JP2016526303A - 熱均一性を増大する特徴部を有する改良型ウェハキャリア - Google Patents
熱均一性を増大する特徴部を有する改良型ウェハキャリア Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016526303A JP2016526303A JP2016518001A JP2016518001A JP2016526303A JP 2016526303 A JP2016526303 A JP 2016526303A JP 2016518001 A JP2016518001 A JP 2016518001A JP 2016518001 A JP2016518001 A JP 2016518001A JP 2016526303 A JP2016526303 A JP 2016526303A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- wafer carrier
- carrier
- carrier body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
- C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
化学気相堆積(CVD)によって1つ又は複数のウェハ上にエピタキシャル層を成長させるためのシステムで使用されるウェハキャリアアセンブリは、中心軸の周りに対称に形成されたウェハキャリア本体を備えており、ウェハキャリア本体は、前記中心軸に対して垂直に位置する全体的に平坦な上面と、前記上面に対して平行である平坦な下面とを有する。少なくとも1つのウェハ保持ポケットは、前記上面からウェハキャリア本体内に窪んでいる。前記少なくとも1つのウェハ保持ポケットのそれぞれは、底面と、前記底面を取り囲んで当該ウェハ保持ポケットの周縁を画定する周壁面とを有する。少なくとも1つの熱制御特徴部は、ウェハキャリア本体内に形成されてウェハキャリア本体の内面によって画定されている内部キャビティすなわち空隙を有する。
Description
本発明は、ウェハ処理装置、そのような処理装置において使用されるウェハキャリア、及びウェハ処理方法に関する。
多くの半導体デバイスは、基板上での半導体材料のエピタキシャル成長によって形成される。基板は通常、「ウェハ」と一般に呼ばれる形態の結晶材料である。例えば、III−V半導体等の化合物半導体から形成されるデバイスは、通常、有機金属化学気相堆積(MOCVD)を使用して化合物半導体の連続層を成長させることによって形成される。このプロセスにおいてウェハは、有機金属化合物及びV属元素のソースを通常含んだガスの組み合わせに暴露され、ウェハが高温に維持されている間にガスの組み合わせがウェハの表面の真上を流れる。III−V半導体の一例は、適切な結晶格子面間隔を有する基板、例えば、サファイアウェハ上での有機ガリウム化合物とアンモニアとの反応によって形成される可能性がある窒化ガリウムである。通常、ウェハは、窒化ガリウム及び関連化合物の堆積中、500〜1200℃のオーダーの温度に維持される。
複合デバイスは、わずかに異なる反応条件下でウェハの表面上に多数の層を連続的に堆積させることによって、例えば、半導体の結晶構造及びバンドギャップを変化させるために他のIII族元素又はV族元素の添加することによって作製される可能性がある。例えば、窒化ガリウムベース半導体において、インジウム、アルミニウム、又はその両方が、いろいろな割合で使用されて、半導体のバンドギャップを変化させることができる。同様に、p−型又はn−型ドーパントが、各層の導電率を制御するために添加される可能性がある。半導体層の全てが形成された後、また通常、適切な電気接点が施された後、ウェハは、個々のデバイスに切断される。発光ダイオード(「LED」)、レーザー、並びに他の電子デバイス及び光電子デバイス等のデバイスを、こうして作製することができる。
通常の化学気相堆積プロセスにおいて、多数のウェハは、各ウェハの上面がウェハキャリアの上面で露出されるようにして、ウェハキャリアと一般に呼ばれるデバイス上に保持される。その後、ウェハキャリアは、反応チャンバ内に配置され、所望の温度に維持され、一方、ガス混合物はウェハキャリアの表面の真上を流される。プロセス中、キャリア上の種々のウェハの上面上の全てのポイントにおいて均一な条件を維持することが重要である。反応ガスの組成及びウェハ表面の温度のわずかな変化が、結果として得られる半導体デバイスの特性の望ましくない変動をもたらす。例えば、窒化ガリウムインジウム層が堆積される場合、ウェハ表面温度の変化は、堆積層の組成及びバンドキャップの変化をもたらすことになる。インジウムは、比較的高い蒸気圧を有するため、堆積層は、表面温度が高いウェハの領域において、低い割合のインジウム及びより大きなバンドギャップを有することになる。堆積層がLED構造のアクティブ発光層である場合、ウェハから形成されるLEDの発光波長もまた変化することになる。そのため、かなりの努力が、当技術分野において均一な条件を維持することに向けて払われてきている。
業界において広く受け入れられてきている1つのタイプのCVD装置は、各々が1つのウェハを保持するように適合された多数のウェハ保持領域を有する大径ディスクの形態のウェハキャリアを使用する。ウェハキャリアは、ウェハの露出面を有するウェハキャリアの上面がガス分配素子に向かって上方に向くようにして、反応チャンバ内でスピンドル上に支持される。スピンドルが回転する間、ガスはウェハキャリアの上面上で下方に方向付けられ、ウェハキャリアの周縁に向かって上面を横切って流れる。使用済みのガスは、ウェハキャリアの下に配設されたポートを通って反応チャンバから排出される。ウェハキャリアは、加熱素子、通常、ウェハキャリアの下面の下方に配設された電気抵抗性の加熱素子によって、所望の高温に維持される。これらの加熱素子は、ウェハ表面の所望の温度を超える温度に維持され、一方、ガス分配素子及びチャンバの壁は、通常、ガスの時期尚早の反応を防止するために、所望の反応温度よりも十分に低い温度に維持される。したがって、熱は、抵抗性加熱素子からウェハキャリアの下面に伝達され、ウェハキャリアを通って上方に向かって個々のウェハまで流れる。熱は、ウェハ及びウェハキャリアからガス分配素子及びチャンバの壁に伝達される。
かなりの努力が、こうしたシステムの最適化を設計するため当技術分野において払われてきたが、なお更なる改良が望ましいであろう。特に、各ウェハの表面にわたるよりよい温度均一性及びウェハキャリア全体にわたるよりよい温度均一性を提供することが望ましいであろう。
発明の概要
本発明の一態様はウェハキャリアを提供し、ウェハキャリアは、上面及び下面並びに複数のポケットを有する本体を備え、上面及び下面は互いに対向して水平方向に延びており、ポケットは、上面に対して開口しており、各ポケットは、ウェハの上面が本体の上面において露出した状態でウェハを保持するように適合されており、キャリアは、水平方向に対して直交する垂直方向を画定する。ウェハキャリア本体は、望ましくは、キャリア本体内にトレンチ、ポケット、又はその他のキャビティ等の1つ又は複数の熱制御特徴部を備える。
本発明の一態様はウェハキャリアを提供し、ウェハキャリアは、上面及び下面並びに複数のポケットを有する本体を備え、上面及び下面は互いに対向して水平方向に延びており、ポケットは、上面に対して開口しており、各ポケットは、ウェハの上面が本体の上面において露出した状態でウェハを保持するように適合されており、キャリアは、水平方向に対して直交する垂直方向を画定する。ウェハキャリア本体は、望ましくは、キャリア本体内にトレンチ、ポケット、又はその他のキャビティ等の1つ又は複数の熱制御特徴部を備える。
1つのタイプの実施形態において、熱制御特徴部はウェハキャリアの本体内に埋め込まれる。別のタイプの実施形態において、埋め込み式のまた非埋め込み式(すなわち、露出式)の熱制御特徴部の組み合わせが利用される。更なる実施形態において、熱制御特徴部は、プロセス雰囲気の流れを許容するチャネルを形成する。
別の実施形態において、熱制御特徴部は、特に、ウェハポケット間にあるウェハキャリアの領域の下方に位置する。これらの熱制御特徴部は、これらの領域の表面に対する熱の流れを制限し、それにより、これらの表面部分を比較的冷たくなるように維持する。1つのタイプの実施形態において、ポケット間の領域の表面温度はほぼウェハの温度に維持され、これにより、履歴的な流れ加熱効果(historic flow heating effect)を回避する。
別の実施形態において、ウェハキャリアは、ウェハを直接に加熱するのを容易にする貫通穴をウェハの下方に備える。1つのこうした実施形態において、ウェハは断熱性の支持リングによって支持される。関連する実施形態において、貫通穴は、ウェハキャリアの上面よりも下面において大きな開口を生成するアンダーカットを有する。本発明の更なる態様は、先に述べたウェハキャリアを組み込むウェハ処理装置及びこうしたキャリアを使用してウェハを処理する方法を含む。
本発明は、添付図面と関連して本発明の種々の実施形態の以下の詳細な説明を考慮して、より完全に理解することができる。
本発明の一実施形態による化学気相堆積装置は、反応チャンバ10を含み、反応チャンバ10は、チャンバの一端に配置されたガス分配素子12を有する。ガス分配素子12を有する端は、本明細書で、チャンバ10の「上(top)」端と呼ばれる。チャンバのこの端は通常、必ずしもそうではないが、通常の重力座標系(gravitational frame of reference)においてチャンバの上部に配設される。そのため、重力の上方向及び下方向に整列しているかどうかによらず、本明細書で使用される下方向は、ガス分配素子12から離れる方向を指し、上方向は、ガス分配素子12に向かうチャンバ内の方向を指す。同様に、素子の「上(top)」面及び「下(bottom)」面は、本明細書で、チャンバ10及び素子12の基準座標系を参照して述べられる。
ガス分配素子12は、CVDプロセスで使用されるガス、例えば、キャリアガス、並びに、反応性ガスであって、III族金属、通常、金属有機化合物のソース及びV族元素、例えばアンモニア又は他のV族水素化物のソース等の、反応性ガスのソース14に接続される。ガス分配素子は、種々のガスを受け取り、ガスの流れを全体的に下方向に方向付けるように配置される。ガス分配素子12は、望ましくは、冷媒システム16に同様に接続され、冷媒システム16は、ガス分配素子を通して液体を循環させて、動作中に素子の温度を所望の温度に維持するように配置される。冷媒システム16はまた、チャンバ10の壁を通して液体を循環させて、壁を所望の温度に維持するように配置される。チャンバ10はまた、排気システム18を装備し、排気システム18は、使用済みガスをチャンバの内部からチャンバの下部又は下部の近くのポート(図示せず)を通して除去して、ガス分配素子から下方向へのガスの連続した流れを許容するように配置される。
スピンドル20は、スピンドルの中心軸22が上方向及び下方向に延びるようにしてチャンバ内に配置される。スピンドルは、その上端、すなわち、ガス分配素子12に最も近いスピンドルの端に、取り付け部24を有する。示す特定の実施形態において、取り付け部24は、全体的に円錐の素子である。スピンドル20は、軸22の周りにスピンドルを回転させるように配置される電動機ドライブ等の回転ドライブ機構26に接続される。加熱素子28は、チャンバ内に取り付けられ、取り付け部24の下方でスピンドル20を取り囲む。チャンバはまた、ウェハキャリアの挿入及び取り外し用の開口可能ポート30を備える。先の素子は、従来の構造とすることができる。例えば、適した保持チャンバは、米国ニューヨーク州のプレーンビュー(Plainview)のビーコインストルメンツインコーポレイテッド(本出願の譲受人)によって、登録商標TURBODISCの下で商業的に販売されている。
図1に示す動作状況において、ウェハキャリア32はスピンドルの取り付け部24上に取り付けられる。ウェハキャリアは、全体的に上面及び下面に垂直に延びる中心軸25を有する円形ディスクの形態の本体を含む構造を有する。ウェハキャリアの本体は、本明細書で「上(top)」面34と呼ぶ第1の主表面、及び、本明細書で「下(bottom)」面36と呼ぶ第2の主表面を有する。ウェハキャリアの構造はまた、取り付け部39を有し、取り付け部39は、スピンドル24の取り付け部24に係合し、また、上面34がガス分配素子12に向かって上に向き、下面36が加熱素子28に向かってかつガス分配素子12から離れるように下に向いた状態で、スピンドル上でウェハキャリアの本体を保持するように配置される。単に例として、ウェハキャリア本体は直径が約465mmであり、上面34と下面32との間のキャリアの厚さは15.9mmのオーダーとすることができる。例示の特定の実施形態において、取り付け部39は、本体32の下面に円錐台状の窪みとして形成される。しかし、その開示が参照により本明細書に組み込まれる、本出願の譲受人に譲渡された同時係属中の米国特許公報第2009/0155028号に記載されるように、ウェハキャリアの構造は、本体とは別個に形成されたハブを含むことができ、また、取り付け部は、こうしたハブ内に組み込むことができる。同様に、取り付け部の構成は、スピンドルの構成に依存することになる。
