けられてい
ない。このため、ポケット内部においてシリコン基板２
１は図６および図７に示すように、ポケット下部ではそ
の内周面（内縁部）１３ａと基板の面取り部先端が接触
し、一方、ポケット上部ではポケット底面１３ｂと基板
裏面端部で接触することにより保持されている。
【０００４】近年ＩＧＢＴ用を初め高耐圧大電流素子用
に厚いエピタキシャル層を有するシリコンエピタキシャ
ル基板の需要が増大している。シリンダー型シリコンエ
ピタキシャル成長装置でシリコンソースとしてトリクロ
ロシランを用いて膜厚３０μｍ以上のエピタキシャル層
を成長させる場合、基板として例えば１２５ｍｍφ、Ｃ
ｚＰ型＜１００＞、厚さ＝４５０μｍを用いると、反応
温度が１１００℃未満、かつエピタキシャル層の成長速
度１．２５μｍ／ｍｉｎを超えると、エピタキシャル層
成長後に、サセプタと基板との貼り付きが原因であるシ
リコン基板のクラック（ヒビ、カケ）が発生する。この
クラックはシリコン基板の面取り部のうちポケット下部
の内縁部と接触する箇所で発生する。
に厚いエピタキシャル層を有するシリコンエピタキシャ
ル基板の需要が増大している。シリンダー型シリコンエ
ピタキシャル成長装置でシリコンソースとしてトリクロ
ロシランを用いて膜厚３０μｍ以上のエピタキシャル層
を成長させる場合、基板として例えば１２５ｍｍφ、Ｃ
ｚＰ型＜１００＞、厚さ＝４５０μｍを用いると、反応
温度が１１００℃未満、かつエピタキシャル層の成長速
度１．２５μｍ／ｍｉｎを超えると、エピタキシャル層
成長後に、サセプタと基板との貼り付きが原因であるシ
リコン基板のクラック（ヒビ、カケ）が発生する。この
クラックはシリコン基板の面取り部のうちポケット下部
の内縁部と接触する箇所で発生する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記貼り付きに起因す
るクラック発生は、反応温度が低い程、エピタキシャル
層成長速度の大きい程、かつ、エピタキシャル層の厚い
程、顕著となる。そこで、エピタキシャル層の厚いもの
を成長させようとする場合は成長温度を上げ、成長速度
を下げる製造方法が一般に採られてきた。しかし、この
製造方法では、生産性が低下するのみならず、そのいず
れの条件もエッジクラウンが増大する反応条件であるた
めに、エッジクラウン発生という別の問題が生じてしま
う。
るクラック発生は、反応温度が低い程、エピタキシャル
層成長速度の大きい程、かつ、エピタキシャル層の厚い
程、顕著となる。そこで、エピタキシャル層の厚いもの
を成長させようとする場合は成長温度を上げ、成長速度
を下げる製造方法が一般に採られてきた。しかし、この
製造方法では、生産性が低下するのみならず、そのいず
れの条件もエッジクラウンが増大する反応条件であるた
めに、エッジクラウン発生という別の問題が生じてしま
う。
【０００６】上記シリコン基板の貼り付きが生じる原因
は、次のように考えられる。従来のサセプタの場合、基
板は図６の正面図および図７の断面図に示すように仕込
まれることは前述のとおりであるが、これにエピタキシ
ャル層の成長を行うと、図９の断面図に示すようにシリ
コン層が基板２１上およびサセプタ１２上に成長する
（基板２１上では単結晶シリコン層３１、サセプタ１２
上では多結晶シリコン層３２）。その結果、エピタキシ
ャル層成長中に図８，図９に示すように、多結晶シリコ
ン３２による架橋に起因してポケット１３の下方側内縁
部と基板面取り部とで、貼り付きが生じる。この貼り付
きは、基板とポケット内縁部との距離がある程度以下の
箇所で生じる。成長が終了し冷却過程に入ると、カーボ
ン製サセプタとシリコン基板とでは冷却の進行具合およ
び熱膨張率が異なるために、サセプタポケット内で基板
が動こうとする。しかし、基板下部において図８に示す
ように広範囲にわたり貼り付きがあるために、この動き
は妨害される。その結果、貼り付き部分の基板面取り部
に応力が集中してクラックが生じてしまう。
は、次のように考えられる。従来のサセプタの場合、基
板は図６の正面図および図７の断面図に示すように仕込
まれることは前述のとおりであるが、これにエピタキシ
ャル層の成長を行うと、図９の断面図に示すようにシリ
コン層が基板２１上およびサセプタ１２上に成長する
（基板２１上では単結晶シリコン層３１、サセプタ１２
上では多結晶シリコン層３２）。その結果、エピタキシ
ャル層成長中に図８，図９に示すように、多結晶シリコ
