CN101115862A - 用于生长GaN晶片的晶片承载器 - Google Patents

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Abstract

一种用于生长晶片的晶片承载器(224)，包括具有第一表面(226)和第二表面(228)的板(225)、从板(225)的第一表面(26)延伸到第二表面(228)的多个开口(230)以及设置在多个开口(230)的每一个中的多孔元件(236)，每一个多孔元件(236)适于支承一个或多个晶片。晶片承载器(224)还具有从板(225)的第二表面(228)向第一表面(226)延伸的中心盲孔(244)以及从中心盲孔(244)向外延伸的多个通道(242)。每一个通道(242)具有与中心盲孔(244)连通的第一端和与多孔元件(236)中的一个连通的第二端，用于提供中心盲孔(244)和多孔元件中的一个之间的流体连通。通过穿过中心盲孔(244)和通道(242)抽真空来在每一个多孔元件(236)的表面处形成吸力。

Description

用于生长GaN晶片的晶片承载器
发明背景
本发明涉及制造半导体材料和器件，更具体地说是涉及用于生长诸如GaN之类的材料的外延层的装置。
半导体晶片通常通过将晶片(也称为衬底)放置在化学气相沉积(CVD)反应器的反应室中然后在该晶片上生长一层或多层外延层来制造。在该过程中，将晶片放置在CVD反应器的内部，并将气体形式的反应化学制品以控制的量和控制的速率引入晶片上，用以在晶片上生长外延层。
CVD反应器具有各种设计，包括其中与流入的反应气体成一角度地安装晶片的水平反应器；其中反应气体横穿晶片的行星旋转式水平反应器；桶状反应器；以及其中在反应气体向下注射到晶片上时晶片在反应室内以相对高速旋转的垂直反应器。
通常称为前体的反应化学制品一般通过将反应化学制品放置在称为起泡器的装置中然后使载运气体通过起泡器来引入到反应室中。载运气体拾取反应化学制品的分子以提供反应气体，然后利用质量流控制器将其输入到CVD反应器的反应室中。
将反应气体引入到反应室中的条件对晶片上生长的外延层的特性具有很大的影响。这些条件一般包括密度、蒸气压、反应气体的流程、化学制品的活度和温度，可修改这些条件以优化晶片上生长的外延层的性质。例如，改变用于将反应气体引入反应室的流动凸缘的设计可改变反应气体的流程。在很多情况下，研究了衬底上生长的外延层的性质以确定用于生长特定类型的层的优化流程。
当在晶片上沉积外延层时，一般将晶片放置在反应室内的晶片承载器上，进而将晶片承载器放置在可转动的基座上。在新泽西州Somerset的Emcore公司开发的某些设计中，基座进而晶片承载器由诸如电阻灯丝或灯之类的位于基座下的热源加热。在这些反应器中，均匀的外延层的生长通过快速旋转其上安装晶片的晶片承载器和基座来获得。所沉积的层的厚度、成分和质量决定所得的半导体器件的特性。因此，沉积工艺必须能够在每一个晶片的正面上沉积成分和厚度均匀的膜。随着较大晶片的使用以及同时在几个晶片上沉积覆层的装置的使用，对于均匀性的要求变得日益严格。
在利用常规的晶片承载器的沉积过程中，由于由基座、晶片和晶片承载器之间的界面以及制作基座、晶片承载器和晶片的材料的不同辐射系数引起的热阻，晶片的表面温度通常低于晶片承载器的表面温度。不幸地，该温度差降低了所得半导体晶片的质量。例如，晶片承载器表面的较高的温度导致晶片的表面上尤其是沿其外围的不均匀的温度，使得沿晶片的外围部分沉积的层通常质量差且价值有限。此外，利用基座的配置需要太多的灯丝功率以加热基座，然后基座再加热晶片承载器。