本体は、耐火コーティング、例えば炭化物、窒化物、又は酸化物が有る状態又は無い状態で、非金属性で耐火性の第1の材料、例えば、炭化ケイ素、窒化ホウ素、炭化ホウ素、窒化アルミニウム、アルミナ、サファイア、石英、グラファイト、及びその組み合わせからなる群から選択される材料のモノリシックスラブとして形成された主部分38を望ましくは含む。
ウェハキャリアの本体は、中心軸25及び中心軸25の近くの中央領域27と、中央領域を包囲するポケットすなわちウェハ保持領域29と、ポケット領域を包囲しかつ本体の周縁を画定する周縁領域31とを有する。周縁領域31は、本体の外側末端において上面34と下面36との間に延びる周面33を画定する。
キャリアの本体は、ポケット領域29の上面に対して開口している複数の円形ポケット40を画定する。図1及び図3に最もよく見られるように、本体の主部分38は、実質的に平坦な上面34を画定する。主部分38は、主部分を通して上面34から下面36まで延びる穴42を有する。副部分(minor portion)44は、各穴42内に配設される。各穴42内に配設される副部分44は、ポケット40の底面46を画定し、底面は上面34よりも下側に窪んでいる。副部分44は、耐火コーティング、例えば炭化物、窒化物、又は酸化物が有る状態又は無い状態で、第2の材料、好ましくは、炭化ケイ素、窒化ホウ素、炭化ホウ素、窒化アルミニウム、アルミナ、サファイア、石英、グラファイト、及びその組み合わせからなる非金属性の耐火性材料から形成される。第2の材料は、望ましくは、主部分を構成する第1の材料と異なる。第2の材料は、第1の材料の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有することができる。例えば、主部分がグラファイトから形成される場合、副部分を炭化ケイ素から形成することができる。副部分44及び主部分38は、本体の下面36を協働して画定する。図3に示す特定の実施形態において、主部分38の下面は平坦であり、副部分44の下面は主部分の下面と同一平面上にあるため、下面36は平坦である。
副部分44は、穴42の壁と摩擦係合する。例えば、副部分は、穴に圧入してもよいし、あるいは、主部分の温度を高くし、冷たい副部分を穴に挿入することによって収縮嵌合することもできる。望ましくは、全てのポケットは均一な深さである。この均一性は、副部分の全てを均一な厚さになるよう形成することによって、例えば、副部分を研削又は研磨することによって容易に達成される可能性がある。
各副部分44と主部分38の周辺材料との間には熱障壁48が存在する。熱障壁は、主部分のバルク材料の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する領域である。図3に示す特定の実施形態において、熱障壁は、巨視的なギャップ48、例えば、穴42を画定する主部分38の壁内の溝によって形成される約100ミクロン以上の厚さのギャップを含む。このギャップは、空気又は動作中に遭遇するプロセスガス等のガスを含み、したがって、近傍の固体材料よりもずっと低い熱伝導率を有する。
副部分44及び主部分38の当接面はまた、熱障壁の複数の部分を画定する。これらの表面は、巨視的スケールで互いに当接するが、どの表面も完全に平滑ではない。したがって、当接面の複数の部分間に巨視的なガス充填されたギャップが存在することになる。これらのギャップはまた、副部分44と主部分38との間の熱伝導を妨害することになる。
図2及び図3を参照して最もよく認識されるように、各ポケット40は、ポケット軸68を有し、ポケット軸68は、上面及び下面34、36に垂直で、かつ、ウェハキャリアの中心軸25に平行な垂直方向に延びている。各ポケットに関連する熱障壁48は、もっぱらそのポケットのポケット軸68の周りで、ポケットの周囲に整列して延びている。この実施形態において、各熱障壁48は、ポケット軸68と同軸でかつポケット40の半径に等しいか又はほぼ等しい半径を有する直円柱の形態で理論上の画定面(theoretical defining surface)65に沿って延びている。熱障壁48を形成する特徴部、例えばギャップ38及び副部分44と主部分38の当接面は、画定面65に沿う方向において、画定面に垂直な方向のこれらの特徴部の寸法よりもずっと大きい寸法を有する。熱障壁48の熱伝導率は、本体の隣接する部分の熱伝導率よりも小さい、すなわち、主部分38及び副部分44の熱伝導率よりも小さい。そのため、熱障壁48は、画定面に垂直な方向、すなわち、上面及び下面34、36に平行な水平方向における熱伝導を遅らせる。
本発明のこの実施形態によるウェハキャリアは、キャリア本体のポケット領域29と周縁領域31との間に設けられた周縁熱制御特徴部、すなわち熱障壁41を更に含む。この実施形態において、周縁熱障壁41は、本体の主部分38に入るように延びるトレンチである。ウェハキャリアの特徴部を参照してこの開示で使用されるとき、用語「トレンチ(trench)」は、ウェハキャリア内のギャップであって、その幅よりも実質的に大きい深さを有してウェハキャリアの表面まで延びるギャップを意味する。この実施形態において、トレンチ41は、単一の一体型素子、すなわち本体の主部分38に形成される。同様に、この実施形態において、トレンチ41は、どんな固体又は液体材料によっても充填されず、したがって、周辺雰囲気、例えば、キャリアがチャンバの外にあるとき、空気、又は、キャリアがチャンバ内にあるとき、プロセスガスで充填されることになる。トレンチは、軸25の周りの回転表面の形態である画定面45、この場合、ウェハキャリアの中心軸25と同心の直円柱に沿って延びている。トレンチの場合、画定面は、トレンチの壁から等距離の表面と考えることができる。換言すれば、トレンチ43の深さ寸法dは、ウェハキャリアの上面及び下面に垂直であり、かつ、ウェハキャリアの中心軸に平行である。トレンチ41は、画定面に平行なトレンチの寸法よりも小さい、表面45に垂直な幅方向寸法wを有する。
キャリアは、ポケットに関連するロック50を更に含む。ロックは、その開示が参照により本明細書に組み込まれる米国特許第8,535,445号においてより詳細に述べられるように構成することができる。ロック50は、オプションであり、省略される場合がある。すなわち、本開示の以下で述べる他のキャリアはロックを省略する。ロック50は、好ましくは、副部分44の熱伝導率よりも小さく、また好ましくは主部分38の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する耐火性材料から形成される。例えば、ロックは石英から形成される場合がある。各ロックは、垂直円柱シャフトの形態の中央部分52(図3)及び円形ディスクの形態の下部部分54を含む。各ロックの下部部分54は、上向きの支持表面56を画定する。各ロックは、中央部分の軸を横断して突出する上部部分58を更に含む。上部部分は、中央部分52の軸の周りに対称でない。各ロックの上部部分58は、ロックの支持表面56を覆うが支持表面から離間する下向きのロック表面60を画定する。そのため、各ロックは、表面56と60との間にギャップ62を画定する。各ロックは、ロックの上部部分58がポケットを覆って突出する図3に示す動作位置と、上部部分がポケットを覆って突出しない非動作位置との間でロックが移動できるようにウェハキャリアに留められる。
動作時、キャリアは、円形のディスクに似たウェハ70を装填される。各ポケットに関連するロック50のうちの1つ又は複数がその非動作位置にある状態で、ウェハは、ウェハの下面72がロックの支持表面56に載るようにポケット内に設置される。ロックの支持表面は、ウェハの下面72をポケットの底面46上で協働して支持するため、ウェハの下面とポケットの底面との間にギャップ73(図3)が存在し、また、ウェハの上面74は、キャリアの上面34と同一平面上にあるか又はほぼ同一平面上にある。ロックを含むキャリアの寸法は、ウェハのエッジすなわち周面76とロックの中央部分52との間に非常に小さな隙間が存在するように選択される。そのため、ロックの中央部分52は、ポケット内でウェハを心出しするため、ウェハのエッジとポケットの壁との間の距離はウェハの周縁の周りで実質的に均一である。
ロックは、各ロックの上部部分58及び下向きのロック表面60(図3)は、ポケットの真上で、したがって、ウェハの上面74の真上で内に突出するように動作位置にもたらされる。ロック表面60は、支持表面56よりも高い垂直レベルに配設される。そのため、ウェハは、支持表面56とロック表面との間で係合し、キャリアに対する上方又は下方の移動に抗して拘束される。ロックの上部及び下部要素は、望ましくは、実用的である程度に小さいため、これらの要素は、各ウェハの周縁に隣接してウェハ表面の非常に小さな部分にだけ接触する。例えば、ロック表面及び支持表面は、ウェハ表面の数平方ミリメートルだけに係合することができる。
通常、ウェハは、キャリアが反応チャンバの外にある間にキャリア上に装填される。キャリは、ウェハがキャリア上にある状態で、従来のロボット装置(図示せず)を使用して反応チャンバ内に装填されるため、キャリアの取り付け部39は、スピンドルの取り付け部24に係合し、キャリアの中心軸25は、スピンドルの軸22に一致する。スピンドル及びキャリアは、その共通軸の周りに回転する。使用される特定のプロセスに応じて、こうした回転は、数百回転/分以上とすることができる。
ガスソース14は、プロセスガス及びキャリアガスをガス分配素子12に供給するように作動されるため、これらのガスは、ウェハキャリア及びウェハに向かって下方に流れ、キャリアの上面34の真上で、また、ウェハの露出した上面74の真上で全体的に半径方向に外に流れる。ガス分配素子12及びチャンバ10の壁は、比較的低い温度に維持されて、これらの表面におけるガスの反応を抑制する。
加熱器28が作動されて、キャリア及びウェハを、或る化学気相堆積プロセスの場合に500℃から1200℃のオーダーである場合がある所望のプロセス温度に加熱する。熱は、主に放射熱伝達によって加熱器からキャリア本体の下面36に伝達される。熱は、伝導によって、キャリア本体の主部分38を通って本体の上面34に上方に流れる。熱はまた、ウェハキャリアの主部分44を通り、ポケットの底面とウェハの下面との間のギャップ73を横切り、そして、ウェハを通ってウェハの上面74まで上方に流れる。熱は、本体及びウェハの上面からチャンバ10の壁及びガス分配素子12まで放射によって伝達されると共に、ウェハキャリアの周面33からチャンバの壁まで伝達される。熱はまた、ウェハキャリ及びウェハからプロセスガスに伝達される。
プロセスガスは、ウェハを処理するためウェハの上面で反応する。例えば、化学気相堆積プロセスにおいて、プロセスガスは、ウェハ上面上に堆積物を形成する。通常、ウェハは結晶材料から形成され、堆積プロセスは、ウェハの材料の格子間隔と同様の格子間隔を有する結晶材料のエピタキシャル堆積である。
プロセス均一性について、各ウェハの上面の温度は、ウェハの上面全体にわたって一定であり、かつ、キャリア上の他のウェハの温度と同じであるべきである。これを達成するため、各ウェハの上面74の温度は、キャリア上面34の温度に等しくあるべきである。キャリア上面の温度は、本体の主部分38を通した熱伝達率に依存し、一方、ウェハ上面の温度は、副部分44、ギャップ73、及びウェハ自体を通した熱伝達率に依存する。副部分44の高い熱伝達率及び結果得られる低い熱抵抗は、ギャップ73の高い熱抵抗を補償するため、ウェハ上面は、キャリア上面の温度に実質的に等しい温度に維持される。これは、ウェハのエッジとキャリアの周辺部分との間の熱伝達を最小にし、したがって、各ウェハの上面全体にわたって均一な温度を維持するのに役立つ。この効果を提供するため、ポケット46の底面は、主部分38の隣接する部分よりも高い温度でなければならない。本体の副部分44と主部分38との間の熱障壁48は、水平方向への副部分44と主部分38との間の熱伝導を最小にし、したがって、副部分44から主部分38への熱損失を最小にする。これは、ポケットの底面とキャリア上面との間のこの温度差を維持するのに役立つ。更に、ポケットの周縁におけるキャリア内での水平方向熱伝達の減少はまた、ポケットを直接取り囲むキャリア上面の局所的加熱を減少させるのに役立つ。以下で更に述べるように、ポケットを直接取り囲むキャリア上面のこれらの部分は、キャリア上面の他の部分よりも熱くなる傾向がある。この効果を減少させることによって、熱障壁はより均一な堆積を促進させる。
ウェハキャリア本体の周縁部分31がチャンバ10の壁の近くに配設されるため、ウェハキャリアの周縁部分は、高速で熱をチャンバの壁に伝達する傾向があり、したがって、ウェハキャリアの残りよりも低い温度になる傾向がある。これは、周縁領域に最も近い、ポケット領域29の外側の近くのキャリア本体の部分を冷却する傾向がある。周縁熱障壁41は、ポケット領域から周縁領域への水平方向熱伝達を減少させ、したがって、ポケット領域に対する冷却効果を減少させる。これは、次に、ポケット領域内の温度差を減少させる。周縁熱障壁が、周縁領域31とポケット領域との間の温度差を増加させることになるが、この温度差は、プロセスに悪い影響を及ぼさない。ガスは、周縁領域の真上を外に流れ、したがって、冷たい周縁領域の真上を通過するガスは、処理されるウェハのどのウェハにも衝当しない。周縁領域及びポケット領域の外側部分により多くの熱が伝達されるように、加熱素子28(図1)を不均一に作ることによってウェハキャリアの周縁からチャンバの壁への熱伝達を補償することが、これまで慣行であった。このアプローチは、図示するように、周縁熱障壁と連携して使用される可能性がある。しかし、周縁熱障壁は、こうした補償についての必要性を減少させる。