ン３２による架橋に起因してポケット１３の下方側内縁
部と基板面取り部とで、貼り付きが生じる。この貼り付
きは、基板とポケット内縁部との距離がある程度以下の
箇所で生じる。成長が終了し冷却過程に入ると、カーボ
ン製サセプタとシリコン基板とでは冷却の進行具合およ
び熱膨張率が異なるために、サセプタポケット内で基板
が動こうとする。しかし、基板下部において図８に示す
ように広範囲にわたり貼り付きがあるために、この動き
は妨害される。その結果、貼り付き部分の基板面取り部
に応力が集中してクラックが生じてしまう。
【０００７】本発明は上記の点に鑑みてなされてもの
で、その目的は、シリンダー型シリコンエピタキシャル
層成長装置を用いて、３０μｍ以上のシリコンエピタキ
シャル層を有するシリコンエピタキシャル基板を製造す
る際、エピタキシャル層成長後、サセプタとの貼り付き
に起因するクラックが基板に発生するのを防止すること
ができるサセプタのポケット構造を提供することにあ
る。
で、その目的は、シリンダー型シリコンエピタキシャル
層成長装置を用いて、３０μｍ以上のシリコンエピタキ
シャル層を有するシリコンエピタキシャル基板を製造す
る際、エピタキシャル層成長後、サセプタとの貼り付き
に起因するクラックが基板に発生するのを防止すること
ができるサセプタのポケット構造を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のシリンダー型シ
リコンエピタキシャル層成長装置は、シリコン単結晶基
板保持用のポケットを備えたサセプタをシリンダー型の
反応管内に設けるエピタキシャル成長装置において、前
記ポケット底面外周部に環状溝を有し、該ポケット内周
の下半分においてポケットの中心を通る垂直線に対し左
右対称になるよう突起が設けられ、該突起の間隔が該シ
リコン基板の外周長の１／２０〜１／５であり、該ポケ
ット中心方向への該突起の高さが該シリコン基板装填時
にその外周と該ポケット内周との間隔が少なくとも０．
５ｍｍ以上であるように選ばれ、該突起によって該シリ
コン基板を保持しうるようにしたことを特徴とする。
リコンエピタキシャル層成長装置は、シリコン単結晶基
板保持用のポケットを備えたサセプタをシリンダー型の
反応管内に設けるエピタキシャル成長装置において、前
記ポケット底面外周部に環状溝を有し、該ポケット内周
の下半分においてポケットの中心を通る垂直線に対し左
右対称になるよう突起が設けられ、該突起の間隔が該シ
リコン基板の外周長の１／２０〜１／５であり、該ポケ
ット中心方向への該突起の高さが該シリコン基板装填時
にその外周と該ポケット内周との間隔が少なくとも０．
５ｍｍ以上であるように選ばれ、該突起によって該シリ
コン基板を保持しうるようにしたことを特徴とする。
【０００９】一方、前記突起部は、前記ポケット内周の
下半分において前記ポケットの中心を通る垂直線に対し
左右対称になるよう突起のノコギリ刃状連続が該シリコ
ン基板の外周長の１／２０〜１／５の範囲に選択され、
該ポケット中心方向への該突起の高さが該シリコン基板
装填時にその外周と該ポケット内周との間隔が少なくと
も０．５ｍｍ以上であるように選ばれ、該突起によって
該シリコン基板を保持しうるようにしたものでも良い。
下半分において前記ポケットの中心を通る垂直線に対し
左右対称になるよう突起のノコギリ刃状連続が該シリコ
ン基板の外周長の１／２０〜１／５の範囲に選択され、
該ポケット中心方向への該突起の高さが該シリコン基板
装填時にその外周と該ポケット内周との間隔が少なくと
も０．５ｍｍ以上であるように選ばれ、該突起によって
該シリコン基板を保持しうるようにしたものでも良い。
【００１０】
【作用】本発明では、サセプタに仕込まれたシリコン基
板は、ポケット内に設けた突起部のみと接触してポケッ
ト内に保持されるので、エピタキシャル層成長後の貼り
付きは小部分のみでおこり、その結果、冷却時に基板が
熱膨張率の差により動こうとした場合、架橋部のポリシ
リコンにクラックが生じ、基板にクラックは発生しな
い。また、前記突起部に接する基板の面取り部にある程
度の応力が集中しても、基板と突起部との接触部が基板
のオリエンテーションフラット部と円周部からある程度
離れていれば、その面取り部は力学的に強度があるので
転位が発生することは抑えられる。
板は、ポケット内に設けた突起部のみと接触してポケッ
ト内に保持されるので、エピタキシャル層成長後の貼り