在图1A所示的典型的现有技术的装置中，晶片10安装在晶片承载器12的顶上。进而，晶片承载器12安装在附连在可转动的支承心轴16顶上的基座14上。晶片10、晶片承载器12和基座14的上端一般位于封闭的反应室内。可将加热组件18布置在基座14之下用于加热基座，晶片承载器12和晶片10安装在基座上。心轴16较佳地转动以便增加晶片10上流动的反应气体的均匀性。转动心轴16一般增加晶片10上流动的反应气体的均匀性以及晶片10上的温度均匀性。
晶片承载器12在其上表面22上包括用于在沉积过程中晶片承载器12转动时将晶片10保持在适当位置的圆形容器20。一般来说，圆形容器20的直径比晶片10的直径大出约0.020″，而其深度比晶片的厚度大出约0.002″。这些晶片承载器12一般还包括环形凸缘24，它用于将晶片承载器12提起并传送至反应室内或传送出反应室。晶片承载器12在其底表面上可包括用于在沉积过程中晶片承载器旋转时定位和保持基座14上的晶片承载器12的环形壁26。
参考图1B，在沉积过程中，晶片10由加热组件18加热。结果，较早沉积的外延层一般具有比较晚沉积的外延层的温度高的温度。这通常导致每一个晶片10的外围边缘28从晶片承载器12翘曲(即，卷起)，如图1B所示。结果，晶片10的外围边缘28不再与晶片承载器12接触且不再被加热至与晶片的内部相同的水平。尽管本发明不受任何特定的工作理论限制，但人们认为，翘曲是由于晶片的底部的温度高于晶片的顶部的温度引起的或者是在生长期间施加在晶片上的其它应力的结果。此外，因为由于这种晶片翘曲而在晶片卷曲的外部更加远离加热组件的情况下对晶片的内部进行加热，所以晶片的加热不均匀。结果，晶片上的外延层是不均匀的，必须丢弃翘曲晶片10的外侧部分。这是因为取自翘曲的晶片的外侧部分的半导体器件会具有与取自晶片内部区域的半导体器件不同的工作特性。
关于图1A和1B所示的配置的另一个问题是基座14阻止晶片承载器12的有效的加热。当必须获得相对高的温度时，如生长GaN晶片时，这种情况是有问题的。在高温下，加热灯丝可能熔融或变形。
因此，需要一种可用于在每一个晶片的整个表面上沉积更均匀的外延层的装置。更具体地，需要一种在外延层形成过程中保持晶片基本平直的晶片承载器，从而防止晶片的边缘卷曲。
还需要一种加热元件直接加热晶片承载器而不是基座或位于加热元件和晶片承载器之间的其它物体的配置。这一配置使加热灯丝的温度能够保持在较低的水平，同时仍将晶片承载器加热到足够的水平。
发明内容
本发明公开了一种用于在晶片上生长外延层的装置，更佳地涉及用于生长GaN晶片的装置。本申请结合了2000年7月19日提交的美国专利申请第09/619,254号中公开的一个或多个概念，其内容通过引用结合于此。
本发明试图克服某些现有技术装置中发生的问题。具体地，在现有技术装置中，基座用于支承晶片承载器。基座一般位于晶片承载器和用于加热晶片承载器的加热灯丝之间。根据本领域的技术人员，基座从加热灯丝获取热量，这要求将加热灯丝加热到较高的温度以产生相同的晶片温度。这是由于基座消耗一些热量并阻止从加热灯丝至晶片承载器的直接热传递。本发明通过使用特别设计的直接与心轴的上端联接的晶片承载器来取消基座，从而克服该问题。
该晶片承载器包括具有顶面和底面的板和中心孔，中心孔具有从中心孔延伸到板的外部周边的径向延伸的空心通道(shaft)。在某些较佳的实施例中，中心孔利用铣床来形成。径向延伸的空心通道可利用钻孔机来形成，由此每一个通道从板的外部周边钻孔至中心孔。
晶片承载器还包括铣削成完全穿透板的一系列开口，用于接纳承载晶片的圆盘。特别地设计每一个这种开口以支承基本上多孔的圆盘。多孔圆盘通过定位环保持在晶片承载器开口中，定位环利用诸如螺钉之类的固定元件来固定到板以将定位环保持到板上。