2010年8月13日に出願された、先に述べた米国特許出願第12/855,739号及び2011年8月4日に出願された対応する国際出願第PCT/US2011/046567号においてより詳細に述べられるように、ロック50は、関連するポケット内で各ウェハを心出しされた状態に維持し、ウェハの反りによる上方への移動に抗してウェハのエッジを保持する。これらの効果は、ウェハに対するより均一な熱伝達を促進する。
更なる変形(図4)において、キャリア本体の副部分344は、石英又は主部分及び副部分の伝導率よりも低い熱伝導率を有する別の材料から形成されるブッシング348によって主部分338に取り付けられる。ここで再び、副部分は、望ましくは主部分よりも高い熱伝導率を有する。ブッシングは、副部分と主部分との間の熱障壁の一部の役をする。ブッシングと副部分との間及びブッシングと主部分との間の固体−固体界面は、更なる熱障壁を提供する。この変形において、ブッシングは、ポケットの垂直壁を画定する。
図5の実施形態は、ギャップ48が熱障壁として設けられるように、各副部分444が主部分438内の対応する穴442よりも小さい直径の本体443を含むことを除いて、図1〜図3を参照して先に述べた実施形態と同様である。各副部分はまた、副部分と穴442の同心性を維持するため、主部分438に密接嵌合したヘッド445を含む。
図6のウェハキャリアは、図1〜図3を参照して先に述べたキャリアと同様の主部分538及び副部分544を含む。しかし、図6のキャリア本体は、副部分を取り囲み、各副部分と主部分との間に配設されたリングに似た境界部分502を含む。境界部分502は、主部分及び副部分の熱伝導率と異なる熱伝導率を有する。示すように、境界部分は各ポケットの周縁の下方において整列する。更なる変形例において、境界部分は、各ポケットを取り囲む上面534の一部の下方において整列する場合がある。境界部分の熱伝導率は、ウェハのエッジへの/からの熱伝達に相殺するように独立に選択される可能性がある。例えば、上面534のこれらの部分が、ウェハよりも熱くなる傾向がある場合、境界部分の熱伝導率は、主部分の伝導率よりも低い可能性がある。
図7に部分的に示す本発明の更なる実施形態によるウェハキャリアは、本体の上面234及び下面236を画定する耐火性材料からなる一体型の主部分238を含む本体を有する。主部分は、本体の上面に形成されたポケット240を画定する。各ポケットは、底面246と、ポケット240を取り囲む周壁面と、底面246よりも高い垂直レベルでポケットの周りに延びている上向きのウェハ支持表面260とを有する。ポケットは、全体的に垂直ポケット軸268の周りに対称である。トレンチの形態の熱障壁248は、ポケットの周縁の下方において軸268の周りに延びている。この実施形態において、トレンチ248は、キャリア本体の上面234に対して開口する。すなわち、トレンチ248は、上面の一部を構成するウェハ支持表面260に交差する。トレンチ248は、ポケット軸268と同心の直円柱の形態の画定面を有する。トレンチ248は、ポケット底面246からほぼ完全にウェハキャリアの下面236まで下方に延びているが、下面の手前で停止する。トレンチは、ポケット底面246を画定するキャリア本体の副部分244を実質的に取り囲む。
動作中、トレンチ248は、水平方向への熱伝導を抑制する。副部分244及び主部分238は互いに一体に形成されるが、副部分と主部分との間に依然として温度差が存在し、水平方向熱伝導を抑制する必要性が依然として存在する。この必要性は、図7のキャリアと同様の従来のウェハキャリアを示すが、熱障壁がない図8を参照して理解される可能性がある。ウェハ270’がポケット内に配設されると、ウェハとポケット底面246’との間にギャップ273’が存在することになる。ギャップ273’内のガスは、ウェハキャリアの材料よりも実質的に低い熱伝導率を有し、したがって、副部分をウェハから断熱する。動作中、熱はウェハキャリアを通って上方に伝導し、キャリアの上面234’から周辺部に、またウェハ上面274’から周辺部に喪失される。ギャップは、ウェハの下にあるキャリア部分244’からウェハへの垂直の熱の流れを遮断(block)する断熱材として働く。これは、底面246’のレベルで部分244’が主部分238’と直接に隣接する部分よりも熱いことを意味する。そのため、熱は、図8の矢印HFで概略的に示すように、部分244’から部分238’に水平に流れることになる。これは、ポケットを直接取り囲む主部分238の複数の部分の温度を上げるため、ポケットを直接取り囲む上面234’の部分S’は、ポケットから遠い上面234’の他の部分R’よりも熱い。更に、水平方向の熱の流れは、ポケット底面246’を冷却する傾向がある。冷却は不均等であるため、ポケット軸268’に近いポケット底面の複数の部分は、軸から遠い部分よりも熱い。ギャップ273’の断熱効果があるため、ウェハ上面274’は、キャリア上面234’よりも冷たくなることになる。水平方向の熱伝導によるポケット底面246’の冷却は、この効果を悪化させる。更に、ポケット底面の不均等な冷却は、ウェハ上面274’での不均等な温度をもたらし、ウェハ上面の中心WC’はウェハ上面の周縁WP’よりも熱い。
これらの効果を図9の実線曲線202で示しており、実線曲線202は、ウェハ上面の上面温度対ポケット軸からの距離のプロットである。やはり、ウェハ上面(ポイントWC’及びWP’)は、キャリア上面(ポイントR’及びS’)よりも実質的に冷たく、また、ポイントWC’とWP’との間にかなりの温度差が存在する。ポイントS’はR’よりも熱い。これらの温度差は、プロセス均一性を減少させる。
図7のウェハキャリアにおいて、熱障壁248はこれらの効果を抑制する。副部分244からの水平方向の熱伝導が遮断(block)されるために、底面246、ひいてはウェハ上面274は温度がより熱くかつよりほぼ均一である。図9の波線曲線204で示すように、ポイントWC及びWPの温度はほぼ等しく、かつ、ポイントR及びSにおけるキャリア上面の温度に近い。同様に、ポケットに近いポイントSの温度は、ポケットから遠いポイントRの温度に近い。
更なる実施形態によるウェハキャリアは、複数のポケット740を画定する一体型本体850を含み、複数のポケット740のうちの1つだけが図10に示される。各ポケット740は、底面746の上に配設された支持表面756及びポケットを取り囲むアンダーカット周壁742を有する。ポケットは、ポケットの周縁の近くでポケット軸768の周りに延びている外側熱障壁又はトレンチ600を有する。トレンチ600は、図7を参照して先に述べたトレンチ248と同様である。図7のキャリアの場合と同様に、トレンチ600は、ウェハキャリアの上面に対して開口するが、ウェハキャリア下面860の壁を貫通して延びてはいない。トレンチ600は、支持表面756であって、周壁742と、支持表面の内側エッジを形成する壁810との間の、支持表面756に交差する。ここで再び、トレンチ600は、実質的に垂直であり、かつ、全体的にポケット740の軸768と同心の直円柱の形態である。単に例として、トレンチ600の幅wは、種々の値であり、例えば、約0.5から約10,000ミクロン、約1から約7,000ミクロン、約1から約5,000ミクロン、約1から約3,000ミクロン、約1から約1,000ミクロン、又は約1から約500ミクロンを含む可能性がある。特定のウェハキャリア設計における特定のトレンチ600の選択される幅wは、予想されるウェハ処理条件、ウェハキャリアによって保持されるウェハ上に材料を堆積させるためのレシピ、及びウェハ処理中のウェハキャリアの予想される熱プロファイルに応じて変わる可能性がある。
ウェハキャリアは、外側熱障壁又はトレンチ600の内部でポケット軸768の周りに延びる内側熱障壁又はトレンチ610を更に含む。そのため、トレンチ610は、ポケット40の直径よりも小さい直径を有する。トレンチ610は、トレンチが、ウェハキャリアの下面に対して開口するが、ウェハキャリアの上面に対して開口しないように、ウェハキャリアの下面860に交差する。トレンチ又は熱障壁610は、トレンチの上面及び下面に対して斜めである画定面を有する斜め熱障壁である。換言すれば、トレンチの深さ寸法dは、ウェハキャリアの上面及び下面に対して斜めの角度で存在する。示す実施形態において、トレンチ610の画定面611は、全体的にポケット軸768と同心の円錐の一部分の形態であり、トレンチ610と下面860との交差部は、ポケット軸と同心の円の形態である。トレンチ610の画定面611が下面に交差する角度は、約3°から約ほぼ90°の範囲にある可能性がある。単に例として、トレンチ610の幅wは、種々の値であり、例えば、約0.5から約10,000ミクロン、約1から約7,000ミクロン、約1から約5,000ミクロン、約1から約3,000ミクロン、約1から約1,000ミクロン、又は約1から約500ミクロンを含む可能性がある。特定のウェハキャリア設計における特定のトレンチ610の選択される幅wは、予想されるウェハ処理条件、ウェハキャリアによって保持されるウェハ上に材料を堆積させるためのレシピ、及びウェハ処理中のウェハキャリアの予想される熱プロファイルに応じて変わる可能性がある。
外側トレンチ600は、先に述べた方法と同様な方法で機能して、ウェハ70の下にあるウェハキャリア本体の部分744と本体850の残りの部分との間の水平方向への熱伝導を妨げる。斜め熱障壁又はトレンチ610は、水平方向への熱伝導を妨げ、また同様に、垂直方向への熱伝導を妨げる。これらの2つの効果のバランスは角度に依存することになる。そのため、トレンチ610は、ポケット底面746の中心の近くの温度を、ポケット底面の他の部分に対して減少させ、したがって、ウェハ上面の中心のまたその近くの温度を減少させることになる。
図11のウェハキャリアは、内側の斜めトレンチ620が、ウェハキャリアの上面に対して開口するが、下面に対して開口しないことを除いて、図10のウェハキャリアと同一である。そのため、トレンチ620は、ギャップ73と連通するように、ポケットの底面746を貫通して延びている。しかし、トレンチ620は、ウェハキャリア850の下面860を貫通して延びてはいない。
図12のウェハキャリアは、外側トレンチ630(図12)が、ウェハ支持表面756のすぐ内側でポケットの底面746に交差するため、トレンチの一方の壁が、ウェハ支持表面の内部エッジにおいて段差表面810と連続になることを除いて、図10のウェハキャリアと同一である。
図13のウェハキャリアは、内側の斜めトレンチ620が、ウェハキャリアの下面ではなく上面に対して開口することを除いて、図12のウェハキャリアと同一である。トレンチ620は、ポケット底面746に交差し、ギャップ73に露出されるが、ウェハキャリア850の下面860を貫通して延びてはいない。
図14のウェハキャリアは、図10のウェハキャリアと同様であるが、斜めトレンチである外側トレンチ640を有する。外側トレンチ640は、ウェハ支持表面752と周壁742の接合部で又はその近くでウェハ支持表面752に交差する。トレンチ640の画定面は、円錐の一部分の形態であり、かつ、水平面に対して角度βで延びている。トレンチ640は、ウェハキャリア下面860に交差しない。角度βは、好ましくは、約90°から約30°の範囲内にある。
図15のウェハキャリアはまた、図10のウェハキャリアと同様であるが、ポケット底面746に交差し、かつ、水平面に対して角度αで延びる外側の斜めトレンチ650を有する。この実施形態でも、外側トレンチはウェハキャリアの下面ではなく上面に対して開口する。そのため、トレンチは、ギャップ73に連通するが、ウェハキャリア850の下面860を貫通して延びてはいない。トレンチ650は、全体的にポケットの垂直軸に同心の円錐の一部分の形態であり、水平面に対して角度αで配設される。角度αは、望ましくは、約90°から約10°であり、より小さい角度は、角度トレンチ610に入るようには延びていない角度トレンチ650によって制限される。
図16は、図10の配置構成の別の変形を示し、ポケットの軸を直接取り囲む領域内でウェハキャリアの下部から体積900が取除かれる。その開示が参照により本明細書に組み込まれる、同時係属中の本出願の譲受人に譲渡された米国特許公報第2010/0055318号(2013年6月19日に公開された公報第EP2603927号)に開示されるように、ウェハキャリアの熱コンダクタンスは、その厚さを変化させることによって変化する可能性がある。そのため、ポケット軸768においてポケット底面746の下にあるウェハキャリアの比較的薄いセクション707は、ウェハキャリアの他のセクションに比べて実質的に大きい熱コンダクタンスを有することになる。主に伝導ではなく放射によって熱がウェハキャリアの下部に伝達されるため、取り除かれる体積900は、ウェハキャリアのこの部分をそれほど断熱しない。そのため、ポケット底面の中心は、他の部分よりも高温になることになる。突出エッジ709は、セクション711からの放射を遮断する傾向があり、底面746の対応するセクションを冷たくすることになる。この配置構成は、例えば、ウェハが、ポケットの中心でポケットの底面746から離れるように反る傾向がある場合に使用される可能性がある。この場合、ポケットの中心におけるギャップ73の熱コンダクタンスは、ポケットのエッジの近くのギャップの熱コンダクタンスよりも低いことになる。ポケット底面上での不均等な温度分布が、ギャップの不均等なコンダクタンスを相殺することになる。反対の効果は、ウェハキャリアを選択的に肉厚化して、そのコンダクタンスを減少させることによって得られる可能性がある。