付きは小部分のみでおこり、その結果、冷却時に基板が
熱膨張率の差により動こうとした場合、架橋部のポリシ
リコンにクラックが生じ、基板にクラックは発生しな
い。また、前記突起部に接する基板の面取り部にある程
度の応力が集中しても、基板と突起部との接触部が基板
のオリエンテーションフラット部と円周部からある程度
離れていれば、その面取り部は力学的に強度があるので
転位が発生することは抑えられる。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。図１は、この実施例の骨子を示しており、１は六角
錐台状のＳｉＣコート付きのカーボン製サセプタ、２は
このサセプタの側壁面に上下２段に形成された円形凹部
のポケット、３はポケットの底面、４はポケット内周面
（内縁部）５に形成された突起部であり、シリコン単結
晶基板２１は、その円周部を突起部４に当接させること
によりポケット２内に保持されている。なお、１ａはサ
セプタの上面を示している。ポケット２内において、基
板２１の周面（円周部およびオリエンテーションフラッ
ト部２１ａ）は前記突起部４にのみ接触しており、ポケ
ット２の円弧状内周面とは接触していない。
る。図１は、この実施例の骨子を示しており、１は六角
錐台状のＳｉＣコート付きのカーボン製サセプタ、２は
このサセプタの側壁面に上下２段に形成された円形凹部
のポケット、３はポケットの底面、４はポケット内周面
（内縁部）５に形成された突起部であり、シリコン単結
晶基板２１は、その円周部を突起部４に当接させること
によりポケット２内に保持されている。なお、１ａはサ
セプタの上面を示している。ポケット２内において、基
板２１の周面（円周部およびオリエンテーションフラッ
ト部２１ａ）は前記突起部４にのみ接触しており、ポケ
ット２の円弧状内周面とは接触していない。
【００１２】前記突起部４はサセプタ１と同質の素地上
にＳｉＣコートを施したものである。突起部４の高さ
は、前記シリコン基板２１の外周が前記ポケット内周面
５より少なくとも０．５ｍｍ以上離れるように選ばれて
いる。一方、突起部４にシリコン基板２１を乗せて安定
保持できることが大切である。そのためには、図１のよ
うにポケット内周の下半分において、ポケットの中心を
通る垂直線Ｌに対し左右対称になるように突起部４を設
け、突起の間隔は前記シリコン基板の外周長の１／２０
〜１／５であるのがよい。なお、ポケットに対するシリ
コン基板の仕込みの態様としては、オリエンテーション
フラット部と基板円周部との境界部が上記突起部と接触
しなければ、どのように保持してもよい。
にＳｉＣコートを施したものである。突起部４の高さ
は、前記シリコン基板２１の外周が前記ポケット内周面
５より少なくとも０．５ｍｍ以上離れるように選ばれて
いる。一方、突起部４にシリコン基板２１を乗せて安定
保持できることが大切である。そのためには、図１のよ
うにポケット内周の下半分において、ポケットの中心を
通る垂直線Ｌに対し左右対称になるように突起部４を設
け、突起の間隔は前記シリコン基板の外周長の１／２０
〜１／５であるのがよい。なお、ポケットに対するシリ
コン基板の仕込みの態様としては、オリエンテーション
フラット部と基板円周部との境界部が上記突起部と接触
しなければ、どのように保持してもよい。
【００１３】次に、この実施例を図２〜図５に基づいて
さらに詳細に説明すると、図２及び図５において六角錐
台状のサセプタ１の３面には同図に示すように内周面５
に突起部４を有するポケット２を、他の３面には突起部
を備えていない点のみが異なりポケット２と同形・同寸
法のポケット（図示せず）をそれぞれ設けてある。突起
部４はサセプタ１のポケット２形成時に同時に形成した
ものであり、したがって突起部４の素地およびサセプタ
１の母材は同じカーボン材で構成されており、ＳｉＣコ
ートも同時に行ってあるためＳｉＣコートの組成、膜厚
は突起部４とサセプタ１では等しい。
さらに詳細に説明すると、図２及び図５において六角錐
台状のサセプタ１の３面には同図に示すように内周面５
に突起部４を有するポケット２を、他の３面には突起部
を備えていない点のみが異なりポケット２と同形・同寸
法のポケット（図示せず）をそれぞれ設けてある。突起
部４はサセプタ１のポケット２形成時に同時に形成した
ものであり、したがって突起部４の素地およびサセプタ
１の母材は同じカーボン材で構成されており、ＳｉＣコ
ートも同時に行ってあるためＳｉＣコートの組成、膜厚