中心孔较佳地具有插入于其中的分离件。分离件包括由不会扩散到心轴材料并由此不粘合到心轴上的材料制成的中心毂。例如，中心毂可由不扩散到由钼制成的心轴的石墨或其它陶瓷材料制成。
在工作中，通过将中心孔与心轴的顶部对准来将晶片承载器固定到心轴的上端。在将晶片承载器放置在反应室的内部之前或之后，将晶片放置在晶片承载器的多孔圆盘上。然后可通过心轴进而通过晶片承载器的中心孔以及与中心孔连通的径向延伸的通道来抽真空。然后通过多孔圆盘抽真空，用于防止在外延层生长过程中晶片衬底的边缘翘曲。如上所述，该装置不具有在晶片承载器和加热灯丝之间的诸如基座之类的物体。结果，晶片承载器由加热灯丝直接加热，且不会浪费额外的热量来加热诸如基座之类的额外的物体。因此，当生长GaN晶片时，仅需将加热灯丝加热到约1900-2000℃，就可获得在晶片承载器的顶面处1150℃的较佳温度。相反，如果诸如基座之类的物体存在于晶片承载器和加热灯丝之间，则研究显示必须将加热灯丝加热到约2500-2600℃以获得在晶片承载器表面处所需的1150℃。在这些相对高的温度下(即，2500-2600℃)，加热灯丝一般会熔化和/或变形。
因此，本申请解决在生长外延层时的至少两个问题。所解决的一个问题是通过多孔圆盘真空抽吸来防止晶片的边缘翘曲，这在上述的2000年7月19日提交的美国专利申请第09/619,254号中得到了解决，其内容通过引用结合于此。所解决的另一个问题是特别设计的晶片承载器可用于在晶片承载器和加热灯丝之间没有物体的装置中，用于加热灯丝和晶片承载器之间更好的热传递。结果，不需要将加热灯丝加热到极高的温度(例如，2500-2600℃)。这尤其有利于必须在特别高的温度下生长的GaN晶片。
每一个基本上多孔的圆盘较佳地由选自下组的材料制成：石墨、SiC和钼，并且较佳地具有约7-14％的孔隙率。
沉积室也可包括与心轴孔连通的泵，它在穿过心轴延伸的细长孔内形成真空或吸力。在心轴孔内形成低压区后，相等力的真空或低压区在晶片承载器的中心孔和空心通道内形成。当晶片位于晶片承载器的多孔圆盘的顶部，且一种或多种反应气体引入到反应室中时，晶片承载器的中心孔内的真空或吸力小于反应室内的压力级。结果，在晶片和多孔圆盘之间的界面处产生吸力。这种吸力防止在沉积外延层时如现有技术的沉积室(例如，图1A所示的现有技术实施例)内那样晶片的外围边缘翘曲或从晶片承载器拉开。结果，在晶片的整个表面上形成了均匀的外延层，由此提供可从晶片的外围区域获得的可靠的半导体器件。
以下将更详细地描述本发明的这些和其它较佳的实施例。
在某些较佳的实施例中，多孔元件的孔隙率是约7-14％。晶片承载器可由诸如钼、钨、钽和铼之类的能够承受反应室内的热的材料制成。板可由钼、钨、钽和铼制成。多孔元件可由诸如氮化硅和石墨之类的能够承受反应室内的热的材料制成。
板中的盲孔期望的是位于板中心，至少一个通道从盲孔向外延伸。在某些较佳的实施例中，所述至少一个通道是气密的。通道较佳地从盲孔向外径向延伸。所述至少一个通道较佳地适于通过其抽真空以在多孔元件的表面处形成吸力。
在某些较佳的实施例中，板的盲孔具有设置在其中的毂。毂较佳地与心轴的上端联接。毂较佳地由诸如石墨之类的非扩散性材料形成。
在本发明的其它较佳的实施例中，用于生长晶片的晶片承载器包括具有第一表面和第二表面的板、从板的第一表面延伸到第二表面的多个开口以及设置在多个开口的每一个中的多孔元件，其中每一个多孔元件适于支承一个或多个晶片。晶片承载器还期望地包括从板的第二表面向第一表面延伸的中心盲孔以及从中心盲孔向外延伸的多个通道，每一个通道具有与中心盲孔连通的第一端和与多孔元件中的一个连通的第二端，用于提供中心盲孔和多孔元件中的一个之间的流体连通。通道中的一个或多个可在多孔元件中的一个或多个的周边的周围延伸。在工作中，较佳地通过穿过中心盲孔和通道抽真空来在每一个多孔元件的表面处形成吸力。