図10を参照して先に述べたように、トレンチ610(図10)等の斜めトレンチは、垂直方向への熱伝導を減少させ、したがって、ポケット底面の部分等の、斜めトレンチを覆うウェハキャリア表面の部分の温度を減少させる可能性がある。図3を参照して先に述べた障壁48等のトレンチ以外の熱障壁はまた、ウェハキャリアの水平面に対して斜めである画定面によって形成される可能性がある。更に、ウェハキャリアは、熱伝導率を減少させるのではなく熱伝導率を局所的に増加させる熱特徴部を備える可能性がある。先に述べた実施形態において、トレンチ及びギャップは、固体又は液体材料を実質的に含まないため、これらのトレンチ及びギャップは、動作中にチャンバ内のプロセスガス等の、周辺部内に存在するガスで充填されることになる。こうしたガスは、ウェハキャリアの固体材料よりも低い熱伝導率を有する。しかし、トレンチ又は他のギャップは、耐火性コーティング、例えば炭化物、窒化物、又は酸化物が有る状態又は無い状態で、炭化ケイ素、グラファイト、窒化ホウ素、炭化ホウ素、窒化アルミニウム、アルミナ、サファイア、石英、及びその組み合わせ等の非金属性の耐火性材料で、又は、耐火性金属で充填される可能性がある。ウェハキャリアの固体充填物と周辺材料との間の界面が、ガスを含まないように、固体充填物がトレンチ又はギャップ内に形成される場合、また、固体充填物が周辺材料よりも高い伝導率を有する場合、充填されたトレンチ又はギャップは、ウェハキャリアの周辺部分よりも高い熱伝導率を有することになる。この場合、充填されたトレンチ又はギャップは、増大したコンダクタンスを有する特徴部を形成することになり、その特徴部は、先に述べた熱障壁と逆の方法で働く。本開示で使用される用語「熱制御特徴部(thermal control feature)」は、熱障壁と増大したコンダクタンスを有する特徴部の両方を含む。
先に述べた実施形態において、ポケットに関連する熱制御特徴部は、ポケット軸の周りにもっぱら延びており、こうした軸の周りに対称であるため、各熱特徴部の画定面は、円柱又は円錐等の、ポケット軸の周りの完全な回転表面である。しかし、熱制御特徴部は、非対称、途切れ状、又は両方とすることができる。そのため、図17に示すように、トレンチ801は、それぞれがポケット軸868の周りに部分的に延びる3つのセグメント801a、801b、及び801cを含む。セグメントは、場所803において途切れ部によって互いから分離される。別のトレンチ805は、隣接する穴の各対の間でトレンチが途切れるように、一連の別個の穴807として形成される。トレンチ内の途切れ部は、ウェハキャリアの機械的完全性を保存するのに役立つ。
図18に見られるように、単一トレンチ901aは、ポケット940aのポケット軸968aの周りに単に部分的に延びている。このトレンチは、他のポケット940b、940c、及び940dに関連するトレンチ901b、901c、及び901dと連続するため、トレンチ901aから901dは、4つの隣接するポケットのグループの周りに延びる単一の連続トレンチを形成する。ポケット940aの周縁のすぐ外側に配設された更なるトレンチ903aは、ポケットの周りに部分的に延びており、隣接するポケットに関連する対応するトレンチ903b〜903dと結合する。更なる変形(図示せず)において、単一の連続トレンチは、ウェハキャリア上のポケットの密度に応じて、2つ又は3つの隣接するポケットのグループの周りに延びる場合がある、又は、5つ以上の隣接するポケットのグループの周りに延びる場合がある。ポケット間の連続ブリッジの場所並びに連続トレンチの長さ及び幅は変わる可能性がある。連続ブリッジは、例えば、連続トレンチ又は一連の別個の穴(例えば、図17に示す穴807)から形成される可能性がある。
ウェハキャリアの表面上の複数のポケットの場所は、ウェハキャリア上の温度分布に影響を及ぼす可能性がある。例えば、図18に示すように、ポケット940a〜940dは、ウェハ上面の小さな領域909を取り囲む。図9に関連して先に説明したように、各ポケットにおけるウェハとギャップの断熱効果は、キャリアの隣接する領域に対する水平方向の熱の流れをもたらす傾向がある。そのため、領域909は、キャリア上面の他の領域よりも熱くなる傾向があることになる。トレンチ903a〜903dはこの効果を減少させる。
そのため、熱制御特徴部は、全体としてキャリアの表面の真上の、並びに、個々のウェハの表面の真上の温度分布を制御するために必要に応じて使用される可能性がある。例えば、隣接するポケット及びウェハの効果のせいで、個々のウェハの表面の真上の温度分布は、ポケット軸の周りに非対称になる傾向がある場合がある。ポケット軸の周りに非対称であるトレンチ等の熱制御特徴部はこの傾向を相殺する可能性がある。本明細書で述べられる熱制御特徴部を使用して、ポケットの軸の周りの半径方向及び方位方向の任意の所望の温度分布が達成される可能性がある。
トレンチは、ポケットの、又は、ポケット内の支持表面の全体的な輪郭に全体的にたどる回転表面である必要はない。そのため、トレンチは、ウェハ上で所望の温度プロファイルを達成する任意の他の幾何形状である可能性がある。こうした幾何形状は、例えば、円、楕円、オフアクシス(又は、オフアラインド(off-aligned)とも呼ばれる)円、オフアクシス楕円、サーペンタイン(オンアクシスとオフアクシス(又は、オフアラインドとも呼ばれる)の両方)、スパイラル(オンアクシスとオフアクシス(又は、オフアラインドとも呼ばれる)の両方)、クロソイド(clothoide)(コルニュのスパイラル(cornu spiral))(オンアクシスとオフアクシス(又は、オフアラインドとも呼ばれる)の両方)、パラボラ(オンアクシスとオフアクシスの両方)、長方形(オンアクシスとオフアクシス(又は、オフアラインドとも呼ばれる)の両方)、三角形(オンアクシスとオフアクシス(又は、オフアラインドとも呼ばれる)の両方)、多角形、オフアクシス多角形、及び同様なもの等、又は、ランダムに設計され整列されたトレンチであって、特定のウェハキャリアに関して評価された標準的なウェハに幾何学的に基づくのではなく、標準的なウェハの熱プロファイルに基づく可能性がある、ランダムに設計され整列されたトレンチを含む。先の幾何形状はまた、形態が非対称である可能性がある。2つ以上の幾何形状が存在する可能性がある。
幾つかの事例において、トレンチは、ウェハキャリアの上面及び下面に対して開口するように、ウェハキャリアを貫通してもっぱら延びる場合がある。これは、例えば、図19〜図21に示す方法で達成される可能性がある。
そのため、図19において、トレンチ660は、ウェハ支持表面756から延びており、ウェハキャリアの下部850を貫通して抜ける。支持体920は、ポケット軸の周りの離間した場所で、シェルフ922上でトレンチ内に配設される。支持体920は、例えば、先に述べたモリブデン、タングステン、ニオブ、タンタル、レニウム、並びにその合金(他の金属を含む)等の断熱材料又は耐火材料で作られる可能性がある。代替的に、トレンチ660は、固体材料でもっぱら充填される可能性がある。
図20は、別の例のトレンチ670を示し、トレンチ670は、支持表面756から延びており、ウェハキャリアの下部850を貫通して抜ける。支持体920は、ポケット軸の周りの種々のポイントでシェルフ922及び924上に設置される可能性がある。
図21は、別の例のトレンチ680を示し、トレンチ680は、ポケット底面46を貫通して延びており、また同様に、ウェハキャリア下面860を貫通して延びている。ここで再び、支持体920は、トレンチ全体を通して種々のポイントでシェルフ922及び924上に設置される可能性がある。
図16、図19、図20、及び図21のそれぞれにおいて、垂直ライン701及び703は、キャリアのポケット内に配設されたウェハのエッジを概略的に示す。
本発明の更なる実施形態によるウェハキャリア(図22)は、主部分1038及び各ポケット1040に整列した副部分1044を有する本体を含む。各副部分1044は、主部分1038と一体に形成される。内側トレンチ1010及び外側トレンチ1012は各ポケットに関連する。トレンチのそれぞれは、全体的に、ポケットの垂直軸1068に同心の直円柱の形態である。外側トレンチ1012は、ポケット1040の周縁の近くに配設され、内側トレンチ1010の周りに延びている。内側トレンチ1010は、ウェハキャリア本体の下面1036に対して開口し、下面から端面1011まで上方に延びている。外側トレンチ1012は、ウェハキャリアの上面1034に対して開口し、端面1013まで下方に延びている。端面1013は、端面1011の下に配設されるため、内側及び外側トレンチは、互いにオーバラップし、両者の間に全体的に垂直な円柱壁1014を協働して画定する。この配置構成は、副部分と主部分との間に非常に効果的な熱障壁を提供する。ウェハキャリアの固体材料を通る副部分1044と主部分1038との間の熱伝導は、壁1014の垂直範囲を通る細長い経路をたどらなければならない。同じ効果は、トレンチが反転され、内側トレンチが上面に対して開口し、外側トレンチが下面に対して開口するときに得られる。同様に、同じ効果は、内側トレンチ、外側トレンチ、又は両方が、斜めトレンチ、例えば、図14に見られる全体的に円錐のトレンチである場合、又は、トレンチの一方又は両方が、トレンチ以外の熱障壁によって置換される場合に得られる可能性がある。
本発明の更なる実施形態によるウェハキャリア(図22)は、主部分1038及び各ポケット1040に整列した副部分1044を有する本体を含む。各副部分1044は、主部分1038と一体に形成される。内側トレンチ1010及び外側トレンチ1012は各ポケットに関連する。トレンチのそれぞれは、全体的に、ポケットの垂直軸1068に同心の直円柱の形態である。外側トレンチ1012は、ポケット1040の周縁の近くに配設され、内側トレンチ1010の周りに延びている。内側トレンチ1010は、ウェハキャリア本体の下面1036に対して開口し、下面から端面1011まで上方に延びている。外側トレンチ1012は、ウェハキャリアの上面1034に対して開口し、端面1013まで下方に延びている。端面1013は、端面1011の下に配設されるため、内側及び外側トレンチは、互いにオーバラップし、両者の間に全体的に垂直な円柱壁1014を協働して画定する。この配置構成は、副部分と主部分との間に非常に効果的な熱障壁を提供する。ウェハキャリアの固体材料を通る副部分1044と主部分1038との間の熱伝導は、壁1014の垂直範囲を通る細長い経路をたどらなければならない。同じ効果は、トレンチが反転され、内側トレンチが上面に対して開口し、外側トレンチが下面に対して開口するときに得られる。同様に、同じ効果は、内側トレンチ、外側トレンチ、又は両方が、斜めトレンチ、例えば、図14に見られる全体的に円錐のトレンチである場合、又は、トレンチの一方又は両方が、トレンチ以外の熱障壁によって置換される場合に得られる可能性がある。
本発明の更なる実施形態によるウェハキャリア(図23)はまた、主部分1138を有し、各ポケット1140に整列した副部分1144を有する本体を含み、副部分1144は、主部分1038と一体である。キャリアの上面1134に対して開口する上側トレンチ部分1112及びキャリアの下面1136に対して開口する下側トレンチ部分1111を含むトレンチは、ポケットの垂直軸1168の周りに延びている。上側トレンチ部分1112は、下側トレンチ部分1111の上で終端するため、副部分1144及び主部分1038と一体の、固体材料の比較的薄いウェブ1115の形態の支持体が、上側部分と下側部分との間でトレンチを横切って延びている。支持体1115は、副部分1114の質量の中心1119をインターセプトする水平面1117に又はその近くに配設される。換言すれば、支持体1115は、副部分1144の質量の中心と垂直方向に整列する。動作中、ウェハキャリアが、ウェハキャリアの中心軸1125の周りに高速で回転するとき、副部分14に対する加速力又は遠心力は、平面1117に沿って中心軸から離れるように外に方向付けられることになる。支持体1115が、加速力の平面に整列するため、曲げを受けないことになる。これは、曲げ荷重が材料の一部にかなりの引張り力をかける可能性があるため、ウェハキャリア本体の材料が、引張り力よりも圧縮力が実質的に強い場合に特に望ましい。例えば、グラファイトは、引張り力よりも圧縮力が約3〜4倍強い。支持体1115が、加速力のせいでそれほど曲げ荷重を受けないことになるため、比較的薄い支持体が使用される可能性がある。これは、支持体を通る熱伝導を減少させ、トレンチによって提供される断熱を増大させ、それが、次に、ウェハにわたる、また、全体としてウェハキャリアにわたる熱均一性を増大させる。
図23の特定の実施形態において、支持体1115は、ポケット軸1168の周りにもっぱら延びる連続ウェブとして示される。しかし、支持体を副部分の質量の中心の垂直位置に整列させるという同じ原理は、支持体が、本体の副部分1144と主部分1138との間に延びる断熱された小ブリッジ等の、連続ウェブ以外の要素を含む場合に適用される可能性がある。
更なる変形(図示せず)において、上側トレンチ部分1112は、全体として、ウェハキャリアの材料よりも実質的に低い熱伝導率を有する材料から望ましくは形成されるカバー素子によって覆われる可能性がある。こうしたカバーの使用は、上面に対して開口するトレンチ又はトレンチの一部分によって引起される場合があるガスの流れのどんな乱れも回避する。こうしたカバー素子は、ウェハキャリアの上面に対して開口する任意のトレンチと共に使用される可能性がある。例えば、図3に示す周縁トレンチ41は、上面に対して開口する単一トレンチとして、又は、図3に見られる上側及び下側トレンチ部分を組み込む複合トレンチとして形成される可能性があり、また、カバーは、上面内のトレンチの開口を覆うために使用される可能性がある。