は突起部４とサセプタ１では等しい。
【００１４】前記ポケットの断面形状は図３に示すとお
りで、ポケットの底面３の外周部にはポケット内周面５
に沿って円環状の溝６が均一の深さおよび幅で形成され
ている。この場合、ポケット底面３のサセプタ上面１ａ
に対する深さは１．４ｍｍ、溝６の深さはサセプタ上面
１ａに対して１．６ｍｍ、ポケットの底面３に対しては
０．２ｍｍとなっている。
りで、ポケットの底面３の外周部にはポケット内周面５
に沿って円環状の溝６が均一の深さおよび幅で形成され
ている。この場合、ポケット底面３のサセプタ上面１ａ
に対する深さは１．４ｍｍ、溝６の深さはサセプタ上面
１ａに対して１．６ｍｍ、ポケットの底面３に対しては
０．２ｍｍとなっている。
【００１５】前記突起部４の平面形状（図２のＡ部を拡
大したもの）は図４に示すとおりで、サセプタ上面１ａ
の一部を溝６，６の端部間に略半円状に延設した形体と
なっていて、この延設部が突起部４となっている。これ
により、この実施例では図４からも明らかなようにシリ
コン基板２１外周面と、ポケット２１内周面との接触
は、従来の線接触から点接触に改善される。図４におい
てハッチング部分はポケットの底面３を、散点状部分は
サセプタ上面１ａをそれぞれ示している。なお、これら
の高さの大小関係は図３からも明らかなとおり、サセプ
タ上面１ａ＞ポケット底面３＞溝６となっている。
大したもの）は図４に示すとおりで、サセプタ上面１ａ
の一部を溝６，６の端部間に略半円状に延設した形体と
なっていて、この延設部が突起部４となっている。これ
により、この実施例では図４からも明らかなようにシリ
コン基板２１外周面と、ポケット２１内周面との接触
は、従来の線接触から点接触に改善される。図４におい
てハッチング部分はポケットの底面３を、散点状部分は
サセプタ上面１ａをそれぞれ示している。なお、これら
の高さの大小関係は図３からも明らかなとおり、サセプ
タ上面１ａ＞ポケット底面３＞溝６となっている。
【００１６】上記サセプタを用い、厚さ１００μｍのエ
ピタキシャル層を成長させる実験を行った。シリコン単
結晶基板として、１２５ｍｍφ、ＣｚＰ型＜１００＞、
厚さ＝４５０μｍ、裏面は厚さ１０００ｎｍのＣＶＤ酸
化膜付き（面取り部には無し）を用い、１バッチ１２枚
をポケット内にオリエンテーションフラット部が上とな
る向きで仕込んだ。シリコンソースとしてはトリクロロ
シランを用いた。また、反応温度は１１３０℃、エピタ
キシャル層の成長速度は１．５０μｍ／ｍｉｎとした。
このようにして合計１０バッチ、計１２０枚のシリコン
基板にエピタキシャル層を成長させた。エピタキシャル
層成長後、シリコン基板の面取り部を精密に観察したと
ころ、突起部の無いポケットで作製した基板６０枚中に
は５４枚のクラック発生基板が存在したのに対し（発生
率＝９０％）、突起部のあるポケットで作製した基板に
はクラックの発生したものは存在しなかった（発生率＝
０％）。また、突起部のあるポケットで作製した基板６
０枚すべてのエッジクラウンの大きさは、エピタキシャ
ル層成長面ですべて７μｍ以下であり、問題となるレベ
ルではなかった。さらに、上記６０枚の基板をＳｅｃｃ
ｏ液に１分間浸しエッチングを施した後、基板外周部の
転位密度を測定したところ、突起と接触したと思われる
面取り部近傍にのみ転位は発生したが、すべて１０3 ／
ｃｍ2 以下で特に問題となるレベルではなかった。
ピタキシャル層を成長させる実験を行った。シリコン単
結晶基板として、１２５ｍｍφ、ＣｚＰ型＜１００＞、
厚さ＝４５０μｍ、裏面は厚さ１０００ｎｍのＣＶＤ酸
化膜付き（面取り部には無し）を用い、１バッチ１２枚
をポケット内にオリエンテーションフラット部が上とな
る向きで仕込んだ。シリコンソースとしてはトリクロロ
シランを用いた。また、反応温度は１１３０℃、エピタ
キシャル層の成長速度は１．５０μｍ／ｍｉｎとした。
このようにして合計１０バッチ、計１２０枚のシリコン
基板にエピタキシャル層を成長させた。エピタキシャル
層成長後、シリコン基板の面取り部を精密に観察したと
ころ、突起部の無いポケットで作製した基板６０枚中に
は５４枚のクラック発生基板が存在したのに対し（発生
率＝９０％）、突起部のあるポケットで作製した基板に
はクラックの発生したものは存在しなかった（発生率＝
０％）。また、突起部のあるポケットで作製した基板６
０枚すべてのエッジクラウンの大きさは、エピタキシャ