在某些较佳的实施例中，开口具有在板的第一表面处的第一直径和在板的第二表面处的第二直径，由此第一直径大于第二直径。晶片承载器还较佳地包括可插入到板中的第一直径开口中的定位环，用于将多孔元件固定在适当位置。定位环期望的是由诸如钼和钨之类的能够承受反应室内存在的热的材料制成。
在本发明的另一个较佳的实施例中，用于在晶片上生长外延层的装置包括可转动的心轴，该心轴具有设置在反应室内部的上端和在所述心轴的上端和下端之间延伸的孔。该装置较佳地包括固定到心轴的上端的可转动的晶片承载器。可转动晶片承载器较佳地包括：具有第一表面和第二表面的板；从板的第一表面延伸到第二表面的至少一个开口；设置在板中的至少一个开口中的多孔元件，其中多孔元件适于支承一个或多个晶片；以及从板的第二表面向第一表面延伸的盲孔，该盲孔与在心轴的上端和下端之间延伸的孔连通。该装置还较佳地包括在盲孔和多孔元件之间延伸的至少一个通道，用于提供盲孔和多孔元件之间的流体连通。在工作中，穿过心轴的孔抽真空、盲孔和至少一个通道抽真空，以形成在每一个多孔元件的表面处的吸力。
该装置还较佳地包括与板的第二表面相对的加热元件，使得多孔元件直接暴露于加热元件，用于通过加热元件无阻碍地、直接加热多孔元件。心轴的下端期望的是直接连接到真空泵，使得多孔元件的表面处的压力级低于反应室内的压力级。
附图简述
图1A是现有技术的包括安装在其上的晶片的晶片承载器、基座、用于支承基座的可转动的心轴以及用于加热所述基座的加热装置的剖视图。
图1B示出具有在晶片上生长的外延层的图1A的现有技术的晶片承载器。
图2示出包括晶片承载器、可转动基座和可转动的心轴的沉积室的剖视图。
图3示出根据本发明的某些较佳实施例的晶片承载器的剖视图。
图4示出图3的晶片承载器的俯视立体图。
图5示出图3的晶片承载器的仰视立体图。
详细描述
图2示出用于在晶片上生长外延层的装置。该装置包括沉积室100，沉积室100包括侧壁102及包括用于将诸如反应气体之类的反应化学制品引入到沉积室100的内部区域108的一个或多个开口106的顶部凸缘104。沉积室100还包括底部密封凸缘110。沉积室100由不锈钢制成，且顶部和底部凸缘104和110与侧壁102密封地配合。通过顶部凸缘104中的开口106引入的反应气体一般由一个或多个莲蓬头114均匀地分布。反应气体在沉积室100内相互作用以在晶片上形成外延层。在反应气体相互作用并沉积在晶片上后，废料通过延伸过底部密封凸缘110的排气口116排出。在某些实施例中，废弃的反应气体利用泵118通过排气口116排出。沉积室100的内部区域108内的压力级通过节流阀120来调节。
当在晶片上生长外延层时，将晶片122放置在沉积室100内及晶片承载器124的顶上。每一个晶片承载器124都具有顶面126、底面129以及适用于在其中接纳一个或多个晶片122的一个或多个晶片接纳腔128。每一个晶片接纳腔128的直径大于或等于存放于其中的晶片122的外径。晶片承载器124还包括形成于晶片承载器124的底面129中的空腔130。空腔130可位于晶片承载器124的中心。晶片承载器124由基本上多孔的材料形成，如石墨、SiC、钼或通常用于晶片承载器的其它公知的材料。晶片承载器124的孔隙率较佳地介于约7-14％。
晶片承载器124包括限定晶片承载器124的外部周界的外凸缘132。晶片承载器124适于放置在具有顶面136和与其远离的底面138的可转动基座134的顶部。基座134还包括在顶面136和底面138之间延伸的中心孔140。