図24は、本発明の更なる実施形態による別のウェハキャリアを示す。この実施形態において、各ポケットは、アンダーカット周壁934を有する。すなわち、周壁934は、キャリアの上面902から離れて下方向に、ポケットの中心軸938から離れるように外に傾斜する。各ポケットはまた、ポケットの底面926の上に配設された支持表面930を有する。動作中、ウェハ918は、ウェハが底面の上で支持表面930上に支持されて、底面926とウェハとの間にギャップ932を形成するように、ポケット916内に着座する。キャリアがキャリアの軸の周りに回転すると、加速力が、ウェハのエッジを支持表面に係合させ、支持表面と係合状態でウェハをポケット内に保持することになる。支持表面930は、ポケットを取り囲む連続リムの形態である場合がある、そうでなければ、ポケットの円周の周りの離間した場所に配設されたシェルフのセットとして形成される場合がある。同様に、ポケットの周壁934は、ポケットの周壁から中心軸938に向かって内側に延びる小さな突出部のセット(図示せず)を備える場合がある。その開示が参照により本明細書に組み込まれる、同一人物によって所有された米国特許公報第2010/0055318号(2013年6月19日に公開された欧州特許公報第EP2603927A1号)により詳細に記載されるように、こうした突出部は、動作中、ポケットの周壁からわずかに離れてウェハのエッジを保持することができる。
ウェハキャリアは、主部分912及び各ポケット916に整列した副部分912を有する本体を含む。各副部分912は、主部分914と一体に形成される。トレンチ908は、各ポケットに関連し、また、全体的に、ポケットの垂直軸938に同心の直円柱の形態である。トレンチ908は、ポケット916の周縁の近くに又は周縁に配設される。トレンチ908は、ウェハキャリア本体の下面904に対してだけ開口し、下面から端面910まで上方に延びている。端面910は、望ましくは、ポケットの底面926のレベルよりも下に配設される。
本発明の更なる実施形態によるウェハキャリアは、図25〜図27に示される。底面図(図25)に見られるように、キャリアは、垂直のキャリア中心軸2503を有する全体的に円形のディスクの形態の本体2501を有する。取り付け部2524は、キャリアをウェハ処理装置のスピンドルに取り付けるために、キャリア中心軸に設けられる。本体は、図25に見ることができる下面2536、及び、図27に見られる上面2534を有し、図27は、図25の線27−27に沿う断面図であり、かつ、反転された本体を示す。本体の周面2507(図27)は円柱であり、かつ、キャリア中心軸2503(図25)に同軸である。リップ2509は、上面2534に隣接して周面2507から外に突出する。リップ2509は、ロボットキャリアハンドリング機器(図示せず)によってキャリアが容易に係合されるように設けられる。
キャリアは、下面2536に対して開口するトレンチ2511の形態のポケット熱制御特徴部を有する。ポケットトレンチ2511及びキャリアの上面上のポケットに対するその関係は、実質的に、図24を参照して先に示され述べられたものとすることができる。1つのポケット2540の輪郭は、図25において2626で示すエリアの詳細図である図26において波線で示される。ここで再び、各ポケット2540は、全体的に円形であり、垂直ポケット軸2538を画定する。下面内の各ポケットトレンチ2511は、上面内の関連するポケットの軸2538と同心である。各ポケットトレンチは、関連するポケットの周縁に整列状態で延びているため、各ポケットトレンチの中心ラインはポケットの周壁と一致する。そのため、各ポケットトレンチは、関連するポケット2540の下に配設されるキャリア本体の部分2513の周りに延びている。図25〜図27の実施形態において、ポケット2540の全てが、キャリアの周縁の近くに配設されるアウトボードポケットであり、これらのポケットとキャリアの周縁との間に介在する他のポケットを持たない。
図25に最もよく見られるように、互いに隣接するポケットに関連するポケットトレンチ2511は、関連するポケットのポケット軸2538間に配設された場所2517で互いに結合する。これらの場所において、ポケットトレンチは、互いに実質的に正接する。
図25及び図26に見られるように、各ポケットトレンチは、関連するポケットの軸2538を通ってキャリア中心軸2501から延びる、半径方向ライン2521に沿って配設された大きな途切れ部2519を有する。換言すれば、各ポケットトレンチ内の大きな途切れ部2519は、キャリアの周縁に最も近いトレンチの部分に存在する。各ポケットトレンチは、同様に、他の場所に1つ又は複数の小さな途切れ部を有する場合がある。
この実施形態によるキャリアはまた、キャリア中心軸2503に同心のトレンチの形態の周縁熱制御特徴部2523を含む。この周縁トレンチ2523は、ポケットトレンチ内の大きな途切れ部2519と同じ半径方向ライン2521に沿って存在する途切れ部2525を有する。そのため、ポケットトレンチ2511内の大きな途切れ部2519は、周縁トレンチ内の途切れ部2525に整列する。図26に最もよく見られるように、各アウトボードポケットの下の領域2513と周面2507を接続する半径方向ライン2521に沿う直線経路は、どの熱制御特徴部又はトレンチも通過しない。同様に図26に見られるように、上面内の各アウトボードポケットの境界は、周面2507まで又はほぼ周面2507まで延びている。この配置構成は、キャリアの上面上でポケット用の最大空間を可能にする。
図28は、更なる実施形態によるウェハキャリア1200の下側の部分を示す。この実施形態において、ポケットトレンチ1202は個々の穴からなる。各ポケットトレンチ1202は、関連するポケットの中心軸1212の周りに完全に延びており、したがって、ポケットの下に配設されるキャリアの領域1206を取り囲む。同様に、個々の穴からなるトレンチ1204は、隣接するポケットの中心軸1210の周りに完全に延びており、ポケットの下に配設される領域1208を取り囲む。トレンチ1202及び1204は、隣接するポケットの軸1201と1212との間に配設される場所で単一トレンチ1214を形成するように交差する。
この実施形態において、図25〜図27の実施形態の場合と同様に、キャリアは、途切れ部1221を有するトレンチ1220の形態の周縁熱制御特徴部を有する。この実施形態において、ポケットトレンチは、周縁トレンチ1220の途切れ部1221に入るように延びている。周縁トレンチ1220は、ウェハキャリア1200の周面1230から中に入ったすぐの所に着座する。トレンチ1220は、ウェハキャリア1200のエリア1222の温度を制御するのに役立つ。別個の穴から形成されるトレンチ1202及び1204並びに単一トレンチとして形成される1220が、本明細書で実現される他のトレンチとして形成される可能性があることが認識されるであろう。
中心ライン1205aはトレンチ1204のために示され、中心ライン1205bはトレンチ1202のために示される。図28に示す実施形態において、トレンチ1202の中心ライン1205bは、キャリアの周面1230から遠いトレンチの領域内でポケット軸1212から第1の半径R1に存在するため、トレンチの中心ライン1205bは、ポケットの周壁にほぼ一致する。キャリアの周面の近くに配設されるトレンチ1202の領域において、周縁トレンチ1220の途切れ部1221内で、ポケットトレンチは、ポケット軸から第2の半径R2に存在し、R2はR1よりもわずかに小さい。換言すれば、トレンチ1202は、全体的に、ポケット軸1212に同心の円の形態であるが、キャリアの周縁の近くにわずかに平坦な部分を有する。これは、ポケットトレンチが、キャリアの周面1230を交差しないことを保証する。
図29及び図30は、本発明の更なる実施形態によるウェハキャリア1250の下側の部分を示す。この実施形態において、ポケットトレンチ1262、1272(図29)は、構造的強度のためにわずかな途切れ部1266、1268だけを有する実質的に連続するトレンチとして形成される。ここで再び、各ポケットトレンチは、上面内のポケットの下に配設されるキャリアの領域の周りに延びている。図28の実施形態の場合と同様に、ポケットトレンチ1262及び1272は、全体的に円形であり、また、関連するポケットのポケット軸に同心であるが、キャリアの周縁に隣接して平坦部分を有する。
図30に最もよく見られるように、キャリアの周縁から遠いトレンチ1262の領域において、トレンチは、関連するポケットの中心軸1238から第1の半径R1において存在するため、トレンチの中心ラインは、図30において波線で見られる関連するポケットの周壁1240にほぼ一致する。キャリアの周縁に隣接するトレンチの領域において、ポケットトレンチは、ポケットの中心から、より小さい半径R2において存在する。同様にこの実施形態において、ポケットトレンチは、周縁熱制御特徴部又はトレンチ1280内の途切れ部1281に入るように延びている。トレンチ1262及び1272が接して、隣接するポケットの軸間の場所で単一トレンチ1265を形成する。トレンチ1262、1264、1272、1274、及び1280が、本明細書で実現される他のトレンチとして形成される可能性があることが認識されるであろう。
図31は、更に別の実施形態によるウェハキャリア1400の下側の部分を示す。この実施形態において、ポケットトレンチ1410は、構造的強度のためにわずかな途切れ部だけを有する、関連するポケットの軸1411に同心の円の形態の実質的に連続するトレンチである。そのため、ポケットトレンチ1410は、わずかな途切れ部1430、1432、及び1434によって分離されたセグメント1414a、1414b、及び1414cを含む。ここで再び、キャリアは、各アウトボードポケットの中心軸1411を通ってキャリア中心軸1403から延びる、半径方向ラインに整列した途切れ部1423を有するトレンチ1422の形態の周縁熱制御特徴部を含む。この実施形態において、アウトボードポケットは、ポケットトレンチがキャリアの周面をインターセプトしないようにキャリアの周縁から十分に遠くにある。
図25〜図31を参照して先に述べた実施形態のそれぞれにおいて、ポケットの全てがキャリアの周縁に隣接して存在するアウトボードポケットである。しかし、これらの実施形態の変形において、より大きなキャリア又はより小さいポケットを使用して、更なるポケットが、アウトボードポケットとキャリア中心軸との間に配設される場合がある。これらの更なるポケットは、同様にポケットトレンチを備える可能性がある。例えば、図32のキャリアは、アウトボードポケット(図32の底面図には示さない)の下に配設されたキャリアの領域1371の周りに延びるアウトボードポケットトレンチ1362を含む。キャリアはまた、インボードポケット(図示せず)の下に配設されたキャリア本体の部分1381の周りに延びるインボードポケットトレンチ1380を有する。
種々のトレンチ幾何形状が、互いに組み合わされ、変化する可能性がある。例えば、先に述べたトレンチのうちの任意のトレンチは、キャリアの上面に対して、キャリアの下面に対して、又は両方に対して開口する可能性がある。同様に、個々の実施形態に関して先に述べた他の特徴部が、互いに組み合わされる可能性がある。例えば、ポケットのうちの任意のポケットは、任選選択で、図1〜図5を参照して述べたロックを備える可能性がある。周縁熱制御特徴部は、トレンチである必要があるのではなく、キャリアの上面又は下面までは延びていないギャップ、又は、熱障壁48(図3)で使用される固体素子間の当接面の対である可能性がある。
本発明において有用である別のタイプのウェハキャリアは、その内容が参照により本明細書に組み込まれる、「Multi-Wafer Rotating Disc Reactor With Inertial Planetary Drive」という名称の、2011年12月8日に公開された米国特許出願公報第US20110300297号に記載されたプラネタリーウェハキャリアである。
更なる改良
CVDシステムにおいて、ウェハキャリアは、放射によって主に加熱され、放射エネルギーはキャリアの下部に突き当たる。低温壁(cold-wall)CVD反応器の設計(すなわち、非等温加熱を使用する設計)は、ウェハキャリアの上面が下面よりも冷たい反応チャンバ内の状況を生成する。ウェハが存在しない状態の図33を参照すると、図示のウェハキャリア断面の内部で矢印として示す熱ストリームライン3302は、キャリア内で下面から上面に対して垂直に延びており、キャリアバルクのほとんどについて平行である。キャリアの上面はより冷たく、熱エネルギーは上方に(低温板(cold-plate)、制限された入口、及びシャッタに向かって)放射される。キャリア上にウェハがない状態で、(キャリアの真上を通過するガスストリームラインからの)ウェハキャリアの対流冷却は、二次的効果である。