ル層成長面ですべて７μｍ以下であり、問題となるレベ
ルではなかった。さらに、上記６０枚の基板をＳｅｃｃ
ｏ液に１分間浸しエッチングを施した後、基板外周部の
転位密度を測定したところ、突起と接触したと思われる
面取り部近傍にのみ転位は発生したが、すべて１０3 ／
ｃｍ2 以下で特に問題となるレベルではなかった。
【００１７】本発明者らの経験によると、突起部４の高
さは、シリコン基板の外周がポケットの内周より少なく
とも０．５ｍｍ以上離れるように選ばなければならな
い。シリコン基板の外周とポケットの内周との間に十分
な隙間がないと、これらの間を架橋するように多結晶シ
リコンが成長し、基板の面取り部で貼り付きに起因する
クラックが生じてしまう。
さは、シリコン基板の外周がポケットの内周より少なく
とも０．５ｍｍ以上離れるように選ばなければならな
い。シリコン基板の外周とポケットの内周との間に十分
な隙間がないと、これらの間を架橋するように多結晶シ
リコンが成長し、基板の面取り部で貼り付きに起因する
クラックが生じてしまう。
【００１８】上記実施例では、突起部４がポケット内周
の下半分において左右対称になるように２個設けられた
場合について説明したが、突起部４は、３個以上の複数
個であってもよい。また、図１０に示すように突起部４
がさらに連結してノコギリ刃状になっても、上記実施例
と同様な結果を得ることができる。
の下半分において左右対称になるように２個設けられた
場合について説明したが、突起部４は、３個以上の複数
個であってもよい。また、図１０に示すように突起部４
がさらに連結してノコギリ刃状になっても、上記実施例
と同様な結果を得ることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明で
はサセプタのポケット内面に突起部を設けることによ
り、シリコン基板をポケットの円弧状内周面（内縁部）
と離隔させた状態でポケット内に保持してエピタキシャ
ル層の成長を行うことができるように構成したので、シ
リンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置を用いて
厚さ３０μｍ以上のシリコンエピタキシャル層を有する
シリコンエピタキシャル基板を製造する際、１．５μｍ
／ｍｉｎの成長速度においても、基板とサセプタとの貼
り付きに起因する基板クラックの発生を防止することが
可能となった。
はサセプタのポケット内面に突起部を設けることによ
り、シリコン基板をポケットの円弧状内周面（内縁部）
と離隔させた状態でポケット内に保持してエピタキシャ
ル層の成長を行うことができるように構成したので、シ
リンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置を用いて
厚さ３０μｍ以上のシリコンエピタキシャル層を有する
シリコンエピタキシャル基板を製造する際、１．５μｍ
／ｍｉｎの成長速度においても、基板とサセプタとの貼
り付きに起因する基板クラックの発生を防止することが
可能となった。
【図１】本発明の実施例の骨子を説明するサセプタの概
略正面図である。
略正面図である。
【図２】図１実施例に係るサセプタの正面図である。
【図３】図２のＸ−Ｘ線断面図である。
【図４】図２のＡ部拡大図である。
【図５】従来のシリンダー型エピタキシャル層成長装置
の概略断面図である。
の概略断面図である。
【図６】図５装置におけるサセプタのポケットにシリコ
ン基板を仕込んだ状態を示す説明正面図である。
ン基板を仕込んだ状態を示す説明正面図である。
【図７】図６のＹ−Ｙ線断面図である。
【図８】シリコン基板を図６のとおりに仕込んだ場合
の、サセプタとシリコン基板との貼り付き状態を示す説
明正面図である。
の、サセプタとシリコン基板との貼り付き状態を示す説
明正面図である。
【図９】図８のＺ−Ｚ線断面図である。
【図１０】突起部がノコギリ刃状に連結したポケットを
有するサセプタの説明正面図である。
有するサセプタの説明正面図である。
１ サセプタ １ａ 上面 ２ ポケット ３ 底面 ４ 突起部 ５ 内周面（内縁部） ６ 溝 １１ 反応管 １２ サセプタ １３ ポケット １３ａ 内周面（内縁部） １３ｂ 底面 １４ ヒータ １５ 原料ガス ２１ 基板 ２１ａ オリエンテーションフラット部 ３１ 単結晶シリコン層 ３２ 多結晶シリコン層 Ｌ 垂直線
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン単結晶基板保持用のポケットを