基座134可连接到具有位于沉积室100内部的上端144和位于沉积室外部的下端146的可转动的心轴142。心轴142的最上端期望地包括安装到基座134的底面138的凸缘部分148。心轴142可由电动机150通过滑轮152、154和皮带156来旋转。心轴142具有穿过其延伸并与穿过基座134延伸的中心孔140对准的细长孔158。当晶片承载器124被设置在基座134的顶部时，在其底面129上的空腔130较佳地与心轴孔158和基座孔140基本对准。当晶片承载器124和基座134转动时，外凸缘132将晶片承载器124保持在基座134顶部。
心轴142的最下端较佳地连接到用于通过心轴孔158抽真空的泵118。压差控制器162调节沉积室100的内部区域108内的压力以及心轴孔158、基座孔140和空腔130内的压力级，使得空腔130内的压力级总是低于沉积室100的内部区域108内的压力级。诸如通过利用一个或多个真空旋转馈通装置160和164在沉积室100和心轴142之间或心轴142周围实现真空密封。公知的真空旋转馈通装置由Ferrofluidic公司，Advanced Fluid Systems and Rigaku制造。
如上所述，晶片承载器124包括在晶片承载器124的底面129上形成的空腔130。当激活泵118时，在心轴孔158、基座孔140和空腔130内形成真空。晶片承载器包括与空腔130连通的一个或多个通道135，使得空腔130内的低压或真空可穿过基本上多孔的晶片承载器的整个区域。结果，晶片122和晶片承载器之间的界面处(即，腔128内)的压力级低于反应室100的内部区域108内的压力级。正如本文所使用的，术语“晶片122和晶片承载器之间的界面”意思是晶片承载器与放置在承载器上的晶片直接接触的区域。界面处的低压将晶片122吸入腔128，从而防止如图1B所示的现有技术装置那样发生晶片122的外围边缘翘曲。可以相信，在反应气体在其上的沉积期间保持晶片122基本平直(即，防止边缘的翘曲)将可形成在晶片的整个面积上具有均匀的外延层的半导体晶片。结果，可使用在晶片的边缘处形成的半导体器件，而不是如现有技术工艺那样丢弃。
图3-5示出根据本发明的某些较佳实施例的晶片承载器224。晶片承载器224较佳地由可承受沉积室内存在的温度和化学环境的任何材料形成。在较佳的实施例中，晶片承载器224由诸如钼、钨、钽和铼之类的材料形成。晶片承载器包括具有顶面226和与其远离的底面228的板225。对板225进行铣削以形成完全穿过该板延伸的一系列的开口230。在图3-5所示的特定的较佳实施例中，板225具有四个穿过其延伸的等间隔开口230。每一个开口包括与板225的底面228相邻的底部环形凸缘232和与该板的顶面226相邻的顶部环形凸缘234。顶部环形凸缘234的半径大于底部环形凸缘232的半径。基本上多孔的材料的圆盘位于通开口230的每一个中。基本上多孔的材料的圆盘236可由诸如碳化硅和石墨之类的材料来制成。底部环形凸缘232限定用于安置多孔圆盘236的第一井区。顶部环形凸缘234限定用于接纳插入到第二井区以将多孔圆盘236保持在适当的位置的定位环238的第二井区。定位环238可由诸如钼或钨之类的能承受沉积室内的温度和化学环境的任何材料形成。定位环238通过诸如螺钉240之类的固定元件保持在适当的位置。
板225还具有从板224的外周边向其中心孔244延伸的径向延伸的空心通道242。正如以下详细描述的，径向延伸的空心通道242允许通过其抽真空。空心通道242可利用钻孔机来形成。