CVDシステムにおいて、ウェハキャリアは、放射によって主に加熱され、放射エネルギーはキャリアの下部に突き当たる。低温壁(cold-wall)CVD反応器の設計(すなわち、非等温加熱を使用する設計)は、ウェハキャリアの上面が下面よりも冷たい反応チャンバ内の状況を生成する。ウェハが存在しない状態の図33を参照すると、図示のウェハキャリア断面の内部で矢印として示す熱ストリームライン3302は、キャリア内で下面から上面に対して垂直に延びており、キャリアバルクのほとんどについて平行である。キャリアの上面はより冷たく、熱エネルギーは上方に(低温板(cold-plate)、制限された入口、及びシャッタに向かって)放射される。キャリア上にウェハがない状態で、(キャリアの真上を通過するガスストリームラインからの)ウェハキャリアの対流冷却は、二次的効果である。
ウェハキャリアからの放射性放出の程度は、キャリア及び周辺コンポーネントの放射率によって決定される。低温板、CIF、シャッタ、及び他の領域等の、反応チャンバの内部コンポーネントを高放射率材料(すなわち、現在の光沢のある銀部分の代わりにブラックコーティング又はより粗いコーティング)に変更することは、放射熱伝達の増加をもたらす可能性がある。同様に、キャリアの放射率を減少させること(白色化又は他の現象)は、キャリアから放射熱取出しの減少をもたらすことになる。キャリア表面の対流冷却の程度は、ガス混合物(H2、N2、NH3、OMS等)の熱容量と共に、チャンバを通して圧送する全体のガス流量によって推進される。
ポケット内にサファイアウェハ等のウェハを導入することは、熱ストリームの横断成分を増大させ、「ブランケッティング(blanketing)」効果をもたらす。例えば、キャリア上の単一ウェハの単純な場合を考える。この場合、近くのウェハの存在から生じる熱パッキング(幾何学的)問題は全く存在しない。そのため、熱ストリームラインは、図33の非平行矢印で示すように、横方向勾配を生成する最小抵抗の経路をとる。この現象は、中心でより熱く、ポケットの他の半径に向かってより低い温度である、ポケット底における半径方向熱プロファイルをもたらす。この横方向勾配効果を減少させるアプローチは、ポケットを断熱するために熱障壁、又はトレンチ、例えばトレンチ41を使用して先に述べられている。ウェハキャリアの下面から材料を取除くことによって形成される、こうした熱障壁又はトレンチによって、横方向熱伝達は、トレンチ/熱障壁の上の小領域に制限される。
この構造に関する1つの実際的な問題は、キャリアの下部で露出されるトレンチがキャリアの構造的完全性を減少させることである。そのため、関連する実施形態において、複数ピース断熱キャリアが設けられ、それにより、下部プレートは、構造的支持を提供するためバルクウェハキャリア部分に固着される。例えば、図34に示すように、下部プレート3450が、ねじ3452を使用してウェハキャリアに取り付けられる。ねじ3452は、ウェハキャリアバルクと同じ材料、例えばグラファイトから作られるため、熱応力を回避することができる。ウェハキャリア本体の熱膨張係数に匹敵する熱膨張係数を有する、金属、セラミック、又は複合材料等の他の適した材料もまた企図される。
下部プレート3450が固着された後、下部プレート3450は、その後、SiCコーティング3454によって、ウェハキャリアの残りと共にカプセル化され、それにより、より強い一体型ウェハキャリアを生成する。組み立てられたこのウェハキャリアは、完全に埋め込まれる(すなわち、ウェハキャリアの本体によって全ての面を包囲されている)1つ又は複数の内部キャビティ3456を有する。種々の内部キャビティのサイズ、形状、及び向きが、種々の実施形態に従って企図される。例えば、上述したトレンチ又は熱障壁の任意のものが、このタイプの実施形態に従って埋め込まれる可能性がある。
図35は、種々のタイプの実施形態の変形を概略的に示す。ここで、空気ポケット3502とも呼ばれる埋め込み式キャビティ3502は、主に水平の向きに配向し、ポケットの下以外のウェハキャリアの領域に配置されるサイズに作られ、位置決めされる。
図36は、図35の実施形態の埋め込み式キャビティが位置することができるポケット間の領域3602の例示的なセットを示すウェハキャリアの図である。
図37A及び図37Bは、図35〜図36の実施形態の変形を示す断面図である。ここで、埋め込み式キャビティは利用されず、むしろ、ウェハポケット間に存在する領域3602の下のウェハキャリアの下面に切欠き部3702が作られる。切欠き部3702は、ウェハキャリアの下面内の窪みとして述べられる可能性がある。種々のアプローチにおいて、切欠き部の深さは、図37Aに示すように平坦であるか又は図37Bに示すように湾曲する可能性がある。切欠き部3702の深さプロファイルは、ウェハキャリアサイズ、ウェハサイズ、ウェハポケットの数、ウェハポケットの相対的配置、ウェハキャリア厚さ、反応チャンバ構造、及び他の因子に応じて変化する場合がある。
図37A及び図37Bは、図35〜図36の実施形態の変形を示す断面図である。ここで、埋め込み式キャビティは利用されず、むしろ、ウェハポケット間に存在する領域3602の下のウェハキャリアの下面に切欠き部3702が作られる。切欠き部3702は、ウェハキャリアの下面内の窪みとして述べられる可能性がある。種々のアプローチにおいて、切欠き部の深さは、図37Aに示すように平坦であるか又は図37Bに示すように湾曲する可能性がある。切欠き部3702の深さプロファイルは、ウェハキャリアサイズ、ウェハサイズ、ウェハポケットの数、ウェハポケットの相対的配置、ウェハキャリア厚さ、反応チャンバ構造、及び他の因子に応じて変化する場合がある。
非同心のポケット場所を有するマルチウェハポケット幾何形状の場合、熱プロファイルはより複雑になる。その理由は、対流冷却が、ウェハキャリアとウェハ領域の両方の真上を通過する履歴的なガスストリームライン経路に依存するからである。高速回転ディスク反応器の場合、ガスストリームラインは、全体的に接線の方向に内径から外径に外に渦巻き形に進む。この場合、ガスストリームラインがウェハキャリアの露出部分(ウェハ間の領域3602等)の真上を通過するとき、ガスストリームラインがウェハの真上を通過する領域に比べてガスストリームラインは加熱される。一般に、これらの領域3602は、キャリアの他の領域に比べて非常に熱い。その理由は、ブランケッティング効果による熱束ストリームラインがストリームラインをこの領域に流したからである。そのため、ウェブの真上を通過するガス経路は、対流冷却による温度の接線方向勾配を生成し、その勾配は、後縁(ウェハの真上を流れる流体ストリームラインの出口)に比べて前縁(ウェハに対する流体ストリームラインの入口)で熱い。
別の実施形態において、この接線方向勾配は、(非ポケット領域3602内の)ウェハキャリア表面温度を、ウェハの成長表面の温度に近い温度に下げることによって減少される可能性がある。上述した断熱特徴部は、ウェブ領域内への熱ストリームライン集中を減少させる。
図38は、図37A〜図37Bに示す実施形態の変形である別の実施形態を示す。ここで、切欠き部3802は、ウェハポケット間の各領域3602の下に作られる。切欠き部3802は、実質的に深く、ウェハキャリアの深さのほぼ全体わたって延びている。関連する実施形態において、プレート3450等の下部プレートは、図34に示すように付加されて、切欠き部3802から埋め込み式キャビティを生成する。
図38に示すような断熱切欠き部は、ギャップのコンダクタンスの減少(またその結果、切欠き部の上のキャリア表面から出る低い熱束)によって局所的温度を生成することになる。しかし、切欠き部の幅を増加させることは、切欠き部の屋根の直接放射加熱を増加させ、所望の効果を逆転させる可能性がある。したがって、本発明の関連する態様において、断熱特徴部の近傍のウェハキャリア領域の加熱が管理される。1つのアプローチによれば、断熱領域の幅及び幾何形状は、切欠き部の上面の直接加熱を制限するために特に定義される。
図39は、深い切欠き部と水平チャネルの組み合わせ体3902が利用される1つのこうした実施形態を示す。特に、組み合わせ体3902の内面は、SiCによってコーティングされる。組み合わせ体3902は、プロセス雰囲気がそこに入り、そこを通って流れることを許容し、それにより、非ポケットエリアの下の領域3602が比較的に冷たいままになる。
図40は、開口した切欠き部4004と埋め込み式ポケット4006の組み合わせ体4002が構築される別の実施形態を示す。図39のアプローチと比較すると、このアプローチは、ガス充填式ポケットの断熱特性を利用するが、断熱部分を通るプロセスガスの流れを制限することによって、或る程度異なるようにウェハキャリア本体内の温度を管理する。
図41に示す別の関連する実施形態において、固体材料4102のスタックが、断熱特徴部の部分に挿入される。固体材料は、同じ材料の層状化ピースであるか又は2つ以上の材料を使用するサンドイッチ構造である可能性がある。ウェハキャリアバルクと同じである材料(例えば、グラファイト)さえも、減少した熱伝達を提供することになる。その理由は、材料界面の前後のコンダクタンス移行が、連続接合式材料に比べて効率的でないからである。固体スタックを含む1つの利点は、固体スタックが、上記実施形態の幾つかで示した開放空気切欠き部に比べて構造的に強くなるように製造される可能性があるからである。種々の実施形態において、層状構造は、適した締結手段、例えば、ねじ、接着剤等を使用して留められる。
図42は、シリコンウェハを扱うウェハキャリアに適する別のタイプの実施形態を示す。一般に、先の議論のほとんどは、シリコンウェハプラットフォームに適用される可能性がある。しかし、ウェハの不透明度は、熱伝達特性の一部に影響を及ぼす。通常、シリコンウェハは、サファイア(現在のところ、相対的にかなり小さく150〜200mmである)よりも大きな直径を有する。シリコンウェハのより大きな直径(例えば、300mm+)は、より強いブランケッティング効果をもたらす。更に、ウェハポケットからSi基板への熱の伝導伝達と放射伝達の両方が存在する。Siウェハの上面における熱の取出しはまた、放射伝達と伝導伝達の組み合わせである。Si熱特性の更なるやっかいな問題は、通常、格子不整合中に誘起される膜応力及びCTE不整合のエピタキシャル層が、かなり大きな凹状又は凸状湾曲をもたらし、それが、ポケットとウェハとの間のギャップの前後の熱伝達に著しく影響を及ぼすことである。
したがって、図42に示す一実施形態において、ポケット底が完全になくされる。ここで、加熱器とシリコンウェハとの直接放射結合が達成される可能性があり、湾曲の変化による空気−ギャップ距離の変化が無視できるほどになる。ウェハは、ウェハのまさにエッジの近くだけに下部ポケット底面を提供するシェルフによって支持される。
関連する実施形態において、2つの更なる特徴部が設けられる。シリコンウェハは、断熱支持リング4202上に位置して、ウェハのエッジに対する直接伝導熱伝達を制限する。支持リング4202は、セラミック材料(例えば、石英)等の任意の適した材料から作られる可能性がある。同様に、内部壁は、参照数字4204で示すように、開口が上部よりも下部で大きいようにアンダーカットされる。内部壁は、一実施形態において円錐台形状を有する。この配置構成は、下に位置する加熱素子からのウェハのより完全な照射を可能にする。適したアンダーカット角度は、一実施形態によれば、5°と15°との間である可能性がある。
先の実施形態は、例証的であり制限的でないことを意図される。更なる実施形態は特許請求の範囲内にある。更に、本発明の態様が特定の実施形態を参照して述べられたが、特許制球の範囲によって規定される本発明の範囲から逸脱することなく、形態及び詳細において変更が行われる可能性があることを当業者は認識するであろう。
本発明が、上述した任意の個々の実施形態において例証されるより少ない特徴を備える場合があることを当業者は認識するであろう。本明細書で述べる実施形態は、本発明の種々の特徴が組み合わされる場合がある方法の網羅的な提示であることを意味されない。したがって、実施形態は、特徴の互いに排他的な組み合わせではなく、むしろ、本発明は、当業者によって理解されるように、個々の異なる実施形態から選択される個々の異なる特徴の組み合わせを含む場合がある。
先の文書の参照によるいずれの組み込みも、本明細書における明示的な開示に矛盾するどんな主題も組み込まれないように制限される。先の文書の参照によるいずれの組み込みも、文書に含まれる請求項が、参照により本出願の請求項に全く組み込まれないように、更に制限される。しかし、文書のうちの任意の文書の特許請求項は、特に排除されない限り、本明細書の開示の一部として組み込まれる。先の文書の参照によるいずれの組み込みも、文書に規定される定義が、明確に本明細書に含まれない限り、参照により本明細書に組み込まれないように、なお更に制限される。
Claims (15)
- 化学気相堆積(CVD)によって1つ又は複数のウェハ上にエピタキシャル層を成長させるためのシステムで使用されるウェハキャリアアセンブリであって、
前記ウェハキャリアアセンブリは、中心軸の周りに対称に形成されたウェハキャリア本体と、前記ウェハキャリア本体内にある少なくとも1つのウェハ保持領域とを備え、
前記ウェハキャリア本体は、前記中心軸に対して垂直に位置する全体的に平坦な上面と、前記上面に対して平行である平坦な下面とを有し、
前記少なくとも1つのウェハ保持領域のそれぞれは、前記ウェハキャリア本体を貫通するボアを有し、前記ボアは、前記上面から前記下面まで延びており、かつ、前記ウェハキャリア本体の内周面によって画定されており、前記ウェハ保持領域は、前記内周面に沿って位置して前記上面よりも下側に窪んだ支持シェルフを更に有し、前記支持シェルフは、前記中心軸周りの回転を受けたときにウェハを前記ウェハ保持領域内に保持するように適合されている、ウェハキャリアアセンブリ。 - 前記ウェハキャリア本体の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する材料から形成された支持リングを更に備え、前記支持リングは、前記支持シェルフ上に位置しており、かつ、前記内周面からウェハを断熱するように配置されている、請求項1に記載のウェハキャリアアセンブリ。