備えたサセプタをシリンダー型の反応管内に設けるエピ
タキシャル成長装置において、前記ポケット底面外周部
に環状溝を有し、該ポケット内周の下半分においてポケ
ットの中心を通る垂直線に対し左右対称になるよう突起
が設けられ、該突起の間隔が該シリコン基板の外周長の
１／２０〜１／５であり、該ポケット中心方向への該突
起の高さが該シリコン基板装填時にその外周と該ポケッ
ト内周との間隔が少なくとも０．５ｍｍ以上であるよう
に選ばれ、該突起によって該シリコン基板を保持しうる
ようにしたことを特徴とする、シリンダー型シリコンエ
ピタキシャル層成長装置。 - 【請求項２】 シリコン単結晶基板保持用のポケットを
備えたサセプタをシリンダー型の反応管内に設けるエピ
タキシャル成長装置において、前記ポケット底面外周部
に環状溝を有し、該ポケット内周の下半分においてポケ
ットの中心を通る垂直線に対し左右対称になるよう突起
のノコギリ刃状連続が該シリコン基板の外周長の１／２
０〜１／５の範囲に選択され、該ポケット中心方向への
該突起の高さが該シリコン基板装填時にその外周と該ポ
ケット内周との間隔が少なくとも０．５ｍｍ以上である
ように選ばれ、該突起によって該シリコン基板を保持し
うるようにしたことを特徴とする、請求項１に記載のシ
リンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28255192A JP2732393B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | シリンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28255192A JP2732393B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | シリンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112126A JPH06112126A (ja) | 1994-04-22 |
| JP2732393B2 true JP2732393B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=17653949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28255192A Expired - Lifetime JP2732393B2 (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | シリンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2732393B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6129048A (en) * | 1998-06-30 | 2000-10-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Susceptor for barrel reactor |
| JP5444607B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2014-03-19 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | エピタキシャル膜形成装置用のサセプタ、エピタキシャル膜形成装置、エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| CN107022789B (zh) * | 2011-05-27 | 2021-03-12 | 斯瓦高斯技术股份有限公司 | 在外延反应器中的硅衬底上外延沉积硅晶片的方法 |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP28255192A patent/JP2732393B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06112126A (ja) | 1994-04-22 |
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