如上所述，板225包括形成于其底面228中的中心盲孔244。中心盲孔包括限定适于接纳分离的加工件250的底井248的环形凸缘246。加工件250利用诸如螺钉之类的固定元件252固定在中心孔244中。加工件250包括由诸如陶瓷材料之类的非扩散性材料制成的中毂252。在较佳的实施例中，中毂252由石墨制成。在其它较佳的实施例中，中毂252由不扩散到心轴材料的任何材料形成，以防止晶片承载器224粘附于心轴。
空心通道242在板225的外部周边形成开口。开口254可由密封元件256封闭。密封元件256可包括在空心通道242的开口端254形成气密密封的任何材料。在某些较佳的实施例中，密封元件256可以是诸如拧入开口254的螺钉之类的固定元件。
在工作中，与心轴的上端对准放置晶片承载器224的中心孔244，使得中心孔与心轴的上端处的开口流体连通。晶片衬底位于晶片承载器224的多孔圆盘236上。通过心轴(未示出)抽真空，进而通过中心孔244、空心通道242和插入到晶片承载器的多孔圆盘236抽真空。结果，当外延层在晶片衬底上生长时，晶片衬底的外部周边将通过真空被吸在多孔圆盘236的顶面上。如上所述，穿过多孔圆盘236的真空防止晶片衬底的外部边缘以及其上生长的所得的晶片翘曲，这种晶片翘曲将改变晶片的卷曲部分的工作性质。
提供一种不在晶片承载器和加热灯丝之间插入诸如基座之类的物体的装置还可提高加热效率。尽管本发明不受特定的工作理论限制，但相信提供一种在晶片承载器和加热灯丝之间没有诸如基座之类的物体的配置将使晶片生长过程在加热灯丝温度低得多的情况下发生。在现有技术的实施例中，其中诸如基座之类的物体位于晶片承载器和加热灯丝之间，为了在晶片承载器的顶面处获得1150℃的温度，必须将加热灯丝加热到约2500-2600℃。这种高温一般超过了加热灯丝的最高推荐温度，通常会导致加热灯丝的熔化和变形。在本发明中，不使用诸如基座之类的物体，晶片承载器必须的温度1150℃可通过将加热灯丝加热到仅1900-2000℃来达到。这是因为本申请的较佳实施例提供了加热灯丝和晶片承载器之间的直接热传递。因此，本发明通过设置在反应室内的加热灯丝对晶片承载器224的直接加热。如本文中所使用的，术语“直接加热”意思是没有诸如基座之类的物体位于晶片承载器和加热灯丝之间。通过使灯丝直接加热晶片承载器，晶片承载器可被更有效率地加热并达到用于生长某些晶片所需的相对高的温度，而不会如现有技术装置中那样使灯丝熔化和/或变形。
尽管在本文中参考特定的实施例描述了本发明，但应该理解这些实施例仅仅是对本发明的原理和应用的说明。因此，应该理解可对说明性的实施例进行众多的修改，并可在不背离如所附权利要求书定义的本发明的精神和范围的情况下设计其它配置。
工业实用性
本发明适于生长外延层以及制造半导体器件。

Claims (24)

1.一种用于生长晶片的晶片承载器，包括：
具有第一表面和第二表面的板；
至少一个从所述板的第一表面延伸到第二表面的开口；
设置在所述板中的所述至少一个开口中的多孔元件，所述多孔元件适于支承一个或多个晶片；
从所述板的第二表面向第一表面延伸的盲孔；
在所述盲孔和所述多孔元件之间延伸的至少一个通道，用于在所述盲孔和所述多孔元件之间形成流体连通，通过穿过所述盲孔和所述至少一个通道抽真空来在所述多孔元件的表面处形成吸力。
2.如权利要求1所述的晶片承载器，其特征在于，所述多孔元件比所述板具有更多孔。
3.如权利要求1所述的晶片承载器，其特征在于，所述多孔元件的孔隙率约是7-14％。
4.如权利要求1所述的晶片承载器，其特征在于，所述晶片承载器包括选自下组的材料：钼、钨、钽和铼。
5.如权利要求1所述的晶片承载器，其特征在于，所述板包括选自下组的材料：钼、钨、钽和铼。