- 前記ボアは、前記上面よりも前記下面においてより大きな開口を有し、前記内周面は円錐台形状を有する、請求項1に記載のウェハキャリアアセンブリ。
- 化学気相堆積(CVD)によって1つ又は複数のウェハ上にエピタキシャル層を成長させるためのシステムで使用されるウェハキャリアアセンブリであって、
前記ウェハキャリアアセンブリは、中心軸の周りに対称に形成されたウェハキャリア本体と、少なくとも1つのウェハ保持ポケットと、内部キャビティを有する少なくとも1つの熱制御特徴部とを備え、
前記ウェハキャリア本体は、前記中心軸に対して垂直に位置する全体的に平坦な上面と、前記上面に対して平行である平坦な下面とを有し、
前記少なくとも1つのウェハ保持ポケットは、前記上面から前記ウェハキャリア本体内に窪んでおり、前記少なくとも1つのウェハ保持ポケットのそれぞれは、底面と、前記底面を取り囲んで当該ウェハ保持ポケットの周縁を画定する周壁面とを有し、前記ウェハ保持ポケットは、前記中心軸周りの回転を受けたときにウェハを前記周縁の内側に保持するように適合されており、
前記内部キャビティは、前記ウェハキャリア本体内に形成されており、かつ、前記ウェハキャリア本体の内面によって画定されており、前記内部キャビティは、前記下面と前記上面及び前記底面の少なくとも一方とにおいて包囲されており、
前記少なくとも1つの熱制御特徴部は、ウェハ本体よりも低い熱伝導率を有する、ウェハキャリアアセンブリ。 - 前記少なくとも1つの熱制御特徴部は、前記下面と前記底面との間ではなく、前記下面と前記上面との間に位置する、請求項4に記載のウェハキャリアアセンブリ。
- 前記少なくとも1つの熱制御特徴部はガスを含む、請求項4に記載のウェハキャリアアセンブリ。
- 前記少なくとも1つの熱制御特徴部は、前記中心軸に対して平行な軸に沿って画定される高さと、前記中心軸に対して垂直に画定される幅とを有し、前記少なくとも1つの熱制御特徴部の前記幅は前記高さよりも大きい、請求項4に記載のウェハキャリアアセンブリ。
- 前記少なくとも1つの熱制御特徴部は、前記ウェハキャリア本体によって全ての面を包囲されている、請求項4に記載のウェハキャリアアセンブリ。
- 前記少なくとも1つの熱制御特徴部は、固体材料からなる複数の層を備える、請求項4に記載のウェハキャリアアセンブリ。
- 前記少なくとも1つの熱制御特徴部は、ガスの流れを許容するチャネルを備え、前記チャネルは、前記ウェハキャリア本体の外部に対する第1の開口及び第2の開口を有する、請求項4に記載のウェハキャリアアセンブリ。
- 化学気相堆積(CVD)によって1つ又は複数のウェハ上にエピタキシャル層を成長させるための装置であって、前記装置は、
反応チャンバと、
前記反応チャンバ内に配置された上端を有する回転可能なスピンドルと、
前記1つ又は複数のウェハ用の支持体を搬送及び提供するためのウェハキャリアであって、前記スピンドルの前記上端に中央で着脱可能に取り付けられるとともに、少なくともCVDプロセスの過程において前記スピンドルの前記上端に接触しているウェハキャリアと、
前記ウェハキャリアを加熱するために前記ウェハキャリアの下方に配置されている放射加熱素子と
を備え、前記ウェハキャリアは、中心軸の周りに対称に形成されたウェハキャリア本体と、少なくとも1つのウェハ保持ポケットと、内部キャビティを有する少なくとも1つの熱制御特徴部とを備え、
前記ウェハキャリア本体は、前記中心軸に対して垂直に位置する全体的に平坦な上面と、前記上面に対して平行である平坦な下面とを有し、
前記少なくとも1つのウェハ保持ポケットは、前記上面から前記ウェハキャリア本体内に窪んでおり、前記少なくとも1つのウェハ保持ポケットのそれぞれは、底面と、前記底面を取り囲んで当該ウェハ保持ポケットの周縁を画定する周壁面とを有し、前記ウェハ保持ポケットは、前記中心軸周りの回転を受けたときにウェハを前記周縁の内側に保持するように適合されており、
前記内部キャビティは、前記ウェハキャリア本体内に形成されており、かつ、前記ウェハキャリア本体の内面によって画定されており、前記内部キャビティは、前記下面と前記上面及び前記底面の少なくとも一方とにおいて包囲されており、前記少なくとも1つの熱制御特徴部は、前記ウェハキャリア本体よりも低い熱伝導率を有し、それにより、前記放射加熱素子の動作によって生じる前記ウェハキャリア本体内の熱の流れは、前記少なくとも1つの熱制御特徴部上の領域以外の領域に集中する傾向となる、装置。 - 化学気相堆積(CVD)によって1つ又は複数のウェハ上にエピタキシャル層を成長させるためのウェハキャリアの組み立て方法であって、
ウェハキャリア本体を中心軸の周りに対称に形成するステップであって、そのステップは、前記中心軸に対して垂直に位置する全体的に平坦な上面を形成すること及び前記上面に対して平行である平坦な下面を形成することを含むことと、
前記上面から前記ウェハキャリア本体内に窪んでいる少なくとも1つのウェハ保持ポケットを形成するステップであって、前記少なくとも1つのウェハ保持ポケットのそれぞれは、底面と、前記底面を取り囲んで当該ウェハ保持ポケットの周縁を画定する、周壁面とを有し、前記ウェハ保持ポケットは、前記中心軸周りの回転を受けたときにウェハを前記周縁の内側に保持するように適合されていることと、
前記周壁面と前記ウェハとの間の間隔を維持するべく、前記少なくとも1つのウェハ保持ポケット内に少なくとも部分的に断熱スペーサを配置するステップであって、前記スペーサは、前記ウェハキャリア本体の熱伝導率よりも低い熱伝導率の材料で構成されており、それにより、前記スペーサは、前記ウェハキャリア本体の部分から前記ウェハへの熱伝導を制限することと、
前記スペーサに係合するスペーサ保持特徴部を前記ウェハキャリア本体に形成するステップであって、前記スペーサ保持特徴部は、前記中心軸周りの回転を受けたときに前記スペーサの遠心移動を防止するように配向された面を提供することと
を含む方法。 - 化学気相堆積(CVD)によって1つ又は複数のウェハ上にエピタキシャル層を成長させるためのシステムで使用されるウェハキャリアアセンブリであって、
前記ウェハキャリアアセンブリは、中心軸の周りに対称に形成されたウェハキャリア本体と、少なくとも1つのウェハ保持ポケットと、窪みを有する少なくとも1つの熱制御特徴部とを備え、
前記ウェハキャリア本体は、前記中心軸に対して垂直に位置する全体的に平坦な上面と、前記上面に対して平行である全体的に平坦な下面とを有し、
前記少なくとも1つのウェハ保持ポケットは、前記上面から前記ウェハキャリア本体内に窪んでおり、前記少なくとも1つのウェハ保持ポケットのそれぞれは、底面と、前記底面を取り囲んで当該ウェハ保持ポケットの周縁を画定する周壁面とを有し、前記ウェハ保持ポケットは、前記中心軸周りの回転を受けたときにウェハを前記周縁の内側に保持するように適合されており、
前記少なくとも1つの熱制御特徴部の前記窪みは、前記少なくとも1つのウェハ保持ポケット以外のウェハキャリアの領域の下方において前記ウェハキャリア本体の下面に形成されている、ウェハキャリアアセンブリ。 - 前記熱制御特徴部の前記窪みは、前記上面に対して全体的に平行である窪み面を有し、前記窪み面は平坦である、請求項13に記載のウェハキャリアアセンブリ。
- 前記熱制御特徴部の前記窪みは、前記上面に対して全体的に平行である窪み面を有し、前記窪み面は湾曲している、請求項13に記載のウェハキャリアアセンブリ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361831496P | 2013-06-05 | 2013-06-05 | |
US61/831,496 | 2013-06-05 | ||
PCT/US2014/041134 WO2014197715A1 (en) | 2013-06-05 | 2014-06-05 | Improved wafer carrier having thermal uniformity-enhancing features |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016526303A true JP2016526303A (ja) | 2016-09-01 |
Family
ID=52004346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016518001A Pending JP2016526303A (ja) | 2013-06-05 | 2014-06-05 | 熱均一性を増大する特徴部を有する改良型ウェハキャリア |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20140360430A1 (ja) |
EP (1) | EP3005410A4 (ja) |
JP (1) | JP2016526303A (ja) |
KR (1) | KR20160021186A (ja) |
CN (1) | CN105453223B (ja) |
SG (1) | SG11201509970WA (ja) |
TW (1) | TWI609991B (ja) |
WO (1) | WO2014197715A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017085089A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-05-18 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 熱閉塞体を備える静電チャック |
JP2020520099A (ja) * | 2017-05-12 | 2020-07-02 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 基板処理システムのための温度調節された基板支持体 |
Families Citing this family (215)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101464228B1 (ko) * | 2007-01-12 | 2014-11-21 | 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 가스 처리 시스템 |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10167571B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
DE102013009925A1 (de) * | 2013-06-13 | 2014-12-18 | Centrotherm Photovoltaics Ag | Messobjekt, Verfahren zur Herstellung desselben und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten |
TWI650832B (zh) * | 2013-12-26 | 2019-02-11 | 維克儀器公司 | 用於化學氣相沉積系統之具有隔熱蓋的晶圓載具 |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
CN107004583B (zh) | 2014-12-02 | 2020-06-26 | 昭和电工株式会社 | 晶片支承台、化学气相生长装置、外延晶片及其制造方法 |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
USD793972S1 (en) | 2015-03-27 | 2017-08-08 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with a 31-pocket configuration |
USD793971S1 (en) | 2015-03-27 | 2017-08-08 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with a 14-pocket configuration |
USD778247S1 (en) * | 2015-04-16 | 2017-02-07 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with a multi-pocket configuration |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10154542B2 (en) | 2015-10-19 | 2018-12-11 | Watlow Electric Manufacturing Company | Composite device with cylindrical anisotropic thermal conductivity |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US20170321345A1 (en) * | 2016-05-06 | 2017-11-09 | Ii-Vi Incorporated | Large Diameter Silicon Carbide Single Crystals and Apparatus and Method of Manufacture Thereof |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
CN107471089A (zh) * | 2017-09-30 | 2017-12-15 | 德清晶生光电科技有限公司 | 具有散热结构的游星轮 |
TWI643973B (zh) * | 2017-11-16 | 2018-12-11 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 晶圓載盤以及金屬有機化學氣相沈積設備 |
JP7012518B2 (ja) * | 2017-11-24 | 2022-01-28 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャル成長装置 |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
USD860146S1 (en) * | 2017-11-30 | 2019-09-17 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with a 33-pocket configuration |
DE102017129699A1 (de) | 2017-12-13 | 2019-06-13 | Aixtron Se | Vorrichtung zur Halterung und zum Transport eines Substrates |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
USD863239S1 (en) * | 2018-03-26 | 2019-10-15 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
USD854506S1 (en) * | 2018-03-26 | 2019-07-23 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
USD866491S1 (en) * | 2018-03-26 | 2019-11-12 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
USD860147S1 (en) * | 2018-03-26 | 2019-09-17 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
USD858469S1 (en) * | 2018-03-26 | 2019-09-03 | Veeco Instruments Inc. | Chemical vapor deposition wafer carrier with thermal cover |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
JP7443250B2 (ja) * | 2018-05-16 | 2024-03-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 原子層自己整合基板の処理及び統合型ツールセット |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR20210024462A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
TWI754179B (zh) * | 2018-10-29 | 2022-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有改善溫度均勻性的空間晶圓處理 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
EP3689543B1 (de) * | 2019-01-30 | 2022-09-21 | Carl Zeiss Vision International GmbH | Vorrichtung und verfahren zur einbringung einer optischen linse in eine wendeeinrichtung |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
TWI751078B (zh) * | 2021-04-28 | 2021-12-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 半導體晶圓承載結構及金屬有機化學氣相沉積裝置 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
WO2023158555A1 (en) * | 2022-02-18 | 2023-08-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier to control temperature of substrate |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6001183A (en) * | 1996-06-10 | 1999-12-14 | Emcore Corporation | Wafer carriers for epitaxial growth processes |
JP4592849B2 (ja) * | 1999-10-29 | 2010-12-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造装置 |
US6666756B1 (en) * | 2000-03-31 | 2003-12-23 | Lam Research Corporation | Wafer carrier head assembly |
DE10261362B8 (de) * | 2002-12-30 | 2008-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Substrat-Halter |
JPWO2005111266A1 (ja) * | 2004-05-18 | 2008-03-27 | 株式会社Sumco | 気相成長装置用サセプタ |
US7101272B2 (en) * | 2005-01-15 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for thermal drift compensation |
US8603248B2 (en) * | 2006-02-10 | 2013-12-10 | Veeco Instruments Inc. | System and method for varying wafer surface temperature via wafer-carrier temperature offset |
KR101405299B1 (ko) * | 2007-10-10 | 2014-06-11 | 주성엔지니어링(주) | 기판 지지대 및 이를 구비하는 박막 증착 장치 |
US8535445B2 (en) * | 2010-08-13 | 2013-09-17 | Veeco Instruments Inc. | Enhanced wafer carrier |
US8562746B2 (en) * | 2010-12-15 | 2013-10-22 | Veeco Instruments Inc. | Sectional wafer carrier |
WO2013033315A2 (en) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with thermal features |
CN103074607A (zh) * | 2012-02-22 | 2013-05-01 | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 | 石墨盘、具有上述石墨盘的反应腔室 |
-
2014
- 2014-06-04 TW TW103119321A patent/TWI609991B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-06-05 US US14/297,244 patent/US20140360430A1/en not_active Abandoned
- 2014-06-05 SG SG11201509970WA patent/SG11201509970WA/en unknown
- 2014-06-05 JP JP2016518001A patent/JP2016526303A/ja active Pending
- 2014-06-05 WO PCT/US2014/041134 patent/WO2014197715A1/en active Application Filing
- 2014-06-05 EP EP14808089.8A patent/EP3005410A4/en not_active Withdrawn
- 2014-06-05 CN CN201480043562.2A patent/CN105453223B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-05 KR KR1020167000191A patent/KR20160021186A/ko not_active Application Discontinuation
-
2017
- 2017-01-11 US US15/403,709 patent/US20170121847A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017085089A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-05-18 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 熱閉塞体を備える静電チャック |
JP2020520099A (ja) * | 2017-05-12 | 2020-07-02 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 基板処理システムのための温度調節された基板支持体 |
JP7481845B2 (ja) | 2017-05-12 | 2024-05-13 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板処理システムのための温度調節された基板支持体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3005410A4 (en) | 2017-06-28 |
EP3005410A1 (en) | 2016-04-13 |
US20140360430A1 (en) | 2014-12-11 |
TWI609991B (zh) | 2018-01-01 |
WO2014197715A1 (en) | 2014-12-11 |
CN105453223A (zh) | 2016-03-30 |
TW201500579A (zh) | 2015-01-01 |
SG11201509970WA (en) | 2016-01-28 |
US20170121847A1 (en) | 2017-05-04 |
CN105453223B (zh) | 2019-09-27 |
KR20160021186A (ko) | 2016-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2016526303A (ja) | 熱均一性を増大する特徴部を有する改良型ウェハキャリア | |
JP5926730B2 (ja) | 改良されたウェハキャリア | |
US20130065403A1 (en) | Wafer carrier with thermal features | |
TWI619843B (zh) | 在化學氣相沉積系統內具有供改善加熱一致性之設計的晶圓舟盒 | |
US20190157125A1 (en) | Wafer carrier having thermal cover for chemical vapor deposition systems | |
TWI397113B (zh) | 具有可變熱阻之晶圓載體 | |
US7070660B2 (en) | Wafer holder with stiffening rib | |
US6709267B1 (en) | Substrate holder with deep annular groove to prevent edge heat loss | |
JP2020506290A (ja) | 搬送リング | |
JP2019528377A (ja) | Cvd反応炉のサセプタ | |
TW201316445A (zh) | 具有熱特性的晶圓承載物 |