6.如权利要求1所述的晶片承载器，其特征在于，所述多孔元件包括选自下组的材料：碳化硅和石墨。
7.如权利要求1所述的晶片承载器，其特征在于，所述盲孔基本位于所述板的中心，且所述至少一个通道从所述盲孔向外延伸。
8.如权利要求7所述的晶片承载器，其特征在于，所述至少一个通道从所述盲孔径向向外延伸。
9.如权利要求1所述的晶片承载器，其特征在于，所述至少一个通道适于通过其抽真空，用于在所述多孔元件的表面形成吸力。
10.如权利要求1所述的晶片承载器，其特征在于，所述至少一个开口包括多个开口，每一个所述开口中设置有所述多孔元件中的一个。
11.如权利要求1所述的晶片承载器，其特征在于，还包括设置在所述板的所述盲孔中的毂。
12.如权利要求11所述的晶片承载器，其特征在于，所述毂由非扩散性材料制成。
13.如权利要求11所述的晶片承载器，其特征在于，所述毂由石墨或陶瓷制成。
14.一种用于生长晶片的晶片承载器，包括：
具有第一表面和第二表面的板；
从所述板的第一表面延伸到第二表面的多个开口；
设置在所述板每一个开口中的多孔元件，每一个所述多孔元件适于支承一个或多个晶片；
从所述板的第二表面向第一表面延伸的中心盲孔；
从所述中心盲孔向外延伸的多个通道，每一个所述通道具有与所述中心盲孔连通的第一端和与所述多孔元件中的一个连通的第二端，用于在所述中心盲孔和所述多孔元件中的一个之间形成流体连通，通过穿过所述中心盲孔和所述通道抽真空来在每一个所述多孔元件的表面处形成吸力。
15.如权利要求14所述的晶片承载器，其特征在于，所述板开口具有在所述板的第一表面处的第一直径和在所述板的第二表面处的第二直径，其中所述第一直径大于所述第二直径。
16.如权利要求15所述的晶片承载器，其特征在于，还包括可插入到所述板中的第一直径开口中的定位环，用于将所述多孔元件固定就位。
17.如权利要求16所述的晶片承载器，其特征在于，所述定位环包括选自下组的材料：钼和钨。
18.如权利要求14所述的晶片承载器，其特征在于，每一个所述通道沿所述多孔元件中的一个的外周延伸。
19.一种用于在晶片上生长外延层的装置，包括：
可转动的心轴，它具有设置在反应室的内部的上端和在所述心轴的上端和下端之间延伸的孔；
固定在所述心轴上端的可转动的晶片承载器，所述可转动的晶片承载器包括：
具有第一表面和第二表面的板，
从所述板的第一表面延伸到第二表面的至少一个开口，
设置在所述板中的所述至少一个开口中的多孔元件，其中所述多孔元件
适于支承一个或多个晶片，
从所述板的第二表面向第一表面延伸的盲孔；所述盲孔与在所述心轴的
上端和下端之间延伸的所述开口连通，
在所述盲孔和所述多孔元件之间延伸的至少一个通道，用于在所述盲孔和所述多孔元件之间形成流体连通，穿过所述心轴的孔、所述盲孔和所述至少一个通道抽真空来在所述多孔元件的表面处形成吸力。
20.如权利要求19所述的装置，其特征在于，还包括与所述板的第二表面相对的加热元件，使得所述多孔元件直接暴露于所述加热元件，用于无阻碍地直接加热所述多孔元件。
21.如权利要求19所述的装置，其特征在于，所述多孔元件比所述板具有更多孔。
22.如权利要求19所述的装置，其特征在于，所述至少一个通道沿所述多孔元件的外周延伸。
23.如权利要求19所述的装置，其特征在于，所述多孔元件的孔隙率约是7-14％。
24.如权利要求19所述的装置，其特征在于，所述心轴的下端连接到真空泵，使得所述多孔元件的表面处的压力低于所述反应室内的压力。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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